JPWO2018151056A1 - ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
EUV露光用のペリクルをマスクに接続する方法としては、マスクとペリクルとに共通に設けられた留め具を介し、ペリクルに取り付けられた押さえバネとマスクに設置されたスタッドと呼ばれるピンとで(機械的に)固定する方法が検討されている。しかし、この方法では、着脱の際の手間を軽減することが求められる場合がある。また、装着及び脱着時の振動等によって発生した粉塵が、マスク表面に異物として付着することを抑制することが求められる場合がある。さらには、マスクとペリクル枠との間に換気のためのギャップが設けられると、ギャップから侵入する異物がマスク表面に付着することを抑制することが求められる場合がある。他方、接着剤によりギャップを塞ぐことでペリクル内部への異物侵入経路を無くす方法として、従来から、ArFレーザを用いる場合のペリクルに使用される接着剤を用いることが考えられている。しかし、発明者らは、EUV光リソグラフィにおいては真空下で露光が行われるため、接着剤からアウトガスが発生しやすいことを見出した。また、接着剤から発生するアウトガスがマスク表面のEUV光を照射する照射部に炭素成分となって堆積し、コンタミネーション(マスクの反射率低下)の原因になること、及びマスク表面で散乱するEUV光が接着剤に当たることで接着剤がダメージを受け、さらにアウトガスが発生すること、を順次見出した。
図1A〜図5Bを用いて本発明の一実施形態にかかるペリクルを説明する。前提として、本発明において用いることのできるペリクル100は、EUVフォトリソグラフィ用ペリクルである。本発明との関係では用いるEUVフォトリソグラフィ用ペリクル膜に特段の限定はない。例えば、基板(例えばシリコンウェハ、サファイア、炭化ケイ素等)上に、CVD法(Chemical Vapor Deposition)(例えば、LP−CVD成膜、PE−CVD成膜など)やスパッタ製膜等の方法によって、ペリクル膜101(SiN、炭素系膜(例えば、グラフェン膜、スピンコート法で製膜したカーボンナノチューブの膜、カーボンナノシート等)、ポリシリコン、又はそれら複数の層が積層した積層構造体)を形成する。その後、ペリクル膜が露出するように基板側から基板をエッチング(バックエッチング)することで、ペリクル膜101を製造する。
本発明では、第1の接着層109(図1A)、すなわち、マスク(図示せず)にペリクル100を設置するための第1の接着層109の第1の側面121(図1Aにて示した。)を、EUV光の透過率が低い材料(金属、セラミック等)でコーティングする。ここで「マスクにペリクルを設置するための接着層」とは、ペリクルの支持枠のペリクル膜が吊架された端部と反対側の端部に設けられる接着層のことである。当該接着層は、マスクとペリクルとを接続する際に使用される。第1の側面121は、上記にて定義した第1の接着層の第1の側面である。第1の側面121は、マスクとペリクルとに囲まれた部分とも称することができるし、第1の接着層の一側面であって、マスクに接続された際に、マスクとペリクルに囲まれた閉鎖空間を形成する側の側面、と称することもできる。第1の接着層109の厚み、すなわち、ペリクル膜101の膜面に直交する方向における第1の接着層109の長さは、10μm〜1mmであることが望ましい。例えば、第1の接着層109の厚みが10μm以上であることにより、支持枠103と第1の端面136に接触するマスクとの密着性に優れる。第1の接着層109の厚みが1mm以下であることにより、ガスバリア性が良好になる。
第1の接着層109の第2の側面131も無機物層113によってコーティングされていてもよい(図2及び図4A)。第1の接着層109の第2の側面131はマスク表面で散乱したEUV光が当たることはない。したがって、コーティングは必須ではない。しかしながら、第1の接着層109の第2の側面131から発生するアウトガスが、マスクとペリクル100に囲まれた閉鎖領域以外におけるコンタミネーションをもたらすことを防止するために、さらには、そのアウトガスの一部がマスクとペリクル100の閉鎖領域に侵入してマスク表面にコンタミネーションをもたらすことを防止するために、第2の側面131もコーティングされていることがより好ましい。
第1の接着層109の第1の端面136(図1A及び図3Aにて示した)は、接着力が維持できる限りにおいて、一部コーティングされていてもよい。第1の接着層109の第1の端面136はEUV光が当たることはない。したがって、コーティングは必須ではない。しかしながら、接着剤からのアウトガスによる、マスクとペリクル100とに囲まれた閉鎖領域以外におけるコンタミネーションを防止するために、コーティングされていることがより好ましい。
無機物層としては、EUV耐性を有し、EUV光の透過率が10パーセント以下という条件を満たすことが好ましい。これらの条件を満たすものは、アウトガスも少ない。さらに、水素ラジカルへの耐性があるとより好ましい。無機物層の厚さは50nm〜1μm程度が好ましい。
I=I0 exp(−μd)・・・ (2)
μ=2N r0 λf2 ・・・(3)
μm= 2 NA r0 λf2 / A ・・・(4)
μm=μm1W1+μm2W2+…μmiWi ・・・(5)
上記のとおり本明細書の「接着剤」は広義の接着剤を指し、「接着剤」の概念には、粘着剤も含まれる。接着剤としては、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、等が挙げられる。特に種類は問わない。
試験例1
外寸151mm×118.5mm、内寸147mm×114.5mm、高さ1.6mm〜2.0mmのアルミニウムフレームの上面に、水添スチレン系ホットメルト接着剤(ArFレーザ露光用ペリクルで使用されている接着剤)を厚さ約100μm、幅1.5〜2.0mmで塗布した。接着剤のアルミニウムフレームと接した面とは反対側の表面の中心部分から約0.5mmの幅で、マスキングフィルムを貼り付けた。接着剤の露出した部分に、マグネトロンスパッタリングにて、ニッケルを約100nmの厚さでコーティングした。ニッケルコーティング後にマスキングフィルムを剥離して接着剤部分の一部を露出させ、ステンレス製の基板に貼り付けて評価サンプルを得た。得られたサンプルを高真空チャンバー(1×10-6Pa)内に挿入し、四重極型質量分析計(QMS)を用いてサンプルから発生するアウトガスの質量分析を行った。質量分析の測定範囲は質量電荷比m/zが1から200の範囲とした。
上記ニッケルコーティング工程を行わなかったこと以外は上記試験例1と同様のサンプルを作成し、アウトガスの質量分析を行った(比較試験例1)。比較試験例1においては、m/zが45以上の範囲において、約14周期でピークが観察された。14は炭化水素鎖の単位であるCH2の質量と等しいことから、これらのピークは接着剤から発生する炭化水素鎖由来のアウトガスに由来すると考えられる。m/zが45から200の範囲におけるピーク強度の総和は約8000であった。試験例1と比較試験例1との対比により、接着剤に由来するアウトガス量を低減できることが分かった。
試験例2
シリコンウェハ上に水添スチレン系ホットメルト接着剤を厚さ約100μm塗布した。接着剤のシリコンウェハと接した面とは反対側の表面に、マグネトロンスパッタリングにてニッケルを約100nmの厚さでコーティングしてサンプルを得た。得られたサンプルを1.5cm×2cmにカットし、EUV照射装置(ニュースバル(施設名) BL−9、兵庫県立大)にて、波長13.5nmの光(EUV光)を照度強度約500mW/cm2で15分間、ニッケルコーティング面に対して垂直方向から照射した際のチャンバー内の圧力変化を見た。ビームサイズは約2mm×4mmとした。
接着剤にニッケルコーティングを行わなかったこと以外は上記実施例と同様にしてEUV光の照射を行った(比較例2)。EUV光の照射前と比べて照射後はチャンバー内の圧力が24μPa上昇した。この圧力上昇値は、サンプルを入れずにEUV光を照射したとき、及び、接着剤を塗布していないシリコンウェハに対してEUV光を照射したときの圧力上昇値と比べて1桁以上高い値であった。この圧力上昇は、EUV光の照射によって発生した接着剤からの分解物に由来すると考えられる。EUV光の照射後の接着剤面のEUV照射部分は黒く変色しており、また窪みが観察された。試験例2と比較試験例2との対比により、EUV光の照射による接着剤の劣化(変色)がなく、かつ、アウトガスが発生していないため、接着剤のEUV光の照射耐性が向上していることが分かった。
試験例3
図7は、試験例3のコンタミネーション付着評価に用いた試験装置400の断面図の模式図である。外寸151mm×118.5mm、内寸147mm×114.5mm、高さ1.6mm〜2.0mmのアルミニウムフレーム410の一方の面に、水添スチレン系ホットメルト接着剤420を、厚さ約100μm、幅1.5〜2.0mmで塗布した。
EUV光の照射後のEUV照射用基板上の照射領域について、集束イオンビームを用いて基板断面の薄片を作成し、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いてコンタミネーション層の厚みの直接観察を行った。EUV光の照射領域におけるコンタミネーション層の厚みは2.9±0.9nmであった。また、EUV光の照射後のEUV照射用基板470上の照射領域について、XPSのワイドスキャン測定を行い、炭素の存在比を算出したところ、炭素の存在比は65.0±5.2%であった。なお、炭素成分は、装置内の汚れに起因して発生したと考えられる。具体的には、試験装置400を置くステージを移動させるためにグリースが使用される。よって、グリースの揮発した成分がペリクル内部まで拡散し、EUV照射部でコンタミネーションに変化したと考えられる。
接着剤420の表面にニッケルコーティングを行わなかったこと以外は上記試験例3と同様にしたサンプル(比較試験例3)を作成し、EUV光の照射を行った。EUV光の照射後の、EUV照射用基板上の照射領域は黒く変色しており、ラマンスペクトルにおいて、炭素堆積物由来のピークが観察された。EUV光の照射後のEUV照射用基板470上の照射領域について、集束イオンビームを用いて基板断面の薄片を作成し、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いてコンタミネーション層の厚みの直接観察を行った。EUV照射領域におけるコンタミネーション層の厚みは17.5±3.5nmであった。EUV照射後のEUV照射用基板上の照射領域について、XPSのワイドスキャン測定を行い、炭素の存在比を算出したところ、炭素の存在比は90.5±0.6%であった。
図8は、ペリクル100における第1の接着層109及び支持枠103の周辺の構成の他の例を示す図である。この例では、無機物層111は、第1の側面121に加え、第1の接着層109の第1の端面136の少なくとも一部の領域と接する。具体的には、無機物層111は、第1の端面136のうちの第1の側面121に隣接する領域136Aに接している。第1の端面136のうちの領域136Aに隣接する領域136Bは、第1の接着層109の下のマスク200の表面と接している。無機物層111の厚み、すなわちペリクル膜101の膜面に直交する方向の長さは、領域136Bに近づくほど小さくなっている。支持枠103は、第2の枠体をさらに有していてもよい。第2の枠体を有する場合の態様は、上述のとおりである。図8中、「101」はペリクル膜を表し、「131」は第2の側面を表す。
本実施形態の露光原版は、原版と、原版に装着された本実施形態のペリクルと、を有する。本実施形態の露光原版は、本実施形態のペリクルを備えるので、本実施形態のペリクルと同様の効果を奏する。
本実施形態の露光装置は、本実施形態の露光原版を備える。このため、本実施形態の露光原版と同様の効果を奏する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版の前記ペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させ、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する。
試験例2
シリコンウェハ上に水添スチレン系ホットメルト接着剤を厚さ約100μm塗布した。接着剤のシリコンウェハと接した面とは反対側の表面に、マグネトロンスパッタリングにてニッケルを約100nmの厚さでコーティングしてサンプルを得た。得られたサンプルを1.5cm×2cmにカットし、EUV照射装置(ニュースバル(施設名) BL−9、兵庫県立大)にて、波長13.5nmの光(EUV光)を照射強度約500mW/cm2で15分間、ニッケルコーティング面に対して垂直方向から照射した際のチャンバー内の圧力変化を見た。ビームサイズは約2mm×4mmとした。
接着剤にニッケルコーティングを行わなかったこと以外は上記実施例と同様にしてEUV光の照射を行った(比較試験例2)。EUV光の照射前と比べて照射後はチャンバー内の圧力が24μPa上昇した。この圧力上昇値は、サンプルを入れずにEUV光を照射したとき、及び、接着剤を塗布していないシリコンウェハに対してEUV光を照射したときの圧力上昇値と比べて1桁以上高い値であった。この圧力上昇は、EUV光の照射によって発生した接着剤からの分解物に由来すると考えられる。EUV光の照射後の接着剤面のEUV照射部分は黒く変色しており、また窪みが観察された。試験例2と比較試験例2との対比により、EUV光の照射による接着剤の劣化(変色)がなく、かつ、アウトガスが発生していないため、接着剤のEUV光の照射耐性が向上していることが分かった。
Claims (13)
- ペリクル膜と、
ペリクル膜を支持する支持枠と、
前記支持枠のペリクル膜が吊架された端部と反対側の端部に設けられた第1の接着層と、を有し、
前記第1の接着層において前記ペリクル膜面と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が吊架される側の側面に、無機物層を有し、
前記無機物層の質量吸収係数(μm)が、5×103cm2/g〜2×105 cm2/gの範囲であることを特徴とする
ペリクル。 - 前記支持枠が、前記ペリクル膜に接続される第1の枠体と、前記第1の枠体に接続される第2の枠体と、を有する、請求項1に記載のペリクル。
- 前記第1の枠体と前記第2の枠体とが第2の接着層により接続され、前記第2の接着層のペリクル膜面と交差する方向の側面のうちいずれか一に、第2の無機物層を有する、請求項2に記載のペリクル。
- 前記無機物層は、
厚さ400nmであるときに、波長13.5nmのEUV(Extreme Ultraviolet)光の透過率が、10パーセント以下である、請求項1に記載のペリクル。 - 前記無機物層の厚みが50nm以上である、請求項1に記載のペリクル。
- 前記無機物層が金属層である、請求項1に記載のペリクル。
- 前記金属層は、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、銅、ルテニウム、タンタル、及び金の群から選ばれた何れか一種の金属、前記群から選ばれた二種以上の元素を含む合金、又は、前記群から選ばれる何れか一種又は二種以上の元素を含む酸化物である、請求項6に記載のペリクル。
- 前記第1の接着層のペリクル膜が形成されたのと反対側の端面に保護層を有する、請求項1に記載のペリクル。
- 原版と、前記原版のパターンを有する側の面に装着された、請求項1に記載のペリクルと、を含む露光原版。
- 請求項9に記載の露光原版を有する露光装置。
- 露光光を放出する光源と、
請求項9に記載の露光原版と、
前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、を有し、
前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置。 - 前記露光光が、EUV(Extreme Ultraviolet)光である請求項11に記載の露光装置。
- 光源から放出された露光光を、請求項9に記載の露光原版のペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させ、
前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する、半導体装置の製造方法。
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