CN108351586B - 用于制造隔膜组件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；将所述叠层定位于支撑件上，使得曝光所述平坦衬底的所述内部区；和使用非液体蚀刻剂来选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成。

Description

用于制造隔膜组件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年9月2日提交的欧洲申请15183437.1的优先权，并且它通过引用而全文合并到本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于制造隔膜组件的方法和一种隔膜组件。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底(通常是衬底的目标部分)上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或多个管芯)上。图案的转移通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤的。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。
图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：
Figure BDA0001647739250000011
其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上制造出缺陷。隔膜组件可以包括边框和横跨边框伸展的隔膜。例如由于隔膜的薄度，很难制造出一种隔膜组件并且该隔膜组件在所述过程中不发生变形。
难以在隔膜组件在所述过程中没有受到损坏或污染的情况下制造出隔膜组件。例如，在制造隔膜组件的过程期间，所述隔膜可能以不被期望的方式被氧化或具有沉积在所述隔膜上的不希望的污染物颗粒。
期望减小在隔膜组件制造期间隔膜组件诸如表膜被变形、被损坏或被污染的可能性。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区、围绕所述内部区的边框区、围绕所述边框区的桥接区和围绕所述桥接区的边缘区；邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽(或者说穿过邻近于所述平坦衬底的所述桥接区的所述至少一个隔膜层形成桥接凹槽)；选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区和所述桥接区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；围绕所述边框的边缘区段，所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成；以及所述边框与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成；以及将所述边缘区段与所述边框分离使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。
根据本发明的一个方面，提供一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；将所述叠层定位于支撑件上使得所述平坦衬底的所述内部区被曝光；以及使用一非液体蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成。
根据本发明的一个方面，提供一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；其中所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤期间以机械的方式保护所述边框区；和使用氟化物蚀刻剂移除所述机械保护材料。
根据本发明的一个方面，提供一种用于EUV光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括：由包括硅的至少一个隔膜层形成的隔膜和保持所述隔膜的边框，其中：叠层中的所述至少一个隔膜层的边缘被圆化或斜切；和/或所述至少一个隔膜层的部分从所述边框径向地向外延伸；和/或钝化涂层被施加至所述至少一个隔膜层的所述边缘；和/或所述至少一个隔膜层的所述边缘被氧化或是氮化物。
附图说明
现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明的一实施例的光刻设备；
图2是光刻设备的更详细的视图；
图3和图4示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段；
图5至图8示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段；
图9至图12示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段；
图13示意性地示出根据本发明的实施例的一种隔膜组件；
图14示意性地示出根据比较实例的一种隔膜组件；
图15示意性地示出根据本发明的实施例的一种隔膜组件；
图16至图19示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段；
图20至图27示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段；以及
图28至图35示意性地示出根据本发明的实施例的用于制造表膜的方法的多个阶段。
在结合附图的情况下，根据下文给出的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加清晰；在所有附图中，类似的附图标记表示对应的元件。在附图中，类似的参考标号通常表示相同的、功能相似和/或结构相似的元件。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备100包括：
-照射系统(或照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如反射式投影系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
与照射系统IL类似，投影系统PS可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型光学部件、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空用于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。
如此处所示，所述光刻设备100是反射型的(例如采用反射式掩模)。
光刻设备100可以是具有两个(双平台)或更多衬底台WT(和/或两个或更多的支撑结构MT)的类型。在这种“多平台”的光刻设备中，可以并行地使用附加的衬底台WT(和/或附加的支撑结构MT)，或可以在一个或更多个衬底台WT(和/或一个或更多个支撑结构MT)上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它的衬底台WT(和/或一个或更多的其它支撑结构MT)台用于曝光。
参考图1，照射系统IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用以产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料来产生，燃料例如是具有所需的发射线元素的材料的液滴、束流或簇团。源收集器模块SO可以是包括用于提供用于激发燃料的激光束的激光器(在图1中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块SO可以是分立的实体，例如当使用CO2激光器提供激光束用于燃料激发时。
在这种情况下，激光器不看作是形成光刻设备100的一部分，并且，借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，辐射束B被从激光器传递至源收集器模块SO。在其他情况下，所述源可以是源收集器模块SO的组成部分，例如当源是放电产生等离子体EUV产生器，通常称为DPP源。
照射系统IL可以包括调节器，用于调节辐射束的角度强度分布。通常，可以对所述照射系统IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射系统IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射系统IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。在已经由图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
控制器500控制光刻设备100的总体操作，且尤其是执行下文进一步所描述的操作过程。控制器500可被具体实施为合适地编程的通用目的计算机，该通用目的计算机包括中央处理单元、易失性和非易失性储存装置、一个或更多个输入输出装置(诸如键盘和屏幕)、一个或更多个网络连接，以及至光刻设备100的各个部分的一个或更多个接口。应了解，控制计算机与光刻设备100之间的一对一关系不是必须的。在本发明的实施例中，一个计算机可以控制多个光刻设备100。在本发明的实施例中，多个网络计算机可以用于控制一个光刻设备100。控制器500也可以被配置成控制光刻单元(lithocell)或簇(cluster)中的一个或更多个相关联的加工装置和衬底处置装置，所述光刻设备100形成所述光刻单元或簇的一部分。控制器500也可以被配置成附属于光刻单元或簇的监控系统和/或工厂车间(fab)的总控制系统。
图2更详细地示出光刻设备100，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。用于发射EUV辐射的等离子体210可以由等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中形成发射辐射等离子体210以发射在电磁波谱的EUV范围内的辐射。在一个实施例中，被激发的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。
由发射辐射等离子体210发射的辐射从源腔211被传递到收集器腔212中。
收集器腔212可以包括辐射收集器CO。穿过辐射收集器CO的辐射可以被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常称为中间焦点，并且该源收集器模块SO布置成使得虚源点IF位于包围结构220的开口221处或其附近。虚源点IF是发射辐射等离子体210的像。
随后辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括布置成在图案形成装置MA处提供未图案化束21的期望的角分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。在未图案化束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，图案化的束26被形成，并且图案化的束26通过投影系统PS经由反射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。
在照射系统IL和投影系统PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在投影系统PS中可以存在在图2中示出的元件以外的1-6个附加的反射元件。
可替代地，源收集器模块SO可以是LPP辐射系统的一部分。
如图1所示，在实施例中，光刻设备100包括照射系统IL和投影系统PS。照射系统IL被配置成发射辐射束B。投影系统PS通过介入空间(intervening space)与衬底台WT分离开。投影系统PS被配置成将赋予辐射束B的图案投影至衬底W上。所述图案用于辐射束B的EUV辐射。
可以至少部分抽空介于投影系统PS与衬底台WT之间的空间。可在投影系统PS的位置处由固体表面界定所述介入空间，所使用的辐射从所述固体表面被朝向衬底台WT引导。
在一实施例中，光刻设备100包括动态气锁。动态气锁包括隔膜组件80。在一实施例中，动态气锁包括由位于介入空间中的隔膜组件80覆盖的中空部。中空部位于辐射的路径周围。在一实施例中，光刻设备100包括鼓风机，所述鼓风机被配置成用气流冲刷中空部分的内部。辐射行进通过隔膜组件，之后照射到衬底W上。
在一实施例中，光刻设备100包括隔膜组件80。如上文所解释，在一实施例中，隔膜组件80用于动态气锁。在这种情况下，隔膜组件80用作用于对DUV辐射进行滤光的滤光器。另外或替代地，在一实施例中，隔膜组件80为用于EUV光刻术的图案形成装置MA的薄膜。本发明的隔膜组件80可用于动态气锁或用于薄膜或用于另一目的。在一实施例中，隔膜组件80包括隔膜层50，所述隔膜层50被配置成透射至少80％的入射EUV辐射。
在一实施例中，表膜(pellicle)被配置成密封图案形成装置MA以保护图案形成装置MA免受空气悬浮颗粒和其他形式的污染物影响。图案形成装置MA的表面上的污染物可以造成衬底W上的制造缺陷。例如，在一实施例中，表膜被配置成减小颗粒可能迁移至光刻设备100中的图案形成装置MA的步进场中的可能性。
如果图案形成装置MA未受到保护，则污染物可能要求清洁或弃用图案形成装置MA。清洁图案形成装置MA会中断宝贵的制造时间，弃用图案形成装置MA成本高。更换图案形成装置MA也会中断宝贵的制造时间。
图3至4示意性地示出根据本发明的一实施例的用于制造隔膜组件80的方法的阶段。在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括提供叠层40。如图3所示，叠层包括平坦衬底41。
在一实施例中，平坦衬底41由硅形成。然而，平坦衬底41还可以由玻璃/SiO2晶片或SOI晶片形成。例如，平坦衬底41具有诸如正方形、圆形或矩形的形状。平坦衬底41的形状不受特别限制。
平坦衬底41的大小不受特别限制。例如，在一实施例中，平坦衬底41具有在约100毫米至约500毫米的范围内(例如，约200毫米)的直径。平坦衬底41的厚度不受特别限制。例如，在一实施例中，平坦衬底41具有为至少100微米的厚度(例如预先减薄的晶片)，例如至少300微米的厚度，可选地至少400微米的厚度。在一实施例中，平坦衬底41具有至多1000微米、可选地至多800微米的厚度。在一实施例中，平坦衬底41具有约725微米的厚度。在一实施例中，平坦衬底41的厚度至多600微米，可选地至多400微米。通过提供较薄的平坦衬底41，平坦衬底41的需要被选择性移除的量被减小。因此，通过以变薄的平坦衬底41开始，期望本发明的实施例减小在选择性移除平坦衬底41的部分的步骤期间隔膜被损坏或被污染的可能性。另外，通过以平坦衬底41开始，期望本发明的实施例使得制造过程更加有效。
硅可以结晶成金刚石立方晶体结构。在一实施例中，平坦衬底41包括硅的立方晶体。在一实施例中，平坦衬底41具有<100>晶向。
如图4所示，在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括蚀刻平坦衬底41的步骤。平坦衬底41的部分形成隔膜组件80的边框区72，所述边框区72形成边框75。边框75保持隔膜组件80的隔膜。期望本发明的实施例实现增加隔膜组件80的边框75的机械强度。边框75至少部分地由平坦衬底41形成。边框75可被称为隔膜组件载体。
在一实施例中，平坦衬底41被抛光。叠层40具有顶侧和底侧。顶侧被示出为处于附图中的叠层40的顶部。底侧被示出为处于附图中的叠层40的底部。在一实施例中，平坦衬底41在顶侧和底侧两者处被抛光。然而，这种情况不是必须的。在一实施例中，平坦衬底41在顶侧和底侧中的仅一个上被抛光。在一实施例中，平坦衬底41通过抛光减薄。
如图3所示，叠层40包括至少一个隔膜层45、50。隔膜组件80包括由至少一个隔膜层50形成的隔膜。在一实施例中，至少一个隔膜层50包括硅的一种同素异形体，诸如非晶硅、单晶硅、多晶硅或纳米晶硅。纳米晶硅意味着包含特定非晶硅成分的多晶硅基质。在一实施例中，多晶硅或纳米晶硅通过使在至少一个隔膜层45中的非晶硅晶化而形成。例如，如图9所示，在一实施例中，将隔膜层45作为非晶硅层而添加至叠层40。当超过特定温度时，非晶硅层晶化成多晶硅层或纳米晶硅层。例如，作为非晶硅层的隔膜层45转变成作为多晶硅层或纳米晶硅层的隔膜层50。
在一实施例中，非晶硅层在其生长期间被原位掺杂。通过添加p型或n型掺杂，硅的传导性增加，这对处理EUV源的电力有积极作用。
如图3所示，在一实施例中，叠层40包括下牺牲层43。下牺牲层43设置于平坦衬底41与至少一个隔膜层45、50之间。附图标记45和50两者表示所述至少一个隔膜层。附图标记45表示当所述硅处于非晶状态时的至少一个隔膜层。附图标记50表示当硅已经被晶化时的至少一个隔膜层。
在一实施例中，平坦衬底41包括内部区71和边框区72。边框区72围绕内部区71。内部区71和边框区72在平坦衬底41的平面中。在一实施例中，边框区72在平坦衬底41的平面中围绕内部区71。
如图3所示，在一实施例中，平坦衬底41包括桥接区73和边缘区74。桥接区73围绕边框区72。边缘区74围绕桥接区73。桥接区73和边缘区74在平坦衬底41的平面中。在一实施例中，桥接区73在平坦衬底41的平面中围绕边框区72。在一实施例中，边缘区74在平坦衬底41的平面中围绕桥接区73。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法的步骤中的一个是将边框75(由边框区72形成)与由边缘区74形成的边缘区段分离的步骤。例如，如果平坦衬底41最初是圆形的，而用于隔膜组件80的目标形状是矩形，则使弯曲的边缘区段(由边缘区74形成)与矩形边框75(由边框区72形成)分离。根据本发明，需要使这一步骤尽可能早地在制造程序中，使得切割边框不将碎屑提供到最终的隔膜组件80中。
在替代的实施例中，叠层40的平坦衬底41具有与用于隔膜组件80的目标形状相同的形状。在这样的实施例中，可不必将任何边缘区段与边框75分离。在这样的实施例中，平坦衬底可不包括任何桥接区73或任何边缘区74。
在一实施例中，叠层40是矩形的。因此，用于制造隔膜组件80的叠层40具有用于隔膜组件80的目标形状。预期本发明的这一实施例会使得较容易制造隔膜组件80。具体地，不必将任何边缘区段与隔膜组件80的边框75分离。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括选择性移除平坦衬底41的内部区71和任何桥接区73。在一实施例中，在选择性地移除平坦基板41的内部区71的步骤之前，将叠层40定位于支撑件上使得平坦衬底41的内部区71被曝光。通过将叠层40定位于支撑件上，支撑件承载叠层40的重量。叠层40无需承载其自身的重量。通过将叠层40定位于支撑件上，叠层40在选择性地移除平坦衬底41的内部区71的步骤期间是较稳定的且较不可能机械地受损。通过定位叠层40使得平坦衬底41的内部区71被曝光，所述内部区71可以被蚀刻剂触及，以便选择性地移除平坦衬底41的内部区71和任何桥接区73。
在一实施例中，使用非液体蚀刻剂(即，非湿式蚀刻过程)来选择性地移除平坦衬底41的内部区71。通过使用非液体蚀刻剂，不必处理叠层40以便使叠层40与液体蚀刻剂接触(例如，通过将叠层40放置于液体蚀刻剂浴中)。反而是，非液体蚀刻剂可以用以在叠层40由支撑件稳定地支撑时选择性地移除内部区71。例如，支撑件可以是台或夹具。在一实施例中，叠层40被放置于台表面上，其中平坦衬底41的内部区71在叠层40的顶部被曝光。
通过使用非液体蚀刻剂，当选择性地移除平坦衬底41的内部区71时需要对叠层40的较少处理。因此，无需使用提供对叠层40的机械保护的材料来以机械的方式保护叠层40的任何额外制造步骤。期望本发明的这一实施例会使得较容易制造隔膜组件80。
在一实施例中，在诸如原子层蚀刻、溅射蚀刻、等离子体蚀刻、反应性离子蚀刻或深反应性离子蚀刻的非湿式蚀刻过程中选择性地移除平坦衬底41的内部区71。
原子层蚀刻是使用顺序自限制性反应(sequential self-limiting reaction)来移除薄材料层的技术。原子层蚀刻过程包括形成反应层的改性步骤，接着进行仅移去所述改性层的移除步骤。例如，平坦衬底41的硅可通过与氯的反应与用氩离子进行的蚀刻交替而被蚀刻。原子层蚀刻是特别具选择性且精确的技术。因此，通过使用原子层蚀刻，预期本发明的实施例实现具有更精确界定形状的隔膜组件80。
溅射蚀刻过程包括运用惰性气体的高能离子(例如氩离子)来轰击平坦衬底41的内部区71。高能离子通过转移动量而撞击来自内部区71的原子。
等离子体蚀刻涉及以脉冲形式射到平坦衬底41的内部区71处的适当气体混合物的高速的等离子体流。等离子体源可以是带电离子或中性原子或自由基。等离子体在约295K的温度下从平坦衬底41的内部区71与由所述离子体产生的反应物种之间的化学反应产生挥发性蚀刻产物。
反应性离子蚀刻使用化学反应性等离子体以移除平坦衬底41的内部区71的材料。可由电磁场在低压下产生等离子体。来自等离子体的高能离子附接至内部区71的表面且与其反应。深反应性离子蚀刻包括在标准的几乎各向同性等离子体蚀刻与化学惰性钝化层(例如，C4F8)的沉积之间重复性地交替。
如图3所示，在一实施例中，选择性移除平坦衬底41的内部区71和任何桥接区73的步骤包括在叠层40的底表面形成蚀刻掩模层49。在一实施例中，蚀刻掩模层49对应于平坦衬底41的边框区72和边缘区74。在一实施例中，选择性移除平坦衬底41的内部区71的步骤包括各向异性地蚀刻平坦衬底41的内部区71。
针对于从叠层40的底侧蚀刻平坦衬底41的过程，蚀刻掩模层49用作蚀刻阻挡件。在一实施例中，蚀刻掩模层49通过最初用蚀刻掩模层49覆盖叠层40的顶表面和底表面两者来提供。
在一实施例中，蚀刻掩模层49包括非晶的或化学当量的氮化硅(例如a-Si3N4或SiN)。蚀刻掩模层49是耐用于选择性移除平坦衬底41的内部区71的方式或手段的。
如图3所示，在一实施例中，蚀刻开口56被产生用作蚀刻掩模层49中的开口。形成蚀刻掩模层49的材料在对应于蚀刻开口56的区域中被移除。蚀刻开口56延伸到形成蚀刻掩模层49的材料被从叠层40的后表面移除所在的区域中。
如图3所示，在一实施例中，叠层40包括下覆盖薄膜44。下覆盖薄膜44设置于平坦衬底41与隔膜层45、50之间。当叠层40包括下牺牲层43时，下覆盖薄膜44设置于下牺牲层43与隔膜层45、50之间。在一实施例中，下覆盖薄膜44形成由根据本发明的一实施例的方法而制造的隔膜组件80的隔膜的部分。
下覆盖薄膜44被配置为包含由所述制造方法而生产的隔膜组件80的隔膜的隔膜层50。当除了下覆盖薄膜44以外也提供上覆盖薄膜46(如例如图3中所显示)时尤其是这样。下覆盖薄膜44和上覆盖薄膜46被配置成在隔膜组件80的隔膜断裂时减小碎片的分布。
在一实施例中，下覆盖薄膜44和上覆盖薄膜46中的每一个具有小于3纳米的厚度。在一实施例中，下覆盖薄膜44、隔膜层45以及上覆盖薄膜46的组合厚度为大约50纳米。在一实施例中，上覆盖薄膜46的材料与下覆盖薄膜44的材料相同。
在光刻设备100的使用期间，隔膜组件80有可能断裂。当隔膜组件80断裂时，隔膜可以断裂成许多颗粒。尤其是，如果隔膜层50由具有脆性性质的材料形成，则隔膜层50可以在隔膜组件80断裂时碎裂成许多颗粒。来自已断裂的隔膜组件80的碎片可能污染光刻设备100的其他部分。例如，来自已断裂的隔膜组件80的碎片可能污染光刻设备100的光学部件。来自已断裂的隔膜组件80的碎片的污染可能降低由光刻设备100的光学部件进行的光学功能的品质。
例如，在一实施例中，隔膜层50由多晶硅或纳米晶硅形成。多晶硅或纳米晶硅具有脆性性质。因此，包括一包括由多晶硅或纳米晶硅形成的隔膜层50的隔膜的隔膜组件80可能在隔膜组件80断裂时碎裂成许多颗粒。预期本发明的实施例实现改善隔膜组件80的机械性质。
在一实施例中，用于下覆盖薄膜44的材料为氮化硅。例如，在一实施例中，用于下覆盖薄膜44的材料为非晶氮化硅。然而，其他氮化硅可能是合适的。在一实施例中，下覆盖薄膜44足够厚以允许下覆盖薄膜44在隔膜组件80断裂时执行其容纳隔膜层50的功能。在一实施例中，下覆盖薄膜44的厚度为至少约1纳米、可选地至少约2纳米。在一实施例中，下覆盖薄膜44足够薄使得包括下覆盖薄膜44的隔膜组件80的隔膜具有足够良好的光学性质，特别是对EUV辐射的透射。在一实施例中，下覆盖薄膜44的厚度为至多约10纳米、可选地至多约5纳米。在一实施例中，下覆盖薄膜44的厚度为约2.5纳米。
将下覆盖薄膜44施加至叠层40的方法不受特别限制。在一实施例中，由化学气相沉积(例如，在约850℃的温度下的低压化学气相沉积)将下覆盖薄膜44施加至叠层。然而，在一替代实施例中，例如，由溅射法或由薄膜成型法将下覆盖薄膜44施加至叠层40。
提供下覆盖薄膜44并非是必须的。在一实施例中，叠层40不包括任何下覆盖薄膜44。在一实施例中，由制造方法生产的隔膜组件80不包括任何下覆盖薄膜44。
在一实施例中，将隔膜层45施加至叠层40的顶表面和底表面两者。可在稍后的过程步骤中从叠层40的底侧移除隔膜层45。然而，这种情况不是必须的。在一替代实施例中，将隔膜层45仅施加至叠层40的顶侧。在叠层40的顶侧处的隔膜层45变成由制造方法生产的隔膜组件80的隔膜中的隔膜层50。
在一实施例中，由化学气相沉积法将隔膜层45施加至叠层40。例如，在一实施例中，由在约560℃的温度下的低压化学气相沉积施加隔膜层45。然而，可使用诸如溅射法和薄膜成型法的其他方法。
在一实施例中，隔膜层45足够薄使得其对EUV辐射的透射足够高，例如大于50％。在一实施例中，隔膜层45的厚度为至多约200纳米，可选地至多约150纳米。150纳米厚的纯Si隔膜将透射约77％的入射EUV辐射。在一实施例中，隔膜层45的厚度为至多约100纳米。100纳米厚的纯Si隔膜将透射约84％的入射EUV辐射。
在一实施例中，隔膜层45足够厚使得其在隔膜组件80固定至光刻设备100的图案形成装置MA时以及在光刻设备100的使用期间在机械上是稳定的。在一实施例中，隔膜层45的厚度为至少约10纳米、可选地至少约20纳米，可选地至少约35纳米。在一实施例中，隔膜层45的厚度为约55纳米。
如图3所示，在一实施例中，叠层40包括上覆盖薄膜46。可以与上文所描述的下覆盖薄膜44的特征相同的方式来选择和改变上覆盖薄膜46的特征。因此，此处将不更进一步详细地描述上覆盖薄膜46的特征。
上覆盖薄膜46被设置成使得隔膜层45、50设置于平坦衬底41与上覆盖薄膜46之间。提供上覆盖薄膜46并非是必需的。在一实施例中，叠层40不包括任何上覆盖薄膜46。在一实施例中，由所述制造方法生产的隔膜组件80在隔膜组件80的隔膜中不包括任何上覆盖薄膜46。
图5至8示意性地示出根据本发明的一实施例的制造用于EUV光刻术的隔膜组件80的方法的多个阶段。在一实施例中，诸如KOH的湿式蚀刻剂被用于选择性移除平坦衬底41的内部区71和任何桥接区73。因此，在一实施例中，湿式掩模层49对湿式蚀刻剂是具有化学耐性的。可以使用其他湿式蚀刻剂(诸如TMAH(四甲基氢氧化铵))和EDP(乙二胺和邻苯二酚的水溶液)。
如图5所示，当湿式蚀刻剂被用于选择性移除平坦衬底41的邻近区域71时，叠层40被设置有机械保护材料66。机械保护材料66被配置成在选择性地移除平坦衬底41的内部区71的步骤期间机械地保护边框区72。
图6显示出在选择性地移除平坦衬底41的内部区71和桥接区73的步骤之后的叠层40。氧化层42保护隔膜免遭受湿式蚀刻步骤。
选择性地移除平坦衬底41的内部区71和桥接区73的步骤可以在隔膜组件80的制造期间导致对隔膜组件80的损害。在制造方法的这一阶段，叠层40特别薄。当选择性地移除平坦衬底41的内部区71时，叠层40包括极薄部分(其中已移除内部区71)与薄部分(对应于其中平坦衬底41的边框区72尚未移除的边框75)的混合。这可能导致叠层40上的机械应力。叠层40有可能断裂，或以其他方式不期望地受损。
在一实施例中，机械保护材料66足够厚以提供对叠层40的足够的机械保护。在一实施例中，机械保护材料具有为至少约1微米、可选地至少约2微米的厚度。在一实施例中，机械保护材料66足够薄以便充分减小施加机械保护材料66所需的过程时间。在一实施例中，机械保护材料具有为至多约10微米、可选地至多约5微米的厚度。在一实施例中，机械保护材料具有为约4微米的厚度。
机械保护材料66机械上充分稳固以便在选择性地移除平坦衬底41的内部区71的步骤期间提供对边框区72的机械保护。机械保护材料66可以是用于保护涂覆表面的保形涂层，其具有诸如抗溶剂(例如，在室温下不可溶解的)、抗潮湿、抗腐蚀、抗化学侵蚀的良好阻挡性质。通常期望机械保护材料66提供均一的层厚度，而不具有针孔。在一实施例中，选择性地移除平坦衬底41的内部区71的步骤包括使用化学蚀刻剂以便选择性地移除平坦衬底41的内部区71。例如，在一实施例中，化学蚀刻剂为提供暂时的湿式蚀刻保护的KOH。机械保护材料是在化学上耐化学蚀刻剂的。例如，在一实施例中，机械保护材料66是在化学上耐KOH的。这意味着当使用化学蚀刻剂时，机械保护材料66根本不被蚀刻掉，或以相比于平坦衬底41的内部区71低得多的蚀刻速率而蚀刻掉。
在一实施例中，机械保护材料66被施加为在其中实质上不具有孔的连续层。机械保护材料66形成不可渗透的层。在使用蚀刻剂来选择性地移除平坦衬底41的部分的过程步骤期间，蚀刻剂不可扩散通过施加至叠层40的机械保护材料66。
如图6所示，在一实施例中，平坦衬底41包括氧化层42。氧化层42是平坦衬底41的部分。平坦衬底41的其余部分形成平坦衬底41的非氧化层。氧化层42是牺牲层。氧化层42在平坦衬底41的非氧化层被蚀刻时形成蚀刻阻挡。如图6所示，例如，平坦衬底41从底侧被蚀刻。氧化层42是耐湿式蚀刻剂的。
在一实施例中，氧化层42具有大于100纳米、可选地大于200纳米、且可选地大于300纳米的厚度。例如，在一实施例中，氧化层42具有约350纳米或约400纳米的厚度。预期本发明的实施例实现对蚀刻平坦衬底41的步骤的改善的鲁棒性。
在一实施例中，氧化层42在平坦衬底41的外部表面上形成为薄氧化物层。在一实施例中，氧化层42通过热氧化过程形成，例如形成为热湿式氧化物。在一实施例中，氧化层42和用于蚀刻平坦衬底41的蚀刻剂被配置成使得氧化层42在蚀刻剂中的蚀刻速率小于约5纳米/分钟，例如约3纳米/分钟。在一实施例中，氧化层42包括非晶态的二氧化硅。
如图6所示，在一实施例中，叠层40包括下牺牲层43。下牺牲层43在存在于隔膜的底部处的任何层(诸如，平坦衬底41的氧化层42)的选择性移除期间保护至少一个隔膜层45、50。
下牺牲层43的厚度不受特别限制。在一实施例中，下牺牲层43的厚度是至少约5纳米、可选地至少约10纳米。在一实施例中，下牺牲层43的厚度是至多约100纳米，可选地至多约50纳米。在一实施例中，下牺牲层43的厚度是约20纳米。
在一实施例中，下牺牲层43是由诸如非晶硅的材料形成。然而，这并不是必须的。
将下牺牲层43沉积至叠层40上的方法不受特别限制。在一实施例中，通过化学气相沉积将下牺牲层43施加至叠层40。例如，在一实施例中，通过在从300℃至700℃的范围内的温度下的低压化学气相沉积将下牺牲层43施加至叠层40。然而，这并不是必须的。例如，在一替代实施例中，通过(例如)溅射法或通过薄成膜法将下牺牲层43施加至叠层40。
图7示意性地示出在蚀刻氧化层42和下牺牲层43的步骤之后的叠层40。
如图8所示，用于制造隔膜组件80的方法包括移除机械保护材料66。在一实施例中，使用氟化物蚀刻剂来移除机械保护材料66。通过使用氟化物蚀刻剂来代替氧化性蚀刻剂，隔膜组件80的隔膜在移除机械保护材料66的步骤期间被氧化的可能性减小。
作为一比较实例，可使用氧化性蚀刻剂以移除机械保护材料66。这可能导致隔膜组件80的上覆盖薄膜46的非想要、非均一及不受控制的氧化。例如，如果使用氧化性等离子体以移除机械保护材料66，则隔膜组件80的隔膜可较不均一。上覆盖薄膜46的氧化可将氧原子增加至隔膜使得隔膜在一些位置变得较厚。这可增加对EUV辐射的吸收。
通过提供使用氟化物蚀刻剂来移除机械保护材料66，预期隔膜组件80的隔膜较均一且具有较受控制的形状。预期这改善隔膜组件80的成像性质，例如，减小对EUV辐射的吸收程度。
在一实施例中，氟化物蚀刻剂包括二氟化氙(XeF2)等离子体。可在适当时使用其他氟化物蚀刻剂。
如图11所示，在一实施例中，叠层40包括上牺牲层47。上牺牲层47被设置成使得隔膜层45、50置于平坦衬底41与上牺牲层47之间。
可以与可选择和改变下牺牲层43的特征相同的方式来选择和改变关于上牺牲层47的其他特征。下牺牲层43的特征在上文特定地参看图5被描述。因此，此处将不更进一步详细地论述上牺牲层47的另外特征。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括选择性地移除平坦基板41的内部区71和任何桥接区73。结果，隔膜组件80包括来自隔膜层50的隔膜和保持隔膜的边框75。边框75由平坦衬底41的边框区72形成。
边框75改善隔膜组件80的隔膜的机械稳定性。预期本发明的实施例实现隔膜组件80的机械稳定性的改善。这使得较容易在隔膜组件80不受损的情况下封装和输送隔膜组件80。这也使得较容易在隔膜组件80不受损的情况下通过框架将隔膜组件80附接至图案形成装置MA。
在一实施例中，隔膜组件80的边框75被配置成连接至框架，该框架将隔膜组件80连接至图案形成装置MA。框架无需直接附接至隔膜组件80的隔膜。框架可附接至隔膜组件80的边框75。这减小隔膜组件80的隔膜在将隔膜组件80装配至图案形成装置MA的过程期间受损的可能性。
在一实施例中，通过化学气相沉积沉积蚀刻掩模层49。例如，在一实施例中，通过在约850℃的温度下的低压化学气相沉积施加蚀刻掩模层49。
通过施加高温，可改变隔膜层45的性质。例如，当将隔膜层45最初施加为非晶硅时，隔膜层45可转换成由多晶硅或纳米晶硅形成的隔膜层50。温度造成非晶硅结晶成多晶硅或纳米晶硅。
多晶硅和纳米晶硅每个具有对EUV幅射的高透射率。多晶硅和纳米晶硅每个具有良好的机械强度。相比于制作由诸如多晶格材料的另一材料形成的隔膜，更容易制造具有由多晶硅或纳米晶硅形成的隔膜的隔膜组件80。多晶硅和纳米晶硅对EUV辐射进行显著滤光。
然而，使隔膜组件80的隔膜由多晶硅或纳米晶硅形成并非是必需的。例如，在替代实施例中，隔膜组件80的隔膜是由多晶格隔膜或氮化硅形成。
在另外的替代实施例中，隔膜组件80的隔膜由单晶硅形成。在这样的实施例中，单晶硅隔膜可通过绝缘体上硅(SOI)技术形成。用于这一产品的原材料是所谓的SOI衬底。SOI衬底是包括硅载体衬底的衬底，其中在嵌入式隔离SiO2层的顶部具有薄单晶硅层。在一实施例中，单晶硅层的厚度可在约5纳米至约5微米之间的范围内。在一实施例中，在SOI衬底用于制造方法中之前硅隔膜层存在于SOI衬底上。
图9至图12示意性地示出根据本发明一实施例的用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件80的方法中的多个阶段。图9示出叠层40，其包括平坦衬底41、氧化层42、下牺牲层43、下覆盖薄膜44、至少一个隔膜层45以及上覆盖薄膜46。氧化层42、下牺牲层43、下覆盖薄膜44以及上覆盖薄膜46是可选的。
如图10所示，在一实施例中，方法包括形成桥接凹槽81的步骤。桥接凹槽81是因为其形成于对应于平坦衬底41的桥接区73的位置处而被称为“桥接”凹槽的凹槽。邻近于平坦衬底41的桥接区73穿过至少一个隔膜层45形成桥接凹槽81。在提供下覆盖薄膜44和上覆盖薄膜46的实施例中，桥接凹槽81形成为穿过下覆盖薄膜44和上覆盖薄膜46。桥接凹槽81形成为穿过形成隔膜组件80中的隔膜的层。
在一实施例中，桥接凹槽81是表膜块体中的深通孔。桥接凹槽81的目的是使得在用于制造隔膜组件80的方法结束时不必断裂桥接区73上方的至少一个隔膜层45。
在一实施例中，桥接凹槽81由激光、(N)IR辐射或EUV辐射形成。在一实施例中，激光、(N)IR辐射或EUV辐射用于烧蚀穿过至少一个隔膜层45和下覆盖薄膜44以及上覆盖薄膜46。在一实施例中，所述方法包括在非矩形叠层40中形成矩形凹槽(即，桥接凹槽81)。通过在非矩形叠层40中形成矩形凹槽，将隔膜与在方法中的相对早的阶段将被待舍弃的至少一个隔膜层45、50的部分分离开。因此，不必在制造方法结束时机械上断裂至少一个隔膜层50来提供具有所要形状的隔膜。
为了提供矩形隔膜组件80，使桥接凹槽81形成为矩形形状(当在平面图中看叠层40时)。
在已形成桥接凹槽81之后，可用诸如牺牲层或机械保护材料的填充材料来填充桥接凹槽81。如图11所示，在一实施例中，将上牺牲层47提供至叠层40。上牺牲层47的材料填充于桥接凹槽81中。替代地，诸如机械保护材料66的材料可用以填充桥接凹槽81。
图12示意性地示出在用于制造隔膜组件80的方法中的后期步骤。如图12所示，已选择性地移除平坦衬底41的内部区71和桥接区73(连同任何氧化层42以及任何下牺牲层43)。也已移除上牺牲层47。
将边缘区段(由平坦衬底41的边缘区74形成)与边框75分离开。例如，通过选择性地移除平坦衬底41的桥接区73而将边缘区段与边框75分离开。通过移除桥接区73，桥接凹槽81变成允许在不切割或断裂至少一个隔膜层50的情况下移除边缘区段的开口区域。当将边缘区段与边框75分离时，邻近于边缘区段的至少一个隔膜层50通过桥接凹槽81与隔膜组件80的隔膜分离。
因此，一旦选择性地移除桥接区73，隔膜组件80的隔膜被与待舍弃的至少一个隔膜层50的周边部分分离(经由形成叠层40中的贯穿凹槽的桥接凹槽81)。这意味着不必执行断裂至少一个隔膜层50的后续步骤。因此，这减小了产生通过断裂至少一个隔膜层50而形成的任何污染物粒子的可能性。这减小任何污染物粒子粘附至隔膜组件80的隔膜的可能性。污染物粒子可包括硅薄片。最终的隔膜组件80上的任何这样的污染物粒子可减小隔膜组件80的光学性能。与边框75重迭的松散悬挂的硅薄片可被释放并粘附至隔膜组件80的隔膜。污染物粒子可相对容易粘附至隔膜，这是因为污染物粒子如此薄。
在一实施例中，桥接凹槽81形成为使得至少一个隔膜层45的部分从平坦衬底41的边框区72径向地向外延伸。这显示于图10中，其中至少一个隔膜层45的部分向外延伸超出边框区72。因此，当边缘区段与边框75分离时(在用于制造隔膜组件80的方法结束时)，隔膜层50的所述部分从边框75径向地向外延伸。图12显示出这一情形。通过控制桥接凹槽81相对于平坦衬底41的边框区72的位置，有可能微调隔膜组件中的隔膜的边缘的位置。
在一实施例中，可将导柱提供于桥接凹槽81中。导柱用于保持隔膜与待舍弃的至少一个隔膜层45的周边部分之间的间隙。一旦已执行选择性地移除平坦衬底41的部分的步骤，即可移除导柱，使得隔膜与至少一个隔膜层50的其余部分分离。因此，在用于制造隔膜组件80的方法结束时不必使隔膜从至少一个隔膜层50的其余部分物理上断裂开。
在一实施例中，叠层40是矩形的。或者说，有可能以矩形(或正方形)平坦衬底41开始所述方法。平坦衬底41可具有与通过所述方法产生的隔膜组件80的所要形状实质上相同的形状。在这样的实施例中，在用于制造隔膜组件80的方法结束时不必使隔膜组件80与在平坦衬底41的末端的平坦衬底41的任何边缘区段断裂开。这减小受粘附至隔膜的污染物粒子污染隔膜的可能性。
在一实施例中，使叠层40中的至少一个隔膜层45的边缘圆化或斜切。通过提供斜面或斜边或圆化边缘，隔膜组件80的边缘较不尖锐。具体地，各向异性蚀刻可引起用于隔膜组件80的特别尖锐边缘。例如，隔膜组件80的隔膜的边缘可具有锐角三角形的形状。这增加边缘的拐角断裂掉以导致产生污染物粒子的可能性。污染物粒子的直径可以在约20纳米至约1微米的范围内。通过提供斜面或斜边或圆化边缘，减小了隔膜的拐角断裂以产生粒子的可能性。
图13示出根据本发明的一实施例的隔膜组件80。如图13所示，在一实施例中，所述方法包括在将边缘区段与边框75分离之后将钝化涂层82施加至至少一个隔膜层50的边缘。所述边缘可涂覆有厚的粘性层。例如，可使用喷涂技术。
在一实施例中，钝化涂层82的厚度是在约1微米至约10微米的范围内。钝化涂层82使至少一个隔膜层50的边缘钝化。在一实施例中，钝化涂层82被以围绕边缘施加的粘性带的形式施加。在削去至少一个隔膜层50的不想要的周边区段之后将钝化涂层82施加至最早的一个隔膜层50的边缘。
在一实施例中，使用原子层沉积、化学气相沉积、电镀或浸渍涂覆来施加钝化涂层82。在一实施例中，钝化涂层82包括诸如Ru的金属。然而，钝化涂层82也可包括硅化物、氧化物或氮化物。钝化涂层82可通过(例如)化学气相沉积而沉积至至少一个隔膜层50的边缘。在一实施例中，钝化涂层82被施加成完全围绕隔膜组件80(而非仅仅被施加至至少一个隔膜层50的边缘)。例如，可以经由原子层沉积或化学气相沉积将钝化涂层82施加成完全围绕隔膜组件80。电镀也可用以制造保形的Ru涂层。在一实施例中，提供Ru层以保护隔膜组件80。
在一实施例中，使用物理气相沉积来施加钝化涂层82。可使用阴影掩模使得仅至少一个隔膜层50的边缘接收钝化涂层82。钝化涂层82可经由物理气相沉积局部地涂覆至硅隔膜的边缘上。阴影掩模可用以对隔膜的内部部分进行掩模。隔膜的其余部分可被钝化涂层82的材料溅射。具体地，如果使用非氧化等离子体来移除机械保护材料66(例如，稠密交联聚合物)，则可被称为阴影溅射的所述过程可能是适当的。
钝化涂层82减小隔膜的边缘的拐角断裂掉以产生污染物粒子的可能性。因此，预期本发明的实施例实现粘附至隔膜组件80的隔膜的污染物粒子的减少。这可导致隔膜组件80具有对EUV辐射的改善的透射且具有横越其区域的较一致的光学性质。
在一实施例中，至少一个隔膜层45包括非晶材料。通过用(例如)非晶材料代替结晶硅开始，隔膜组件80的边缘将是较不脆性的。因此，使用非晶材料可减小在隔膜组件80从平坦衬底41的不想要的区段和至少一个隔膜层50断裂开时产生污染物粒子的可能性。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括在将边缘区段与边框75分离之后使至少一个隔膜层50的边缘氧化或氮化。通过使至少一个隔膜层50的边缘氧化或氮化，使隔膜变成较不反应性的。例如，原始氧化物相比于纯硅具有较小反应性。因此，通过使硅隔膜的边缘氧化或氮化，减小所产生的粒子碎屑与表膜工具接触的机会。
浸渍涂覆可用以选择性地施加Ru层以保护硅隔膜的边缘。
图14示意性地示出其中至少一个隔膜层50横跨边框75(其也可被称为框架)的隔膜组件。所述至少一个隔膜层50直接沉积于平坦衬底41的顶部上。之后，由于选择性地各向异性地背向蚀刻平坦衬底41，使隔膜是自支撑的(free-standing)。在一实施例中，用于至少一个隔膜层50的材料是SiN。其它材料也是可能的。
如图14所示，可以使在至少一个隔膜层50与边框75之间存在尖锐边缘或过渡。步骤缺陷也可能是由于用于制作过程中的各向异性蚀刻步骤造成的。各向异性蚀刻遵循结晶平面。因此，步骤缺陷可能展现其中可发生特别高应力集中的特别尖锐拐角。这可引起隔膜组件80在发生特别高应力集中的位置处的失效或断裂。
边框75的形状可依赖于用以选择性地移除平坦衬底41的部分的蚀刻过程而变化。边框75的形状也可依赖于用以形成边框75的材料而变化。图14中所显示的边框75的形状是在用以形成平坦衬底41的材料是结晶材料时由各向异性蚀刻引起的典型形状。
图15示意性地示出根据本发明的一实施例的隔膜组件80。如图15所示，在一实施例中，叠层40设置有中间层83。中间层83被定位于平坦衬底41与至少一个隔膜层45之间。用于制造隔膜组件80的方法包括在选择性地移除平坦衬底41的内部区71的步骤之后各向同性地蚀刻中间层83。
有意地将中间层83引入到边框75与至少一个隔膜层50之间。在一实施例中，中间层比至少一个隔膜层50厚。中间层83被各向同性地蚀刻。使用选择性的蚀刻剂来蚀刻中间层83。在不蚀刻至少一个隔膜层50的情况下蚀刻中间层83。
如图15示意性地示出，被各向同性地蚀刻的中间层83使从边框75至至少一个隔膜层50的过渡的尖锐边缘平滑。这导致显著较低的应力集中，且因此导致隔膜失效的机会减小。
各向同性蚀刻在所有方向上以相同速率蚀刻。另一方面，各向异性蚀刻在特定方向上由于晶面取向而显著地较快蚀刻。各向异性蚀刻本质上导致原子级尖锐边缘，且因此导致较高应力集中。对于玻璃材料或非晶材料，蚀刻通常是各向同性的。在一实施例中，中间层80包括二氧化硅或非晶硅或金属层。
被各向同性地蚀刻的中间层83减轻任何步骤缺陷的部位处的应力。中间层83也减小贯穿从边框75至隔膜的整个过渡的应力。中间层83也减小隔膜组件80的拐角的应力。在一实施例中，中间层83比隔膜显著地更厚。例如，在一实施例中，中间层83具有是至少50纳米、可选地至少100纳米的厚度。在一实施例中，中间层83具有至多500纳米、可选地至多200纳米的厚度。在一实施例中，用以各向同性地蚀刻中间层83的蚀刻剂是选择性的。这意味着蚀刻剂被配置成蚀刻中间层83且不蚀刻隔膜结构。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括通过退火工艺、离子束改性、控制施加至叠层40的压力以及控制施加至叠层40的温度中的一个或更多个操作来改变叠层40的至少一个隔膜层45中的预张力。
在制造工艺期间预张力被施加至至少一个隔膜层45，使得隔膜组件80的隔膜在使用期间将是直的且平坦的。如果不施加预张力，则隔膜可能不理想地是翘起的(flappy)或起皱(起皱也导致非均一的隔膜厚度)。松散或非均一厚度的隔膜可具有较差的成像性质。然而，如果预张力过高，则隔膜可能是脆的且较易遭受断裂。因此，需要将预张力控制在目标范围内。
在一实施例中，将至少一个隔膜层45的预张力控制成至少80MPa的张力。在形成至少一个隔膜层50时，内建了该预张力。此后可通过热处理改变预张力。在一实施例中，可将预张力施加至下覆盖薄膜44和/或施加至上覆盖薄膜46。在一实施例中，将预张力施加至至少一个隔膜层45(其形成隔膜)以及施加至下覆盖薄膜44以及上覆盖薄膜46两者。
在一实施例中，执行退火步骤以增加至少一个隔膜层45的结晶份额和/或增加至少一个隔膜层45中的应力。离子束改性(即，注入)可用以降低至少一个隔膜层45中的应力。可在用于制造隔膜组件80的方法的任何其他步骤之间将预张力引入至至少一个隔膜层45中。
将预张力(其也可被称为预应力)引入至隔膜中以便防止在隔膜组件80的使用期间在较高温度下的热诱发的屈曲。
在一实施例中，用于制造隔膜组件80的方法包括将预张力引入至隔膜中使得隔膜将具有更接近于其在使用中的设计值的应力。在使用中(例如，当隔膜组件80用作用于图案形成装置MA的表膜时)，使隔膜经受EUV辐射。在使用期间施加至隔膜组件80的EUV辐射可增加隔膜中的张力。因此，在一实施例中，所述方法包括在隔膜组件80的使用期间将预张力引入至隔膜中至低于所要的张力的斜边。当使用隔膜组件80时，所述隔膜组件经受的额外EUV辐射进一步增加隔膜中的张力，使得隔膜中的张力处于或接近其设计值。
在一些情形下，可能有利的是使用湿式蚀刻以移除平坦衬底41的部分。如上文所提及的，在这种情况下，可能需要用机械保护材料66来保护叠层40，该机械保护材料66可在湿式蚀刻步骤之后随后被移除。
图16至图19示意性地示出根据本发明的一实施例的用于制造隔膜组件80的方法的步骤。图16示意性地示出叠层40。如图16所示，在一实施例中，叠层40设置有蚀刻停止层84。所述蚀刻停止层84用于在移除机械保护材料66的步骤期间保护叠层40(其在图17中示出)。在将机械保护材料66施加至叠层40之前将蚀刻停止层84施加至叠层40的顶部。
在已经将机械保护材料66施加至叠层40之后，可(例如)使用湿式蚀刻来蚀刻掉平坦衬底41。在这种情况下，机械保护材料66保护叠层40的其余部分免受液体蚀刻剂的影响。可能需要另外的蚀刻过程以蚀刻掉氧化层42以及任何下牺牲层43。
如图18所示，在已经选择性地蚀刻平坦衬底41之后，可将蚀刻停止层84施加至叠层40的底部。施加至叠层40的底部的蚀刻停止层84用于保护隔膜免受用以移除机械保护材料66的蚀刻剂的影响。
如图19所示，当移除机械保护材料66时，蚀刻停止层84保持就位。在一实施例中，将氧化性等离子体用作蚀刻剂以移除机械保护材料66。因此，蚀刻停止层84是耐氧化性等离子体的。在一实施例中，蚀刻停止层84具有在约10纳米至约100纳米的范围中的厚度。在一实施例中，用于蚀刻停止层84的材料是氧化物，其不能通过用以移除机械保护材料66的氧化性等离子体而被进一步氧化。例如，在一实施例中，蚀刻停止层84包括硅的氧化物。
之后，可以在移除机械保护材料66的步骤之后移除蚀刻停止层84。因此，通过提供蚀刻停止层84，可结合机械保护材料66使用湿式蚀刻剂，同时减小在移除机械保护材料66时隔膜被氧化的可能性。因此，预期本发明的一实施例实现增加隔膜组件80的隔膜的均一性。
图20至图27示意性地示出根据本发明的一实施例的用于制造隔膜组件80的方法的步骤。图20至图27所示的方法无需使用任何机械保护材料66。因此，所述方法避免移除机械保护材料66的任何步骤(否则其可能损害隔膜)。
如图20所示，在一实施例中，叠层40包括平坦衬底41和氧化层42。氧化层42是用于停止用以选择性地使用平坦衬底41的部分的湿式蚀刻过程。
如图20所示，在一实施例中，叠层40包括下厚蚀刻阻挡件86和下薄蚀刻阻挡件87。下厚蚀刻阻挡件86和下薄蚀刻阻挡件87沉积于至少一个隔膜层45与平坦衬底41的氧化层42之间。下厚蚀刻阻挡件86沉积于下薄蚀刻阻挡件87与氧化层42之间。
将上薄蚀刻阻挡件88和上厚蚀刻阻挡件89设置至至少一个隔膜层45外部的叠层40。用于上厚蚀刻阻挡件89的材料与用于下厚蚀刻阻挡件86的材料相同。用于上薄蚀刻阻挡件88的材料与用于下薄蚀刻阻挡件87的材料相同。
在上厚蚀刻阻挡件89的外部，叠层40设置有湿式蚀刻阻挡件90。湿式蚀刻阻挡件用于保护叠层40免受用以选择性地移除平坦衬底41的部分的湿式蚀刻剂的影响。
如图21所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地移除湿式蚀刻阻挡件90、上厚蚀刻阻挡件89、上薄蚀刻阻挡件88、至少一个隔膜层45、下薄蚀刻阻挡件87、下厚蚀刻阻挡件86以及氧化层42的部分的步骤。在一实施例中，这一蚀刻过程通过干式蚀刻技术来执行。掩模可用以选择性地移除所述层。通过执行干式蚀刻过程，在叠层40的底部曝光平坦衬底41的所要的部分。
如图22所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地移除平坦衬底41的内部区。可使用湿式蚀刻过程来执行平坦衬底41的部分的选择性移除。例如，可使用诸如KOH的湿式蚀刻剂。隔膜与平坦衬底41之间的氧化层42使得湿式蚀刻过程停止以阻止其到达隔膜。
如图23所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地移除用作用于湿式蚀刻剂的阻挡件的氧化层42。可以通过(例如)干式蚀刻技术来移除氧化层42。如图24所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地移除下厚蚀刻阻挡件86。下厚蚀刻阻挡件86可被设定成通过干式蚀刻技术来移除。在一实施例中，下厚蚀刻阻挡件86和上厚蚀刻阻挡件89包括氮化硅。在一实施例中，下薄蚀刻阻挡件和上薄蚀刻阻挡件包括氮化硅。如图24所示，可在移除下厚蚀刻阻挡件86的同时，移除上厚蚀刻阻挡件89。
如图25所示，在一实施例中，所述方法包括移除下薄蚀刻阻挡件87和上薄蚀刻阻挡件88。可实质上同时地移除下薄蚀刻阻挡件87和上薄蚀刻阻挡件88。可使用干式蚀刻技术。
如图26所示，在一实施例中，所述方法包括将隔膜与待舍弃的至少一个隔膜层45的周边区段分离(而非形成隔膜的部分)。在一实施例中，分离是通过激光切片工艺执行。因此，使隔膜横越叠层40的剩余部分延伸，其形成隔膜组件80的次序(order)。
如图27所示，在一实施例中，所述方法包括将覆盖层93提供至隔膜组件80。在一实施例中，围绕全部隔膜组件80提供覆盖层93。在一实施例中，覆盖层93由与关于其他实施例所描述的下覆盖薄膜44或上覆盖薄膜46相同的材料制成。
如图21和图22所示，当叠层40经历湿式蚀刻过程时，至少一个隔膜层45由下厚边缘阻挡件86和上厚蚀刻阻挡件89支撑于上侧和下侧上。因此，下厚蚀刻阻挡件86和上厚蚀刻阻挡件89提供对至少一个隔膜层45的机械支撑。这允许通过工具处置叠层40，同时在制造过程期间隔膜断裂的可能性减小。例如，可在隔膜失效或断裂的可能性减小的情况下，将叠层40放置至湿式蚀刻剂的浴中和从湿式蚀刻剂浴移除所述叠层40。
因此，通过提供下厚蚀刻阻挡件86和上厚蚀刻阻挡件87，不必提供将随后需要被移除的任何另外的机械保护材料66。因此，预期本发明的实施例使得较容易制造隔膜组件80，其中隔膜在制造期间断裂的可能性减小且隔膜在制造期间被氧化的可能性减小。
图28至图35示出本发明的替代实施例的步骤，其也避免施加任何机械保护材料66和从叠层40移除任何机械保护材料的必要性。如图28所示，在一实施例中，叠层包括平坦衬底41、氮化硅层91、下厚蚀刻阻挡件86、下薄蚀刻阻挡件87、至少一个隔膜层45、上薄蚀刻阻挡件88以及上厚蚀刻阻挡件89。然而，叠层40无需外部湿式蚀刻阻挡件90。
如图29所示，在一实施例中，所述方法包括切割叠层40以便提供具有隔膜组件80的所要形状的叠层40。例如，在一实施例中，叠层40被激光切片成矩形形状。这意味着稍后不必在所述方法中执行任何切片步骤或断裂步骤，其否则可能导致产生粘附至隔膜的污染物粒子。在所述方法中在早期由任何切片步骤所产生的污染物粒子可较容易被清除掉，而所述污染物粒子不粘附至隔膜。
如图30所示，在一实施例中，所述方法包括将外部牺牲层92施加至叠层40。在一实施例中，外部牺牲层92包括氮化硅。外部牺牲层92用于保护叠层40免受用以选择性地移除平坦衬底41的部分的湿式蚀刻剂。
如图31所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地蚀刻外部牺牲层92、上厚蚀刻阻挡件89、上薄蚀刻阻挡件88、至少一个隔膜层45、下薄蚀刻阻挡件87、下厚蚀刻阻挡件86以及氮化硅层91的步骤。结果，平坦衬底41的底部被曝光。这允许通过湿式蚀刻过程选择性地移除平坦衬底41。湿式蚀刻剂可以是KOH。例如，在一实施例中，将叠层40放置于KOH的浴中且随后使用处理工具从KOH浴移除所述叠层40。下厚蚀刻阻挡件86和上厚蚀刻阻挡件89的存在机械地支撑至少一个隔膜层45使得隔膜在蚀刻平坦衬底41的过程期间较不可能受损。
如图33所示，在一实施例中，所述方法包括蚀刻外部牺牲层92和氮化硅层91。替代地，代替氮化硅层91，可以提供平坦衬底41的氧化层42。可使用干式蚀刻过程实质上同时移除外部牺牲层92和氮化硅层91。
如图34所示，在一实施例中，所述方法包括选择性地移除上厚蚀刻阻挡件89和下厚蚀刻阻挡件86。可使用干式蚀刻过程来移除这些蚀刻阻挡件。如图35所示，在一实施例中，所述方法包括移除下薄蚀刻阻挡件87和上薄蚀刻阻挡件88。这曝光叠层40的顶部和底部处的隔膜。在一实施例中，所述方法还包括将覆盖层93施加至隔膜组件80的外部以便将保护层提供至隔膜，如图27所示。
如图8所示，在一实施例中，在边缘断裂步骤期间施加抽吸(流)。当隔膜与待舍弃的至少一个隔膜层50的部分分离开时，局部地施加抽吸。施加抽吸以便移除在分离步骤期间产生的任何污染物粒子。如图8所示，在一实施例中，抽吸装置85将抽吸压力施加至形成分离的区域。
抽吸装置85减小污染物粒子粘附至隔膜组件80的隔膜的可能性。在一实施例中，将抽吸装置85同时施加至发生分离的所有区域。例如，抽吸装置85可采取对应于隔膜组件80的形状的矩形形状的形式。替代地，在一实施例中，在分离步骤期间移动抽吸装置85以便邻近于至少一个隔膜层50断裂所处的任何地方。
在一实施例中，隔膜组件80可以用作放置于图案形成装置MA的前方且因此保护图案形成装置MA的表膜。预期本发明的实施例实现薄膜的脆性减少。预期本发明的实施例使得较容易以高体量生产隔膜组件。预期本发明的实施例实现处理集成于框架中的自支撑隔膜。
在一实施例中，隔膜组件80被配置成透射至少90％的具有13.5纳米的波长的辐射。在一实施例中，隔膜组件80被配置成透射小于5％的DUV辐射(大约100至400纳米)。
在一实施例中，隔膜组件80的隔膜层50包括硅。硅为对EUV辐射最透明的元素之一。硅为通常加工的且可用的材料。在一实施例中，用如下材料来覆盖隔膜层50:Ru、Zr、Mo、氧化硅、氧化锆、氧化铝、氮化硼、氧化钌、氮化钌、氮化锆、氧化钼或氮化钼。预期这一组合减少氢诱发的除气和随之而来的硅的再沉积。还可以使用包括钨、钛酸铅、钛酸钡、碳化硅或二硅化钼的覆盖层增加隔膜的热发射率。隔膜组件80可以用在包含氢自由基的环境中。钨例如是可以承受氢等离子体的材料，且其还对于最高达400℃的氧化是相当稳定的。钨还具有高熔点(3422℃)，并且它与其它金属相比具有低的热膨胀系数。
在一实施例中，将隔膜组件80应用为表膜或应用为动态气锁的部分。替代地，隔膜组件80可应用于诸如识别的其他滤光区域中，或应用于分束器。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)中，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，可以通过执行相同功能的非漆层来替换各种漆层。
上文描述意图是示例性的而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (28)

1.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：
提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区、围绕所述内部区的边框区、围绕所述边框区的桥接区以及围绕所述桥接区的边缘区；
邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽；
选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区和所述桥接区，使得所述隔膜组件包括：
由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；
保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；
围绕所述边框的边缘区段，所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成；和
在所述边框与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成；以及
将所述边缘区段与所述边框分离开使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。
2.如权利要求1所述的方法，包括：
将所述叠层定位于支撑件上使得所述平坦衬底的所述内部区被曝光；
其中当所述叠层在所述支撑件上时使用非液体蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述平坦衬底的内部区被通过下列过程之一而被选择性地移除：原子层蚀刻、溅射蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、深反应离子蚀刻。
4.如权利要求1所述的方法，其中，
所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤期间以机械的方式保护所述边框区；并且
使用氟化物蚀刻剂来移除所述机械保护材料。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述氟化物蚀刻剂包括XeF2等离子体。
6.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：
提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；
将所述叠层定位于支撑件上使得所述平坦衬底的所述内部区被曝光；和
使用非液体蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：
由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和
保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成，
其中，所述叠层还包括下覆盖薄膜，或者上覆盖薄膜，或者下覆盖薄膜和上覆盖薄膜两者，其中所述下覆盖薄膜设置于平坦衬底与至少一个隔膜层之间，所述上覆盖薄膜被设置成使得所述至少一个隔膜层位于所述平坦衬底与所述上覆盖薄膜之间；并且所述下覆盖薄膜被配置成包含所述隔膜组件的所述隔膜的所述至少一个隔膜层，并且下覆盖薄膜和上覆盖薄膜中的每个被配置成在所述隔膜断裂时减少碎片的分布。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述平坦衬底的内部区被通过下列过程之一而被选择性地移除：原子层蚀刻、溅射蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻、深反应离子蚀刻。
8.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：
提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；和
利用湿式蚀刻剂选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区，使得所述隔膜组件包括：
由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；和
保持所述隔膜的边框，所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成；
其中所述叠层设置有机械保护材料，所述机械保护材料配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤期间以机械的方式保护所述边框区；和
使用氟化物蚀刻剂移除所述机械保护材料。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述氟化物蚀刻剂包括XeF2等离子体。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述叠层是矩形的。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述叠层中的所述至少一个隔膜层的边缘被圆化或斜切。
12.如权利要求6所述的方法，其中：
所述平坦衬底包括围绕所述边框区的桥接区和围绕所述桥接区的边缘区；
邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽；
所述隔膜组件包括：
围绕所述边框的边缘区段，所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成；和
所述边框与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成；以及
所述边缘区段与所述边框分离开使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。
13.如权利要求8所述的方法，其中：
所述平坦衬底包括围绕所述边框区的桥接区和围绕所述桥接区的边缘区；
邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽；
所述隔膜组件包括：
围绕所述边框的边缘区段，所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成；和
所述边框与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成；以及
所述边缘区段与所述边框分离开使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。
14.如权利要求1至5和12至13中任一项所述的方法，其中通过使用激光或EUV辐射切穿所述至少一个隔膜层形成所述桥接凹槽。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述桥接凹槽被形成为使得所述至少一个隔膜层的部分从所述平坦衬底的所述边框区径向地向外延伸，使得当所述边缘区段与所述边框分离时，所述至少一个隔膜层的所述部分从所述边框径向地向外延伸。
16.如权利要求15所述的方法，包括：
在将所述边缘区段与所述边框分离开之后将钝化涂层施加至所述至少一个隔膜层的边缘。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述钝化涂层被通过使用原子层沉积、化学气相沉积、电镀或浸渍涂布来施加。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述钝化涂层包括金属、硅化物、氧化物或氮化物中的一个或更多个。
19.如权利要求16所述的方法，其中，使用物理气相沉积来施加所述钝化涂层，其中使用阴影掩模使得仅所述至少一个隔膜层的所述边缘接收所述钝化涂层。
20.如权利要求1、6、8中任一项所述的方法，其中，所述至少一个隔膜层包括非晶材料。
21.如权利要求1至5、12和13中任一项所述的方法，包括：
在将所述边缘区段与所述边框分离开之后氧化或氮化所述至少一个隔膜层的边缘。
22.如权利要求1、6、8中任一项所述的方法，其中，所述叠层设置有位于所述平坦衬底和所述至少一个隔膜层之间的中间层，所述方法包括：
在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区的步骤之后各向同性地蚀刻所述中间层。
23.如权利要求1、6、8中任一项所述的方法，包括：
通过退火处理、离子束改性、控制施加至所述叠层的压力以及控制施加至所述叠层的温度中的一个或更多个改变所述叠层的至少一个隔膜层中的预张力。
24.如权利要求1、6、8中任一项所述的方法，其中，所述隔膜组件用于图案形成装置或动态气锁。
25.如权利要求1、6、8中任一项所述的方法，其中所述叠层的至少一个隔膜层是包括钨、钛酸铅、钛酸钡、碳化硅或二硅化钼的层。
26.一种用于EUV光刻术的隔膜组件，所述隔膜组件包括叠层中的由包括硅的至少一个隔膜层形成的隔膜和保持所述隔膜的边框，其中所述至少一个隔膜层由下列方式中的至少一种方式构造：
所述叠层中的所述至少一个隔膜层的边缘被圆化或斜切；和
所述至少一个隔膜层的部分从所述边框径向地向外延伸；和
所述至少一个隔膜层的所述边缘被氧化或是氮化物。
27.如权利要求26所述的隔膜组件，其中，在钝化涂层被施加至所述至少一个隔膜层的边缘时，所述钝化涂层包括Ru。
28.如权利要求26和27中任一项所述的隔膜组件，其中所述隔膜组件用于图案形成装置或动态气锁。
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