JPH05323585A - 投影転写用マスク - Google Patents
投影転写用マスクInfo
- Publication number
- JPH05323585A JPH05323585A JP12323592A JP12323592A JPH05323585A JP H05323585 A JPH05323585 A JP H05323585A JP 12323592 A JP12323592 A JP 12323592A JP 12323592 A JP12323592 A JP 12323592A JP H05323585 A JPH05323585 A JP H05323585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- porous body
- hole
- frame
- pellicle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は投影露光装置の原画面への異物の付着
を防止するための薄膜（ペリクル膜）を備えたマスク
（レティクル）の薄膜支持体に係り、特に支持体（ペリ
クル枠）表面の光反射防止に好適な投影転写用マスク
（レティクル）を提供することにある。 【構成】図１（ａ）においてレティクル１面にペルクル
枠を２を介して取付けたペリクル膜３を示す。（ｂ）に
おいてペリクル枠２の内側面上に粘着剤４を介して、反
射防止効果の大きい多孔質体５を貼付した。 【効果】ペリクル膜上異物の検出能力を高められ、投影
露光装置等での異物転写のロットアウト不良を避けられ
る。
を防止するための薄膜（ペリクル膜）を備えたマスク
（レティクル）の薄膜支持体に係り、特に支持体（ペリ
クル枠）表面の光反射防止に好適な投影転写用マスク
（レティクル）を提供することにある。 【構成】図１（ａ）においてレティクル１面にペルクル
枠を２を介して取付けたペリクル膜３を示す。（ｂ）に
おいてペリクル枠２の内側面上に粘着剤４を介して、反
射防止効果の大きい多孔質体５を貼付した。 【効果】ペリクル膜上異物の検出能力を高められ、投影
露光装置等での異物転写のロットアウト不良を避けられ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置の原画面へ
の異物の付着を防止するための薄膜を備えたマスク、あ
るいはレティクルの薄膜支持体に係り、特に支持体表面
の光反射低減に好適な投影転写用マスクに関する。
の異物の付着を防止するための薄膜を備えたマスク、あ
るいはレティクルの薄膜支持体に係り、特に支持体表面
の光反射低減に好適な投影転写用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体製造装置の縮小投影露光装
置に用いられる原画用転写マスクはレティクルと呼ば
れ、その表面につける薄膜はペリクル膜と呼び、支持体
をペリクル枠と呼ぶ。ペリクル枠は通常軽量なアルミ合
金材で作り、表面は硬質なアルマイト処理をしている。
表面色は白色あるいは低反射化のために黒色としてい
る。また枠表面に粘着剤を貼付し、異物付着能力を高め
たものもある。
置に用いられる原画用転写マスクはレティクルと呼ば
れ、その表面につける薄膜はペリクル膜と呼び、支持体
をペリクル枠と呼ぶ。ペリクル枠は通常軽量なアルミ合
金材で作り、表面は硬質なアルマイト処理をしている。
表面色は白色あるいは低反射化のために黒色としてい
る。また枠表面に粘着剤を貼付し、異物付着能力を高め
たものもある。
【０００３】ペリクル膜とレティクルの間の空間は密閉
されており、通気による塵埃の侵入を防止している。
されており、通気による塵埃の侵入を防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの高集
積化に伴い、原画レティクルへの異物付着によるデバイ
スのロットアウト不良を避けるために、前記ペリクル付
レティクルの必要性は増大し、なおかつペリクル膜面、
及びレティクル面の異物管理が重要となってきた。この
ための異物検査装置が市販されている。しかし前記ペリ
クル枠では検査光が表面で乱反射し、異物の微弱な検出
光に迷光として混入し、異物の正常な検出を妨げたり、
さらに検出性能向上の妨げとなっている。前記黒色枠で
も乱反射は大変大きい。発明の目的は、上記枠表面での
乱反射を防止することにある。
積化に伴い、原画レティクルへの異物付着によるデバイ
スのロットアウト不良を避けるために、前記ペリクル付
レティクルの必要性は増大し、なおかつペリクル膜面、
及びレティクル面の異物管理が重要となってきた。この
ための異物検査装置が市販されている。しかし前記ペリ
クル枠では検査光が表面で乱反射し、異物の微弱な検出
光に迷光として混入し、異物の正常な検出を妨げたり、
さらに検出性能向上の妨げとなっている。前記黒色枠で
も乱反射は大変大きい。発明の目的は、上記枠表面での
乱反射を防止することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、前記ペリクル枠表面を黒色の多孔質体で構成する。
あるいは黒色の多孔質体を必要な部位に貼付しても良
い。
に、前記ペリクル枠表面を黒色の多孔質体で構成する。
あるいは黒色の多孔質体を必要な部位に貼付しても良
い。
【０００６】多孔質体の孔径は前記検出波長より大き
く、さらに検出光に相対する孔内側は表面積が大きく、
空隙率が高い程反射防止効果は大きくなる。
く、さらに検出光に相対する孔内側は表面積が大きく、
空隙率が高い程反射防止効果は大きくなる。
【０００７】
【作用】前記異物検出光が前記ペリクル枠表面にあたる
と、枠表面の黒色多孔質体の孔に侵入し、孔内壁で繰返
し反射することにより減衰する。
と、枠表面の黒色多孔質体の孔に侵入し、孔内壁で繰返
し反射することにより減衰する。
【０００８】多孔質体の孔寸法が検出波長より小さけれ
ば、孔に侵入する割合が少なく、表面反射する割合が多
くなり検出光に対し迷光となるが、孔寸法が検出光に対
し充分大きいと、光の大部分は孔に侵入し自己消滅す
る。一方、光の一部は孔入口表面に接するが、黒色表面
で吸収され、残りの反射光は微弱となる。従って多孔質
体は空隙（気孔）率が大きく、孔と孔の間の肉厚が薄い
（密度が小さい）程、光吸収の効果は大きい。
ば、孔に侵入する割合が少なく、表面反射する割合が多
くなり検出光に対し迷光となるが、孔寸法が検出光に対
し充分大きいと、光の大部分は孔に侵入し自己消滅す
る。一方、光の一部は孔入口表面に接するが、黒色表面
で吸収され、残りの反射光は微弱となる。従って多孔質
体は空隙（気孔）率が大きく、孔と孔の間の肉厚が薄い
（密度が小さい）程、光吸収の効果は大きい。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１により説明す
る。
る。
【００１０】（ａ）は、通称ペリクル付レティクルと呼
ばれるものの全体を示す。レティクル１は、通常高純度
の石英ガラスで作られている。この下面Ａに転写用原画
面が形成されている。その範囲Ａ′を内包するようにペ
リクル枠２が設けられ、ペリクル膜３が貼られている。
（ｂ）に部分拡大図を示す。ペリクル枠２の内側に粘着
剤４で多孔質体５を貼付した例である。多孔質体の１つ
の実施例を図２に示す。これは発泡ポリエチレンを示
し、成形時に発泡した微小な気泡の集合体より成り、そ
の表面は図に示すように多数の孔より成る。矢印Ａは検
査光の光路を想定したものであり、孔内壁で繰返し反射
し減衰する。またその一部はＢ，Ｃで示すように表面で
反射する。しかし成形時にカーボン粉末を練入し黒色と
することにより、表面での吸収特性を高めれば、反射光
は微弱となる。
ばれるものの全体を示す。レティクル１は、通常高純度
の石英ガラスで作られている。この下面Ａに転写用原画
面が形成されている。その範囲Ａ′を内包するようにペ
リクル枠２が設けられ、ペリクル膜３が貼られている。
（ｂ）に部分拡大図を示す。ペリクル枠２の内側に粘着
剤４で多孔質体５を貼付した例である。多孔質体の１つ
の実施例を図２に示す。これは発泡ポリエチレンを示
し、成形時に発泡した微小な気泡の集合体より成り、そ
の表面は図に示すように多数の孔より成る。矢印Ａは検
査光の光路を想定したものであり、孔内壁で繰返し反射
し減衰する。またその一部はＢ，Ｃで示すように表面で
反射する。しかし成形時にカーボン粉末を練入し黒色と
することにより、表面での吸収特性を高めれば、反射光
は微弱となる。
【００１１】図３は、もう一つの実施例を示す。これは
図２のＢ，Ｃで示した反射面を少なくするために、亀甲
状配置とし、肉厚を薄くし孔深さを更に深くしたもの
で、検査光Ａは表面反射することなく、孔内に侵入し、
内壁で繰返し反射し、容易に自己消滅する。
図２のＢ，Ｃで示した反射面を少なくするために、亀甲
状配置とし、肉厚を薄くし孔深さを更に深くしたもの
で、検査光Ａは表面反射することなく、孔内に侵入し、
内壁で繰返し反射し、容易に自己消滅する。
【００１２】図３はペリクル膜面の異物検査の概要を示
す。光源１から発した照明光はコリメータレンズ５、ス
リット６を通り、レティクル１上のペリクル枠２に貼ら
れたペリクル膜３上の異物９を照射し、異物より出た散
乱光を集光レンズ７で捉え、受光センサ８上に集光す
る。この時検査照明光の大部分はペリクル膜３を透過し
枠２の内壁面を照射する。従来の枠表面ではこの面で乱
反射し、この一部１０が集光レンズ７の視野内に戻り、
受光センサー８で検出され、異物として誤検出する。
す。光源１から発した照明光はコリメータレンズ５、ス
リット６を通り、レティクル１上のペリクル枠２に貼ら
れたペリクル膜３上の異物９を照射し、異物より出た散
乱光を集光レンズ７で捉え、受光センサ８上に集光す
る。この時検査照明光の大部分はペリクル膜３を透過し
枠２の内壁面を照射する。従来の枠表面ではこの面で乱
反射し、この一部１０が集光レンズ７の視野内に戻り、
受光センサー８で検出され、異物として誤検出する。
【００１３】本発明によれば、枠表面での乱反射を殆ど
無くせるので、誤検出を無くせると同時に、最小異物寸
法の検出能力を高めることができる。
無くせるので、誤検出を無くせると同時に、最小異物寸
法の検出能力を高めることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、光の反射防止率が、従
来の前記ペリクル白枠が４０％とすれば、黒枠は１０
％、黒色多孔質体は２％以下にでき、迷光防止に極めて
大きい効果がある。
来の前記ペリクル白枠が４０％とすれば、黒枠は１０
％、黒色多孔質体は２％以下にでき、迷光防止に極めて
大きい効果がある。
【図１】本発明の実施例のペリクル付レティクルの全体
図および部分断面拡大図である。
図および部分断面拡大図である。
【図２】多孔質体の一実施例を示す図である。
【図３】別の実施例を示す図である。
【図４】実際の異物検査光学系との係りを示す図であ
る。
る。
１…レティクル、２…ペリクル枠、３…ペリクル膜、４
…粘着剤、５…多孔質体。
…粘着剤、５…多孔質体。
フロントページの続き (72)発明者 苗代 毅 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内 (72)発明者 小橋 章二 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所計測器事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】原画面あるいは、その反対面上に支持体を
介して薄膜を貼付した投影転写用マスクにおいて、支持
体表面あるいはその一部が黒色の多孔質体であることを
特徴とした投影転写用マスク。 - 【請求項２】上記多孔質体の孔寸法が、上記マスク面あ
るいは薄膜面の有害異物を検出するための検出光波長よ
り、大きいことを特徴とした請求項１記載の投影転写用
マスク。 - 【請求項３】上記多孔質体の孔寸法が、転写に悪影響を
及ぼす異物寸法より小さく、かつ通気性を持つことを特
徴とした請求項１記載の投影転写用マスク。 - 【請求項４】上記多孔質体あるいはその一部が通気性を
持ち、かつ表面が粘着性を持つことを特徴とした請求項
１記載の投影転写用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12323592A JPH05323585A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 投影転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12323592A JPH05323585A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 投影転写用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323585A true JPH05323585A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14855550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12323592A Pending JPH05323585A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 投影転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108878259A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | Imec 非营利协会 | 形成防尘薄膜的方法 |
| JPWO2018151056A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2019-12-12 | 三井化学株式会社 | ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12323592A patent/JPH05323585A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018151056A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2019-12-12 | 三井化学株式会社 | ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US11137677B2 (en) | 2017-02-17 | 2021-10-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, exposure original plate, exposure device, and semiconductor device manufacturing method |
| CN108878259A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | Imec 非营利协会 | 形成防尘薄膜的方法 |
| JP2018194838A (ja) * | 2017-05-15 | 2018-12-06 | アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ | ペリクルを形成する方法 |
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