JP6830097B2 - 膜アセンブリを製造する方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年９月２日に出願された欧州出願第１５１８３４３７．１号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、膜アセンブリを製造する方法、及び膜アセンブリに関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。

[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
Figure 0006830097
 但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。
[0006] 露光波長を短くするため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更には、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用され得ることも提案されている。そのような放射は、極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
[0007] リソグラフィ装置はパターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）を備える。放射はパターニングデバイスを介して提供され、パターニングデバイスで反射して基板上に像を形成する。パターニングデバイスを浮遊粒子及び他の形態の汚染物質から保護するために膜アセンブリを設けることができる。パターニングデバイスを保護する膜アセンブリはペリクルと呼ばれることもある。パターニングデバイスの表面が汚染されることによって、基板上に製造欠陥が生じる可能性がある。膜アセンブリは、縁及び縁に張られた膜を含んでよい。例えば膜は薄いため、膜アセンブリをプロセス中に変形させることなく製造することは困難である。
[0008] 膜アセンブリをプロセス中に損傷又は汚染することなく製造することも困難である。例えば膜は、膜アセンブリを製造するプロセス中に不必要に酸化されたり、膜上に不要な汚染物質粒子が堆積したりする可能性がある。
[0009] ペリクルなどの膜アセンブリがその製造中に変形、損傷又は汚染される可能性を低くすることが望ましい。
[0010] 本発明のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、内部領域と、内部領域の周りの縁領域と、縁領域の周りのブリッジ領域と、ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、平面基板のブリッジ領域に隣接する少なくとも１つの膜層を貫通するブリッジ溝を形成することと、膜アセンブリが、少なくとも１つの膜層から形成される膜と、平面基板の縁領域から形成される、膜を保持する縁と、平面基板のエッジ領域から形成される、縁の周りのエッジセクションと、少なくとも１つの膜層によって形成される、縁とエッジセクションの間のブリッジとを備えるように、平面基板の内部領域及びブリッジ領域を選択的に除去することと、エッジセクションに隣接する少なくとも１つの膜層がブリッジ溝によって膜から分離されるように、エッジセクションを縁から分離することとを含む方法が提供される。
[0011] 本発明のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、内部領域と、内部領域の周りの縁領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、平面基板の内部領域を露出させるようにスタックを支持体上に位置決めすることと、膜アセンブリが、少なくとも１つの膜層から形成される膜と、平面基板の縁領域から形成される、膜を保持する縁とを備えるように、平面基板の内部領域を、非液体エッチャントを使用して選択的に除去することと、を含む方法が提供される。
[0012] 本発明のある態様によれば、ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、内部領域と、内部領域の周りの縁領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、膜アセンブリが、少なくとも１つの膜層から形成される膜と、平面基板の縁領域から形成される、膜を保持する縁とを備えるように、平面基板の内部領域を選択的に除去することと、を含み、スタックは、平面基板の内部領域を選択的に除去する工程の間に、縁領域を機械的に保護するように構成された機械的保護材料を備え、機械的保護材料を、フッ化物エッチャントを使用して除去することを含む方法が提供される。
[0013] 本発明のある態様によれば、シリコンを含む少なくとも１つの膜層から形成された膜と、膜を保持する縁とを備えるＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリであって、スタックの少なくとも１つの膜層のエッジが丸み付け又は面取りされる、及び／又は、少なくとも１つの膜層の一部が、縁の半径方向外側に延びる、及び／又は、少なくとも１つの膜層のエッジにパッシベーションコーティングが塗布される、及び／又は、少なくとも１つの膜層のエッジを酸化又は窒化させる膜アセンブリが提供される。
[0014] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0015] 本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 [0016] リソグラフィ装置のより詳細な図である。 [0017] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0017] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0018] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0018] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0018] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0018] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0019] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0019] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0019] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0019] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0020] 本発明のある実施形態に係る膜アセンブリを概略的に示す。 [0021] 比較例に係る膜アセンブリを概略的に示す。 [0022] 本発明のある実施形態に係る膜アセンブリを概略的に示す。 [0023] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0023] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0023] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0023] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0024] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。 [0025] 本発明のある実施形態に係るペリクルを製造する方法のステージを概略的に示す。
[0026] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。
[0027] 図１は、本発明の一実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。装置１００は、
− 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（又はイルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳとを含む。
[0028] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0029] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
[0030] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに形成されるデバイス内の特定の機能層に対応していてもよい。
[0031] パターニングデバイスＭＡは、透過性又は反射性であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブル液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。
[0032] 照明システムＩＬのような投影システムＰＳは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。
[0033] 本明細書で示すように、リソグラフィ装置１００は、反射タイプである。（例えば、反射マスクを使用する。）
[0034] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上の支持構造ＭＴ）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」リソグラフィ装置においては、追加の基板テーブルＷＴ（及び／又は追加の支持構造ＭＴ）は並行して使用するか、又は別の１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は別の１つ以上の他の支持構造ＭＴ）を露光している間に１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は１つ以上の支持構造ＭＴ）上で予備工程を実行することができる。
[0035] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、材料を、例えば、キセノン、リチウム又はスズなど少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる方法では、所望の線発光元素を有する材料の小滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１中図示なし）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールＳＯとは別個の構成要素とすることができる。
[0036] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合においては、放射源は、ソースコレクタモジュールＳＯの一体部分であってもよい。
[0037] 照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、ファセットされたフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節して、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0038] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計装置、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
[0039] コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００の全体的な動作を制御し、具体的には、以下に詳しく説明する動作プロセスを行う。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性記憶手段、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入力及び出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続及びリソグラフィ装置１００の様々な部分に接続される１つ以上のインターフェイスを含む適切にプログラムされた汎用コンピュータとして組み込まれてよい。コンピュータの制御とリソグラフィ装置１００の制御との１対１の関係は必要でないことが理解されよう。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィ装置１００を制御することができる。本発明のある実施形態では、複数のネットワーク化されたコンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置１００を制御することができる。コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００が一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ以上の関連プロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されてもよい。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製造工場の全体的な制御システムに従属するように構成されてもよい。
[0040] 図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、プラズマ源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガス又は蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために放射放出プラズマ２１０が生成される。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
[0041] 放射放出プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２へと進む。
[0042] コレクタチャンバ２１２は放射コレクタＣＯを含んでよい。放射コレクタＣＯを通り抜けた放射は、仮想光源点ＩＦで合焦することができる。仮想光源点ＩＦを一般的に中間焦点と呼び、ソースコレクタモジュールＳＯは、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口部２２１に又はその近くに配置されるように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
[0043] その後、放射は照明システムＩＬを通り抜け、この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおけるパターン形成されていないビーム２１の所望の角度分布、並びにパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでよい。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにてパターン形成されていないビーム２１が反射すると、パターン形成されたビーム２６が形成され、このパターン形成されたビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８、３０を介して基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
[0044] 一般に、示されているよりも多くの要素が照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在してよい。更に、図に示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示すより１〜６個多くの反射要素が投影システムＰＳ内に存在してよい。
[0045] 代替的に、ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。
[0046] 図１に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを備える。照明システムＩＬは、放射ビームＢを放出するように構成される。投影システムＰＳは、介在空間によって基板テーブルＷＴから離される。投影システムＰＳは、放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗ上に投影するように構成される。パターンは、放射ビームＢのＥＵＶ放射のためのものである。
[0047] 投影システムＰＳと基板テーブルＷＴとの間に介在する空間は、少なくとも部分的に排気することができる。介在空間は、固体表面によって投影システムＰＳの位置で区切られてもよく、利用される放射がその固体表面から基板テーブルＷＴに向かって誘導される。
[0048] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は動的ガスロックを備える。動的ガスロックは膜アセンブリ８０を備える。ある実施形態では、動的ガスロックは、介在空間内に配置される膜アセンブリ８０によって覆われた中空部を備える。中空部は、放射の経路の周りに位置する。ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、中空部の中をガス流で流すように構成されたガス送風機を備える。放射は、基板Ｗに衝突する前に膜アセンブリを通って進む。
[0049] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は膜アセンブリ８０を備える。以上で説明したように、ある実施形態では、膜アセンブリ８０は動的ガスロックのためのものである。この場合、膜アセンブリ８０は、ＤＵＶ放射をフィルタリングするためのフィルタとして機能する。付加的又は代替的に、ある実施形態では、膜アセンブリ８０はＥＵＶリソグラフィのためのパターニングデバイスＭＡ用のペリクルである。本発明の膜アセンブリ８０は、動的ガスロック又はペリクルに、あるいは別の目的で使用することができる。ある実施形態では、膜アセンブリ８０は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも８０％を透過させるように構成された膜層５０を備える。
[0050] ある実施形態では、ペリクルは、パターニングデバイスＭＡを密封し、パターニングデバイスＭＡを浮遊粒子及び他の形態の汚染物質から保護するように構成される。パターニングデバイスＭＡの表面が汚染されることによって、基板Ｗ上に製造欠陥が生じる可能性がある。例えば、ある実施形態では、ペリクルは、粒子がリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡのステッピングフィールドに移動する可能性を低下させるように構成される。
[0051] パターニングデバイスＭＡが無防備なままである場合、汚染によってパターニングデバイスＭＡを洗浄又は廃棄する必要性が生じる可能性がある。パターニングデバイスＭＡの洗浄は貴重な製造時間を中断させ、パターニングデバイスＭＡの廃棄には費用がかかる。パターニングデバイスＭＡの交換も貴重な製造時間を中断させる。
[0052] 図３及び図４は、本発明のある実施形態に係る膜アセンブリ８０を製造する方法のステージを概略的に示す。ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、スタック４０を設けることを含む。図３に示すように、スタックは平面基板４１を備える。
[0053] ある実施形態では、平面基板４１はシリコンから形成される。しかし、平面基板４１は、ガラス／ＳｉＯ２ウェーハ又はＳＯＩウェーハから形成されてもよい。平面基板４１は、例えば正方形、円形又は矩形といった形状を有する。平面基板４１の形状は特に限定されない。
[0054] 平面基板４１のサイズは特に限定されない。例えば、ある実施形態では、平面基板４１は、約１００ｍｍ〜約５００ｍｍの範囲内、例えば約２００ｍｍの直径を有する。平面基板４１の厚さは特に限定されない。例えば、ある実施形態では、平面基板４１は、少なくとも１００μｍ（例えば薄型化前のウェーハ）、例えば少なくとも３００μｍ、任意選択的に少なくとも４００μｍの厚さを有する。ある実施形態では、平面基板４１は、最大１，０００μｍ、任意選択的に最大８００μｍの厚さを有する。ある実施形態では、平面基板４１は約７２５μｍの厚さを有する。ある実施形態では、平面基板４１は、最大６００μｍ、任意選択的に最大４００μｍの厚さを有する。より薄い平面基板４１を提供することによって、選択的に除去することが必要な平面基板４１の量が減少する。したがって、本発明のある実施形態は、より薄い平面基板４１から始めることによって、平面基板４１の各部を選択的に除去する工程の間に膜が損傷又は汚染される可能性を低下させることが予想される。また、平面基板４１から始めることによって、本発明のある実施形態は、製造プロセスをより効率的にすることが予想される。
[0055] シリコンは、ダイヤモンド立方晶構造に結晶化することができる。ある実施形態では、平面基板４１は、シリコンの立方晶系結晶を含む。ある実施形態では、平面基板４１は、＜１００＞の結晶方向を有する。
[0056] 図４に示すように、ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、平面基板４１をエッチングする工程を含む。平面基板４１の一部は、縁７５を形成する膜アセンブリ８０の縁領域７２を形成する。縁７５は膜アセンブリ８０の膜を保持する。本発明のある実施形態は、膜アセンブリ８０の縁７５の機械的強度の向上を達成することが予想される。縁７５は、少なくとも部分的に平面基板４１によって形成される。縁７５は、膜アセンブリキャリアと呼ばれることがある。
[0057] ある実施形態では、平面基板４１は研磨される。スタック４０は上側及び下側を有する。上側は、図ではスタック４０の上部に示される。下側は、図ではスタック４０の下部に示される。ある実施形態では、平面基板４１は上側及び下側の両方が研磨される。しかし、必ずしもそうでない場合もある。ある実施形態では、平面基板４１は上側及び下側の一方のみが研磨される。ある実施形態では、平面基板４１を研磨によって薄くする。
[0058] 図３に示すように、スタック４０は少なくとも１つの膜層４５、５０を備える。膜アセンブリ８０は、少なくとも１つの膜層５０から形成された膜を備える。ある実施形態では、少なくとも１つの膜層５０は、非晶質、単結晶、多結晶又はナノ結晶シリコンといったその１つの同素体型のシリコンを含む。ナノ結晶シリコンは、一定の非晶質シリコン含有量を含む多結晶シリコンマトリックスを意味する。ある実施形態では、多結晶又はナノ結晶シリコンは、非晶質シリコンを少なくとも１つの膜層４５に結晶化させることによって形成される。例えば図９に示すように、ある実施形態では、膜層４５をスタック４０に非晶質シリコン層として追加する。非晶質シリコン層は、一定の温度を超えると多結晶又はナノ結晶シリコン層に結晶化する。例えば、非晶質シリコン層である膜層４５は、多結晶又はナノ結晶シリコン層である膜層５０に変化する。
[0059] ある実施形態では、非晶質シリコン層はその成長中にｉｎ−ｓｉｔｕでドープされる。ｐ又はｎ型ドープを加えることによって、シリコン導電率が上昇し、ＥＵＶ源の出力の処理にプラスの効果を与える。
[0060] 図３に示すように、ある実施形態では、スタック４０は下部犠牲層４３を備える。下部犠牲層４３は、平面基板４１と少なくとも１つの膜層４５、５０の間に配置される。参照番号４５及び５０はどちらも少なくとも１つの膜層を指す。参照番号４５は、シリコンが非晶質状態にあるときの少なくとも１つの膜層を指す。参照番号５０は、シリコンが結晶化されたときの少なくとも１つの膜層を指す。
[0061] ある実施形態では、平面基板４１は内部領域７１及び縁領域７２を備える。縁領域７２は内部領域７１の周囲にある。内部領域７１及び縁領域７２は、平面基板４１の面内にある。ある実施形態では、縁領域７２は、平面基板４１の面内で内部領域７１を取り囲む。
[0062] 図３に示すように、ある実施形態では、平面基板４１は、ブリッジ領域７３及びエッジ領域７４を備える。ブリッジ領域７３は縁領域７２の周囲にある。エッジ領域７４はブリッジ領域７３の周囲にある。ブリッジ領域７３及びエッジ領域７４は、平面基板４１の面内にある。ある実施形態では、ブリッジ領域７３は、平面基板４１の面内で縁領域７２を取り囲む。ある実施形態では、エッジ領域７４は、平面基板４１の面内でブリッジ領域７３を取り囲む。
[0063] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法の１つの工程は、（縁領域７２から形成される）縁７５を、エッジ領域７４から形成されるエッジセクションから分離する工程である。例えば、平面基板４１が最初は円形であるのに対し、膜アセンブリ８０のターゲット形状が矩形である場合は、（エッジ領域７４から形成される）湾曲したエッジセクションは、（縁領域７２から形成される）矩形の縁７５から分離される。本発明によれば、縁を切断することによって最終の膜アセンブリ８０にデブリがもたらされないように、この工程を製造プロセスのなるべく早い段階で行うことが望まれる。
[0064] 代替的な実施形態では、スタック４０の平面基板４１は、膜アセンブリ８０のターゲット形状と同じ形状を有する。そのような実施形態では、必ずしも縁７５からエッジセクションを分離しなくてよい。そのような実施形態では、平面基板は、ブリッジ領域７３又はエッジ領域７４を備えなくてよい。
[0065] ある実施形態では、スタック４０は矩形である。したがって、膜アセンブリ８０が製造されるスタック４０は、膜アセンブリ８０のターゲット形状を有する。本発明のこの実施形態によって、膜アセンブリ８０の製造が容易になると予想される。特に、膜アセンブリ８０の縁７５からエッジセクションを分離する必要がない。
[0066] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去することを含む。ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程の前に、スタック４０は、平面基板４１の内部領域７１が露出されるように支持体上に位置決めされる。スタック４０を支持体上に位置決めすることによって、支持体はスタック４０の重さを支える。スタック４０はそれ自身の重さを支える必要がない。スタック４０を支持体上に位置決めすることによって、スタック４０は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程の間、より安定的となり、機械的な損傷を受ける可能性が低くなる。スタック４０を、平面基板４１の内部領域７１が露出されるように位置決めすることによって、内部領域７１は、平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去するためにエッチャントによってアクセスすることができる。
[0067] ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１は、非液体エッチャント（すなわち、非湿式エッチングプロセス）を使用して選択的に除去される。非液体エッチャントを使用することにより、（例えば、スタック４０を液体エッチャントの槽に入れることによって）スタック４０が液体エッチャントと接触するようにスタック４０を操作する必要がない。その代わりに、非液体エッチャントを使用して、スタック４０を支持体により安定的に支持しながら、内部領域７１を選択的に除去することができる。例えば、支持体はテーブル又はクランプであってよい。ある実施形態では、スタック４０は、平面基板４１の内部領域７１をスタック４０の上部に露出させた状態でテーブル面に配置される。
[0068] 非液体エッチャントを使用することによって、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する際に必要なスタック４０の操作量が少なくて済む。したがって、スタック４０を機械的に保護する材料を用いた、スタック４０を機械的に保護する追加の製造工程を必要としない。本発明のこの実施形態によって、膜アセンブリ８０の製造が容易になることが予想される。
[0069] ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１は、原子層エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング又は深掘り反応性イオンエッチングといった非湿式エッチングプロセスにおいて選択的に除去される。
[0070] 原子層エッチングは、逐次自己制御反応を使用して材料の薄層を除去する技術である。原子層エッチングプロセスは、反応層を形成する改質工程、及びこれに続くこの改質層のみを取り除く除去工程を含む。例えば、塩素との反応及びアルゴンイオンによるエッチングを交互に行うことによって、平面基板４１のシリコンをエッチングすることができる。原子層エッチングは、特に選択的かつ高精度な技術である。したがって、原子層エッチングを用いることによって、本発明の実施形態は、より高精度に定められた形状を有する膜アセンブリ８０を実現することが予想される。
[0071] スパッタエッチングプロセスは、平面基板４１の内部領域７１に、例えばアルゴンイオンなどの希ガスのエネルギーイオンを衝突させることを含む。エネルギーイオンは、運動量を移行することによって内部領域７１からの原子をノックする。
[0072] プラズマエッチングは、適切な気体混合物の高速プラズマ流を平面基板４１の内部領域７１にパルス状に放出することを伴う。プラズマ源は、荷電イオン、又は中性原子若しくはラジカルのいずれであってもよい。プラズマは、平面基板４１の内部領域７１とプラズマが生成した反応種の化学反応から、約２９５Ｋの温度で揮発性のエッチング生成物を生成する。
[0073] 化学反応性の高いプラズマを使用して平面基板４１の内部領域７１の材料を除去する反応性イオンエッチング。プラズマは、電磁場によって低圧化で生成することができる。プラズマからの高エネルギーイオンが内部領域７１の表面に付着し、これと反応する。標準的なほぼ等方性のプラズマエッチング及び化学的に不活性なパッシベーション層（例えば、Ｃ４Ｆ８）の堆積を交互に繰り返すことを含む深掘り反応性イオンエッチング。
[0074] 図３に示すように、ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去する工程は、スタック４０の下面にエッチングマスク層４９を形成することを含む。ある実施形態では、エッチングマスク層４９は、平面基板４１の縁領域７２及びエッジ領域７４に対応する。ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程は、平面基板４１の内部領域７１を異方的にエッチングすることを含む。
[0075] エッチングマスク層４９は、平面基板４１をスタック４０の下側からエッチングするプロセスのためのエッチングバリアとして使用される。ある実施形態では、エッチングマスク層４９は、最初にスタック４０の上面及び下面の両方をエッチングマスク層４９で覆うことによって設けられる。
[0076] ある実施形態では、エッチングマスク層４９は、非晶質又は化学量論的窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＮ）を含む。エッチングマスク層４９は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去するのに使用される手段に耐性がある。
[0077] 図３に示すように、ある実施形態では、エッチングマスク層４９の開口としてエッチング開口５６が作成される。エッチングマスク層４９を形成する材料は、エッチング開口５６に対応する領域で除去される。エッチング開口５６は、エッチングマスク層４９を形成する材料がスタック４０の後面から除去された領域内に延びる。
[0078] 図３に示すように、ある実施形態では、スタック４０は下部キャッピング膜４４を備える。下部キャッピング膜４４は、平面基板４１と膜層４５、５０の間に配置される。スタック４０が下部犠牲層４３を備える場合、下部キャッピング膜４４は、下部犠牲層４３と膜層４５、５０の間に配置される。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４は、本発明のある実施形態に係る方法によって生成される膜アセンブリ８０の膜の一部を形成する。
[0079] 下部キャッピング膜４４は、本発明の製造方法によって生成される膜アセンブリ８０の膜の膜層５０を含むように構成される。これは特に、例えば図３に示すように、下部キャッピング膜４４に加えて、上部キャッピング膜４６が設けられる場合である。下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６は、膜アセンブリ８０の膜が破損したときのデブリの分散を抑えるように構成される。
[0080] ある実施形態では、下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６のそれぞれは、３ｎｍ未満の厚さを有する。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４、膜層４５及び上部キャッピング膜４６の総合厚さはおよそ５０ｎｍである。ある実施形態では、上部キャッピング膜４６の材料は下部キャッピング膜４４の材料と同じである。
[0081] リソグラフィ装置１００の使用中に、膜アセンブリ８０が破損する可能性がある。膜アセンブリ８０が破損すると、膜は多くの粒子に分かれる可能性がある。特に、膜層５０が砕けやすい性質を有する材料から形成される場合、膜層５０は、膜アセンブリ８０が破損するときに多くの粒子に砕け散る可能性がある。破損した膜アセンブリ８０からのデブリは、リソグラフィ装置１００の他の部分を汚染する可能性がある。例えば、破損した膜アセンブリ８０からのデブリは、リソグラフィ装置１００の光学コンポーネントを汚染する可能性がある。破損した膜アセンブリ８０のデブリによる汚染によって、リソグラフィ装置１００の光学コンポーネントが実行する光学的機能の質が低下する可能性がある。
[0082] 例えば、ある実施形態では、膜層５０は、多結晶又はナノ結晶シリコンから形成される。多結晶又はナノ結晶シリコンは砕けやすい性質を有する。したがって、多結晶又はナノ結晶シリコンから形成された膜層５０を含む膜を備える膜アセンブリ８０は、膜アセンブリ８０が破損したときに多くの粒子に砕け散る可能性がある。本発明のある実施形態は、膜アセンブリ８０の機械特性の向上を達成することが予想される。
[0083] ある実施形態では、下部キャッピング膜４４の材料は窒化ケイ素である。例えば、ある実施形態では、下部キャッピング膜４４の材料は非晶質窒化ケイ素である。しかし、他の窒化ケイ素が適切な場合もある。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４は、膜アセンブリ８０が破損したときに膜層５０を含む機能を下部キャッピング膜４４が実行できるほど十分に厚い。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４の厚さは、少なくとも約１ｎｍ、任意選択的に少なくとも約２ｎｍである。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４は、下部キャッピング膜４４を含む膜アセンブリ８０の膜が、特にＥＵＶ放射の透過について十分に良好な光学特性を有するほど十分に薄い。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４の厚さは、最大約１０ｎｍ、任意選択的に最大約５ｎｍである。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４の厚さは約２．５ｎｍである。
[0084] 下部キャッピング膜４４をスタック４０に塗布する方法は特に限定されない。ある実施形態では、下部キャッピング膜４４は、化学蒸着、例えば約８５０℃の温度での低圧化学蒸着によってスタックに塗布される。しかし、代替的な実施形態では、下部キャッピング膜４４は、例えばスパッタリング法又は薄膜化法によってスタック４０に塗布される。
[0085] 下部キャッピング膜４４を設けることは必須ではない。ある実施形態では、スタック４０は下部キャッピング膜４４を備えない。ある実施形態では、本製造方法によって生成される膜アセンブリ８０は下部キャッピング膜４４を備えない。
[0086] ある実施形態では、膜層４５は、スタック４０の上面及び下面の両方に塗布される。膜層４５は、後の工程においてスタック４０の下側から除去することができる。しかし、必ずしもそうでない場合もある。代替的な実施形態では、膜層４５は、スタック４０の上側にのみ塗布される。スタック４０の上側の膜層４５は、本製造方法によって生成される膜アセンブリ８０の膜の膜層５０になる。
[0087] ある実施形態では、膜層４５は、化学蒸着法によってスタック４０に塗布される。例えばある実施形態では、膜層４５は、約５６０℃の温度での低圧化学蒸着によって塗布される。しかし、スパッタリング法及び薄膜化法といった他の方法を用いることもできる。
[0088] ある実施形態では、膜層４５は、そのＥＵＶ放射の透過率が十分に高い、例えば５０％を越えるほど十分に薄い。ある実施形態では、膜層４５の厚さは、最大約２００ｎｍ、任意選択的に最大約１５０ｎｍである。厚さ１５０ｎｍの純粋なＳｉ膜であれば、入射ＥＵＶ放射の約７７％を透過させる。ある実施形態では、膜層４５の厚さは最大約１００ｎｍである。厚さ１００ｎｍの純粋なＳｉ膜であれば、入射ＥＵＶ放射の約８４％を透過させる。

[0089] ある実施形態では、膜層４５は、膜アセンブリ８０がリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡに取り付けられたとき、及びリソグラフィ装置１００の使用中に機械的に安定しているほど十分に厚い。ある実施形態では、膜層４５の厚さは、少なくとも約１０ｎｍ、任意選択的に少なくとも約２０ｎｍ、及び任意選択的に約３５ｎｍである。ある実施形態では、膜層４５の厚さは約５５ｎｍである。
[0090] 図３に示すように、ある実施形態では、スタック４０は上部キャッピング膜４６を備える。上部キャッピング膜４６の特徴は、上記の下部キャッピング膜４４の特徴と同様に選択及び変更することができる。したがって、上部キャッピング膜４６の特徴は、本明細書においてこれ以上詳細に説明しない。
[0091] 上部キャッピング膜４６は、膜層４５、５０が平面基板４１と上部キャッピング膜４６の間に配置されるように配置される。上部キャッピング膜４６を設けることは必須ではない。ある実施形態では、スタック４０は上部キャッピング膜４６を備えない。ある実施形態では、本製造方法によって生成される膜アセンブリ８０は、膜アセンブリ８０の膜に上部キャッピング膜４６を備えない。
[0092] 図５〜図８は、本発明のある実施形態に係るＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリ８０を製造する方法のステージを概略的に示す。ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去するために、ＫＯＨなどの湿式エッチャントを使用する。したがって、ある実施形態では、エッチングマスク層４９は、湿式エッチャントに化学的耐性がある。ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）及びＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール水溶液）といった他の湿式エッチャントを使用することもできる。
[0093] 平面基板４１の近傍領域７１を選択的に除去するために湿式エッチャントを使用する場合、スタック４０は、図５に示す機械的保護材料６６を備える。機械的保護材料６６は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程中に縁領域７２を機械的に保護するように構成される。
[0094] 図６は、平面基板４１の内部領域７１及びブリッジ領域７３を選択的に除去する工程の後のスタック４０を示す。酸化層４２は、膜を湿式エッチング工程から保護する。
[0095] 平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去する工程は、膜アセンブリ８０の製造中にこれに損傷をもたらす可能性がある。製造方法のこのステージでは、スタック４０は特に薄い。平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去するとき、スタック４０は、（内部領域７１が除去された）極薄肉部と、（平面基板４１の縁領域７２が除去されていない縁７５に対応する）薄肉部の混合体を備える。これによって、スタック４０に機械的応力がもたらされる可能性がある。他の形でスタック４０が破損する、又は不必要に損傷を受ける可能性もある。
[0096] ある実施形態では、機械的保護材料６６は、スタック４０を機械的に十分に保護できるほど十分に厚い。ある実施形態では、機械的保護材料は、少なくとも約１μｍ、任意選択的に少なくとも約２μｍの厚さを有する。ある実施形態では、機械的保護材料６６は、機械的保護材料６６を塗布するために必要なプロセス時間を十分に短縮できるほど十分に薄い。ある実施形態では、機械的保護材料は、最大約１０μｍ、任意選択的に最大約５μｍの厚さを有する。ある実施形態では、機械的保護材料は、約４μｍの厚さを有する。
[0097] 機械的保護材料６６は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程中に縁領域７２を機械的に保護できるほど十分に機械的に堅牢である。機械的保護材料６６は、溶媒に耐性がある（例えば室温で溶けない）、湿気、腐食、化学攻撃に耐性があるといった良好な遮断性を有する、被覆表面を保護するためのコンフォーマルコーティングであってよい。一般に、機械的保護材料６６は、ピンホールのない均一の層厚さをもたらすことが望まれる。ある実施形態では、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する方法は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去するために化学エッチャントを使用することを含む。例えば、ある実施形態では、化学エッチャントは一時的な湿式エッチング保護をもたらすＫＯＨである。機械的保護材料は、化学エッチャントに化学的耐性がある。例えばある実施形態では、機械的保護材料６６はＫＯＨに化学的耐性がある。これは、化学エッチャントを使用する場合、機械的保護材料６６は、全くエッチング除去されないか、平面基板４１の内部領域７１と比較して、はるかに遅いエッチング速度でエッチング除去されるかのいずれかであることを意味する。
[0098] ある実施形態では、機械的保護材料６６は、実質的にその中にホールを有しない連続層として塗布される。機械的保護材料６６は、不浸透性の層を形成する。エッチャントを使用して平面基板４１の各部を選択的に除去する工程の間、エッチャントは、スタック４０に塗布された機械的保護材料６６を通過して拡散することができない。
[0099] 図６に示すように、ある実施形態では、平面基板４１は酸化層４２を備える。酸化層４２は平面基板４１の一部である。平面基板４１の残りの部分は、平面基板４１の非酸化層を形成する。酸化層４２は犠牲層である。酸化層４２は、平面基板４１の非酸化層をエッチングするときのエッチングバリアを形成する。例えば、図６に示すように、平面基板４１は下側からエッチングされる。酸化層４２は湿式エッチャントに耐性がある。
[00100] ある実施形態では、酸化層４２は、１００ｎｍを超える、任意選択的に２００ｎｍを超える、及び任意選択的に３００ｎｍを超える厚さを有する。例えばある実施形態では、酸化層４２は、約３５０ｎｍ又は約４００ｎｍの厚さを有する。本発明のある実施形態は、平面基板４１をエッチングする工程のロバストネスを向上させることが予想される。
[00101] ある実施形態では、酸化層４２は、平面基板４１の外面に薄い酸化物層として形成される。ある実施形態では、酸化層４２は、熱酸化プロセスによって、例えば熱湿式酸化物として形成される。ある実施形態では、酸化層４２、及び平面基板４１をエッチングするのに使用されるエッチャントは、エッチャントの酸化層４２のエッチング速度が、約５ｎｍ／分未満、例えば、約３ｎｍ／分となるように構成される。ある実施形態では、酸化層４２は、非晶質二酸化ケイ素を含む。
[00102] 図６に示すように、ある実施形態では、スタック４０は下部犠牲層４３を備える。下部犠牲層４３は、膜の下部に存在する平面基板４１の酸化層４２などの任意の層を選択的に除去する際に、少なくとも１つの膜層４５、５０を保護する。
[00103] 下部犠牲層４３の厚さは特に限定されない。ある実施形態では、下部犠牲層４３の厚さは、少なくとも約５ｎｍ、任意選択的に少なくとも約１０ｎｍである。ある実施形態では、下部犠牲層４３の厚さは、最大約１００ｎｍ、任意選択的に最大約５０ｎｍである。ある実施形態では、下部犠牲層４３の厚さは約２０ｎｍである。
[00104] ある実施形態では、下部犠牲層４３は、非晶質シリコンなどの材料から形成される。しかし、必ずしもそうでない場合もある。
[00105] 下部犠牲層４３をスタック４０上に堆積させる方法は、特に限定されない。ある実施形態では、下部犠牲層４３は、化学蒸着によってスタック４０に塗布される。例えば、ある実施形態では、下部犠牲層４３は、３００〜７００℃の範囲の温度での低圧化学蒸着によってスタック４０に塗布される。しかし、必ずしもそうでない場合もある。例えば、ある実施形態では、下部犠牲層４３は、例えばスパッタリング法又は薄膜化法によってスタック４０に塗布される。
[00106] 図７は、酸化層４２及び下部犠牲層４３をエッチングする工程の後のスタック４０を概略的に示す。
[00107] 図８に示すように、膜アセンブリ８０を製造する方法は、機械的保護材料６６を除去することを含む。ある実施形態では、機械的保護材料６６は、フッ化物エッチャントを使用して除去される。酸化エッチャントの代わりにフッ化物エッチャントを使用することによって、膜アセンブリ８０の膜が、機械的保護材料６６を除去する工程中に酸化する可能性が低下する。
[00108] 比較例として、機械的保護材料６６を除去するために酸化エッチャントを使用する場合がある。これは、膜アセンブリ８０の上部キャッピング膜４６の望ましくない、不均一で制御不能な酸化をもたらす可能性がある。例えば、機械的保護材料６６を除去するために酸化性プラズマを使用する場合は、膜アセンブリ８０の膜が均一でなくなる可能性がある。上部キャッピング膜４６の酸化によって酸素原子が膜に追加される可能性があり、その結果、場所によって膜が厚くなる。これはＥＵＶ放射の吸収を高める可能性がある。
[00109] 機械的保護材料６６をフッ化物エッチャントを使用して除去すると規定することにより、膜アセンブリ８０の膜はより均一で、より制御された形状を有することが予想される。これによって、例えばＥＵＶ放射の吸収度が低下するなど、膜アセンブリ８０の撮像特性が向上することが予想される。
[00110] ある実施形態では、フッ化物エッチャントには二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）プラズマが含まれる。必要に応じて他のフッ化物エッチャントを使用することもできる。
[00111] 図１１に示すように、ある実施形態では、スタック４０は上部犠牲層４７を備える。上部犠牲層４７は、膜層４５、５０が平面基板４１及び上部犠牲層４７の間に配置されるように配置される。
[00112] 上部犠牲層４７に関する他の特徴は、下部犠牲層４３の特徴を選択及び変更できるのと同様に選択及び変更することができる。下部犠牲層４３の特徴は、特に図５を参照して以上で説明された。したがって、上部犠牲層４７の更なる特徴は、本明細書においてこれ以上詳細に説明しない。
[00113] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、平面基板４１の内部領域７１及び任意のブリッジ領域７３を選択的に除去することを含む。その結果、膜アセンブリ８０は、膜層５０からの膜及び膜を保持する縁７５を備える。縁７５は、平面基板４１の縁領域７２から形成される。
[00114] 縁７５は、膜アセンブリ８０の膜の機械的安定性を向上させる。本発明のある実施形態によって、膜アセンブリ８０の機械的安定性の向上が達成されることが予想される。これによって、膜アセンブリ８０に損傷を与えることなく、膜アセンブリ８０をパッケージング及び移送することが容易になる。また、これによって、膜アセンブリ８０に損傷を与えることなく、膜アセンブリ８０をフレームによってパターニングデバイスＭＡに取り付けることも容易になる。
[00115] ある実施形態では、膜アセンブリ８０の縁７５は、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡに接続するフレームに接続されるように構成される。フレームを膜アセンブリ８０の膜に直接取り付ける必要はない。フレームは、膜アセンブリ８０の縁７５に取り付けることができる。これによって、膜アセンブリ８０をパターニングデバイスＭＡに取り付けるプロセス中に、膜アセンブリ８０の膜が損傷する可能性が低下する。
[00116] ある実施形態では、エッチングマスク層４９を化学蒸着によって堆積させる。例えば、ある実施形態では、エッチングマスク層４９は、約８５０℃の温度での低圧化学蒸着によって塗布される。
[00117] 高温を適用することによって、膜層４５の性質を変えることができる。例えば、膜層４５を最初に非晶質シリコンとして塗布する場合、膜層４５を多結晶又はナノ結晶シリコンから形成された膜層５０に変化させることができる。この温度によって、非晶質シリコンは結晶化し、多結晶又はナノ結晶シリコンになる。
[00118] 多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンはそれぞれ、ＥＵＶ放射に対する高い透過率を有する。多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンはそれぞれ、良好な機械的強度を有する。多結晶又はナノ結晶シリコンから形成される膜を有する膜アセンブリ８０を製造することは、多格子材料などの別の材料で形成される膜を製造することより容易である。多結晶シリコン及びナノ結晶シリコンはＥＵＶ放射を大幅にフィルタリングする。
[00119] しかし、膜アセンブリ８０の膜を多結晶又はナノ結晶シリコンから形成することは必須ではない。例えば、代替的な実施形態では、膜アセンブリ８０の膜は、多格子膜又は窒化ケイ素から形成される。
[00120] 更なる代替的な実施形態では、膜アセンブリ８０の膜は単結晶シリコンから形成される。そのような実施形態では、単結晶シリコン膜は、シリコンオンインシュレーター（ＳＯＩ）技術によって形成することができる。この生成物の開始材料は、いわゆるＳＯＩ基板である。ＳＯＩ基板は、薄い単結晶シリコン層を埋め込み絶縁ＳｉＯ２層の上部に有するシリコンキャリア基板を含む基板である。ある実施形態では、単結晶シリコン層の厚さは、約５ｎｍ〜約５μｍであってよい。ある実施形態では、シリコン膜層は、本製造方法で使用する前のＳＯＩ基板上に存在する。
[00121] 図９〜図１２は、本発明のある実施形態に係るＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリ８０を製造する方法のステージを概略的に示す。図９は、平面基板４１、酸化層４２、下部犠牲層４３、下部キャッピング膜４４、少なくとも１つの膜層４５及び上部キャッピング膜４６を備えたスタック４０を示している。酸化層４２、下部犠牲層４３、下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６は任意である。
[00122] 図１０に示すように、ある実施形態では、この方法は、ブリッジ溝８１を形成する工程を含む。ブリッジ溝８１は、平面基板４１のブリッジ領域７３に対応する位置に形成されるために「ブリッジ」溝と呼ばれる溝である。ブリッジ溝８１は、平面基板４１のブリッジ領域７３に隣接する少なくとも１つの膜層４５を貫通するように形成される。下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６を設けたある実施形態では、ブリッジ溝８１は、下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６を貫通するように形成される。ブリッジ溝８１は、膜アセンブリ８０の膜を形成する層を貫通するように形成される。
[00123] ある実施形態では、ブリッジ溝８１は、ペリクル体の深い貫通孔である。ブリッジ溝８１の目的は、膜アセンブリ８０を製造する方法の終わりに、ブリッジ領域７３上方の少なくとも１つの膜層４５を破壊する必要をなくすことである。
[00124] ある実施形態では、ブリッジ溝８１は、レーザ、（Ｎ）ＩＲ放射又はＥＵＶ放射によって形成される。ある実施形態では、少なくとも１つの膜層４５、下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６を焼き切るために、レーザ、（Ｎ）ＩＲ放射又はＥＵＶ放射を使用する。ある実施形態では、この方法は、非矩形のスタック４０に矩形溝（すなわち、ブリッジ溝８１）を形成することを含む。非矩形のスタック４０に矩形溝を形成することによって、膜は、本方法の比較的早い段階で廃棄される少なくとも１つの膜層４５、５０の一部から分離される。したがって、所望の形状を有する膜を提供するために、本製造方法の終わりにおいて、少なくとも１つの膜層５０を機械的に破壊する必要がない。
[00125] 矩形の膜アセンブリ８０を提供するために、ブリッジ溝８１を（スタック４０を平面視したときに）矩形形状に形成する。
[00126] ブリッジ溝８１を形成した後、ブリッジ溝８１に、犠牲層などの充填材又は機械的保護材料を充填することができる。図１１に示すように、ある実施形態では、スタック４０に上部犠牲層４７が設けられる。上部犠牲層４７の材料をブリッジ溝８１に充填する。代替的に、ブリッジ溝８１を充填するために、機械的保護材料６６などの材料を使用することができる。
[00127] 図１２は、膜アセンブリ８０を製造する方法の後工程を概略的に示す。図１２に示すように、平面基板４１の内部領域７１及びブリッジ領域７３は、（任意の酸化層４２及び任意の下部犠牲層４３とともに）選択的に除去されている。上部犠牲層４７も除去されている。
[00128] （平面基板４１のエッジ領域７４によって形成される）エッジセクションは、縁７５から分離される。例えば、エッジセクションは、平面基板４１のブリッジ領域７３を選択的に除去することによって縁７５から分離される。ブリッジ領域７３を除去することによって、ブリッジ溝８１は、少なくとも１つの膜層５０を切断又は破壊せずに、エッジセクションの除去を可能にする開口領域になる。エッジセクションが縁７５から分離されるとき、エッジセクションに隣接する少なくとも１つの膜層５０は、ブリッジ溝８１によって膜アセンブリ８０の膜から分離される。
[00129] したがって、一旦ブリッジ領域７３が選択的に除去されると、膜アセンブリ８０の膜は、廃棄される少なくとも１つの膜層５０の周辺部分から（スタック４０に貫通溝を形成するブリッジ溝８１を介して）分離される。これは、少なくとも１つの膜層５０を破壊する後続の工程を行う必要がないことを意味する。したがって、これによって、少なくとも１つの膜層５０を破壊することによって形成される汚染物質粒子が生成される可能性が低下する。これによって、汚染物質粒子が膜アセンブリ８０の膜に付着する可能性が低下する。汚染物質粒子は、シリコン片を含む可能性がある。最終的な膜アセンブリ８０上にそのような汚染物質粒子があると、膜アセンブリ８０の光学性能が低下する可能性がある。縁７５と重なるゆるくぶら下がったシリコン片が、解放され、膜アセンブリ８０の膜に付着する可能性がある。汚染物質粒子は、非常に薄いため、比較的容易に膜に付着する可能性がある。
[00130] ある実施形態では、ブリッジ溝８１は、少なくとも１つの膜層４５の一部が、平面基板４１の縁領域７２の半径方向外側に延びるように形成される。これは、少なくとも１つの膜層４５の一部が縁領域７２を超えて外側に延びる図１０に示されている。したがって、エッジセクションが（膜アセンブリ８０を製造する方法を製造する方法の終わりに）縁７５から分離されるとき、膜層５０の一部は縁７５の径方向外側に延びる。これは図１２に示されている。平面基板４１の縁領域７２に対するブリッジ溝８１の位置を制御することによって、膜アセンブリの膜のエッジの位置を調整することが可能である。
[00131] ある実施形態では、ブリッジ溝８１にピラーを設けてよい。ピラーは、膜と廃棄される少なくとも１つの膜層４５の周辺部との間隙を保持するためのものである。平面基板４１の各部を選択的に除去する工程を行った後、膜が少なくとも１つの膜層５０の残りの部分から分離されるようにピラーを除去することができる。したがって、膜アセンブリ８０を製造する方法の終わりにおいて、膜を少なくとも１つの膜層５０の残りの部分から物理的に切断する必要がない。
[00132] ある実施形態では、スタック４０は矩形である。すなわち、本方法は、矩形（又は正方形）の平面基板４１から開始することができる。平面基板４１は、本方法によって生成される膜アセンブリ８０の所望の形状とほぼ同じ形状を有してよい。そのような実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法の終わりにおいて、膜アセンブリ８０を平面基板４１の端にある平面基板４１の任意のエッジセクションから切断する必要がない。これによって、膜が膜に付着した汚染物質粒子によって汚染される可能性が低下する。
[00133] ある実施形態では、スタック４０の少なくとも１つの膜層４５のエッジは丸み付け又は面取りされる。面取り、傾斜、又は丸み付けされたエッジを設けることによって、膜アセンブリ８０のエッジは鋭くない。特に、異方性エッチングは、膜アセンブリ８０に特に鋭いエッジをもたらす可能性がある。例えば、膜アセンブリ８０の膜のエッジは、鋭い三角形の形状を有する可能性がある。これによって、切断されたエッジのコーナーによって汚染物質粒子の生成がもたらされる可能性が高まる。汚染物質粒子は、約２０ｎｍ〜約１μｍの範囲の直径を有する可能性がある。面取り、傾斜、又は丸み付けされたエッジを設けることによって、膜のコーナーが破損して粒子を生成する可能性が低下する。
[00134] 図１３は、本発明のある実施形態に係る膜アセンブリ８０を示す。図１３に示すように、ある実施形態では、本方法は、エッジセクションを縁７５から分離した後に、少なくとも１つの膜層５０のエッジにパッシベーションコーティング８２を塗布することを含む。エッジは厚い粘着層で被覆することができる。例えば、スプレーコーティングを用いてよい。
[00135] ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２の厚さは、約１μｍ〜約１０μｍの範囲内である。パッシベーションコーティング８２は、少なくとも１つの膜層５０のエッジを不動態化する。ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２は、エッジの周りに貼られた粘着テープの形態で塗布される。パッシベーションコーティング８２は、少なくとも１つの膜層５０の不要な周辺セクションを取り除いた後、最初の１つの膜層５０のエッジに塗布される。
[00136] ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２は、原子層蒸着、化学蒸着、電気めっき又は浸漬被覆を用いて塗布される。ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２はＲｕなどの金属を含む。しかし、パッシベーションコーティング８２は、ケイ化物、酸化物又は窒化物も含んでよい。パッシベーションコーティング８２は、例えば化学蒸着によって、少なくとも１つの膜層５０のエッジに堆積させることができる。ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２は、（少なくとも１つの膜層５０のエッジだけではなく）膜アセンブリ８０の全体に塗布される。例えば。パッシベーションコーティング８２は、原子層蒸着又は化学蒸着によって膜アセンブリ８０の全体に塗布されてよい。また、コンフォーマルなＲｕコーティングを作成するために電気めっきを用いてもよい。ある実施形態では、膜アセンブリ８０を保護するためにＲｕ層を設ける。
[00137] ある実施形態では、パッシベーションコーティング８２は、物理蒸着を用いて塗布される。少なくとも１つの膜層５０のエッジだけがパッシベーションコーティング層８２を受けるようにシャドウマスクを使用してよい。パッシベーションコーティング８２は、物理蒸着によってシリコン膜のエッジ上に局所的に被覆することができる。膜の内部をマスクするためにシャドウマスクを使用することができる。膜の残りの部分は、パッシベーションコーティング８２の材料によってスパッタリングすることができる。特に、シャドウスパッタリングと呼ばれることもあるこのプロセスは、機械的保護材料６６（例えば、高密度架橋重合体）を、非酸化性プラズマを使用して除去する場合に適切な場合がある。
[00138] パッシベーションコーティング８２は、膜のエッジのコーナーが剥離して汚染物質粒子が生成される可能性を低下させる。したがって、本発明のある実施形態は、膜アセンブリ８０の膜に付着する汚染物質粒子の減少を達成することが予想される。これによって、ＥＵＶ放射の透過率が改善され、そのエリアにわたってより一貫性のある光学特性を有する膜アセンブリ８０がもたらされる可能性がある。
[00139] ある実施形態では、少なくとも１つの膜層４５は非晶質材料を含む。例えば、結晶シリコンの代わりに非晶質材料から開始することによって、膜アセンブリ８０のエッジは脆さが小さくなる。したがって、非晶質材料を使用することによって、膜アセンブリ８０が、平面基板４１及び少なくとも１つの膜層５０の望ましくないセクションから剥離されるときに、汚染物質粒子が生成される可能性が低下する可能性がある。
[00140] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、エッジセクションを縁７５から分離した後、少なくとも１つの膜層５０のエッジを酸化又は窒化することを含む。少なくとも１つの膜層５０のエッジを酸化又は窒化することによって、膜は反応性が低下する。例えば、自然酸化物は純シリコンよりも反応性が低い。したがって、シリコン膜のエッジを酸化又は窒化することによって、ペリクルツールと接触する粒子デブリが生成される可能性が低下する。
[00141] Ｒｕ層を選択的に塗布してシリコン膜のエッジを保護するために、浸漬被覆を用いてよい。
[00142] 図１４は、少なくとも１つの膜層５０が（フレームと呼ばれることもある）縁７５に跨る膜アセンブリを概略的に示す。少なくとも１つの膜層５０を平面基板４１の上部に直接堆積させる。次に、平面基板４１の選択的な異方性バックエッチングによって膜を自立させる。ある実施形態では、少なくとも１つの膜層５０の材料はＳｉＮである。その他の材料も可能である。
[00143] 図１４に示すように、少なくとも１つの膜層５０と縁７５の間に鋭いエッジ又は移行部が存在する可能性がある。製造プロセスで用いる異方性エッチング工程から工程欠陥が生じる可能性もある。異方性エッチングは結晶面に従う。したがって、工程欠陥は、特に高い応力集中が起こる可能性がある、特に鋭いコーナーを示す可能性がある。これによって、特に高い応力集中が起こる位置で膜アセンブリ８０が機能しなくなる又は破損する可能性がある。
[00144] 縁７５の形状は、平面基板４１の各部を選択的に除去するのに用いられるエッチングプロセスに依存して変化してよい。縁７５の形状は、縁７５を形成するのに用いられる材料に依存して変化してもよい。図１４に示す縁７５の形状は、平面基板４１を形成するのに用いられる材料が結晶材料である場合に、異方性エッチングから生じる一般的な形状である。
[00145] 図１５は、本発明のある実施形態に係る膜アセンブリ８０を概略的に示す。図１５に示すように、ある実施形態では、スタック４０は中間層８３を備える。中間層８３は、平面基板４１と少なくとも１つの膜層４５の間に位置する。膜アセンブリ８０を製造する方法は、平面基板４１の内部領域７１を選択的に除去する工程の後、中間層８３を等方的にエッチングすることを含む。
[00146] 中間層８３は、縁７５と少なくとも１つの膜層５０の間に意図的に導入される。ある実施形態では、中間層は、少なくとも１つの膜層５０よりも厚い。中間層８３は等方的にエッチングされる。中間層８３は、選択的なエッチング剤を使用してエッチングされる。中間層８３は、少なくとも１つの膜層５０がエッチングされることなくエッチングされる。
[00147] 図１５に概略的に示すように、等方的にエッチングされた中間層８３は、縁７５から少なくとも１つの膜層５０への移行部の鋭いエッジを滑らかにする。これによって応力集中が大幅に低くなり、その結果、膜が機能しなくなる可能性が低下する。
[00148] 等方性エッチングは、全ての方向に同じ速度でエッチングを行う。一方、異方性エッチングは、結晶面方位に起因して特定の方向に大幅に速くエッチングを行う。異方性エッチングは、本質的に原子的に鋭いエッジをもたらし、その結果、応力集中が高くなる。ガラス又は非晶質材料の場合、エッチングは一般的に等方性である。ある実施形態では、中間層８０は、二酸化ケイ素、非晶質シリコン、又は金属層を含む。
[00149] 等方的にエッチングされた中間層８３は、任意の工程欠陥の位置における応力を緩和する。中間層８３は、縁７５から膜への移行部全体にかかる応力も低下させる。中間層８３は、膜アセンブリ８０のコーナーにかかる応力も低下させる。ある実施形態では、中間層８３は、膜よりもかなり厚い。例えば、ある実施形態では、中間層８３は、少なくとも５０ｎｍ、任意選択的に少なくとも１００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態では、中間層８３は、最大５００ｎｍ、任意選択的に最大２００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態では、中間層８３を等方的にエッチングするのに使用されるエッチング剤は選択的である。これは、エッチング剤は膜構造ではなく中間層８３をエッチングするように構成されていることを意味する。
[00150] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、アニーリングプロセス、イオンビーム修正、スタック４０に印加される圧力の制御及びスタック４０に印加される温度の制御のうちの１つ以上によって、スタック４０の少なくとも１つの膜層４５における予張力を変化させることを含む。
[00151] 使用中に膜アセンブリ８０の膜が真っすぐかつ平らになるように、製造プロセス中に少なくとも１つの膜層４５に予張力を印加する。予張力が印加されない場合には、膜は不必要にゆるいか又はしわが寄る可能性がある（しわは不均一な膜厚にもつながる）。ゆるい、又は不均一な厚さの膜は、撮像特性が不十分なものになる可能性がある。しかし、予張力が高すぎる場合には、膜は脆く、より破損しやすくなる可能性がある。したがって、予張力を目標範囲内に制御することが望ましい。
[00152] ある実施形態では、少なくとも１つの膜層４５の予張力は、少なくとも８０ＭＰａに制御される。この予張力は、少なくとも１つの膜層５０を形成するときに組み込まれる。予張力はこれ以降、熱処理によって変えることができる。ある実施形態では、予張力は、下部キャッピング膜４４及び／又は上部キャッピング膜４６に印加することができる。ある実施形態では、予張力は、（膜を形成する）少なくとも１つの膜層４５と、下部キャッピング膜４４及び上部キャッピング膜４６との両方に印加される。
[00153] ある実施形態では、少なくとも１つの膜層４５の結晶割合を大きくするため、及び／又は少なくとも１つの膜層４５における応力を大きくするために、アニーリング工程を実行する。少なくとも１つの膜層４５における応力を小さくするために、イオンビーム修正（すなわち、注入）を用いることができる。予張力は、膜アセンブリ８０を製造する方法の任意の他の工程の間に、少なくとも１つの膜層４５に導入することができる。
[00154] 膜アセンブリ８０の使用中の高温での熱による座屈を防止するために、（プレストレスと呼ばれることもある）予張力を膜に導入する。
[00155] ある実施形態では、膜アセンブリ８０を製造する方法は、膜が使用時の設計値により近い応力を有するように、膜に予張力を導入することを含む。膜は、使用時（例えば、膜アセンブリ８０がパターニングデバイスＭＡのペリクルとして使用されるとき）に、ＥＵＶ放射を受ける。使用中に膜アセンブリ８０に印加されるＥＵＶ放射は、膜の張力を高める可能性がある。したがって、ある実施形態では、本方法は、膜に予張力を導入して、膜アセンブリ８０の使用時における所望の張力を下回るベベルにすることを含む。膜アセンブリ８０を使用するとき、膜アセンブリ８０が受ける追加のＥＵＶ放射は、膜の張力がその設計値か又はこれに近くなるように、膜の張力を更に高める。
[00156] 一部の状況では、湿式エッチングを用いて平面基板４１の一部を除去することが有利な場合がある。上述のように、そのような場合、スタック４０を、その後湿式エッチング工程の後に除去することができる機械的保護材料６６で保護する必要がある可能性がある。
[00157] 図１６〜図１９は、本発明のある実施形態に係る膜アセンブリ８０を製造する方法の工程を概略的に示す。図１６は、スタック４０を概略的に示す。図１６に示すように、ある実施形態では、スタック４０はエッチング停止層８４を備える。エッチング停止層８４は、（図１７に示す）機械的保護材料６６を除去する工程中にスタック４０を保護するためのものである。エッチング停止層８４は、機械的保護材料６６がスタック４０に塗布される前に、スタック４０の上部に塗布される。
[00158] 機械的保護材料６６をスタック４０に塗布した後、平面基板４１は、例えば湿式エッチングを用いてエッチング除去することができる。機械的保護材料６６は、この場合、スタック４０の残りの部分を液体エッチャントから保護する。酸化層４２及び任意の下部犠牲層４３をエッチング除去するために、更なるエッチングプロセスが必要な場合がある。
[00159] 図１８に示すように、平面基板４１を選択的にエッチングした後、エッチング停止層８４をスタック４０の下部に塗布してもよい。スタック４０の下部に塗布されたエッチング停止層８４は、機械的保護材料６６を除去するのに使用したエッチャントから膜を保護するためのものである。
[00160] 図１９に示すように、機械的保護材料６６を除去したとき、エッチング停止層８４は依然として所定の位置にある。ある実施形態では、機械的保護材料６６を除去するエッチャントとして、酸化性プラズマを使用する。したがって、エッチング停止層８４は、酸化性プラズマに耐性がある。ある実施形態では、エッチング停止層８４は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の厚さを有する。ある実施形態では、エッチング停止層８４に使用される材料は、機械的保護材料６６を除去するのに使用される酸化性プラズマによってそれ以上酸化される可能性のない酸化物である。例えば、ある実施形態では、エッチング停止層８４はシリコン酸化物を含む。
[00161] 次にエッチング停止層８４は、機械的保護材料６６を除去する工程の後に除去することができる。したがって、エッチング停止層８４を設けることによって、機械的保護材料６６と共に湿式エッチャントを使用することができる一方、機械的保護材料６６を除去したときに膜が酸化する可能性が低下する。したがって、本発明のある実施形態は、膜アセンブリ８０の膜の均一性の向上を達成することが予想される。
[00162] 図２０〜図２７は、本発明のある実施形態に係る膜アセンブリ８０を製造する方法の工程を概略的に示す。図２０〜図２７に示す方法は、機械的保護材料６６の使用を必要としない。したがって、この方法は、膜に損傷を与える可能性がある機械的保護材料６６を除去する工程を回避する。
[00163] 図２０に示すように、ある実施形態では、スタック４０は、平面基板４１及び酸化層４２を備える。酸化層４２は、平面基板４１の各部を選択的に使用するために用いられる湿式エッチングプロセスを停止するためのものである。
[00164] 図２０に示すように、ある実施形態では、スタック４０は、厚い下部エッチングバリア８６及び薄い下部エッチングバリア８７を備える。厚い下部エッチングバリア８６及び薄い下部エッチングバリア８７を、平面基板４１の少なくとも１つの膜層４５と酸化層４２の間に堆積させる。厚い下部エッチングバリア８６を、薄い下部エッチングバリア８７と酸化層４２の間に堆積させる。
[00165] 薄い上部エッチングバリア８８及び厚い上部エッチングバリア８９が、スタック４０の少なくとも１つの膜層４５の外側に設けられる。厚い上部エッチングバリア８９に使用される材料は、厚い下部エッチングバリア８６に使用される材料と同じである。薄い上部エッチングバリア８８に使用される材料は、薄い下部エッチングバリア８７に使用される材料と同じである。
[00166] スタック４０は、厚い上部エッチングバリア８９の外側に湿式エッチングバリア９０を備える。湿式エッチングバリアは、平面基板４１の各部を選択的に除去するのに使用される湿式エッチャントからスタック４０を保護するためのものである。
[00167] 図２１に示すように、ある実施形態では、本方法は、湿式エッチングバリア９０、厚い上部エッチングバリア８９、薄い上部エッチングバリア８８、少なくとも１つの膜層４５、薄い下部エッチングバリア８７、厚い下部エッチングバリア８６及び酸化層４２の各部を選択的に除去する工程を含む。ある実施形態では、このエッチングプロセスは、乾式エッチング法によって行われる。各層を選択的に除去するためにマスクを使用してもよい。乾式エッチングプロセスを行うことによって、平面基板４１の所望の部分がスタック４０の下部に露出される。
[00168] 図２２に示すように、ある実施形態では、本方法は、平面基板４１の内部領域を選択的に除去することを含む。平面基板４１の各部を選択的に除去することは、湿式エッチングプロセスを用いて行われてよい。例えば、ＫＯＨなどの湿式エッチャントを使用してよい。膜と平面基板４１の間の酸化層４２は、湿式エッチングプロセスが膜に達するのを妨げる。
[00169] 図２３に示すように、ある実施形態では、本方法は、湿式エッチャントのバリアとして機能した酸化層４２を選択的に除去することを含む。酸化層４２は、例えば、乾式エッチング法によって除去してよい。図２４に示すように、ある実施形態では、本方法は、厚い下部エッチングバリア８６を選択的に除去することを含む。厚い下部エッチングバリア８６は、乾式エッチング法によって除去されるように設定してよい。ある実施形態では、厚い下部エッチングバリア８６及び厚い上部エッチングバリア８９は、窒化ケイ素を含む。ある実施形態では、薄い下部エッチングバリア及び薄い上部エッチングバリアは、窒化ケイ素を含む。図２４に示すように、厚い上部エッチングバリア８９は、厚い下部エッチングバリア８６が除去されるのと同時に除去されてよい。
[00170] 図２５に示すように、ある実施形態では、本方法は、薄い下部エッチングバリア８７及び薄い上部エッチングバリア８８を除去することを含む。薄い下部エッチングバリア８７及び薄い上部エッチングバリア８８はほぼ同時に除去されてよい。乾式エッチング法を用いてよい。
[00171] 図２
６に示すように、ある実施形態では、本方法は、（膜の一部を形成するのではなく）廃棄される少なくとも１つの膜層４５の周辺セクションから膜を分離することを含む。ある実施形態では、分離はレーザーダイシングプロセスによって行われる。したがって、膜は、膜アセンブリ８０の配列を形成する、スタック４０の残存部分を横断するように延ばされる。
[00172] 図２７に示すように、ある実施形態では、本方法は、膜アセンブリ８０にキャッピング層９３を設けることを含む。ある実施形態では、キャッピング層９３は、膜アセンブリ８０の全体に設けられる。ある実施形態では、キャッピング層９３は、他の実施形態に関連して説明した下部キャッピング膜４４又は上部キャッピング膜４６と同じ材料で作られる。
[00173] 図２１及び図２２に示すように、スタック４０が湿式エッチングプロセスを経るとき、少なくとも１つの膜層４５は上側及び下側が、厚い下部エッチングバリア８６及び厚い上部エッチングバリア８９によって支持される。したがって、厚い下部エッチングバリア８６及び厚い上部エッチングバリア８９は、少なくとも１つの膜層４５を機械的に支持する。これによって、スタック４０は工具による操作が可能になり、製造プロセス中に膜が破損する可能性が低下する。例えば、スタック４０は、湿式エッチャントの槽に入れたり、湿式エッチャントの槽から取り出したりすることができ、膜が機能しなくなったり、破損したりする可能性が低下する。
[00174] したがって、厚い下部エッチングバリア８６及び厚い上部エッチングバリア８７を設けることによって、その後除去することが必要となる、更なる機械的保護材料６６を設ける必要がない。したがって、本発明のある実施形態は、製造中に膜が破損する可能性及び製造中に膜が酸化する可能性を低下させることによって、膜アセンブリ８０の製造を容易にすることが予想される。
[00175] 図２８〜図３５は、同様に、機械的保護材料６６を塗布し、スタック４０から除去する必要性を回避する、本発明の代替的な実施形態の工程を示す。図２８に示すように、ある実施形態では、スタックは、平面基板４１、窒化ケイ素層９１、厚い下部エッチングバリア８６、薄い下部エッチングバリア８７、少なくとも１つの膜層４５、薄い上部エッチングバリア８８及び厚い上部エッチングバリア８９を備える。しかし、スタック４０は、外側の湿式エッチングバリア９０を必要としない。
[00176] 図２９に示すように、ある実施形態では、本方法は、膜アセンブリ８０の所望の形状を有するスタック４０を提供するように、スタック４０を切断することを含む。例えば、ある実施形態では、スタック４０はレーザーダイシングされて矩形になる。これは、膜にくっつく汚染物質粒子を生成する可能性がある方法において、後でダイシング工程や破断工程を行う必要がないことを意味する。この方法において早い段階でダイシング工程から生じた汚染物質粒子は、汚染物質粒子が膜に付着することなく、より容易に取り除くことができる。
[00177] 図３０に示すように、ある実施形態では、本方法は、外部犠牲層９２をスタック４０に塗布することを含む。ある実施形態では、外部犠牲層９２は窒化ケイ素を含む。外部犠牲層９２は、平面基板４１の各部を選択的に除去するのに使用される湿式エッチャントからスタック４０を保護するためのものである。
[00178] 図３１に示すように、ある実施形態では、本方法は、外部犠牲層９２、厚い上部エッチングバリア８９、薄い上部エッチングバリア８８、少なくとも１つの膜層４５、薄い下部エッチングバリア８７、厚い下部エッチングバリア８６及び窒化ケイ素層９１を選択的にエッチングする工程を含む。その結果、平面基板４１の下部が露出される。これによって、平面基板４１は、湿式エッチングプロセスによって選択的に除去することができる。湿式エッチャントはＫＯＨであってよい。例えばある実施形態では、スタック４０は、操作ツールを使用してＫＯＨ槽に入れられ、後にＫＯＨ槽から取り出される。厚い下部エッチングバリア８６及び厚い上部エッチングバリア８９が存在することによって、少なくとも１つの膜層４５が機械的に支持され、その結果、平面基板４１をエッチングするプロセスにおいて膜が損傷を受ける可能性が低下する。
[00179] 図３３に示すように、ある実施形態では、本方法は、外部犠牲層９２及び窒化ケイ素層９１をエッチングすることを含む。代替的に、窒化ケイ素層９１の代わりに、平面基板４１の酸化層４２を設けてもよい。外部犠牲層９２及び窒化ケイ素層９１は、乾式エッチングプロセスを用いてほぼ同時に除去することができる。
[00180] 図３４に示すように、ある実施形態では、本方法は、厚い上部エッチングバリア８９及び厚い下部エッチングバリア８６を選択的に除去することを含む。これらは乾式エッチングプロセスを用いて除去することができる。図３５に示すように、ある実施形態では、本方法は、薄い下部エッチングバリア８７及び薄い上部エッチングバリア８８を除去することを含む。これによって、スタック４０の上部及び下部に膜を露出させる。ある実施形態では、本方法は更に、図２７に示すように、膜に保護層を設けるために、キャッピング層９３を膜アセンブリ８０の外側に塗布することを含む。
[00181] 図８に示すように、ある実施形態では、エッジ破断工程中に吸引（流）を印加する。廃棄される少なくとも１つの膜層５０の各部から膜を分離するとき、局所的に吸引を印加する。吸引は、分離工程中に生成されるあらゆる汚染物質粒子を除去するために印加される。図８に示すように、ある実施形態では、分離が行われた領域に吸引装置８５が吸気圧力を印加する。
[00182] 吸引装置８５によって、汚染物質粒子が膜アセンブリ８０の膜に付着する可能性が低下する。ある実施形態では、吸引装置８５は、分離が行われている全ての領域に同時に適用される。例えば、吸引装置８５は、膜アセンブリ８０の形状に対応する矩形の形をとってよい。代替的に、ある実施形態では、吸引装置８５は、少なくとも１つの膜層５０が破断されている全ての場所に隣接するように分離工程の間移動する。
[00183] ある実施形態では、膜アセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡの前に配置されるペリクルとして使用し、パターニングデバイスＭＡを保護することができる。本発明のある実施形態は、ペリクルの脆弱性の低下を実現することが予想される。本発明のある実施形態は、膜アセンブリを大量に製造することを容易にすることが予想される。本発明のある実施形態は、フレームに組み込まれた自立した膜の処理を可能にすることが予想される。
[00184] ある実施形態では、膜アセンブリ８０は、１３．５ｎｍの波長を有する放射の少なくとも９０％を透過させるように構成される。ある実施形態では、膜アセンブリ８０は、ＤＵＶ放射（およそ１００〜４００ｎｍ）の５％未満を透過させるように構成される。
[00185] ある実施形態では、膜アセンブリ８０の膜層５０はシリコンを含む。シリコンは、ＥＵＶ放射に対して最も透過的な元素の１つである。シリコンは、一般に加工され入手可能な材料である。ある実施形態では、膜層５０は、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｍｏ、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、窒化ジルコニウム、酸化モリブデン又は窒化モリブデンで覆われる。そのような組み合わせは、水素誘起ガス放出及び結果として生じるシリコンの再堆積を抑えることが予想される。また、タングステン、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、炭化ケイ素又は二ケイ化モリブデンを含むキャップ層を使用することによって、膜の熱放射率が大きくなる可能性がある。膜アセンブリ８０は、水素ラジカルを含む環境で使用することができる。タングステンは、例えば水素プラズマに耐えられる材料であり、最大４００℃の酸化に対してもかなり安定的である。タングステンはまた、高い融点（３４２２℃）を有し、他の金属と比べて熱膨張係数が小さい。
[00186] ある実施形態では、膜アセンブリ８０は、ペリクルとして又は動的ガスロックの一部として適用される。代替的に、膜アセンブリ８０は、識別などの他のろ過領域に、又はビームスプリッタのために適用することができる。
[00187] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00188] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、本発明は、説明した以外の方法で実施することができることが理解されよう。例えば、様々なラッカー層は、同じ機能を果たす非ラッカー層で置き換えてもよい。
[00189] 上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。したがって、以下に示す特許請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載された本発明に対して改変を加えることができることは、当業者には明らかであろう。[00190]
［１］
ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、前記方法は、
内部領域と、前記内部領域の周りの縁領域と、前記縁領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、
前記平面基板の前記ブリッジ領域に隣接する前記少なくとも１つの膜層を貫通するブリッジ溝を形成することと、
前記膜アセンブリが、
前記少なくとも１つの膜層から形成される膜と、
前記平面基板の前記縁領域から形成される、前記膜を保持する縁と、
前記平面基板の前記エッジ領域から形成される、前記縁の周りのエッジセクションと、
前記少なくとも１つの膜層によって形成される、前記縁と前記エッジセクションの間のブリッジとを備えるように、前記平面基板の前記内部領域及び前記ブリッジ領域を選択的に除去することと、
前記エッジセクションに隣接する前記少なくとも１つの膜層が前記ブリッジ溝によって前記膜から分離されるように、前記エッジセクションを前記縁から分離することと、を含む方法。
[２］
前記平面基板の前記内部領域を露出させるように前記スタックを支持体上に位置決めすることを含み、
前記平面基板の前記内部領域は、前記スタックが前記支持体上にあるときに、非液体エッチャントを使用して選択的に除去される、［１］に記載の方法。
［３］
前記平面基板の前記内部領域は、原子層エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング又は深掘り反応性イオンエッチングによって選択的に除去される、［２］に記載の方法。
［４］
前記スタックは、前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去する工程中に、前記縁領域を機械的に保護するように構成された機械的保護材料を備え、
前記機械的保護材料は、フッ化物エッチャントを使用して除去される、［１］に記載の方法。
［５］
前記フッ化物エッチャントはＸｅＦ２プラズマを含む、［４］に記載の方法。
［６］
ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、前記方法は、
内部領域と、前記内部領域の周りの縁領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、
前記平面基板の前記内部領域を露出させるように前記スタックを支持体上に位置決めすることと、
前記膜アセンブリが、
前記少なくとも１つの膜層から形成される膜と、
前記平面基板の前記縁領域から形成される、前記膜を保持する縁とを備えるように、前記平面基板の前記内部領域を、非液体エッチャントを使用して選択的に除去することと、を含む方法。
［７］
前記平面基板の前記内部領域は、原子層エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング又は深掘り反応性イオンエッチングによって選択的に除去される、［６］に記載の方法。
［８］
ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、前記方法は、
内部領域と、前記内部領域の周りの縁領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、
前記膜アセンブリが、
前記少なくとも１つの膜層から形成される膜と、
前記平面基板の前記縁領域から形成される、前記膜を保持する縁とを備えるように、前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去することと、を含み、
前記スタックは、前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去する工程中に、前記縁領域を機械的に保護するように構成された機械的保護材料を備え、
前記機械的保護材料を、フッ化物エッチャントを使用して除去することを含む方法。
［９］
前記フッ化物エッチャントはＸｅＦ２プラズマを含む、［８］に記載の方法。
［１０］
前記スタックは矩形である、［１］〜［９］のいずれかに記載の方法。
［１１］
前記スタックの前記少なくとも１つの膜層のエッジが丸み付け又は面取りされている、［１０］に記載の方法。
［１２］
前記平面基板は、前記縁領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを備え、
前記平面基板の前記ブリッジ領域に隣接する前記少なくとも１つの膜層を貫通するようにブリッジ溝を形成し、
前記膜アセンブリは、
前記平面基板の前記エッジ領域から形成される、前記縁の周りのエッジセクションと、
前記少なくとも１つの膜層によって形成される、前記縁と前記エッジセクションの間のブリッジとを備え、
前記エッジセクションに隣接する前記少なくとも１つの膜層が前記ブリッジ溝によって前記膜から分離されるように、前記エッジセクションを前記縁から分離する、［６］〜［１１］のいずれかに記載の方法。
［１３］
前記ブリッジ溝は、レーザ又はＥＵＶ放射を使用して前記少なくとも１つの膜層を切断することによって形成される、［１］〜［５］及び［１２］のいずれかに記載の方法。
［１４］
前記ブリッジ溝は、前記少なくとも１つの膜層の一部が、前記平面基板の前記縁領域の半径方向外側に延び、前記エッジセクションが前記縁から分離されるとき、前記少なくとも１つの膜層の前記一部が前記縁の半径方向外側に延びるように形成される、［１］〜［５］、［１２］及び［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］
前記エッジセクションを前記縁から分離した後に、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジにパッシベーションコーティングを塗布することを含む、［１］〜［５］及び［１２］〜［１４］のいずれかに記載の方法。
［１６］
前記パッシベーションコーティングは、原子層蒸着、化学蒸着、電気めっき又は浸漬被覆を用いて塗布される、［１５］に記載の方法。
［１７］
前記パッシベーションコーティングは、金属、ケイ化物、酸化物又は窒化物の１つ以上を含む、［１５］及び［１６］のいずれか一項に記載の方法。
［１８］
前記パッシベーションコーティングは物理蒸着を用いて塗布され、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジだけが前記パッシベーションコーティングを受けるようにシャドウマスクを使用する、［１５］に記載の方法。
［１９］
前記少なくとも１つの膜層は非晶質材料を含む、［１］〜［１８］のいずれかに記載の方法。
［２０］
前記エッジセクションを前記縁から分離した後、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジを酸化又は窒化することを含む、［１］〜［１９］のいずれかに記載の方法。
［２１］
前記スタックは、前記平面基板と前記少なくとも１つの膜層の間の中間層を備え、前記方法は、
前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去する工程の後、前記中間層を等方的にエッチングすることを含む、［１］〜［２０］のいずれかに記載の方法。
［２２］
アニーリングプロセス、イオンビーム修正、前記スタックに印加される圧力の制御及び前記スタックに印加される温度の制御のうちの１つ以上によって、前記スタックの前記少なくとも１つの膜層における予張力を変化させることを含む、［１］〜［２１］のいずれかに記載の方法。
［２３］
前記膜アセンブリは、パターニングデバイス又は動的ガスロックのためのものである、［１］〜［２２］のいずれかに記載の方法。
［２４］
前記スタックの少なくとも１つの膜層は、タングステン、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、炭化ケイ素又は二ケイ化モリブデンを含む層である、［１］〜［２３］のいずれかに記載の方法。
［２５］
シリコンを含む少なくとも１つの膜層から形成された膜と、前記膜を保持する縁とを備える、ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリであって、
前記スタックの前記少なくとも１つの膜層のエッジが丸み付け又は面取りされる、及び／又は
前記少なくとも１つの膜層の一部が、前記縁の半径方向外側に延びる、及び／又は
前記少なくとも１つの膜層の前記エッジにパッシベーションコーティングが塗布される、及び／又は
前記少なくとも１つの膜層の前記エッジは酸化又は窒化される、膜アセンブリ。
［２６］
前記パッシベーションコーティングが前記少なくとも１つの膜層の前記エッジに塗布されるとき、前記パッシベーションコーティングはＲｕを含む、［２５］に記載の膜アセンブリ。
［２７］
前記膜アセンブリは、パターニングデバイス又は動的ガスロックのためのものである、［２５］及び［２６］のいずれかに記載の膜アセンブリ。

Claims (17)

  1. ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリを製造する方法であって、前記方法は、
    内部領域と、前記内部領域の周りの縁領域と、前記縁領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを備えた平面基板、及び少なくとも１つの膜層を備えたスタックを設けることと、
    前記平面基板の前記ブリッジ領域に隣接する前記少なくとも１つの膜層を貫通するブリッジ溝を形成することと、
    前記膜アセンブリが、
    前記少なくとも１つの膜層から形成される膜と、
    前記平面基板の前記縁領域から形成される、前記膜を保持する縁と、
    前記平面基板の前記エッジ領域から形成される、前記縁の周りのエッジセクションと、
    前記少なくとも１つの膜層によって形成される、前記縁と前記エッジセクションの間のブリッジとを備えるように、前記平面基板の前記内部領域及び前記ブリッジ領域を選択的に除去することと、
    前記エッジセクションに隣接する前記少なくとも１つの膜層が前記ブリッジ溝によって前記膜から分離されるように、前記エッジセクションを前記縁から分離することと、を含む方法。
  2. 前記平面基板の前記内部領域を露出させるように前記スタックを支持体上に位置決めすることを含み、
    前記平面基板の前記内部領域は、前記スタックが前記支持体上にあるときに、非液体エッチャントを使用して選択的に除去される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記平面基板の前記内部領域は、原子層エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング又は深掘り反応性イオンエッチングによって選択的に除去される、請求項２に記載の方法。
  4. 前記スタックは、前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去する工程中に、前記縁領域を機械的に保護するように構成された機械的保護材料を備え、
    前記機械的保護材料は、フッ化物エッチャントを使用して除去される、請求項１に記載の方法。
  5. 前記ブリッジ溝は、レーザ又はＥＵＶ放射を使用して前記少なくとも１つの膜層を切断することによって形成される、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
  6. 前記ブリッジ溝は、前記少なくとも１つの膜層の一部が、前記平面基板の前記縁領域の半径方向外側に延び、前記エッジセクションが前記縁から分離されるとき、前記少なくとも１つの膜層の前記一部が前記縁の半径方向外側に延びるように形成される、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
  7. 前記エッジセクションを前記縁から分離した後に、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジにパッシベーションコーティングを塗布することを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
  8. 前記パッシベーションコーティングは、金属、ケイ化物、酸化物又は窒化物の１つ以上を含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記パッシベーションコーティングは物理蒸着を用いて塗布され、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジだけが前記パッシベーションコーティングを受けるようにシャドウマスクを使用する、請求項７に記載の方法。
  10. 前記少なくとも１つの膜層は非晶質材料を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
  11. 前記エッジセクションを前記縁から分離した後、前記少なくとも１つの膜層の前記エッジを酸化又は窒化することを含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
  12. 前記スタックは、前記平面基板と前記少なくとも１つの膜層の間の中間層を備え、前記方法は、
    前記平面基板の前記内部領域を選択的に除去する工程の後、前記中間層を等方的にエッチングすることを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
  13. アニーリングプロセス、イオンビーム修正、前記スタックに印加される圧力の制御及び前記スタックに印加される温度の制御のうちの１つ以上によって、前記スタックの前記少なくとも１つの膜層における予張力を変化させることを含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
  14. 前記スタックの少なくとも１つの膜層は、タングステン、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、炭化ケイ素又は二ケイ化モリブデンを含む層である、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
  15. シリコンを含む少なくとも１つの膜層から形成された膜と、前記膜を保持する縁とを備える、ＥＵＶリソグラフィのための膜アセンブリであって、
    前記スタックの前記少なくとも１つの膜層のエッジが丸み付け又は面取りされる、及び／又は
    前記少なくとも１つの膜層の一部が、前記縁の半径方向外側に延びる、及び／又は
    前記少なくとも１つの膜層の前記エッジにパッシベーションコーティングが塗布される、及び／又は
    前記少なくとも１つの膜層の前記エッジは酸化又は窒化される、膜アセンブリ。
  16. 前記パッシベーションコーティングが前記少なくとも１つの膜層の前記エッジに塗布されるとき、前記パッシベーションコーティングはＲｕを含む、請求項１５に記載の膜アセンブリ。
  17. 前記膜アセンブリは、パターニングデバイス又は動的ガスロックのためのものである、請求項１５及び１６のいずれかに記載の膜アセンブリ。
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