JPH04299820A - Ｘ線マスク構造体 - Google Patents
Ｘ線マスク構造体Info
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- JPH04299820A JPH04299820A JP3087391A JP8739191A JPH04299820A JP H04299820 A JPH04299820 A JP H04299820A JP 3087391 A JP3087391 A JP 3087391A JP 8739191 A JP8739191 A JP 8739191A JP H04299820 A JPH04299820 A JP H04299820A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特にＸ
線による露光を行う為の露光装置で使用するＸ線マスク
構造体に関する。
線による露光を行う為の露光装置で使用するＸ線マスク
構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化及び高
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。大容量メモリ素子（例えば
、４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積化により、１６Ｍｂｉｔ
容量のもの等では０．５μｍルールのデバイス設計が行
われる様になってきた。この為、焼付け装置も一層の高
性能化が要求され、転写可能な最小線幅が０．５μｍ以
下という高性能が要求され始めてきている。その為、露
光光源波長としてＸ線領域（７〜１４Å）の光を利用し
たステッパが開発されつつある。これらＸ線露光装置に
用いられるマスク構造体は、例えば、図４に示す様に、
Ｘ線透過材で出来た支持膜４１とそれを緊張保持する保
持枠４２とからなっており、該支持膜４１上にはアライ
メントマーク及び所望の幾何学的配置をもって配列され
たＸ線吸収体４３が形成されている。支持膜にはＸ線の
透過率が高く可視光に対しても透明である様な材質が選
ばれる。
速化に伴い、集積回路のパターン線幅が約３年間で７０
％に縮小される傾向にある。大容量メモリ素子（例えば
、４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積化により、１６Ｍｂｉｔ
容量のもの等では０．５μｍルールのデバイス設計が行
われる様になってきた。この為、焼付け装置も一層の高
性能化が要求され、転写可能な最小線幅が０．５μｍ以
下という高性能が要求され始めてきている。その為、露
光光源波長としてＸ線領域（７〜１４Å）の光を利用し
たステッパが開発されつつある。これらＸ線露光装置に
用いられるマスク構造体は、例えば、図４に示す様に、
Ｘ線透過材で出来た支持膜４１とそれを緊張保持する保
持枠４２とからなっており、該支持膜４１上にはアライ
メントマーク及び所望の幾何学的配置をもって配列され
たＸ線吸収体４３が形成されている。支持膜にはＸ線の
透過率が高く可視光に対しても透明である様な材質が選
ばれる。
【０００３】支持膜４１として無機材質が多く用いられ
るが、シリコンウエハ４２上に化学気相堆積法等により
２μｍ程度の珪素化合物、特に窒化珪素や炭化珪素等の
膜４１が僅かに引っ張り応力を持つ様に形成される。次
にエッチング防護膜４７を堆積したシリコンウエハ４２
を、裏面から必要な領域（Ｘ線を透過せしめる為の領域
）のみエッチングにより除去すると、無機薄膜４１がシ
リコンウエハ４２上に緊張保持された状態のマスクブラ
ンクスが得られる。しかしながら、このままの状態では
シリコンウエハ４２が薄い為、強度が小さくＸ線露光装
置内でのマスク構造体の搬送収納等の取扱いに不便であ
る為、補強体４４を接着剤により接着して用いるのが普
通である。前記いずれの場合においても保持枠４２若し
くは補強体４４は、十分に強度が大きく熱的に安定で且
つ軽いものが望ましい。従来はこれらの形成材料として
金属も考えられていたが、石英ガラス、硼珪酸ガラス（
パイレックス）、セラミックス焼結体が上記条件をよく
満たす為に使用される様になった。前記保持枠４２と補
強体４４の接合には収縮率が小さく、強度が十分に保て
るエポキシ系やアクリル系等の接着剤の中で粘度や接着
時間を考慮した接着剤が用いられる。特願平２−０９４
９３７号明細書にある様に、接合時にはマスクパターン
と補強体との位置関係に加え、マスク面の平面度が変化
することなくマスク面と補強体との平行度（約２μｍ以
下）が保たれる様調整され接着される。
るが、シリコンウエハ４２上に化学気相堆積法等により
２μｍ程度の珪素化合物、特に窒化珪素や炭化珪素等の
膜４１が僅かに引っ張り応力を持つ様に形成される。次
にエッチング防護膜４７を堆積したシリコンウエハ４２
を、裏面から必要な領域（Ｘ線を透過せしめる為の領域
）のみエッチングにより除去すると、無機薄膜４１がシ
リコンウエハ４２上に緊張保持された状態のマスクブラ
ンクスが得られる。しかしながら、このままの状態では
シリコンウエハ４２が薄い為、強度が小さくＸ線露光装
置内でのマスク構造体の搬送収納等の取扱いに不便であ
る為、補強体４４を接着剤により接着して用いるのが普
通である。前記いずれの場合においても保持枠４２若し
くは補強体４４は、十分に強度が大きく熱的に安定で且
つ軽いものが望ましい。従来はこれらの形成材料として
金属も考えられていたが、石英ガラス、硼珪酸ガラス（
パイレックス）、セラミックス焼結体が上記条件をよく
満たす為に使用される様になった。前記保持枠４２と補
強体４４の接合には収縮率が小さく、強度が十分に保て
るエポキシ系やアクリル系等の接着剤の中で粘度や接着
時間を考慮した接着剤が用いられる。特願平２−０９４
９３７号明細書にある様に、接合時にはマスクパターン
と補強体との位置関係に加え、マスク面の平面度が変化
することなくマスク面と補強体との平行度（約２μｍ以
下）が保たれる様調整され接着される。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、高
精度マスクをＸ線装置の中で使用していくと、マスク保
持枠側面、マスク支持膜や吸収体からの散乱Ｘ線により
、接着剤が放射線劣化を起こしマスク構造体が変形する
という問題が発生した。従って本発明の目的は、上記従
来技術の問題点を解決し、使用時にマスク保持枠と補強
体との接合部が劣化しない、寸法精度に優れたＸ線マス
ク構造体を提供することである。
精度マスクをＸ線装置の中で使用していくと、マスク保
持枠側面、マスク支持膜や吸収体からの散乱Ｘ線により
、接着剤が放射線劣化を起こしマスク構造体が変形する
という問題が発生した。従って本発明の目的は、上記従
来技術の問題点を解決し、使用時にマスク保持枠と補強
体との接合部が劣化しない、寸法精度に優れたＸ線マス
ク構造体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成される。即ち、本発明は、所望パターンのＸ
線吸収体、該吸収体を支持する支持膜、これらを保持す
るマスク保持枠及び該保持枠を補強する補強体からなる
Ｘ線マスク構造体において、前記マスク保持枠と補強体
とを接合している接着部に保護膜が施されていることを
特徴とするＸ線マスク構造体である。
よって達成される。即ち、本発明は、所望パターンのＸ
線吸収体、該吸収体を支持する支持膜、これらを保持す
るマスク保持枠及び該保持枠を補強する補強体からなる
Ｘ線マスク構造体において、前記マスク保持枠と補強体
とを接合している接着部に保護膜が施されていることを
特徴とするＸ線マスク構造体である。
【０００６】
【作用】Ｘ線マスクにおいて、マスク保持枠と補強体と
の接合部に保護膜をつけることによって、散乱Ｘ線によ
る接着剤の劣化がなくなり、又、マスクが変形しなくな
り、マスク接着時の精度を保つことが出来、寸法精度に
優れたＸ線マスクを提供することが出来る。
の接合部に保護膜をつけることによって、散乱Ｘ線によ
る接着剤の劣化がなくなり、又、マスクが変形しなくな
り、マスク接着時の精度を保つことが出来、寸法精度に
優れたＸ線マスクを提供することが出来る。
【０００７】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。 実施例１ 図１は本発明の１実施例のＸ線マスク構造体の作製を説
明する断面図である。保持枠１２となるシリコンウエハ
ーの上に化学気相堆積法により２μｍのＳｉＮ層を設け
る。このＳｉＮ層の一方の面の必要な領域をエッチング
し、エッチング防護膜１７を残し、更にシリコンウエハ
ーもエッチングし、支持膜１１を形成する。Ａｕめっき
により支持膜１１上に所望パターンのＸ線吸収体１３を
設ける。その後パイレックスガラスからなる補強体１４
を接着剤１５にて特願平２−０９４９３７号明細書にあ
るＸ線マスク接着治具にて接着する。接着剤１５にはエ
ポキシ系接着剤（アルファ技研製、型番３５００）を用
いる。図１（ａ）であるＸ線マスクが作製される。ディ
ッピングによりマイクロポジットＴＦ−２０（シュプレ
イ社製）を５μｍ厚に形成してレジスト１８として図１
（ｂ）となる。四方又は三方からＵＶ露光を行い、接着
部１５の両側のレジストを取り除き、図１（ｃ）となる
。この場合レジスト１８は接着部１５より充分大きけれ
ばよく、レジスト１８は少なくとも支持膜１１の周辺に
ついていればよい。その後、マスク構造体を抵抗加熱蒸
着装置に入れてマスクを自転させ、Ｃｒ１００Å及びＡ
ｕ１μｍを蒸着し、図１（ｄ）とする。内側の蒸着を行
う際は、斜め蒸着を行う為蒸着物が付かない部分も出て
くるので、その部分を考慮し、レジスト１８のパターニ
ングを行う。その後レジスト１８を剥離し、リフトオフ
を行い保護膜１６が形成された図１（ｅ）となる。ここ
で保護膜１６としてＡｕを用いたが、Ｘ線吸収がされ、
Ｘ線耐性の高いものがよいので、金属又はセラミックな
らばよい。但しＸ線吸収率が大きいものの方が薄くてす
む為、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ等の重金属が更に好ましい
。
明する。 実施例１ 図１は本発明の１実施例のＸ線マスク構造体の作製を説
明する断面図である。保持枠１２となるシリコンウエハ
ーの上に化学気相堆積法により２μｍのＳｉＮ層を設け
る。このＳｉＮ層の一方の面の必要な領域をエッチング
し、エッチング防護膜１７を残し、更にシリコンウエハ
ーもエッチングし、支持膜１１を形成する。Ａｕめっき
により支持膜１１上に所望パターンのＸ線吸収体１３を
設ける。その後パイレックスガラスからなる補強体１４
を接着剤１５にて特願平２−０９４９３７号明細書にあ
るＸ線マスク接着治具にて接着する。接着剤１５にはエ
ポキシ系接着剤（アルファ技研製、型番３５００）を用
いる。図１（ａ）であるＸ線マスクが作製される。ディ
ッピングによりマイクロポジットＴＦ−２０（シュプレ
イ社製）を５μｍ厚に形成してレジスト１８として図１
（ｂ）となる。四方又は三方からＵＶ露光を行い、接着
部１５の両側のレジストを取り除き、図１（ｃ）となる
。この場合レジスト１８は接着部１５より充分大きけれ
ばよく、レジスト１８は少なくとも支持膜１１の周辺に
ついていればよい。その後、マスク構造体を抵抗加熱蒸
着装置に入れてマスクを自転させ、Ｃｒ１００Å及びＡ
ｕ１μｍを蒸着し、図１（ｄ）とする。内側の蒸着を行
う際は、斜め蒸着を行う為蒸着物が付かない部分も出て
くるので、その部分を考慮し、レジスト１８のパターニ
ングを行う。その後レジスト１８を剥離し、リフトオフ
を行い保護膜１６が形成された図１（ｅ）となる。ここ
で保護膜１６としてＡｕを用いたが、Ｘ線吸収がされ、
Ｘ線耐性の高いものがよいので、金属又はセラミックな
らばよい。但しＸ線吸収率が大きいものの方が薄くてす
む為、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ等の重金属が更に好ましい
。
【０００８】実施例２
図２は本発明の別の実施例のマスク構造体の作製を説明
する断面図である。実施例１と同様にＸ線マスクを作製
し、ディッピングによりレジスト２８（ＯＦＰＲ８００
、東京応化製）を１μｍ厚に形成し、接着部２５の両側
のレジストをとり除き図２（ａ）とする。マスクを自転
させ、Ｃｒ５０Å及びＡｕ５００ÅをＥＢ蒸着し、保護
膜２６ａを形成する。内側は斜め蒸着となる為蒸着物が
付かない部分も出てくるので、その部分を考慮し、レジ
ストパターニングを行う。その後レジスト２８を剥離し
、リフトオフし図２（ｂ）となる。その後再度レジスト
２８´を吸収体２３が形成されている面のみ塗布し図２
（ｃ）とする。その後電解Ａｕめっきを行い、保護膜２
６ｂを形成しレジスト２８´を剥離し、図２（ｄ）とす
る。保持枠２２や補強体２４がシリコン等の導電性のも
のであっても、貴金属Ａｕと違い薄い酸化膜が形成され
ている為、未処理（酸等によるエッチングのされていな
い）のものにはめっきされない。その為保護膜２６ａと
しては、ここではＡｕを用いたがＰｔ等他の貴金属でも
構わない。保護膜２６ｂとしてはめっきの出来る金属な
らば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等でも構わない。蒸着により保
護膜を全部作製する場合に比べ蒸着層は薄くすむ為、斜
め蒸着時の未蒸着部が減少する為蒸着精度が向上する。
する断面図である。実施例１と同様にＸ線マスクを作製
し、ディッピングによりレジスト２８（ＯＦＰＲ８００
、東京応化製）を１μｍ厚に形成し、接着部２５の両側
のレジストをとり除き図２（ａ）とする。マスクを自転
させ、Ｃｒ５０Å及びＡｕ５００ÅをＥＢ蒸着し、保護
膜２６ａを形成する。内側は斜め蒸着となる為蒸着物が
付かない部分も出てくるので、その部分を考慮し、レジ
ストパターニングを行う。その後レジスト２８を剥離し
、リフトオフし図２（ｂ）となる。その後再度レジスト
２８´を吸収体２３が形成されている面のみ塗布し図２
（ｃ）とする。その後電解Ａｕめっきを行い、保護膜２
６ｂを形成しレジスト２８´を剥離し、図２（ｄ）とす
る。保持枠２２や補強体２４がシリコン等の導電性のも
のであっても、貴金属Ａｕと違い薄い酸化膜が形成され
ている為、未処理（酸等によるエッチングのされていな
い）のものにはめっきされない。その為保護膜２６ａと
しては、ここではＡｕを用いたがＰｔ等他の貴金属でも
構わない。保護膜２６ｂとしてはめっきの出来る金属な
らば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等でも構わない。蒸着により保
護膜を全部作製する場合に比べ蒸着層は薄くすむ為、斜
め蒸着時の未蒸着部が減少する為蒸着精度が向上する。
【０００９】実施例３
図３は本発明の更に別の実施例のマスク構造体の断面図
である。実施例１と同様Ｘ線マスクを作製する。Ａｕペ
ースト（ＴＲ−１１４Ｇ、田中貴金属社製）を注射器に
て塗布し、焼成し、保護膜３６とする。ここではＡｕペ
ーストを用いたが、Ａｇペースト、Ａｕ、Ｐｂペースト
、Ｐｔペースト等金属類のペーストがあれば構わない。
である。実施例１と同様Ｘ線マスクを作製する。Ａｕペ
ースト（ＴＲ−１１４Ｇ、田中貴金属社製）を注射器に
て塗布し、焼成し、保護膜３６とする。ここではＡｕペ
ーストを用いたが、Ａｇペースト、Ａｕ、Ｐｂペースト
、Ｐｔペースト等金属類のペーストがあれば構わない。
【００１０】
【効果】以上説明した様にＸ線マスクにおいて、マスク
保持枠と補強体との接合部に保護膜をつけることによっ
て、散乱Ｘ線による接着剤の劣化がなくなりマスクの変
形が発生しなくなり、マスク接着時の精度を保つことが
出来、寸法精度に優れたＸ線マスクを提供出来る。
保持枠と補強体との接合部に保護膜をつけることによっ
て、散乱Ｘ線による接着剤の劣化がなくなりマスクの変
形が発生しなくなり、マスク接着時の精度を保つことが
出来、寸法精度に優れたＸ線マスクを提供出来る。
【００１１】
【図１】本発明の実施例の断面図である。
【図２】本発明の実施例の断面図である。
【図３】本発明の実施例の断面図である。
【図４】本発明の従来例の断面図である。
【符合の説明】１１、２１、３１、４１：支持膜１２、
２２、３２、４２：保持枠 １３、２３、３３、４３：吸収体 １４、２４、３４、４４：補強体 １５、２５、３５、４５：接着部 １６、２６ａ、２６ｂ、３６：保護膜 １７、２７、３７、４７：エッチング防護膜１８、２８
、２８´：レジスト
２２、３２、４２：保持枠 １３、２３、３３、４３：吸収体 １４、２４、３４、４４：補強体 １５、２５、３５、４５：接着部 １６、２６ａ、２６ｂ、３６：保護膜 １７、２７、３７、４７：エッチング防護膜１８、２８
、２８´：レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 所望パターンのＸ線吸収体、該吸収体
を支持する支持膜、これらを保持するマスク保持枠及び
該保持枠を補強する補強体からなるＸ線マスク構造体に
おいて、前記マスク保持枠と補強体とを接合している接
着部に保護膜が施されていることを特徴とするＸ線マス
ク構造体。 - 【請求項２】 保護膜がＸ線吸収性材料からなる請求
項１に記載のＸ線マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087391A JPH04299820A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Ｘ線マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087391A JPH04299820A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Ｘ線マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299820A true JPH04299820A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13913588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087391A Pending JPH04299820A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Ｘ線マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018151056A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2019-12-12 | 三井化学株式会社 | ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3087391A patent/JPH04299820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018151056A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2019-12-12 | 三井化学株式会社 | ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US11137677B2 (en) | 2017-02-17 | 2021-10-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, exposure original plate, exposure device, and semiconductor device manufacturing method |
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