KR20130141025A - 펠리클 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 아웃 가스를 저감시킬 수 있는 펠리클 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 펠리클 제조방법은 펠리클 프레임의 아웃 가스인 SO4나 NH4이온을 저감하는 방법을 사용하여 상기 펠리클 프레임의 측면에 스텝 형상의 홈이 구비된 슬릿을 형성하는 단계; 상기 스텝 형상의 홈에 케미컬 필터와 파티클 필터를 부착시키는 단계; 상기 펠리클 프레임 하면에 제1접착제를 부착하고, 평판형 이형필름(페트,PET:polyethylene terephthalate)의 상면에 제2접착제를 부착한 후, 상기 평판형 이형필름(페트)를 상기 제1접착제를 통하여 상기 펠리클 프레임의 하부에 안착시키는 단계; 및 상기 펠리클 프레임의 상부면에 제3접착제를 부착한 후 상기 펠리클 프레임의 상부에 멤브레인을 부착시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명의 제조공정을 진행할 경우, 펠리클 프레임 내부와 펩(Fab) 내의 공기의 순환을 통하여 정체되어 있는 프레임 내부의 공기를 청정화할 수 있고, 파티클 필터와 케미컬 필터를 부착하여 파티클 유입을 막고, 펠리클 내부로 유입되는 가스나 무기이온을 흡착하여 제거할 수 있으며, 이형필름과 그 상면에 제2접착제를 점착함으로서, 이동시나 펠리클 제조시 펠리클 프레임 내부에서 발생하는 이물을 포집할 수 있으며, 펠리클 하부의 마스크에 성장성 이물이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있으며, 내면 접착제를 사용하지 않으므로 아웃 가스 발생을 저감시킬 수 있다는 효과가 있다.

Description

펠리클 제조방법{method for fabricating of pellicle}

본 발명은 펠리클에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 공정 중에 포토리소그래피용 사진 원판에 적용되는 펠리클 제조시 아웃 가스를 감소시킬 수 있는 펠리클 제조방법에 관한 것이다.

대규모 집적 회로(LSI), 초대규모 집적 회로 등과 같은 반도체 장치 또는 액정 표시판의 제조의 경우, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판용 원판에 포토마스크 또는 레티클(이하 본 명세서에서는 총체적으로 "포토마스크"로 지칭함)과 같은 노광용 원판을 통해 노광용 광이 조사되어, 포토마스크의 패턴이 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판용 원판에 전사되어, 반도체 장치 또는 액정 표시판의 패턴이 형성된다.

따라서, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판에 포토마스크를 통해 노광용 광이 조사되는 경우, 포토마스크에 부착된 먼지 입자 등과 같은 이물이 노광용 광을 반사 또는 흡수하여, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판에 전사된 패턴이 변형될 뿐 아니라, 패턴의 엣지 부분이 흐려지며, 하지 표면도 오염에 의해 검게 변해, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판의 치수, 품질, 외관 등이 손상된다. 그 결과, 포토마스크의 패턴을 원하는 방식으로 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판에 전사할 수 없어, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판의 성능이 저하하여, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판의 수율이 불가피하게 감소한다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판의 노광 조작을 일반적으로 클린 룸(clean room) 내에서 수행한다. 그러나, 이러한 경우에도 포토마스크의 표면에 이물이 부착하는 것을 완전히 방지하는 것은 매우 어려워서, 일반적으로는 포토마스크의 표면에 장착된, 노광용 광에 대하여 높은 투과율을 갖는 펠리클(pelicle)이라고 지칭되는 방진 커버를 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 액정 표시판 원판의 노광 조작을 수행한다.

상기 펠리클(pellicle)막은 펩(Fab) 내부의 먼지나 오염을 방지하기 위한 얇은 막이라고도 불리며 일명 방진(Dust proof)막이라고 불리 운다.

방진막은 펠리클을 이루는 프레임 위에 고정되는 것으로 석영 위의 패턴상에 이물 부착이나 오염을 방지하기 위하여 설치된다.

대체적으로 종래의 펠리클 부착을 위한 펠리클 제조공정은, 도 1a에 도시된 바와 같이, 알루미늄(Al) 프레임(1)의 길이 방향 측면에 슬릿 형상의 벤트 홀(2)이 구비되어 있을 때, 상기 벤트 홀(2)에 벤트 홀 필터(Vent hole filter)들(3,4)을 부착하는 단계와, 알루미늄 프레임(1) 내부를 따라 내면 접착제(5)를 바르는 단계와, 레티클(reticle) 접착제(도시되지 않음)를 부착하는 단계와, 레티클 접착제의 보호를 위해 페트(pet)(6)을 부착하는 단계와, 멤브레인(membrane)(7)을 성막하는 단계와, 멤브레인(7)을 프레임(1)에 가설 및 접착제(8)로 접착하여 펠리클을 완성하는 단계로 이루어진다.

이후에, 도 1b에 도시한 바와 같이, 페트(pet)(6)를 프레임(1)으로 부터 탈착시킨 후, 반도체 회로(9)가 형성된 포토 마스크(10)에 완성된 펠리클을 부착하는 단계로 이루어진다.

상기에서 펠리클이 보호하는 포토 마스크의 오염은 공정상에 기계적 결함 및 파티클 혹은 외부의 오염의 유입등이 주원인이다.

종래에는 프레임 내부에 내면 접착제를 부착하여 펠리클 내부의 불순물들의 트랩을 시도하였으나, 프레임 내부의 내면 접착제로부터 발생하는 아웃가스에 의하여 디펙트가 발생하는 문제가 있었다.

따라서, 포토 마스크를 보호하는 펠리클 내부에 아웃 가스 발생을 저감시키면서 펠리클 내부를 청정화할 수 있는 방법이 요구되고 있다.

본 발명은 종래 문제점인 아웃가스를 저감하기 위해 제안된 것으로서, 아웃 가스를 감소시켜서 보다 청정한 펠리클을 제조할 수 있는 펠리클 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 펠리클 제조방법은 펠리클 프레임의 아웃 가스인 SO4나 NH4이온을 저감하는 방법을 사용하여 상기 펠리클 프레임의 측면에 스텝 형상의 홈이 구비된 슬릿을 형성하는 단계; 상기 스텝 형상의 홈에 케미컬 필터와 파티클 필터를 부착시키는 단계; 상기 펠리클 프레임 하면에 제1접착제를 부착하고, 평판형 페트(PET:polyethylene terephthalate)의 상면에 제2접착제를 부착한 후, 상기 평판형 페트를 상기 제1접착제를 통하여 상기 펠리클 프레임의 하부에 안착시키는 단계; 및 상기 펠리클 프레임의 상부면에 제3접착제를 부착한 후 상기 펠리클 프레임의 상부에 멤브레인을 부착시키는 단계를 특징으로 한다.

상술한 본 발명의 펠리클 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 청정한 프레임 제조방법으로서 Al을 산화시켜 가볍고도 강성을 유지시키기 위한 방법으로 프레임을 산화하여 틀을 제작한다. 산화 과정 중에 H2SO4산을 이용하여 양극산화를 실시함으로 프레임에 강성을 부여한다. 이 과정 중에 산화홀 속에 내재되어 있는 SO4이온과 펩(Fab) 내부에 산재해 있는 NH3 이온과 반응하여 (NH4)2SO4란 염의 생성으로 웨이퍼의 결상에 치명적인 역할을 한다. 본 발명은 이와 같은 염을 쉽고 경제적으로 제거함으로써 성장성 이물에 영향을 주는 직접적 인자를 제거하였다.

둘째, 펠리클 프레임의 측면에 공기 순환부인 슬릿을 형성하여 펠리클 프레임 내부와 펩(Fab) 내의 공기의 순환을 통하여 정체되어 있는 프레임 내부의 공기를 청정화할 수 있다.

셋째, 펠리클 프레임의 측면에 형성된 슬릿에 파티클 필터와 케미컬 필터를 부착하여 파티클 유입을 막고, 펠리클 내부로 유입되는 가스나 무기이온을 흡착하여 제거할 수 있는 효과가 있다.

넷째, 아웃가스 발생의 80%를 차지하는 내면 접착제를 사용하지 않으므로 아웃가스 총량을 80%정도 저감시킬 수 있다.

다섯째, 펠리클 프레임 하부에 이 보다 넓은(프레임 사이즈보다 양 사이드로 0.15mm 넓은) 면적으로 페트(Pet)를 배치하고, 페트의 상면에 제3접착제를 점착함으로서, 이동시나 펠리클 제조시 펠리클 프레임 내부에서 발생하는 이물을 포집할 수 있다.

여섯째, 페트 및 제3접착제를 분리시킨 후 마스크에 펠리클 프레임을 장착하는 것이므로, 펠리클 프레임 내면 접착제를 제거함으로 포토 제조 공정 중에 아웃 가스도 없고, 아웃 가스에 의해 마스크 상에 패턴된 반도체 회로에 성장성 이물이 발생하는 것을 근본적으로 방지할 수 있다.

일곱째, 포토마스크의 리페어 과정중에 레지듀(residue)를 미연에 방지하도록 제2접착제를 구성하여 리페어시 레지듀를 미연에 방지하는 PSA를 구성하였다.

도 1a와 도 1b는 종래의 펠리클에서 페트(pet)를 분리하는 도면과, 펠리클을 마스크에 부착하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 펠리클 제조방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 3a와 도 3b는 본 발명에 제시된 슬릿의 다른 실시예를 보인 단면 및 평면도이다.
도 4a와 도 4b는 본 발명에 제시된 슬릿의 또 다른 실시예를 보인 단면 및 평면도이다.

본 발명은 펠리클 제조방법에 관한 것으로, 특히 펠리클 제조시 아웃 가스(outgas)를 감소시키는 방법을 제시한 것으로, 이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

본 발명의 펠리클 제조방법은 슬릿에 필터를 부착하는 방법과, 펠리클 프레임 내부에 내면 접착제를 적용하지 않는 것과, 페트(Pet)의 구조를 변경한 것에 그 특징이 있다.

본 발명의 펠리클을 제조하기 위해서는 프레임(frame) 제조 과정에서 발생하는 SO4나 NH4를 최소화할 필요가 있다. 보통 프레임은 산화과정을 거치고 착색과정을 거쳐서 검정색의 프레임을 만든다. 검정색은 노광 광원의 산란을 막기 위하여 미소 분자로 이루어진 도료를 산화 구멍속에 채워 넣으므로서 이루어진다. 따라서 산화 과정중에 알루미늄(Al)은 그레인 바운드리(grain boundary)를 따라 홀(hole)들이 생겨나고 이 산화 구멍속에 착색물질이나 SO4이온들이 남게 된다. 남아 있는 SO4이온들은 펠리클 멤브레인(pellicle membrane)을 따라 포토마스크(photo mask)에 빛을 받는 과정에서 그레인 바운드리(grain boundary) 내부에 있는 SO4이온이 NH4이온과 반응하여 마스크(MASK)의 표면에 염을 형성한다. 이것은 포토 마스크의 결함으로 발생하여 마스크 패턴의 전사시 웨이퍼에 결상 결함을 유발한다.

상기 SO4를 제거하기 위한 방법으로 프레임을 핫(Hot) 디아이워터(D.I.Water:초순수)(50~110도) 30분이상 중탕으로 크리닝(CLEANING)하는 방법, 초음파 세정하는 방법, 프레임을 탱크에 삽입한 후 암모니아(NH3) 가스를 주입하여 SO4와 NH3를 반응시켜서 염((NH4)2SO4)을 형성 후 핫(Hot) D.I.Water(초순수)로 제거하는 방법 혹은 N2 분위기내에서 열풍 건조를 통하여 SO4이온을 SO2로 분해 증발시키는 방법을 들 수 있다.

상기에서 핫(Hot) D.I.Water(초순수) 세정하여 열중탕으로 크리닝하는 방법은, 초음파를 장착하여 프레임내 홀의 SO4를 제거한 후 건조시키는 방법을 사용할 수 있다.

그리고, 암모니아 가스를 SO4와 반응시키는 공정은, 반응용기에 UV 빛을 쬐어 (NH4)2SO4 반응을 촉진시킬 수 있다.

상기와 같이 펠리클 제조 전에 프레임을 처리하는 공정에 있어서, SO4 이온을 제거하는 방법으로 중탕 후 핫 D.I 세정을 하는 공정이나 암모니아 가스로 SO4와 반응시키는 공정이나 열풍건조외에도, 콜드(Cold) D.I 후 베이퍼 드라이(vapor dry)나 스핀 드라이(spin dry)로 건조시키는 공정을 진행할 수도 있다.

그리고, 프레임을 이와 같이 전처리한 후 차후의 공정을 진행한다.

위 프레임(Frame) 처리 작업 이전 또는 이후에, 상기 펠리클 프레임의 측면에 길이방향으로 연장된 슬릿을 형성한다. 이 슬릿은 펠리클을 마스크에 부착시 펠리클 내부의 공기압을 줄일 목적으로 사용된다. 또한, 외부공기와 펠리클 내부의 순환역할을 하기도 한다.

이하, 슬릿을 구비한 펠리클 제조방법에 대하여 설명하면, 도 2a에 도시한 바와 같이, 사각 테두리를 갖는 펠리클 프레임(21)을 준비한다.

이후에, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 펠리클 프레임(21)의 측면에 길이방향으로 연장된 슬릿(22)을 형성한다.

그리고, 도 2c에 도시한 바와 같이, 슬릿(22)이 형성된 상기 펠리클 프레임(21)의 내면에 홈을 형성한 후, 상기 홈내에 케미컬 필터(23)와 파티클 필터(24)를 차례대로 부착시킨다. 이때, 케미컬 필터(23)와 파티클 필터(24)를 형성한 홈은 서로 다른 폭을 갖도록 즉, 스텝을 이루도록 설계하고, 스텝의 안쪽에는 케미컬 필터(23)를 형성하고, 케미컬 필터(23)의 상면의 홈에는 파티클 필터(24)를 부착한다. 상기 홈은 폭이 대략 1mm, 길이는 대략 4mm이고, 깊이는 대략 0.3mm정도로 형성할 수 있다.

상기 홈에 케미컬 필터(23)와 파티클 필터(24)를 설치할 때에는 펠리클 프레임(21)의 표면과 수평이 되도록 하여 차후에 필터의 손상을 최소화시킨다.

상기와 같이 펠리클 프레임(21)에 슬릿(22)을 형성하는 이유는, 펠리클 프레임(21) 내부와 외부의 원활한 순환을 통해 내부에 정체되어 있던 불순물의 농도를 떨어뜨리기 위한 것이다. 즉, 펠리클 프레임(21) 내부에 정체되어 있는 불순물 이온들을 펠리클 외부와의 넓은 공기 순환과정을 거쳐 케미컬 필터(chemical filter)에 의한 트랩에 의해 제거함으로써 석영 마스크에 발생하는 성장성 이물 발생을 근본적으로 차단하기 위함이다.

다음에, 도 2d에 도시한 바와 같이, 펠리클 프레임(21)의 후면에 제1접착제(PSA:Pressure Sensitive Adhesive)(25)를 약 0.6㎛정도의 두께로 프레임을 따라 점착을 실시한다.

보통 PSA는 실리콘(Silicone), 아크릴(Acrylic), 폴리브덴 베이스(Polybutene base)로 브러싱(brusing)이나 스프레이 코팅을 실시한다. 이때 점착제는 프레임이 마스크 표면과 밀착되고, 일정기간 지나면 마스크를 리페어 하기 위해서 레지듀(residue) 없이 Cr으로 부터 탈착이 잘 이루어지는 것을 사용한다. 이러한 조건을 충족시키기 위해서 본 발명은 알루미늄과 접착력을 견고히 하기 위하여 프라임(PRIME) 처리 혹은 플라즈마(PLASMA) 표면처리를 실시하여 접착을 견고히 하였다.

종래에는 이와 같이 접착제의 접착력을 견고히 하기 위해서 실리콘 접착제 계열 혹은 아크릴계(Ayclic)계 혼합물, 핫멜트(Hot melt)계를 사용하였다.

이에 비해, 본 발명은 제1접착제(25)를 고무 기반 접착제(rubber based adhesive)를 적용하였고, 테키퍼(Tackifer)를 최적화하여 2kgf/cm2을 갖도록 표면 처리를 실시하였다. 즉, 제1접착제(25)는 프라임(prime) 처리된 프라이머(Primer)와 아크릴 접착제와 핫 멜트 접착제를 접착한 후 테키퍼(Tackifer) 처리하여 형성한 것이다.

상기에서 프라임 처리는 산화 알루미늄 표면의 개질을 위해 화학 약품처리 또는 플라즈마 처리하여 진행한다. 그리고, 테키퍼는 접착제의 접착력에 따라 접착력을 낮추거나 접착력을 높이는 방법으로, 화학약품이나 무기물을 첨가하여 진행하는 것으로, Cr과의 접착 후 탈착시 접착제나 테키퍼의 잔여물(residue)이 남는 것을 방지하기 위해 진행한다.

또한, 제1접착제(25)는 Si계열의 접착제를 기반으로 하고 윗면을 테키퍼 처리하는 방법을 사용할 수도 있다.

이는 멤브레인(29)이 부착된 프레임을 마스크에 부착하기 위한 것으로, PSA(Pressure sensitive adhesive=제1접착제)를 약 0.6㎛ 정도의 두께로 프레임을 따라 점착을 실시한다. 이때, 점착제는 프레임이 마스크 표면과 밀착되고, 일정기간 지나면 마스크를 리페어하기 위해서 레지듀없이 크롬으로부터 탈착이 잘 이루어지는 것을 사용한다.

그리고, 이렇게 구성된 펠리클 프레임(21)의 하부에 페트(PET:polyethylene terephthalate)(26)을 안착시킨다. 이 페트(26)는 약한 점착력이 오랫동안(대략 2~3개월) 점착성을 잃지 않기 위해 고안된 얇은막이다. 페트(26)를 안착시키기 전에 페트(26)의 상부면에 제2접착제(27)를 부착시킨다.

이때, 페트(26)는 펠리클 프레임(21)의 전체 면적보다 양 사이드로 0.15mm정도 크게 펠리클 프레임(21) 하부에 평판형으로 배치한다. 이와 같이 페트(26)를 펠리클 프레임(21)의 전체 면적보다 크게 그 하부에 대응되도록 평판형으로 배치하고, 페트(26)의 상부면에 제2접착제(27)를 넓게 점착하면, 이동할 때나 펠리클 제조시 프레임 내부에 발생하는 이물을 제2접착제(27)를 통하여 포집할 수 있다.

다음에, 펠리클 프레임(21)의 상부면에 제3접착제(28)(펠리클 멤브레인(Pellicle membrane)을 Al 프레임에 부착시키는 접착제) 보통 CTL-816-AP에 솔벤트(SOLVENT) CT-180이나 CTX-808-SP2에 솔벤트 FC40을 사용하여 도포 및 경화 과정을 거친 후 펠리클 프레임(21) 위에 평판형으로 멤브레인(29)을 부착시킨다.

상기와 같이 제2접착제(27)가 점착되어 있는 페트(26)를 펠리클 프레임(21) 하면에 부착시켜서 펠리클을 완성시킨다.

이후에, 도 2e에 도시한 바와 같이, 펠리클 프레임(21)에서 페트(26)를 탈착시키고, 반도체 회로(30)가 패턴 형성된 마스크(31)를 펠리클 프레임(21)의 하부면에 부착시킨다.

상기에서와 같이 본 발명은 펠리클 프레임(21) 전체를 덮을 수 있도록 페트(26) 상면에 제2접착제(27)를 전체적으로 부착한 것으로, 펠리클 프레임(21)에 내면 접착제를 사용하지 않으므로서 접착제로부터 발생할 수 있는 아웃 가스를 저감시킬 수 있고, 마스크(31)를 펠리클 프레임(21)의 하부에 부착시키기 전에 페트(26)와 제2접착제(27)를 탈착시키므로, 아웃 가스에 의한 포토 마스크의 성장성 이물의 발생을 근본적으로 방지할 수 있다.

상기 펠리클 프레임의 측면에 길이방향으로 연장된 슬릿을 형성할 때, 도 3a와 도 3b에 도시한 바와 같이, 하부는 라인 형상으로 슬릿(22b)을 형성하고, 중간 중간 일정 간격을 갖도록 복수개의 슬릿홀(22a)을 형성할 수도 있다.

또한, 상기에서 슬릿은, 도 4a와 도 4b에 도시한 바와 같이, 서로 다른 폭을 갖고 라인 형상으로 구성되도록 슬릿(22c, 22d)을 이중으로 형성할 수도 있다.

이때, 넓은 폭의 슬릿은 22d이고, 좁은 폭의 슬릿은 22c이다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아니다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 예에 의해서가 아니라 청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
21 : 펠리클 프레임 22, 22b, 22c, 22d : 슬릿
23 : 케미컬 필터 24 : 파티클 필터
25 : 제1접착제 26 : 페트 또는 이형필름
27 : 제2접착제 28 : 제3접착제
29 : 멤브레인 30 : 반도체 회로
31 : 마스크 22a : 슬릿홀

Claims (8)

1. 펠리클 프레임의 아웃 가스인 SO4나 NH4이온을 저감하는 방법을 사용하여 상기 펠리클 프레임의 측면에 스텝 형상의 홈이 구비된 슬릿을 형성하는 단계;
   상기 스텝 형상의 홈에 케미컬 필터와 파티클 필터를 부착시키는 단계;
   상기 펠리클 프레임 하면에 제1접착제를 부착하고, 평판형 이형필름(페트, PET:polyethylene terephthalate)의 상면에 제2접착제를 부착한 후, 상기 평판형 이형필름을 상기 제1접착제를 통하여 상기 펠리클 프레임의 하부에 안착시키는 단계; 및
   상기 펠리클 프레임의 상부면에 제3접착제를 부착한 후 상기 펠리클 프레임의 상부에 멤브레인을 부착시키는 단계를 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 SO4를 제거하는 방법에는,
   상기 펠리클 프레임을 핫 디아이워터(D.I.Water:초순수) 세정하여 중탕 가열하는 방법, 암모니아(NH3) 가스를 주입하여 SO4와 NH3를 반응시켜서 발생된 염((NH4)2SO4)을 핫(HOT) D.I.Water(초순수)로 제거하는 방법, N2 분위기내에서 열풍 건조를 통하여 상기 SO4를 SO2로 분해 증발시키는 방법과 콜드(Cold) D.I 후 베이퍼 드라이나 스핀 드라이로 건조시키는 공정 중 어느 하나로 진행하는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
3. 제2항에 있어서,
   상기 핫(Hot) D.I.Water(초순수) 세정하여 중탕으로 크리닝하는 방법은, 초음파를 장착하여 상기 펠리클 프레임내 슬릿의 SO4를 제거한 후 건조시켜서 진행함을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
4. 제2항에 있어서,
   상기 암모니아 가스를 주입하여 SO4와 NH3를 반응시키는 공정은, 반응용기에 UV 빛을 쬐어 상기 염((NH4)2SO4)의 발생을 촉진시켜서 진행함을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
5. 제1항에 있어서,
   제1접착제는 프라임(prime) 처리된 프라이머(Primer)와 아크릴 접착제와 핫 멜트 접착제를 접착한 후 테키퍼(Tackifer) 처리하여 형성된 것을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
6. 제5항에 있어서,
   상기 프라임 처리는 산화 알루미늄 표면변화를 목적으로 화학 약품처리 또는 플라즈마 처리하여 진행함을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
7. 제5항에 있어서,
   상기 테키퍼는 화학약품이나 무기물을 첨가하여 진행함을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.
8. 제1항에 있어서,
   상기 이형필름(PET)는 상기 펠리클 프레임의 전체 면적보다 크게 평판형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 제조방법.

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