TWI725049B - 製造隔膜總成之方法及用於euv微影之隔膜總成 - Google Patents

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Abstract

一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；及使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成。

Description

製造隔膜總成之方法及用於EUV微影之隔膜總成
本發明係關於一種用於製造隔膜總成之方法，且係關於一種隔膜總成。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所展示：
Figure 105128400-A0305-02-0003-1
其中λ為所使用輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔 徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在10奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
微影裝置包括圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)。輻射被提供通過圖案化器件或自圖案化器件反射以在基板上形成影像。可提供隔膜總成以保護圖案化器件免受空浮粒子及其他形式之污染影響。用於保護圖案化器件之隔膜總成可被稱為護膜。圖案化器件之表面上之污染可造成基板上之製造缺陷。隔膜總成可包含一邊界及橫越該邊界拉伸之一隔膜。難以在隔膜總成在程序中不變形的情況下來製造隔膜總成，隔膜總成變形(例如)係由於隔膜薄。
亦難以在隔膜總成在程序中不受損或受污染的情況下製造隔膜總成。舉例而言，隔膜可在製造隔膜總成之程序期間不理想地經氧化或具有沈積於隔膜上之非想要污染物粒子。
需要縮減諸如護膜之隔膜總成在其製造期間變形、受損或受污染之可能性。
根據本發明之一態樣，提供一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區、圍繞該內部區之一邊界區、圍繞該邊界區之一橋接區及圍繞該橋接區之一邊緣區；鄰近於該平坦基板之該橋接區形成穿過該至少一個隔膜層之一橋接凹槽；選擇性地移除該平坦基板之該內部區及該橋接區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；圍繞該邊界之一邊緣區段，該邊緣區段係由該平坦基板之該邊緣區形成；及該邊界與該邊緣區段之間的一橋接件，該橋接件係由該至少一個隔膜層形成；及將該邊緣區段與該邊界分離使得鄰近於該邊緣區段之該至少一個隔膜層係由該橋接凹槽而與該隔膜分離。
根據本發明之一態樣，提供一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；及使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成。
根據本發明之一態樣，提供一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；及選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形 成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；其中該堆疊具備一機械保護材料，該機械保護材料經組態以在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之步驟期間機械地保護該邊界區；及使用一氟化物蝕刻劑來移除該機械保護材料。
根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之隔膜總成，該隔膜總成包含：由包含矽之至少一個隔膜層形成的一隔膜及固持該隔膜之一邊界，其中：該堆疊中之該至少一個隔膜層之邊緣經圓化或斜切；及/或該至少一個隔膜層之部分自該邊界徑向地向外延伸；及/或一鈍化塗層經施加至該至少一個隔膜層之該等邊緣；及/或該至少一個隔膜層之該等邊緣經氧化或為氮化物。
21:未經圖案化光束
22:琢面化場鏡面器件
24:琢面化光瞳鏡面器件
26:經圖案化光束
28:反射元件
30:反射元件
40:堆疊
41:平坦基板
42:氧化層
43:下部犧牲層
44:下部罩蓋膜
45:隔膜層
46:上部罩蓋膜
47:上部犧牲層
49:蝕刻遮罩層
50:隔膜層
56:蝕刻開口
66:機械保護材料
71:內部區
72:邊界區
73:橋接區
74:邊緣區
75:矩形邊界
80:隔膜總成
81:橋接凹槽
82:鈍化塗層
83:中間層
84:蝕刻終止層
85:抽吸器件
86:下部厚蝕刻障壁
87:下部薄蝕刻障壁
88:上部薄蝕刻障壁
89:上部厚蝕刻障壁
90:外部濕式蝕刻障壁
91:氮化矽層
92:外部犧牲層
93:罩蓋層
100:微影裝置
210:極紫外線(EUV)輻射發射電漿
211:源腔室
212:收集器腔室
220:圍封結構
221:開口
500:控制器
B:輻射光束
C:目標部分
CO:輻射收集器
IF:虛擬源點
IL:照明系統
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PS1:位置感測器
PS2:位置感測器
PW:第二定位器
SO:源收集器模組
W:基板
WT:基板台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2為微影裝置之更詳細視圖；圖3及圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段；圖5至圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段；圖9至圖12示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段；圖13示意性地描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成；圖14示意性地描繪根據一比較實例之隔膜總成； 圖15示意性地描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成；圖16至圖19示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段；圖20至圖27示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段；及圖28至圖35示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段。
根據下文結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置100包含：
- 照明系統(或照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)。
- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；
- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及
- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化液晶顯示(liquid crystal display,LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學部件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學部件，或其任何組合。可需要將真空 用於EUV輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，微影裝置100屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置100可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT(及/或兩個或多於兩個支撐結構MT)之類型。在此「多載物台」微影裝置中，可並行地使用額外基板台WT(及/或額外支撐結構MT)，或可在一或多個基板台WT(及/或一或多個支撐結構MT)上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT(及/或一或多個其他支撐結構MT)用於曝光。
參看圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線而將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發出輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置100之部件，且輻射光束B係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組SO。在其他狀況下，例如，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組SO之整體部件。
照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常， 可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件MA而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測系統PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
控制器500控制微影裝置100之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式設計之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出器件(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影裝置100之各種部分之一或多個介面。應瞭解，控制電腦與微影裝置100之間的一對一關係係不必要的。在本發明之實施例中，一個電腦可控制多個微影裝置100。在本發明之實施例中，多個網路化電腦可用以控制一個微影裝置100。控制器500亦可經組態以控制微影製造單元(lithocell)或叢集(cluster)中之一或多個關聯程序器件及基板處置器件，微影裝置100形成該微影製造單元或叢集 之一部分。控制器500亦可經組態為從屬於微影製造單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。EUV輻射發射電漿210可由電漿源形成。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。在一實施例中，提供經激發錫(tin/Sn)電漿以產生EUV輻射。
由輻射發射電漿210發射之輻射自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。
收集器腔室212可包括輻射收集器CO。橫穿輻射收集器CO之輻射可聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處未經圖案化光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的未經圖案化光束21之反射後，即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
通常比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
替代地，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。
如圖1中所描繪，在一實施例中，微影裝置100包含照明系統IL及投影系統PS。照明系統IL經組態以發射輻射光束B。投影系統PS係由介入空間而與基板台WT分離。投影系統PS經組態以將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W上。該圖案係用於輻射光束B之EUV輻射。
可至少部分抽空介入於投影系統PS與基板台WT之間的空間。可在投影系統PS之部位處由固體表面定界介入空間，所使用輻射係自該固體表面經導向朝向基板台WT。
在一實施例中，微影裝置100包含動態氣鎖。動態氣鎖包含隔膜總成80。在一實施例中，動態氣鎖包含由位於介入空間中之隔膜總成80覆蓋之中空部分。中空部分位於輻射之路徑周圍。在一實施例中，微影裝置100包含鼓風機，鼓風機經組態以運用氣流沖洗中空部分之內部。輻射行進通過隔膜總成，之後照射於基板W上。
在一實施例中，微影裝置100包含隔膜總成80。如上文所解釋，在一實施例中，隔膜總成80係用於動態氣鎖。在此狀況下，隔膜總成80充當用於對DUV輻射進行濾光之濾光器。另外或替代地，在一實施例中，隔膜總成80為用於EUV微影之圖案化器件MA之護膜。本發明之隔膜總成80可用於動態氣鎖或用於護膜或用於另一目的。在一實施例中，隔膜總成80包含經組態以透射入射EUV輻射之至少80%之隔膜層50。
在一實施例中，護膜經組態以密封圖案化器件MA以保護圖案化器件MA免受空浮粒子及其他形式之污染影響。圖案化器件MA之表面上之污染可造成基板W上之製造缺陷。舉例而言，在一實施例中，護膜經組態以縮減粒子可能遷移至微影裝置100中之圖案化器件MA之步進場中之似然性。
若圖案化器件MA未受保護，則污染可需要待清潔或待捨棄之圖案化器件MA。清潔圖案化器件MA會中斷寶貴的製造時間且捨棄圖案化器件MA係成本高的。替換圖案化器件MA亦會中斷寶貴的製造時間。
圖3及圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造隔膜總成80之方法的階段。在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含提供堆疊40。如圖3中所描繪，堆疊包含平坦基板41。
在一實施例中，平坦基板41係由矽形成。然而，平坦基板41亦可由玻璃/SiO2晶圓或SOI晶圓形成。舉例而言，平坦基板41具有諸如正方形、圓圈或矩形之形狀。平坦基板41之形狀不受特別限制。
平坦基板41之大小不受特別限制。舉例而言，在一實施例中，平坦基板41具有在約100毫米至約500毫米之範圍內(例如，約200毫米)之直徑。平坦基板41之厚度不受特別限制。舉例而言，在一實施例中，平坦基板41具有為至少100微米之厚度(例如，預變薄晶圓)，例如，至少300微米、視情況至少400微米之厚度。在一實施例中，平坦基板41具有至多1,000微米、視情況至多800微米之厚度。在一實施例中，平坦基板41具有約725微米之厚度。在一實施例中，平坦基板41具有至多600微米、視情況至多400微米之厚度。藉由提供較薄平坦基板41，縮減需要選擇性地移除之平坦基板41之量。因此，藉由以較薄平坦基板41開始，預期本發明之一實施例縮減在選擇性地移除平坦基板41之部分之步驟期間隔膜受損或受污染之可能性。另外，藉由以平坦基板41開始，預期本發明之一實施例更有效地進行製造程序。
矽可在金剛石立方體晶體結構中結晶。在一實施例中，平坦基板41包含矽之立方體晶體。在一實施例中，平坦基板41具有<100>結晶方向。
如圖4中所描繪，在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含蝕刻平坦基板41之步驟。平坦基板41之部分形成隔膜總成80之邊界區72，該邊界區72形成邊界75。邊界75固持隔膜總成80之隔膜。預期本發明之實施例達成隔膜總成80之邊界75之增加之機械強度。邊界75至少部分地由平坦基板41形成。邊界75可被稱為隔膜總成載體。
在一實施例中，使平坦基板41拋光。堆疊40具有頂面及底面。頂面被描繪為處於圖中之堆疊40之頂部。底面被描繪為處於圖中之堆疊40之底部。在一實施例中，使平坦基板41在頂面及底面兩者處拋光。然而，未必為此狀況。在一實施例中，使平坦基板41在頂面及底面中之僅一者上拋光。在一實施例中，平坦基板41藉由拋光而變薄。
如圖3中所描繪，堆疊40包含至少一個隔膜層45、50。隔膜總成80包含由至少一個隔膜層50形成之隔膜。在一實施例中，至少一個隔膜層50包含呈其同素異形體形式中之一者之矽，諸如，非晶矽、單晶矽、多晶矽或奈米晶矽。奈米晶矽意謂含有某一非晶矽含量之多晶矽矩陣。在一實施例中，多晶矽或奈米晶矽係由至少一個隔膜層45中之結晶非晶矽形成。舉例而言，如圖9中所描繪，在一實施例中，將隔膜層45作為非晶矽層添加至堆疊40。當超出某一溫度時，非晶矽層結晶成多晶矽層或奈米晶矽層。舉例而言，作為非晶矽層之隔膜層45變換至作為多晶矽層或奈米晶矽層之隔膜層50中。
在一實施例中，多晶矽層在其生長期間經原位摻雜。藉由添加p型或n型摻雜，矽傳導率增加，此情形對處置EUV源之功率有積極效應。
如圖3中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部犧牲層43。下部犧牲層43安置於平坦基板41與至少一個隔膜層45、50之間。元件符號45及50 兩者係指至少一個隔膜層。元件符號45係指當矽處於其非晶狀態中時之至少一個隔膜層。元件符號50係指當矽已經結晶時之至少一個隔膜層。
在一實施例中，平坦基板41包含內部區71及邊界區72。邊界區72圍繞內部區71。內部區71及邊界區72係在平坦基板41之平面中。在一實施例中，邊界區72在平坦基板41之平面中環繞內部區71。
如圖3中所描繪，在一實施例中，平坦基板41包含橋接區73及邊緣區74。橋接區73圍繞邊界區72。邊緣區74圍繞橋接區73。橋接區73及邊緣區74係在平坦基板41之平面中。在一實施例中，橋接區73在平坦基板41之平面中環繞邊界區72。在一實施例中，邊緣區74在平坦基板41之平面中環繞橋接區73。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法之步驟中的一者為將邊界75(由邊界區72形成)與由邊緣區74形成之邊緣區段分離之步驟。舉例而言，若平坦基板41最初為圓形，而用於隔膜總成80之目標形狀為矩形，則使彎曲邊緣區段(由邊緣區74形成)與矩形邊界75(由邊界區72形成)分離。根據本發明，需要使此步驟儘可能地在製造程序中之早期使得切割邊界不將碎屑提供於最終隔膜總成80中。
在一替代實施例中，堆疊40之平坦基板41具有與用於隔膜總成80之目標形狀相同的形狀。在此實施例中，可不必將任何邊緣區段與邊界75分離。在此實施例中，平坦基板可不包含任何橋接區73或任何邊緣區74。
在一實施例中，堆疊40為矩形。因此，供製造隔膜總成80之堆疊40具有用於隔膜總成80之目標形狀。預期本發明之一實施例會使得較容易製造隔膜總成80。詳言之，不必將任何邊緣區段與隔膜總成80之邊界75分離。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含選擇性地移除平坦基 板41之內部區71及任何橋接區73。在一實施例中，在選擇性地移除平坦基板41之內部區71之步驟之前，將堆疊40定位於支撐件上使得曝光平坦基板41之內部區71。藉由將堆疊40定位於支撐件上，支撐件承載堆疊40。堆疊40無需承載其自身。藉由將堆疊40定位於支撐件上，堆疊40較穩定且在選擇性地移除平坦基板41之內部區71期間較穩定且較不可能機械上受損。藉由定位堆疊40使得曝光平坦基板41之內部區71，該內部區71可藉由蝕刻劑接取以便選擇性地移除平坦基板41之內部區71及任何橋接區73。
在一實施例中，使用非液體蝕刻劑(亦即，非濕式蝕刻程序)來選擇性地移除平坦基板41之內部區71。藉由使用非液體蝕刻劑，不必處置堆疊40以便使堆疊40與液體蝕刻劑接觸(例如，藉由將堆疊40放置於液體蝕刻劑浴中)。取而代之，非液體蝕刻劑可用以在堆疊40由支撐件穩定地支撐時選擇性地移除內部區71。舉例而言，支撐件可為台或夾具。在一實施例中，堆疊40置放於台表面上，其中平坦基板41之內部區71在堆疊40之頂部經曝光。
藉由使用非液體蝕刻劑，當選擇性地移除平坦基板41之內部區71時需要堆疊40之較小處置。因此，無需使用提供對堆疊40之機械保護之材料來機械地保護堆疊40之任何額外製造步驟。預期本發明之一實施例會使得較容易製造隔膜總成80。
在一實施例中，在諸如原子層蝕刻、濺鍍蝕刻、電漿蝕刻、反應性離子蝕刻或深反應性離子蝕刻之非濕式蝕刻程序中選擇性地移除平坦基板41之內部區71。
原子層蝕刻為使用依序自限性反應來移除薄材料層之技術。原子層蝕刻程序包含形成反應性層之改質步驟，接著進行僅移去此經改質層之移除 步驟。舉例而言，平坦基板41之矽可藉由將與氯氣之反應與運用氬離子進行之蝕刻交替予以蝕刻。原子層蝕刻為特別具選擇性且精確的技術。因此，藉由使用原子層蝕刻，預期本發明之一實施例達成具有更精確界定形狀之隔膜總成80。
濺鍍蝕刻程序包含運用惰性氣體之高能離子(例如氬離子)來轟擊平坦基板41之內部區71。高能離子藉由轉移動量而敲擊來自內部區71之原子。
電漿蝕刻涉及在平坦基板41之內部區71處以脈衝形式射擊具有適當氣體混合物之電漿之高速串流。電漿源可為帶電離子或中性原子或自由基。電漿在約295 K之溫度下自平坦基板41之內部區71與由該電漿產生之反應性物質之間的化學反應產生揮發性蝕刻產物。
反應性離子蝕刻使用化學反應性電漿以移除平坦基板41之內部區71之材料。可由電磁場在低壓下產生電漿。來自電漿之高能離子附接至內部區71表面且與其反應。深反應性離子蝕刻包含在標準的幾乎各向同性電漿蝕刻與化學惰性鈍化層(例如，C4F8)之沈積之間重複性地交替。
如圖3中所描繪，在一實施例中，選擇性地移除平坦基板41之內部區71及任何橋接區73之步驟包含在堆疊40之底部表面處形成蝕刻遮罩層49。在一實施例中，蝕刻遮罩層49對應於平坦基板41之邊界區72及邊緣區74。在一實施例中，選擇性地移除平坦基板41之內部區71之步驟包含各向異性地蝕刻平坦基板41之內部區71。
蝕刻遮罩層49用作用於自堆疊40之底面蝕刻平坦基板41之程序的蝕刻障壁。在一實施例中，藉由最初運用蝕刻遮罩層49覆蓋堆疊40之頂部表面及底部表面兩者來提供蝕刻遮罩層49。
在一實施例中，蝕刻遮罩層49包含非晶或化學計量氮化矽(例如， a-Si3N4或SiN)。蝕刻遮罩層49抵抗用以選擇性地移除平坦基板41之內部區71之方式。
如圖3中所描繪，在一實施例中，產生蝕刻開口56作為蝕刻遮罩層49中之開口。在對應於蝕刻開口56之區中移除形成蝕刻遮罩層49之材料。蝕刻開口56延伸至使自堆疊40之背面移除形成蝕刻遮罩層49之材料之區中。
如圖3中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部罩蓋膜44。下部罩蓋膜44安置於平坦基板41與隔膜層45、50之間。當堆疊40包含下部犧牲層43時，下部罩蓋膜44安置於下部犧牲層43與隔膜層45、50之間。在一實施例中，下部罩蓋膜44形成藉由根據本發明之一實施例之方法而生產的隔膜總成80之隔膜之部件。
下部罩蓋膜44經組態為含有藉由製造方法而生產的隔膜總成80之隔膜之隔膜層50。此特別為如下狀況：除了提供下部罩蓋膜44以外，亦提供上部罩蓋膜46，如(例如)圖3中所展示。下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46經組態以在隔膜總成80之隔膜斷裂時縮減碎屑之分佈。
在一實施例中，下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46中之每一者具有小於3奈米之厚度。在一實施例中，下部罩蓋膜44、隔膜層45及上部罩蓋膜46之組合之厚度為近似50奈米。在一實施例中，用於上部罩蓋膜46之材料相同於用於下部罩蓋膜44之材料。
在微影裝置100之使用期間，隔膜總成80有可能斷裂。當隔膜總成80斷裂時，隔膜可分解成許多粒子。詳言之，若隔膜層50係由具有脆性性質之材料形成，則隔膜層50可在隔膜總成80斷裂時碎裂成許多粒子。來自已斷裂隔膜總成80之碎屑可污染微影裝置100之其他部件。舉例而言，來自已斷裂隔膜總成80之碎屑可污染微影裝置100之光學組件。自已斷裂隔膜 總成80之碎屑之污染可縮減藉由微影裝置100之光學組件進行之光學功能之品質。
舉例而言，在一實施例中，隔膜層50係由多晶矽或奈米晶矽形成。多晶矽或奈米晶矽具有脆性性質。因此，包含一包含由多晶矽或奈米晶矽形成之隔膜層50的隔膜之隔膜總成80可在隔膜總成80斷裂時碎裂成許多粒子。預期本發明之實施例達成隔膜總成80之機械屬性之改良。
在一實施例中，用於下部罩蓋膜44之材料為氮化矽。舉例而言，在一實施例中，用於下部罩蓋膜44之材料為非晶矽氮化物。然而，其他氮化矽可合適。在一實施例中，下部罩蓋膜44足夠厚以允許下部罩蓋膜44執行其在隔膜總成80斷裂時含有隔膜層50之功能。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為至少約1奈米、且視情況至少約2奈米。在一實施例中，下部罩蓋膜44足夠薄使得隔膜總成80之包括下部罩蓋膜44之隔膜具有特別供透射EUV輻射之足夠良好光學屬性。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為至多約10奈米、且視情況至多約5奈米。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為約2.5奈米。
將下部罩蓋膜44施加至堆疊40之方法不受特別限制。在一實施例中，藉由化學氣相沈積(例如，在約850℃之溫度下之低壓化學氣相沈積)將下部罩蓋膜44施加至堆疊。然而，在一替代實施例中，舉例而言，藉由濺鍍法或藉由薄成膜法將下部罩蓋層44施加至堆疊40。
提供下部罩蓋膜44並非必需的。在一實施例中，堆疊40不包含任何下部罩蓋膜44。在一實施例中，藉由製造方法而生產之隔膜總成80不包含任何下部罩蓋膜44。
在一實施例中，將隔膜層45施加至堆疊40之頂部表面及底部表面兩 者。可在稍後程序步驟中自堆疊40之底面移除隔膜層45。然而，未必為此狀況。在一替代實施例中，將隔膜層45僅施加至堆疊40之頂面。堆疊40之頂面處之隔膜層45變為藉由製造方法而生產之隔膜總成80之隔膜中的隔膜層50。
在一實施例中，藉由化學氣相沈積法而將隔膜層45施加至堆疊40。舉例而言，在一實施例中，藉由在約560℃之溫度下之低壓化學氣相沈積而施加隔膜層45。然而，可使用諸如濺鍍法及薄成膜法之其他方法。
在一實施例中，隔膜層45足夠薄使得其對EUV輻射之透射足夠高，例如大於50%。在一實施例中，隔膜層45之厚度為至多約200奈米，且視情況至多約150奈米。150奈米厚的純Si隔膜將透射約77%的入射EUV輻射。在一實施例中，隔膜層45之厚度為至多約100奈米。100奈米厚的純Si隔膜將透射約84%的入射EUV輻射。
在一實施例中，隔膜層45足夠厚使得其在隔膜總成80固定至微影裝置100之圖案化器件MA時及在微影裝置100之使用期間機械上穩定。在一實施例中，隔膜層45之厚度為至少約10奈米、視情況至少約20奈米，且視情況至少約35奈米。在一實施例中，隔膜層45之厚度為約55奈米。
如圖3中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含上部罩蓋膜46。可以與上文所描述之下部罩蓋膜44之特徵相同之方式選擇及變化上部罩蓋膜46之特徵。因此，此處將不更進一步詳細地描述上部罩蓋膜46之特徵。
上部罩蓋膜46安置成使得隔膜層45、50安置於平坦基板41與上部罩蓋膜46之間。提供上部罩蓋膜46並非必需的。在一實施例中，堆疊40不包含任何上部罩蓋膜46。在一實施例中，藉由製造方法而生產之隔膜總成80使在隔膜總成80之隔膜中不包含任何上部罩蓋膜46。
圖5至圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於製造用於EUV微影之隔膜總成80之方法的階段。在一實施例中，使用諸如KOH之濕式蝕刻劑以選擇性地移除平坦基板41之內部區71及任何橋接區73。因此，在一實施例中，蝕刻遮罩層49化學上抵抗濕式蝕刻劑。可使用其他濕式蝕刻劑，諸如四甲基銨氫氧化物(TMAH)及乙二胺及鄰苯二酚之水溶液(EDP)。
當使用濕式蝕刻劑以選擇性地移除平坦基板41之近區71時，堆疊40具備圖5中所展示之機械保護材料66。機械保護材料66經組態以在選擇性地移除平坦基板41之內部區71之步驟期間機械地保護邊界區72。
圖6展示在選擇性地移除平坦基板41之內部區71及橋接區73之步驟之後的堆疊40。氧化層42保護隔膜免受濕式蝕刻步驟影響。
選擇性地移除平坦基板41之內部區71及任何橋接區73之步驟可在隔膜總成80之製造期間引起對隔膜總成80之損害。在製造方法之此階段，堆疊40特別薄。當選擇性地移除平坦基板41之內部區71時，堆疊40包含極薄部分(其中已移除內部區71)與薄部分(對應於其中尚未移除平坦基板41之邊界區72的邊界75)之混合。此情形可引起堆疊40上之機械應力。堆疊40有可能斷裂，或不理想地以其他方式受損。
在一實施例中，機械保護材料66足夠厚以提供對堆疊40之足夠機械保護。在一實施例中，機械保護材料具有為至少約1微米、且視情況至少約2微米之厚度。在一實施例中，機械保護材料66足夠薄以便充分縮減施加機械保護材料66所需之程序時間。在一實施例中，機械保護材料具有為至多約10微米、且視情況至多約5微米之厚度。在一實施例中，機械保護材料具有為約4微米之厚度。
機械保護材料66機械上充分穩固以便在選擇性地移除平坦基板41之 內部區71之步驟期間提供對邊界區72之機械保護。機械保護材料66可為用於保護經塗佈表面之保形塗層，其具有諸如抵抗溶劑(例如，在室溫下不可溶)、抵抗濕氣、抵抗腐蝕、抵抗化學侵蝕之良好障壁屬性。通常需要機械保護材料66提供均一層厚度，而不具有針孔。在一實施例中，選擇性地移除平坦基板41之內部區71之步驟包含使用化學蝕刻劑以便選擇性地移除平坦基板41之內部區71。舉例而言，在一實施例中，化學蝕刻劑為提供暫時性濕式蝕刻保護之KOH。機械保護材料化學上抵抗化學蝕刻劑。舉例而言，在一實施例中，機械保護材料66化學上抵抗KOH。此意謂當使用化學蝕刻劑時，機械保護材料66根本不被蝕刻掉，或以相比於平坦基板41之內部區71之低得多的蝕刻速率而蝕刻掉。
在一實施例中，機械保護材料66經施加為在其中實質上不具有孔之連續層。機械保護材料66形成不可滲透的層。在使用蝕刻劑來選擇性地移除平坦基板41之部分之程序步驟期間，蝕刻劑不可擴散通過施加至堆疊40之機械保護材料66。
如圖6中所描繪，在一實施例中，平坦基板41包含氧化層42。氧化層42為平坦基板41之部件。平坦基板41之其餘部分形成平坦基板41之非氧化層。氧化層42為犧牲層。氧化層42在平坦基板41之非氧化層經蝕刻時形成蝕刻障壁。如圖6中所描繪，舉例而言，平坦基板41自底面經蝕刻。氧化層42抵抗濕式蝕刻劑。
在一實施例中，氧化層42具有大於100奈米、視情況大於200奈米、且視情況大於300奈米之厚度。舉例而言，在一實施例中，氧化層42具有約350奈米或約400奈米之厚度。預期本發明之實施例達成對蝕刻平坦基板41之步驟之改良之穩固性。
在一實施例中，氧化層42在平坦基板41之外部表面上形成為薄氧化物層。在一實施例中，氧化層42係藉由熱氧化程序而形成(例如)為熱濕式氧化物。在一實施例中，氧化層42及用於蝕刻平坦基板41之蝕刻劑經組態成使得氧化層42在蝕刻劑中之蝕刻速率小於約5奈米/分鐘，視情況為約3奈米/分鐘。在一實施例中，氧化層42包含非晶矽二氧化物。
如圖6中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部犧牲層43。下部犧牲層43在存在於隔膜之底部處的任何層(諸如，平坦基板41之氧化層42)之選擇性移除期間保護至少一個隔膜層45、50。
下部犧牲層43之厚度不受特別限制。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為至少約5奈米、且視情況至少約10奈米。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為至多約100奈米，且視情況至多約50奈米。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為約20奈米。
在一實施例中，下部犧牲層43係由諸如非晶矽之材料形成。然而，未必為此狀況。
將下部犧牲層43沈積至堆疊40上之方法不受特別限制。在一實施例中，藉由化學氣相沈積而將下部犧牲層43施加至堆疊40。舉例而言，在一實施例中，藉由在介於300℃至700℃之範圍內之溫度下之低壓化學氣相沈積而將下部犧牲層43施加至堆疊40。然而，未必為此狀況。舉例而言，在一替代實施例中，藉由(例如)濺鍍法或藉由薄成膜法而將下部犧牲層43施加至堆疊40。
圖7示意性地描繪在蝕刻氧化層42及下部犧牲層43之步驟之後的堆疊40。
如圖8中所描繪，用於製造隔膜總成80之方法包含移除機械保護材料 66。在一實施例中，使用氟化物蝕刻劑來移除機械保護材料66。藉由使用氟化物蝕刻劑來代替氧化蝕刻劑，隔膜總成80之隔膜在移除機械保護材料66之步驟期間被氧化之可能性縮減。
作為一比較實例，可使用氧化蝕刻劑以移除機械保護材料66。此可引起隔膜總成80之上部罩蓋膜46之非想要、非均一及不受控制的氧化。舉例而言，若使用氧化電漿以移除機械保護材料66，則隔膜總成80之隔膜可較不均一。上部罩蓋膜46之氧化可將氧原子加至隔膜使得隔膜在一些地點變得較厚。此情形可增加EUV輻射之吸收率。
藉由提供：使用氟化物蝕刻劑來移除機械保護材料66，預期隔膜總成80之隔膜較均一且具有較受控制之形狀。預期此情形改良隔膜總成80之成像屬性，例如，縮減EUV輻射之吸收位準。
在一實施例中，氟化物蝕刻劑包含二氟化氙(XeF2)電漿。可在適當時使用其他氟化物蝕刻劑。
如圖11中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含上部犧牲層47。上部犧牲層47安置成使得隔膜層45、50安置於平坦基板41與上部犧牲層47之間。
可以與可選擇及變化下部犧牲層43之特徵相同之方式來選擇及變化關於上部犧牲層47之其他特徵。下部犧牲層43之特徵係在上文特定參看圖5被描述。因此，此處將不更進一步詳細地論述上部犧牲層47之另外特徵。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含選擇性地移除平坦基板41之內部區71及任何橋接區73。結果，隔膜總成80包含來自隔膜層50之隔膜及固持隔膜之邊界75。邊界75係由平坦基板41之邊界區72形成。
邊界75改良隔膜總成80之隔膜之機械穩定性。預期本發明之實施例達成隔膜總成80之機械穩定性之改良。此情形使得在隔膜總成80不受損的情 況下較容易封裝及輸送隔膜總成80。此情形亦使得在隔膜總成80不受損的情況下較容易藉由框架而將隔膜總成80附接至圖案化器件MA。
在一實施例中，隔膜總成80之邊界75經組態為連接至框架，框架將隔膜總成80連接至圖案化器件MA。框架無需直接附接至隔膜總成80之隔膜。框架可附接至隔膜總成80之邊界75。此情形縮減隔膜總成80之隔膜在將隔膜總成80配合至圖案化器件MA之程序期間受損之可能性。
在一實施例中，藉由化學氣相沈積而沈積蝕刻遮罩層49。舉例而言，在一實施例中，藉由在約850℃之溫度下之低壓化學氣相沈積而施加蝕刻遮罩層49。
藉由施加高溫，可改變隔膜層45之性質。舉例而言，當最初施加作為非晶矽之隔膜層45時，隔膜層45可變換成由多晶矽或奈米晶矽形成之隔膜層50。溫度造成非晶矽結晶成多晶矽或奈米晶矽。
多晶矽及奈米晶矽各自具有對EUV輻射之高透射率。多晶矽及奈米晶矽各自具有良好機械強度。相比於製作由諸如多晶格材料之另一材料形成之隔膜，更容易製造具有由多晶矽或奈米晶矽形成之隔膜之隔膜總成80。多晶矽及奈米晶矽實質上對EUV輻射進行濾光。
然而，使隔膜總成80之隔膜由多晶矽或奈米晶矽形成並非必需的。舉例而言，在替代實施例中，隔膜總成80之隔膜係由多晶格隔膜或氮化矽形成。
在一另外替代實施例中，隔膜總成80之隔膜由單晶矽形成。在此實施例中，單晶矽隔膜可藉由絕緣體上矽(SOI)技術而形成。用於此產品之起始材料為所謂的SOI基板。SOI基板為包含矽載體基板之基板，其中在內埋式隔離SiO2層之頂部具有薄單晶矽層。在一實施例中，單晶矽層之厚度可在 約5奈米至約5微米之間的範圍內。在一實施例中，在SOI基板用於製造方法中之前矽隔膜層存在於SOI基板上。
圖9至圖12示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於製造用於EUV微影之隔膜總成80之方法中的階段。圖9描繪堆疊40，其包含平坦基板41、氧化層42、下部犧牲層43、下部罩蓋膜44、至少一個隔膜層45及上部罩蓋膜46。氧化層42、下部犧牲層43、下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46係選用的。
如圖10中所描繪，在一實施例中，方法包含形成橋接凹槽81之步驟。橋接凹槽81為因為其形成於對應於平坦基板41之橋接區73之位置處而被稱為「橋接」凹槽之凹槽。鄰近於平坦基板41之橋接區73形成穿過至少一個隔膜層45之橋接凹槽81。在提供下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46之實施例中，橋接凹槽81形成為通過下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46。橋接凹槽81形成為通過形成隔膜總成80中之隔膜之層。
在一實施例中，橋接凹槽81為護膜塊體中之深通孔。橋接凹槽81之目的係使得在用於製造隔膜總成80之方法結束時不必斷裂橋接區73上方之至少一個隔膜層45。
在一實施例中，橋接凹槽81係藉由雷射、(N)IR輻射或EUV輻射而形成。在一實施例中，雷射、(N)IR輻射或EUV輻射用以燒透至少一個隔膜層45以及下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46。在一實施例中，方法包含在非矩形堆疊40中形成矩形凹槽(亦即，橋接凹槽81)。藉由在非矩形堆疊40中形成矩形凹槽，將隔膜與在方法中之相對早期待捨棄的至少一個隔膜層45、50之部分分離。因此，不必在製造方法結束時機械上斷裂至少一個隔膜層50來提供具有所要形狀之隔膜。
為了提供矩形隔膜總成80，使橋接凹槽81以矩形形狀而形成(當在平 面圖中檢視堆疊40時)。
在已形成橋接凹槽81之後，可用諸如犧牲層或機械保護材料之填充物材料來填充橋接凹槽81。如圖11中所描繪，在一實施例中，將上部犧牲層47提供至堆疊40。上部犧牲層47之材料填充於橋接凹槽81中。替代地，諸如機械保護材料66之材料可用以填充橋接凹槽81。
圖12示意性地描繪在用於製造隔膜總成80之方法中的稍後步驟。如圖12中所展示，已選擇性地移除平坦基板41之內部區71及橋接區73(連同任何氧化層42及任何下部犧牲層43)。亦已移除上部犧牲層47。
將邊緣區段(由平坦基板41之邊緣區74形成)與邊界75分離。舉例而言，藉由選擇性地移除平坦基板41之橋接區73而將邊緣區段與邊界75分離。藉由移除橋接區73，橋接凹槽81變成允許在不切割或破壞至少一個隔膜層50的情況下移除邊緣區段之開放區域。當將邊緣區段與邊界75分離時，鄰近於邊緣區段之至少一個隔膜層50係由橋接凹槽81而與隔膜總成80之隔膜分離。
因此，一旦選擇性地移除橋接區73，隔膜總成80之隔膜即與待捨棄之至少一個隔膜層50之周邊部分分離(經由形成堆疊40中之通過凹槽之橋接凹槽81)。此意謂不必執行斷裂至少一個隔膜層50之後續步驟。因此，此情形縮減產生藉由斷裂至少一個隔膜層50而形成之任何污染物粒子之可能性。此情形縮減任何污染物粒子黏附至隔膜總成80之隔膜之可能性。污染物粒子可包括矽薄片。完成之隔膜總成80上之任何此等污染物粒子可縮減隔膜總成80之光學效能。可釋放與邊界75重疊之鬆散懸掛之矽薄片且將該等矽薄片黏附至隔膜總成80之隔膜。污染物粒子可相對容易黏附至隔膜，此係因為污染物粒子如此薄。
在一實施例中，橋接凹槽81形成為使得至少一個隔膜層45之部分自平坦基板41之邊界區72徑向地向外延伸。圖10中展示此情形，其中至少一個隔膜層45之部分向外延伸超出邊界區72。因此，當邊緣區段與邊界75分離時(在用於製造隔膜總成80之方法結束時)，隔膜層50之彼部分自邊界75徑向地向外延伸。圖12中展示此情形。藉由控制橋接凹槽81相對於平坦基板41之邊界區72之位置，有可能調諧隔膜總成中之隔膜之邊緣之位置。
在一實施例中，可將導柱提供於橋接凹槽81中。導柱用於固持隔膜與待捨棄之至少一個隔膜層45之周邊部分之間的間隙。一旦已執行選擇性地移除平坦基板41之部分之步驟，即可移除導柱，使得隔膜與至少一個隔膜層50之其餘部分分離。因此，在用於製造隔膜總成80之方法結束時不必使隔膜脫離至少一個隔膜層50之其餘部分。
在一實施例中，堆疊40為矩形。換言之，有可能以矩形(或正方形)平坦基板41開始方法。平坦基板41可具有與藉由方法而生產之隔膜總成80之所要形狀實質上相同的形狀。在此實施例中，在用於製造隔膜總成80之方法結束時不必使隔膜總成80脫離在平坦基板41之末端的平坦基板41之任何邊緣區段。此情形縮減受污染物粒子污染之隔膜黏附至隔膜之可能性。
在一實施例中，使堆疊40中之至少一個隔膜層45之邊緣圓化或斜切。藉由提供斜面或斜邊或圓化邊緣，隔膜總成80之邊緣較不尖銳。詳言之，各向異性蝕刻可引起用於隔膜總成80之特別尖銳邊緣。舉例而言，隔膜總成80之隔膜之邊緣可具有尖銳三角形之形狀。此情形增加邊緣之隅角斷裂掉以導致產生污染物粒子之可能性。污染物粒子之直徑大約可為約20奈米至約1微米。藉由提供斜面或斜邊或圓化邊緣，縮減隔膜之隅角斷裂以產生粒子之可能性。
圖13描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成80。如圖13中所描繪，在一實施例中，方法包含在將邊緣區段與邊界75分離之後將鈍化塗層82施加至至少一個隔膜層50之邊緣。該等邊緣可塗佈有厚黏性層。舉例而言，可使用噴塗。
在一實施例中，鈍化塗層82之厚度係在約1微米至約10微米之範圍內。鈍化塗層82使至少一個隔膜層50之邊緣鈍化。在一實施例中，鈍化塗層82以圍繞邊緣而施加之黏性帶之形式而施加。在削去至少一個隔膜層50之非想要周邊區段之後將鈍化塗層82施加至最早一個隔膜層50之邊緣。
在一實施例中，使用原子層沈積、化學氣相沈積、電鍍或浸塗來施加鈍化塗層82。在一實施例中，鈍化塗層82包含諸如Ru之金屬。然而，鈍化塗層82亦可包含矽化物、氧化物或氮化物。鈍化塗層82可藉由(例如)化學氣相沈積而沈積至至少一個隔膜層50之邊緣。在一實施例中，圍繞全部隔膜總成80來施加鈍化塗層82(而非僅僅將鈍化塗層82施加至至少一個隔膜層50之邊緣)。舉例而言，可圍繞全部隔膜總成80經由原子層沈積或化學氣相沈積來施加鈍化塗層82。電鍍亦可用以製造保形Ru塗層。在一實施例中，提供Ru層以保護隔膜總成80。
在一實施例中，使用物理氣相沈積來施加鈍化塗層82。可使用蔽蔭遮罩使得至少一個隔膜層50之僅邊緣接收鈍化塗層82。鈍化塗層82可經由物理氣相沈積而局域地塗佈至矽隔膜之邊緣上。蔽蔭遮罩可用以遮蔽隔膜之內部部分。隔膜之其餘部分可藉由鈍化塗層82之材料而濺鍍。詳言之，若使用非氧化電漿來移除機械保護材料66(例如，密集交聯聚合物)，則可被稱為蔽蔭濺鍍之此程序可為適當的。
鈍化塗層82縮減隔膜之邊緣之隅角斷裂掉以產生污染物粒子之可能 性。因此，預期本發明之一實施例達成黏附至隔膜總成80之隔膜之污染物粒子之縮減。此情形可引起隔膜總成80具有對EUV輻射之改良之透射且具有橫越其區域之較一致光學屬性。
在一實施例中，至少一個隔膜層45包含非晶材料。藉由以(例如)非晶材料代替結晶矽開始，隔膜總成80之邊緣將為較不脆的。因此，使用非晶材料可縮減在隔膜總成80脫離平坦基板41之非想要區段以及至少一個隔膜層50時產生污染物粒子之可能性。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含在將邊緣區段與邊界75分離之後使至少一個隔膜層50之邊緣氧化或氮化。藉由使至少一個隔膜層50之邊緣氧化或氮化，使隔膜具有較小反應。舉例而言，原生氧化物相比於純矽具有較小反應。因此，藉由使矽隔膜之邊緣氧化或氮化，縮減所產生之粒子碎屑與護膜工裝接觸之機會。
浸塗可用以選擇性地施加Ru層以保護矽隔膜之邊緣。
圖14示意性地描繪其中至少一個隔膜層50橫跨邊界75(其亦可被稱為框架)之隔膜總成。該至少一個隔膜層50直接沈積於平坦基板41之頂部上。接著歸因於選擇性地各向異性地背向蝕刻平坦基板41而使隔膜為獨立式的。在一實施例中，用於至少一個隔膜層50之材料為SiN。其它材料亦係可能的。
如圖14中所描繪，有可能使在至少一個隔膜層50與邊界75之間存在尖銳邊緣或過渡部分。步驟缺陷亦可起因於用於製作程序中之各向異性蝕刻步驟。各向異性蝕刻遵循結晶平面。因此，步驟缺陷可展現其中可發生特別高應力集中之特別尖銳隅角。此情形可引起隔膜總成80在發生特別高應力集中之位置處之故障或斷裂。
邊界75之形狀可取決於用以選擇性地移除平坦基板41之部分之蝕刻程序而變化。邊界75之形狀亦可取決於用以形成邊界75之材料而變化。圖14中所展示之邊界75之形狀為在用以形成平坦基板41之材料為結晶材料時由各向異性蝕刻引起的典型形狀。
圖15示意性地描繪根據本發明之一實施例之隔膜總成80。如圖15中所描繪，在一實施例中，堆疊40具備中間層83。中間層83經定位於平坦基板41與至少一個隔膜層45之間。用於製造隔膜總成80之方法包含在選擇性地移除平坦基板41之內部區71之步驟之後各向同性地蝕刻中間層83。
將中間層83故意引入於邊界75與至少一個隔膜層50之間。在一實施例中，中間層厚於至少一個隔膜層50。中間層83經各向同性地蝕刻。使用具選擇性之蝕刻劑來蝕刻中間層83。在不蝕刻至少一個隔膜層50的情況下蝕刻中間層83。
如圖15中示意性地所描繪，經各向同性蝕刻之中間層83使自邊界75至至少一個隔膜層50之過渡部分之尖銳邊緣平滑。此情形引起顯著較低應力集中，且因此，引起隔膜故障之機會縮減。
各向同性蝕刻在所有方向上以相同速率蝕刻。另一方面，各向異性蝕刻在某些方向上歸因於晶體平面定向而顯著較快地蝕刻。各向異性蝕刻本質上導致原子級尖銳邊緣，且因此，導致較高應力集中。對於玻璃狀材料或非晶材料，蝕刻通常為各向同性的。在一實施例中，中間層80包含二氧化矽或非晶矽或金屬層。
經各向同性蝕刻之中間層83減輕任何步驟缺陷之部位處之應力。中間層83亦縮減貫穿自邊界75至隔膜之整個過渡部分之應力。中間層83亦縮減隔膜總成80之隅角之應力。在一實施例中，中間層83顯著厚於隔膜。舉例 而言，在一實施例中，中間層83具有為至少50奈米、視情況至少100奈米之厚度。在一實施例中，中間層83具有至多500奈米、視情況至多200奈米之厚度。在一實施例中，用以各向同性地蝕刻中間層83之蝕刻劑係選擇性的。此意謂蝕刻劑經組態以蝕刻中間層83且不蝕刻隔膜結構。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含藉由退火程序、離子束改質、控制施加至堆疊40之壓力及控制施加至堆疊40之溫度中的一或多個操作來改變堆疊40之至少一個隔膜層45中之預張力。
在製造程序期間將預張力施加至至少一個隔膜層45使得隔膜總成80之隔膜在使用期間將為直式及扁平的。若不施加預張力，則隔膜可不理想地變形或起皺(起皺亦導致非均一隔膜厚度)。鬆散或非均一厚度之隔膜可具有較不良成像屬性。然而，若預張力過高，則隔膜可為脆的且較易遭受斷裂。因此，需要將預張力控制在目標範圍內。
在一實施例中，將至少一個隔膜層45之預張力控制為至少80MPa拉力。在形成至少一個隔膜層50時內置此預張力。此後可藉由熱處理變更預張力。在一實施例中，可將預張力施加至下部罩蓋膜44及/或施加至上部罩蓋膜46。在一實施例中，將預張力施加至至少一個隔膜層45(其形成隔膜)以及施加至下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46兩者。
在一實施例中，執行退火步驟以增加至少一個隔膜層45之結晶份額及/或增加至少一個隔膜層45中之應力。離子束改質(亦即，植入)可用以減低至少一個隔膜層45中之應力。可在用於製造隔膜總成80之方法之任何其他步驟之間將預張力引入至至少一個隔膜層45中。
將預張力(其亦可被稱為預應力)引入至隔膜中以便防止在隔膜總成80之使用期間在較高溫度下之熱誘發性屈曲。
在一實施例中，用於製造隔膜總成80之方法包含將預張力引入至隔膜中使得隔膜將具有更接近於其在使用中之設計值之應力。在使用中(例如，當隔膜總成80用作用於圖案化器件MA之護膜時)，使隔膜經受EUV輻射。在使用期間施加至隔膜總成80之EUV輻射可增加隔膜中之張力。因此，在一實施例中，方法包含在隔膜總成80之使用期間將預張力引入至隔膜中而到達低於所要張力之斜邊。當使用隔膜總成80時，該隔膜總成經受之額外EUV輻射進一步增加隔膜中之張力使得隔膜中之張力處於或接近其設計值。
在一些情形下，可有利的是使用濕式蝕刻以移除平坦基板41之部分。如上文所提及，在此狀況下，可無需要運用機械保護材料66來保護堆疊40，可在濕式蝕刻步驟之後稍後移除該機械保護材料。
圖16至圖19示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造隔膜總成80之方法的步驟。圖16示意性地描繪堆疊40。如圖16中所描繪，在一實施例中，堆疊40具備蝕刻終止層84。該蝕刻終止層84用於在移除機械保護材料66之步驟期間保護堆疊40(其在圖17中展示)。在將機械保護材料66施加至堆疊40之前將蝕刻終止層84施加至堆疊40之頂部。
在已將機械保護材料66施加至堆疊40之後，可(例如)使用濕式蝕刻來蝕刻掉平坦基板41。在此狀況下，機械保護材料66保護堆疊40之其餘部分免受液體蝕刻劑影響。可需要另外蝕刻程序以蝕刻掉氧化層42及任何下部犧牲層43。
如圖18中所描繪，在已選擇性地蝕刻平坦基板41之後，可將蝕刻終止層84施加至堆疊40之底部。施加至堆疊40之底部之蝕刻終止層84係用於保護隔膜免受用以移除機械保護材料66之蝕刻劑影響。
如圖19中所描繪，當移除機械保護材料66時，蝕刻終止層84保持在適當位置。在一實施例中，將氧化電漿用作蝕刻劑以移除機械保護材料66。因此，蝕刻終止層84抵抗氧化電漿。在一實施例中，蝕刻終止層84具有大約在約10奈米至約100奈米的厚度。在一實施例中，用於蝕刻終止層84之材料為氧化物，其不可藉由用以移除機械保護材料66之氧化電漿而進一步氧化。舉例而言，在一實施例中，蝕刻終止層84包含矽之氧化物。
可接著在移除機械保護材料66之步驟之後移除蝕刻終止層84。因此，藉由提供蝕刻終止層84，可結合機械保護材料66使用濕式蝕刻劑，同時縮減在移除機械保護材料66時隔膜變得氧化之可能性。因此，預期本發明之一實施例達成隔膜總成80之隔膜之均一性增加。
圖20至圖27示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造隔膜總成80之方法的步驟。圖20至圖27中所描繪之方法無需使用任何機械保護材料66。因此，該方法避免移除機械保護材料66之任何步驟(其可另外損害隔膜)。
如圖20中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含平坦基板41及氧化層42。氧化層42係用於終止用以選擇性地使用平坦基板41之部分之濕式蝕刻程序。
如圖20中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部厚蝕刻障壁86及下部薄蝕刻障壁87。下部厚蝕刻障壁86及下部薄蝕刻障壁87沈積於至少一個隔膜層45與平坦基板41之氧化層42之間。下部厚蝕刻障壁86沈積於下部薄蝕刻障壁87與氧化層42之間。
將上部薄蝕刻障壁88及上部厚蝕刻障壁89提供至至少一個隔膜層45外部之堆疊40。用於上部厚蝕刻障壁89之材料相同於用於下部厚蝕刻障壁 86之材料。用於上部薄蝕刻障壁88之材料相同於用於下部薄蝕刻障壁87之材料。
在上部厚蝕刻障壁89外部，堆疊40具備濕式蝕刻障壁90。濕式蝕刻障壁係用於保護堆疊40免受用以選擇性地移除平坦基板41之部分之濕式蝕刻劑影響。
如圖21中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地移除濕式蝕刻障壁90、上部厚蝕刻障壁89、上部薄蝕刻障壁88、至少一個隔膜層45、下部薄蝕刻障壁87、下部厚蝕刻障壁86及氧化層42之部分之步驟。在一實施例中，此蝕刻程序藉由乾式蝕刻技術來執行。遮罩可用以選擇性地移除該等層。藉由執行乾式蝕刻程序，在堆疊40之底部曝光平坦基板41之所要部分。
如圖22中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地移除平坦基板41之內部區。可使用濕式蝕刻程序來執行平坦基板41之部分之選擇性移除。舉例而言，可使用諸如KOH之濕式蝕刻劑。隔膜與平坦基板41之間的氧化層42終止濕式蝕刻程序而免於到達隔膜。
如圖23中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地移除充當用於濕式蝕刻劑之障壁之氧化層42。可藉由(例如)乾式蝕刻技術來移除氧化層42。如圖24中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地移除下部厚蝕刻障壁86。下部厚蝕刻障壁86可經設定為藉由乾式蝕刻技術而移除。在一實施例中，下部厚蝕刻障壁86及上部厚蝕刻障壁89包含氮化矽。在一實施例中，下部薄蝕刻障壁及上部薄蝕刻障壁包含氮化矽。如圖24中所描繪，可在與移除下部厚蝕刻障壁86同時地移除上部厚蝕刻障壁89。
如圖25中所描繪，在一實施例中，方法包含移除下部薄蝕刻障壁87及上部薄蝕刻障壁88。可實質上同時地移除下部薄蝕刻障壁87及上部薄蝕 刻障壁88。可使用乾式蝕刻技術。
如圖26中所描繪，在一實施例中，方法包含將隔膜與待捨棄之至少一個隔膜層45之周邊區段分離(而非形成隔膜之部分)。在一實施例中，分離係藉由雷射切塊程序而執行。因此，使隔膜橫越形成隔膜總成80之次序的堆疊40之剩餘部分而延伸。
如圖27中所描繪，在一實施例中，方法包含將罩蓋層93提供至隔膜總成80。在一實施例中，圍繞全部隔膜總成80來提供罩蓋層93。在一實施例中，使罩蓋層93由與關於其他實施例所描述之下部罩蓋膜44或上部罩蓋膜46相同之材料製成。
如圖21及圖22中所展示，當堆疊40經歷濕式蝕刻程序時，至少一個隔膜層45係由下部厚邊緣障壁86及上部厚蝕刻障壁89而支撐於上部側及下部側上。因此，下部厚蝕刻障壁86及上部厚蝕刻障壁89提供對至少一個隔膜層45之機械支撐。此情形允許藉由工具處置堆疊40，其中在製造程序期間隔膜斷裂之可能性縮減。舉例而言，可在隔膜出故障或斷裂之可能性縮減的情況下將堆疊40置放至濕式蝕刻劑之浴中及自濕式蝕刻劑浴移除該堆疊40。
因此，藉由提供下部厚蝕刻障壁86及上部厚蝕刻障壁87，不必提供將隨後需要被移除之任何另外機械保護材料66。因此，預期本發明之一實施例使得較容易製造隔膜總成80，其中隔膜在製造期間斷裂之可能性縮減且隔膜在製造期間變得氧化之可能性縮減。
圖28至圖35描繪本發明之一替代實施例之步驟，其亦避免施加任何機械保護材料66及自堆疊40移除任何機械保護材料之必要性。如圖28中所描繪，在一實施例中，堆疊包含平坦基板41、氮化矽層91、下部厚蝕刻障壁 86、下部薄蝕刻障壁87、至少一個隔膜層45、上部薄蝕刻障壁88及上部厚蝕刻障壁89。然而，堆疊40無需外部濕式蝕刻障壁90。
如圖29中所描繪，在一實施例中，方法包含切割堆疊40以便提供具有隔膜總成80之所要形狀之堆疊40。舉例而言，在一實施例中，堆疊40經雷射切塊成矩形形狀。此意謂在可以其他方式導致產生黏附至隔膜之污染物粒子之方法中稍後不必執行任何切塊步驟或斷裂步驟。在方法中在早期自任何切塊步驟產生的污染物粒子可較容易被清潔掉，該等污染物粒子未黏附至隔膜。
如圖30中所描繪，在一實施例中，方法包含將外部犧牲層92施加至堆疊40。在一實施例中，外部犧牲層92包含氮化矽。外部犧牲層92係用於保護堆疊40免受用以選擇性地移除平坦基板41之部分之濕式蝕刻劑影響。
如圖31中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地蝕刻外部犧牲層92、上部厚蝕刻障壁89、上部薄蝕刻障壁88、至少一個隔膜層45、下部薄蝕刻障壁87、下部厚蝕刻障壁86及氮化矽層91之步驟。結果，曝光平坦基板41之底部。此情形允許藉由濕式蝕刻程序選擇性地移除平坦基板41。濕式蝕刻劑可為KOH。舉例而言，在一實施例中，將堆疊40置放於KOH浴中且隨後使用處置工具自KOH浴來移除該堆疊40。下部厚蝕刻障壁86及上部厚蝕刻障壁89之存在機械地支撐至少一個隔膜層45使得隔膜在蝕刻平坦基板41之程序期間較不可能受損。
如圖33中所描繪，在一實施例中，方法包含蝕刻外部犧牲層92及氮化矽層91。替代地，代替氮化矽層91，可提供平坦基板41之氧化層42。可使用乾式蝕刻程序實質上同時移除外部犧牲層92及氮化矽層91。
如圖34中所描繪，在一實施例中，方法包含選擇性地移除上部厚蝕刻 障壁89及下部厚蝕刻障壁86。可使用乾式蝕刻程序來移除此等蝕刻障壁。如圖35中所描繪，在一實施例中，方法包含移除下部薄蝕刻障壁87及上部薄蝕刻障壁88。此移除曝光堆疊40之頂部及底部之隔膜。在一實施例中，方法進一步包含將罩蓋層93施加至隔膜總成80之外部以便將保護層提供至隔膜，如圖27中所描繪。
如圖8中所描繪，在一實施例中，在邊緣斷裂步驟期間施加抽吸件(流)。當隔膜與待捨棄之至少一個隔膜層50之部分分離時，局域地施加抽吸件。施加抽吸件以便移除在分離步驟期間產生的任何污染物粒子。如圖8中所描繪，在一實施例中，抽吸器件85將抽吸壓力施加至形成分離之區。
抽吸器件85縮減污染物粒子黏附至隔膜總成80之隔膜之可能性。在一實施例中，將抽吸器件85同時施加至發生分離之所有區。舉例而言，抽吸器件85可採取對應於隔膜總成80之形狀之矩形形狀之形式。替代地，在一實施例中，在分離步驟期間移動抽吸器件85以便鄰近於至少一個隔膜層50斷裂所處的任何地方。
在一實施例中，隔膜總成80可用作置放於圖案化器件MA之前方且因此保護圖案化器件MA之護膜。預期本發明之實施例達成護膜之易碎性縮減。預期本發明之實施例使得較容易以高容量生產隔膜總成。預期本發明之實施例使能夠處理整合於框架中之獨立式隔膜。
在一實施例中，隔膜總成80經組態以透射具有13.5奈米之波長的輻射之至少90%。在一實施例中，隔膜總成80經組態以透射不到5%的DUV輻射(近似100奈米至400奈米)。
在一實施例中，隔膜總成80之隔膜層50包含矽。矽為對EUV輻射最透明元素中的一者。矽為通常經處理且可用之材料。在一實施例中，用Ru、 Zr、Mo、氧化矽、氧化鋯、氧化鋁、氮化硼、氧化釕、氮化釕、氮化鋯、氧化鉬或氮化鉬來罩蓋隔膜層50。預期此組合縮減氫誘發之除氣及隨之而來的矽之再沈積。使用包含鎢、鈦酸鉛、鈦酸鋇、碳化矽或二矽化鉬之罩蓋層亦可增加隔膜之熱發射率。隔膜總成80可用於含有氫自由基之環境中。鎢(例如)為可耐受氫電漿之材料，且其亦相對於高達400℃之氧化合理地穩定。鎢亦具有高熔點(3422℃)且其相比於其他金屬具有低熱膨脹係數。
在一實施例中，將隔膜總成80應用為護膜或應用為動態氣鎖之部分。替代地，隔膜總成80可應用於諸如識別之其他濾光區域中，或應用於光束分裂器。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，可用執行相同功能之非漆層替換各種漆層。
以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1.一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區、圍繞該內部區之一邊界區、圍繞該邊界區之一橋接區及圍繞該橋接區之一邊緣區；鄰近於該平坦基板之該橋接區形成穿過該至少一個隔膜層之一橋接凹槽；選擇性地移除該平坦基板之該內部區及該橋接區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；圍繞該邊界之一邊緣區段，該邊緣區段係由該平坦基板之該邊緣區形成；及該邊界與該邊緣區段之間的一橋接件，該橋接件係由該至少一個隔膜層形成；及將該邊緣區段與該邊界分離使得鄰近於該邊緣區段之該至少一個隔膜層係由該橋接凹槽而與該隔膜分離。
2.如條項1之方法，其包含：將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；其中在該堆疊在該支撐件上時使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區。
3.如條項2之方法，其中藉由原子層蝕刻、濺鍍蝕刻、電漿蝕刻、反應性離子蝕刻或深反應性離子蝕刻來選擇性地移除該平坦基板之該內部區。
4.如條項1之方法，其中：該堆疊具備一機械保護材料，該機械保護材料經組態以在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之步驟期間機械地保護該邊界區；且使用一氟化物蝕刻劑來移除該機械保護材料。
5.如條項4之方法，其中該氟化物蝕刻劑包含一XeF2電漿。
6.一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；及使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成。
7.如條項6之方法，其中藉由原子層蝕刻、濺鍍蝕刻、電漿蝕刻、反應性離子蝕刻或深反應性離子蝕刻來選擇性地移除該平坦基板之該內部區。
8.一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；及選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；其中該堆疊具備一機械保護材料，該機械保護材料經組態以在選擇性 地移除該平坦基板之該內部區之步驟期間機械地保護該邊界區；及使用一氟化物蝕刻劑來移除該機械保護材料。
9.如條項8之方法，其中該氟化物蝕刻劑包含一XeF2電漿。
10.如前述條項中任一項之方法，其中該堆疊為矩形。
11.如條項10之方法，其中使該堆疊中之該至少一個隔膜層之邊緣圓化或斜切。
12.如條項6至11中任一項之方法，其中：該平坦基板包含圍繞該邊界區之一橋接區及圍繞該橋接區之一邊緣區；鄰近於該平坦基板之該橋接區形成穿過該至少一個隔膜層之一橋接凹槽；該隔膜總成包含：圍繞該邊界之一邊緣區段，該邊緣區段係由該平坦基板之該邊緣區形成；及該邊界與該邊緣區段之間的一橋接件，該橋接件係由該至少一個隔膜層形成；且該邊緣區段與該邊界分離使得鄰近於該邊緣區段之該至少一個隔膜層係由該橋接凹槽而與該隔膜分離。
13.如條項1至5及12中任一項之方法，其中藉由使用一雷射或EUV輻射切割通過該至少一個隔膜層而形成該橋接凹槽。
14.如條項1至5、12及13中任一項之方法，其中該橋接凹槽形成為使得該至少一個隔膜層之部分自該平坦基板之該邊界區徑向地向外延伸，使得當該邊緣區段與該邊界分離時，該至少一個隔膜層之該部分自該邊界徑 向地向外延伸。
15.如條項1至5及12至14中任一項之方法，其包含：在將該邊緣區段與該邊界分離之後將一鈍化塗層施加至該至少一個隔膜層之該等邊緣。
16.如條項15之方法，其中使用原子層沈積、化學氣相沈積、電鍍或浸塗來施加該鈍化塗層。
17.如條項15及16中任一項之方法，其中該鈍化塗層包含一金屬、一個矽化物、一個氧化物或一個氮化物中之一或多者。
18.如條項15之方法，其中使用物理氣相沈積來施加該鈍化塗層，其中使用一蔽蔭遮罩使得該至少一個隔膜層之僅該等邊緣接收該鈍化塗層。
19.如前述條項中任一項之方法，其中該至少一個隔膜層包含一非晶材料。
20.如前述條項中任一項之方法，其包含：在將該邊緣區段與該邊界分離之後使該至少一個隔膜層之該等邊緣氧化或氮化。
21.如前述條項中任一項之方法，其中該堆疊具備該平坦基板與該至少一個隔膜層之間的一中間層，該方法包含：在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之該步驟之後各向同性地蝕刻該中間層。
22.如前述條項中任一項之方法，其包含：藉由一退火程序、離子束改質、控制施加至該堆疊之一壓力及控制施加至該堆疊之一溫度中的一或多者來改變該堆疊之該至少一個隔膜層中的一預張力。
23.如前述條項中任一項之方法，其中該隔膜總成係用於一圖案化器件或一動態氣鎖。
24.如前述條項中任一項之方法，其中該堆疊之至少一個隔膜層為包含鎢、鈦酸鉛、鈦酸鋇、碳化矽或二矽化鉬之一層。
25.一種用於EUV微影之隔膜總成，該隔膜總成包含由包含矽之至少一個隔膜層形成的一隔膜及固持該隔膜之一邊界，其中：該堆疊中之該至少一個隔膜層之邊緣經圓化或斜切；及/或該至少一個隔膜層之部分自該邊界徑向地向外延伸；及/或一鈍化塗層經施加至該至少一個隔膜層之該等邊緣；及/或該至少一個隔膜層之該等邊緣經氧化或為氮化物。
26.如條項25之隔膜總成，其中在該鈍化塗層經施加至該至少一個隔膜層之該等邊緣時，該鈍化塗層包含Ru。
27.如條項25及26中任一項之隔膜總成，其中該隔膜總成係用於一圖案化器件或一動態氣鎖。
49:蝕刻遮罩層
56:蝕刻開口
66:機械保護材料
71:內部區
72:邊界區
73:橋接區
74:邊緣區

Claims (15)

  1. 一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區、圍繞該內部區之一邊界區、圍繞該邊界區之一橋接區及圍繞該橋接區之一邊緣區；鄰近於該平坦基板之該橋接區形成穿過該至少一個隔膜層之一橋接凹槽(groove)；選擇性地移除該平坦基板之該內部區及該橋接區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；圍繞該邊界之一邊緣區段，該邊緣區段係由該平坦基板之該邊緣區形成；及該邊界與該邊緣區段之間的一橋接件，該橋接件係由該至少一個隔膜層形成；及將該邊緣區段與該邊界分離使得鄰近於該邊緣區段之該至少一個隔膜層係由該橋接凹槽而與該隔膜分離。
  2. 如請求項1之方法，其包含：將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；其中在該堆疊在該支撐件上時使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區。
  3. 如請求項1之方法，其中：該堆疊具備一機械保護材料，該機械保護材料經組態以在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之步驟期間機械地保護該邊界區；且使用一氟化物蝕刻劑來移除該機械保護材料。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中藉由使用一雷射或EUV輻射切穿該至少一個隔膜層而形成該橋接凹槽。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該橋接凹槽形成為使得該至少一個隔膜層之部分自該平坦基板之該邊界區徑向地向外延伸，使得當該邊緣區段與該邊界分離時，該至少一個隔膜層之該部分自該邊界徑向地向外延伸。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含：在將該邊緣區段與該邊界分離之後將一鈍化塗層施加至該至少一個隔膜層之邊緣。
  7. 如請求項6之方法，其中使用物理氣相沈積來施加該鈍化塗層，其中使用一蔽蔭遮罩使得該至少一個隔膜層之僅該等邊緣接收該鈍化塗層。
  8. 一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包 含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；將該堆疊定位於一支撐件上以曝光該平坦基板之該內部區；及使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；及在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之後，分隔(separate off)該平坦基板之一部分以形成該邊界。
  9. 一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；及選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成；其中該堆疊具備一機械保護材料，該機械保護材料經組態以在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之步驟期間機械地保護該邊界區；及使用一氟化物蝕刻劑來本質上(essentially)移除該機械保護材料。
  10. 如請求項1、2、3、8及9中任一項之方法，其中該堆疊為矩形。
  11. 如請求項8或9之方法，其中：該平坦基板包含圍繞該邊界區之一橋接區及圍繞該橋接區之一邊緣 區；鄰近於該平坦基板之該橋接區形成穿過該至少一個隔膜層之一橋接凹槽；該隔膜總成包含：圍繞該邊界之一邊緣區段，該邊緣區段係由該平坦基板之該邊緣區形成；及該邊界與該邊緣區段之間的一橋接件，該橋接件係由該至少一個隔膜層形成；且該邊緣區段與該邊界分離使得鄰近於該邊緣區段之該至少一個隔膜層係由該橋接凹槽而與該隔膜分離。
  12. 如請求項1、2、3、8及9中任一項之方法，其中該堆疊之該至少一個隔膜層為包含鎢、鈦酸鉛、鈦酸鋇、碳化矽、二矽化鉬或一非晶材料之一層。
  13. 如請求項1、2、3、8及9中任一項之方法，其中該堆疊具備該平坦基板與該至少一個隔膜層之間的一中間層，該方法包含：在選擇性地移除該平坦基板之該內部區之該步驟之後各向同性地蝕刻該中間層。
  14. 一種用於EUV微影之隔膜總成，該隔膜總成包含由包含矽之至少一個隔膜層形成的一隔膜及固持該隔膜之一邊界，其中：該堆疊中之該至少一個隔膜層之邊緣經圓化或斜切(chamfer)，該等邊緣之至少一者定義該隔膜層之一主要表面及該隔膜層之一次要(minor)側 表面之間的該交界(intersection)，並且圓化或斜切自該主要表面延伸至該次要側表面之該至少一個邊緣；及/或該至少一個隔膜層之部分自該邊界徑向地向外延伸；及/或一鈍化塗層經施加至該至少一個隔膜層之該等邊緣；及/或該至少一個隔膜層之該等邊緣經氧化或為氮化物。
  15. 如請求項14之隔膜總成，其中該隔膜總成係用於一圖案化器件或一動態氣鎖。
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