JP7319059B2 - ペリクル中間体の製造方法およびペリクルの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 222
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 194
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 etc.) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
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Description
2 ペリクル中間体(ペリクル中間体の一例)
3 中間体
10,103 Si基板またはSi層(Si層の一例)
10a,103a Si層の表面
10b Si層の裏面
11,104 低COP部(低COP部の一例)
12 アニール処理前のSi基板
12a アニール処理前のSi基板の表面
20,30 酸化膜基板(第1および第2の酸化膜基板の一例)
21,31,101 Si基板(Si基板、第1のSi基板、および第2のSi基板の一例)
21a,31a Si基板の表面
21b,31b Si基板の裏面
21c,31c Si基板の側面
22,32,102 Si酸化膜(Si酸化膜、第1のSi酸化膜、および第2のSi酸化膜の一例)
22a,32a Si酸化膜の表面
32b Si酸化膜の裏面
33 マスク層
34 フォトレジスト
40,105 SiC膜(SiC膜の一例)
40a SiC膜の表面
40b,105b SiC膜の裏面
41 支持基板
41a 支持基板の表面
41b 支持基板の裏面
41c 支持基板の側面
42,106 凹部(凹部の一例)
80 COP(Crystal Originated Particle)検知装置
81a,81b,81c レーザー光照射部
82 ビームスプリッター
83a,83b 受光部
84 制御部
110 SOI(Silicon On Insulator)基板
CS 反応容器
DP 検知位置
HP 固定台
MA 薬液
PL 平面
PO Si基板の平面内の位置
RG1 Si基板の裏面の中央部
RG2,RG3,RG4 凹部の底面
WR 試料
Claims (6)
- Si層であって、表面に近づくに従ってCOP(Crystal Originated Particle)数が減少する部分である低COP部であって、表面を構成する部分に形成された低COP部を含むSi層を準備する工程と、
第1のSi基板と、前記第1のSi基板の表面に形成された第1のSi酸化膜とを含む第1の酸化膜基板を準備する工程と、
第2のSi基板と、前記第2のSi基板の表面に形成された第2のSi酸化膜とを含む第2の酸化膜基板を準備する工程と、
前記Si層の表面に対して、前記第1のSi酸化膜を接合する工程と、
前記第1のSi酸化膜を接合する工程の後で、前記Si層の裏面を構成する部分を除去する工程と、
前記Si層の裏面を構成する部分を除去する工程の後で、前記Si層の裏面に対して、前記第2のSi酸化膜を接合する工程と、
前記第2のSi酸化膜を接合する工程の後で、Si酸化物のエッチング速度よりもSiのエッチング速度の方が速い条件で、前記第1のSi基板をウエットエッチングすることにより、前記第1のSi酸化膜を露出させる工程と、
前記第1のSi酸化膜を露出させる工程の後で、前記第1のSi酸化膜を除去することにより、前記Si層の表面を露出させる工程とを備えた、ペリクル中間体の製造方法。 - 前記第1の酸化膜基板を準備する工程において、前記第1のSi基板と、前記第1のSi基板の表面および裏面に形成された前記第1のSi酸化膜とを含む前記第1の酸化膜基板を準備し、
前記第1のSi酸化膜を接合する工程の後で、前記第1のSi酸化膜における前記第1のSi基板の裏面に形成された部分を除去することにより、前記第1のSi基板の裏面を露出させる工程をさらに備えた、請求項1に記載のペリクル中間体の製造方法。 - 前記第2の酸化膜基板を準備する工程において、前記第2のSi基板と、前記第2のSi基板の表面および裏面に形成された前記第2のSi酸化膜とを含む前記第2の酸化膜基板を準備し、
前記第2のSi酸化膜を接合する工程の後で、前記第2のSi酸化膜における前記第2のSi基板の裏面に形成された部分を除去することにより、前記第2のSi基板の裏面を露出させる工程をさらに備えた、請求項1または2に記載のペリクル中間体の製造方法。 - 請求項1~3のいずれかに記載の方法を用いてペリクル中間体を製造する工程と、
前記Si層の表面にSiC膜を形成する工程と、
Si酸化物のエッチング速度よりもSiのエッチング速度の方が速い条件で、前記第2のSi基板をウエットエッチングすることにより、前記第2のSi基板に凹部を形成し、前記凹部の底部に前記第2のSi酸化膜を露出させる工程と、
前記凹部の底部に存在する前記第2のSi酸化膜および前記Si層をウエットエッチングすることにより、前記凹部の底部に前記SiC膜を露出させる工程とを備えた、ペリクルの製造方法。 - 前記ペリクル膜中間体を製造する工程の後であって前記第2のSi酸化膜を露出させる工程の前に、前記第2のSi基板を機械的に研削することにより、前記第2のSi基板に前記凹部を形成する工程をさらに備え、
前記第2のSi酸化膜を露出させる工程において、前記凹部の底部に存在する前記第2のSi基板をウエットエッチングすることにより、前記凹部の底部に前記第2のSi酸化膜を露出させる、請求項4に記載のペリクルの製造方法。 - 前記凹部の底部に前記SiC膜を露出させる工程は、
前記凹部の底部に存在する前記第2のSi酸化膜をウエットエッチングすることにより、前記凹部の底部に前記Si層を露出させる工程と、
前記凹部の底部に存在する前記Si層をウエットエッチングすることにより、前記凹部の底部に前記SiC膜を露出させる工程とを含み、
前記SiC膜を露出させる工程において、前記Si層のウエットエッチングに用いる薬液に対して前記Si層を相対的に動かす、請求項4または5に記載のペリクルの製造方法。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019031707A JP7319059B2 (ja) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | ペリクル中間体の製造方法およびペリクルの製造方法 |
EP20762719.1A EP3916481A4 (en) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | INTERMEDIATE FILM, FILM, METHOD FOR MAKING INTERMEDIATE FILM AND METHOD FOR MAKING FILM |
PCT/JP2020/007003 WO2020175355A1 (ja) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | ペリクル中間体、ペルクル、ペリクル中間体の製造方法、およびペリクルの製造方法 |
CN202080016368.0A CN113474726A (zh) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | 蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法 |
KR1020217027665A KR20210129078A (ko) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | 펠리클 중간체, 펠리클, 펠리클 중간체의 제조 방법, 및 펠리클의 제조 방법 |
SG11202109296WA SG11202109296WA (en) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | Pellicle intermediary body, pellicle, method for manufacturing of pellicle intermediary body, and pellicle manufacturing method |
CA3131369A CA3131369A1 (en) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | Pellicle intermediary body, pellicle, method for manufacturing of pellicle intermediary body, and pellicle manufacturing method |
US17/432,852 US12001136B2 (en) | 2019-02-25 | 2020-02-21 | Pellicle intermediary body, pellicle, method for manufacturing of pellicle intermediary body, and pellicle manufacturing method |
TW109105961A TWI821530B (zh) | 2019-02-25 | 2020-02-25 | 護膜中間體之製造方法及護膜之製造方法 |
IL285859A IL285859A (en) | 2019-02-25 | 2021-08-25 | An intermediate body of a thin membrane, a thin membrane, a method of producing an intermediate body of a thin membrane, and a method of producing a thin membrane |
JP2023079346A JP7483986B2 (ja) | 2019-02-25 | 2023-05-12 | ペリクル中間体およびペルクル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019031707A JP7319059B2 (ja) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | ペリクル中間体の製造方法およびペリクルの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023079346A Division JP7483986B2 (ja) | 2019-02-25 | 2023-05-12 | ペリクル中間体およびペルクル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020134870A JP2020134870A (ja) | 2020-08-31 |
JP7319059B2 true JP7319059B2 (ja) | 2023-08-01 |
Family
ID=72239551
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019031707A Active JP7319059B2 (ja) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | ペリクル中間体の製造方法およびペリクルの製造方法 |
JP2023079346A Active JP7483986B2 (ja) | 2019-02-25 | 2023-05-12 | ペリクル中間体およびペルクル |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023079346A Active JP7483986B2 (ja) | 2019-02-25 | 2023-05-12 | ペリクル中間体およびペルクル |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12001136B2 (ja) |
EP (1) | EP3916481A4 (ja) |
JP (2) | JP7319059B2 (ja) |
KR (1) | KR20210129078A (ja) |
CN (1) | CN113474726A (ja) |
CA (1) | CA3131369A1 (ja) |
IL (1) | IL285859A (ja) |
SG (1) | SG11202109296WA (ja) |
TW (1) | TWI821530B (ja) |
WO (1) | WO2020175355A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102682687B1 (ko) * | 2021-08-24 | 2024-07-08 | 주식회사 에프에스티 | 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법 |
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JP2018115094A (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法 |
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JP3762144B2 (ja) | 1998-06-18 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | Soi基板の作製方法 |
US6645293B2 (en) | 2002-03-07 | 2003-11-11 | Illinois Institute Of Technology | Molecular crystals of controlled size |
EP2051139B1 (en) | 2007-10-18 | 2010-11-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle and method for manufacturing the same |
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-
2019
- 2019-02-25 JP JP2019031707A patent/JP7319059B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-21 US US17/432,852 patent/US12001136B2/en active Active
- 2020-02-21 KR KR1020217027665A patent/KR20210129078A/ko active Search and Examination
- 2020-02-21 SG SG11202109296WA patent/SG11202109296WA/en unknown
- 2020-02-21 CA CA3131369A patent/CA3131369A1/en active Pending
- 2020-02-21 CN CN202080016368.0A patent/CN113474726A/zh active Pending
- 2020-02-21 EP EP20762719.1A patent/EP3916481A4/en active Pending
- 2020-02-21 WO PCT/JP2020/007003 patent/WO2020175355A1/ja unknown
- 2020-02-25 TW TW109105961A patent/TWI821530B/zh active
-
2021
- 2021-08-25 IL IL285859A patent/IL285859A/en unknown
-
2023
- 2023-05-12 JP JP2023079346A patent/JP7483986B2/ja active Active
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JP2018115094A (ja) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法 |
WO2019031361A1 (ja) | 2017-08-08 | 2019-02-14 | エア・ウォーター株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113474726A (zh) | 2021-10-01 |
US20220171279A1 (en) | 2022-06-02 |
EP3916481A1 (en) | 2021-12-01 |
US12001136B2 (en) | 2024-06-04 |
WO2020175355A1 (ja) | 2020-09-03 |
SG11202109296WA (en) | 2021-09-29 |
JP2020134870A (ja) | 2020-08-31 |
EP3916481A4 (en) | 2022-03-30 |
JP2023099220A (ja) | 2023-07-11 |
IL285859A (en) | 2021-10-31 |
TWI821530B (zh) | 2023-11-11 |
CA3131369A1 (en) | 2020-09-03 |
JP7483986B2 (ja) | 2024-05-15 |
KR20210129078A (ko) | 2021-10-27 |
TW202101573A (zh) | 2021-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230720 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7319059 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |