JPWO2019172170A1 - グラファイト薄膜を含むペリクル - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 222
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 189
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 189
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 124
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 83
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 2
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 82
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 52
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 16
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 7
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000833 X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 5
- -1 polyquinoxaline Polymers 0.000 description 5
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 5
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 4-[1-(3,4-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IJJNNSUCZDJDLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQIALXKABMTJBC-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole benzo[b][1,10]phenanthroline Chemical compound c1nc2ccccc2[nH]1.c1ccc2nc3c(ccc4cccnc34)cc2c1 UQIALXKABMTJBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dichlorobenzidine Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(Cl)=C1 HUWXDEQWWKGHRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenoxy)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(OC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O SMDGQEQWSSYZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenoxy)aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LXJLFVRAWOOQDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminophenyl)sulfonylaniline Chemical compound NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 LJGHYPLBDBRCRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 3-(4-aminophenoxy)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(N)=C1 ZBMISJGHVWNWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 3-[(2,3-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonylphthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 AVCOFPOLGHKJQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- WRPSKOREVDHZHP-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1.NC1=CC=C(N)C=C1 WRPSKOREVDHZHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFZLEPZOUPVZTB-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarbaldehyde Chemical compound O=CC1=C(C=O)C=C2C=C(C=O)C(C=O)=CC2=C1 CFZLEPZOUPVZTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
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- C01B32/205—Preparation
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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Abstract
Description
[1]グラファイト薄膜を含むペリクルであって、グラファイト薄膜の表面粗さSaが0.1nm以上、500nm以下であり、グラファイト薄膜の膜厚が5nm以上、30nm以下であるペリクル。
[2]前記グラファイト薄膜の膜厚が5nm以上、20nm以下である[1]に記載のペリクル。
[3]前記グラファイト薄膜の密度が、2.10g/cm3以上、2.26g/cm3以下である[1]または[2]に記載のペリクル。
[4]前記グラファイト薄膜の表面粗さSaが1nm以上、350nm以下である[1]〜[3]のいずれかに記載のペリクル。
[5]前記グラファイト薄膜のラマンスペクトルにおけるGバンド強度(I(G))に対する、Dバンド(I(D))の強度の比(I(D)/I(G))が、0以上、0.5以下である[1]〜[4]のいずれかに記載のペリクル。
[6][1]〜[5]のいずれかに記載のペリクルと、枠を含むペリクル複合体。
[7]炭素化膜を、張力をかけながら、2200℃以上の温度で焼成し、グラファイト薄膜を得る工程を含むペリクルの製造方法であって、
表面粗さSaが0.1nm以上、500nm以下であり、且つ膜厚が5nm以上、30nm以下であるグラファイト薄膜を含むペリクルの製造方法。
[8]さらに、高分子膜に張力をかけながら炭化し、炭素化膜を得る工程を含む[7]に記載のペリクルの製造方法。
[9]前記焼成の少なくとも一部で、炭素化膜を黒鉛で挟んだ状態で焼成する[7]または[8]に記載のペリクルの製造方法。
[10]高分子膜を黒鉛に挟んだ状態で炭化する[8]または[9]に記載のペリクルの製造方法。
本発明は、膜厚が5nm〜30nmであり、かつ、表面粗さSaが0.1nm〜500nmであるグラファイト薄膜を含むペリクルに関する。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の膜厚は、EUV透過率、EUV透過率均一性、膜強度の観点から、5nm〜30nmであり、5nm〜20nmが好ましく、5nm〜18nmが特に好ましい。前記膜厚が5nm以上であると、EUV透過率均一性が良好であり、また膜強度を高くできる。また、前記膜厚が30nm以下であると、EUV透過率とEUV透過率均一性を良好にできる。
本発明で特定するグラファイト薄膜の膜厚は、EUV透過率から求められる値で定義される。EUV透過率は、膜上を走査して求められ、位置による膜厚の変化を求めることが出来る。
膜厚(nm)=Log0.998(T[%]/100)×0.3354
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の膜厚誤差は、EUV透過率均一性の観点から、10%以下が好ましく、5%以下がより好ましく、3%以下が特に好ましい。前記膜厚誤差が10%以下であると、EUV透過率均一性を良好にできる。ここで膜厚誤差とは、膜厚の標準偏差を平均膜厚の割合で示したもので、次の式で示される。
膜厚誤差(%)= 標準偏差/平均膜厚×100(%)
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の面積は、例えば3cm2以上とすることもでき、20cm2以上が好ましく、より好ましくは30cm2以上であり、更に好ましくは40cm2以上であり、本発明におけるグラファイト薄膜によれば、このような大面積であっても十分な強度を確保でき、取扱性が良好である。グラファイト薄膜の面積は、フォトマスクより大きい12cm×15cm以上が好ましく、20cm×20cm以上がより好ましく、25cm×40cm以上が特に好ましい。グラファイト薄膜の面積の上限は特に限定されないが、例えば50cm×50cmである。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の表面粗さ(Sa)は、0.1nm以上、500nm以下である。表面粗さは、1nm以上が好ましく、より好ましくは3nm以上であり、更に好ましくは5nm以上であり、また350nm以下が好ましく、200nm以下がより好ましく、100nm以下が更に好ましい。なお本発明における表面粗さSaは、ISO 25178に基づいて求められる算術平均高さを意味する。グラファイト薄膜の膜厚が同じであっても、表面粗さが大きいと、EUV透過率は低下する。またEUV透過率の均一性も低くなるため、表面粗さは小さいほうが好ましい。表面粗さ(Sa)は、レーザー顕微鏡を用いて測定することが好ましい。表面粗さ(Sa)の測定位置は特に制限されないが、中心部と端部を含む複数箇所を測定し、その平均を、表面粗さ(Sa)とすることが望ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の密度は、膜強度の観点から、1.80g/cm3〜2.26g/cm3が好ましく、2.00g/cm3〜2.26g/cm3がより好ましく、2.10g/cm3〜2.26g/cm3がさらに好ましく、2.20g/cm3〜2.26g/cm3が特に好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜のグラフェン層数と膜厚の関係は次の式で示される。
グラファイト薄膜のグラフェン層数=膜厚(nm)/単層グラフェンの膜厚(0.3354nm)
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜は、レーザーラマン測定で膜が炭素質であるかグラファイト質であるかを評価できる。レーザーラマン分光の場合、1575〜1600cm-1付近にグラファイト構造に起因するGバンドが現れ、1350〜1360cm-1付近にアモルファスカーボン構造に起因するDバンドが現れる。ラマンスペクトルにおけるGバンド強度(I(G))と、Dバンド(I(D))の強度との比(I(D)/I(G))は、0以上、0.5以下が好ましく、0以上、0.1以下がより好ましく、0以上、0.05以下が特に好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の波長13.5nmの光(EUV)透過率は、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上がさらに好ましく、95%以上が特に好ましい。EUV透過率は高いほど好ましいが、本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜が達成できる値の上限は、通常99%程度である。
本発明では、グラファイト薄膜の表面粗さSaが0.1nm以上、500nm以下であり、膜内でのEUV透過率の均一性に優れている。EUV透過率の均一性は、膜上を走査して求められたEUV透過率の標準偏差の3倍(3σ)で評価することができ、その値は例えば1.5%以下であり、好ましくは1.3%以下であり、より好ましくは1.2%以下であり、下限は特に限定されないが、例えば0.3%程度である。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の面方向の熱伝導率は、ペリクルに生じる熱を放熱し、過度の温度上昇をさせないようにする観点で、1000W/mK〜5000W/mKが好ましく、1500W/mK〜5000W/mKがより好ましく、2000W/mK〜5000W/mKが特に好ましい。前記面方向の熱伝導率が1000W/mK以上であると、ペリクルに生じる熱を効率良く放熱することができ、ペリクルの耐久性を向上できる。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の電気伝導度は、10,000S/cm〜25,000S/cmが好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜のキャリア移動度は、10,000cm2/Vs〜15,000cm2/Vsが好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜の引張強度は、5MPa〜100MPaが好ましく、50MPa〜100MPaがより好ましく、80〜100MPaが特に好ましい。前記引張強度が、5MPa以上であると、破損することなく枠への張設などの取り扱いをすることが可能となる。
本発明のペリクルに用いられるグラファイト薄膜の550nmにおける屈折率は、1.9〜4.0が好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜は、アウトガスやEUV耐久性の観点から、全組成中に炭素が95〜100モル%含まれることが好ましい。
本発明のペリクルを形成するグラファイト薄膜は結晶状態が良好であることが好ましく、例えば上記したラマンスペクトル強度比I(D)/I(G)が小さい程(好ましくは0.5以下、より好ましくは0)、アモルファス構造の割合が少ないと言え、結晶状態が良好であると言える。結晶状態は、単結晶状態、又は多結晶状態であることが望ましい。単結晶構造のグラファイト薄膜は、膜強度が高く、熱伝導性が高い点で好ましい。一方、多結晶状態のグラファイト薄膜は、製造しやすく、コストの面で好ましい。
また、本発明のペリクルは、後述する実施例で評価する通り、EUVに対する耐久性にも優れている。
グラファイト薄膜の製造方法としては、特に限定されないが、高分子膜焼成法、炭素固体を原料とするアーク放電法や、炭化水素系ガスを原料とするプラズマCVD法、メタンガスを原料とする真空中のプラズマジェット法等が挙げられる。
さらに、本発明のペリクルは、グラファイト薄膜と別の膜を積層した積層体からなってもよい。積層体とすることにより、熱耐性や水素ラジカル耐性を付与することができる。
<ペリクル枠>
本発明のペリクルは、グラファイト薄膜とペリクル枠を含む複合体からなるペリクルであってもよい。ペリクルをペリクル枠へ張設する方法は特に限定されず、例えば膜接着材層を用いる方法であってもよいし、上下から機械的に挟み込み張設する方法であってもよい。
ペリクル枠の形状は、フォトマスクを覆うのに充分なペリクルの面積が確保出来ていれば問わない。円形や楕円形であってもよいし、四角形などの多角形、又はその他の形でも良い。多角形である場合は、角が丸みを帯びていてもよい。また、EUV露光装置内との気圧を一定とするための通気孔を有してもよい。
ペリクル枠の素材は、ペリクルを張設可能な枠であれば制限されず、例えばシリコン、アルミニウム、ステンレスなどの金属単体又は合金、黒鉛、セラミックスなどが挙げられる。
膜の膜厚は、下記方法により測定したEUV透過率から算出した。EUV透過率は、下記測定方法に示す通り、膜上を走査して求められる。EUV透過率(T)とグラファイト薄膜の膜厚の関係は、単層グラフェンの、波長13.5nmの光の透過率(0.998)と単層グラフェンの膜厚(0.3354nm)で次の式で示される。
膜厚(nm)=Log0.998(T[%]/100)×0.3354
本発明において、膜の表面粗さ(Sa)は、レーザー顕微鏡で測定し、ISO 25178に基づいて算出した。レーザー顕微鏡の拡大倍率:50倍、カットオフ値(λc):80μmとした。表面粗さ(Sa)の測定位置は特に制限されないが、中心部1箇所と端部4箇所を含む複数箇所を測定し、その平均を、表面粗さ(Sa)とすることが望ましい。
EUV透過率測定は、以下のように行った。EUV照射装置(ニュースバル(施設名) BL−10、兵庫県立大)にて、波長13.5nmの光(EUV)をペリクルに照射した。光源強度は数十μW/cm2、EUVの照射方向は膜面に対して垂直方向とし、膜上を走査するように照射し、EUV透過率を測定した。
EUV透過率均一性は、膜上を走査して求められたEUV透過率の標準偏差の3倍(3σ)であらわされる。3σの値が小さいほど、EUV透過率均一性が良いといえる。
EUV照射装置(ニュースバル(施設名) BL−9、兵庫県立大)にて、波長13.5nm、光源強度約170mW/cm2のEUVを2時間、ペリクルに照射した。EUV耐久性は、耐久性試験前後で(1)外観、(2)C―K端のXAFS、又は(3)ラマンスペクトルの比較を行うことによって評価した。
炭素を含む素材のC―K端XAFSは、sp2炭素に特徴的な285.5eV付近のπ*ピーク、293eV付近のσ*ピークなどが見られる。これらのピークは炭素原子の結合様式を示しており、EUVの照射前後でC―K端XAFSに変化が無いという事は、グラファイト薄膜からなるペリクルがEUVに対して耐久性を有するといえる。
グラファイト薄膜の寸法、膜厚を測定することによって体積(cm3)を算出するとともに、別途、グラファイト薄膜の質量(g)を測定し、密度(g/cm3)=質量(g)/体積(cm3)の式から、密度を算出した。
グラファイト薄膜の電気伝導度の測定はファン・デル・ポー法によって行った。この方法は薄膜状の試料の電気伝導度を測定するのに最も適した方法である。この測定法の詳細は(第四版)実験化学講座9 電気・磁気(社団法人日本化学会編、丸善株式会社発行(平成3年6月5日発行)(P170)に記載されている。この手法の特徴は、任意の形状の薄膜試料端部の任意の4点に電極をとり測定を行うことが出来ることであり、試料の厚さが均一であれば正確な測定が行える点である。本発明においては1cm×1cmの試料を用い、それぞれの4つの角(稜)に銀ペースト電極を取り付けて行った。測定は(株)東洋テクニカ製、比抵抗/DC&ACホール測定システム、ResiTest 8300を用いて行った。
グラファイト薄膜をサイズ10×30mmに切り出し、両端を厚み12.5μmのポリイミドテープで補強した。作製した測定用試料を縦型電動計測スタンド((株)イマダ社製EMX−1000N)にセットした。引張速度を5mm/minとし、引張強度はデジタルフォースゲージ((株)イマダ社製ZTA−5N)で測定した。
作製したグラファイト薄膜の炭素比率は、(株)日立ハイテクノロジーサービス製走査型電子顕微鏡(SEM)SU4600と、(株)堀場製作所製大口径SDD検出器(EDX−XMax)を用いて測定した。加速電圧20kVにてグラファイト薄膜の分析を行い、付属ソフトウェアで解析後に算出された炭素原子数濃度(%)により決定した。
膜の結晶状態は、ラマンスペクトルにおける、Gバンド強度(I(G))と、Dバンド(I(D))の強度との比(I(D)/I(G))で評価した。I(D)/I(G)が0.5以下である場合を、欠陥が少なく良好なグラファイト結晶であると評価した。I(D)/I(G)は0であることが好ましい。
ラマン強度は、レーザーラマン顕微鏡で測定した。測定位置は特に制限されないが、中心部1箇所と端部4箇所を含む複数箇所を測定し、それぞれのGバンド強度(I(G))と、Dバンド(I(D))の強度、その平均値を用いることが望ましい。
ピロメリット酸二無水物、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、p-フェニレンジアミンをモル比で2:1:1の割合で合成したポリアミド酸の5.0質量%のDMF(ジメチルホルムアミド)溶液を合成し、スピンコーターを用いて金属基板上に塗布した。この金属箔とポリアミド酸溶液の積層体を125℃、250℃、450℃で各60秒間加熱した後、金属箔から剥離し、直径8cmの円形、膜厚が110nmのポリイミド膜(A−1)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を4.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が90nmのポリイミド膜(A−2)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を6.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が150nmのポリイミド膜(A−3)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を9.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が220nmのポリイミド膜(A−4)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を9.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が280nmのポリイミド膜(A−5)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を17.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が3900nmのポリイミド膜(A−6)を作製した。
ポリアミド酸の濃度を12.0質量%にした以外は、製造例1−1と同様にして、直径8cmの円形、膜厚が500nmのポリイミド膜(A−7)を作製した。
製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)を、グラファイトシートで挟み込み、電気炉を用いて、窒素ガス雰囲気中、5℃/分の速度で950℃まで昇温し、950℃で20分間保ったのち自然冷却させ、炭素化膜を得た。得られた炭素化膜を、膜の端部に錘を設置し、張力をかけながら、アルゴンガス雰囲気中で5℃/分の速度で2800℃まで昇温し、2800℃で20分間保ったのち自然冷却させ、直径が約2〜3cmの円形状のグラファイト薄膜(B−1)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−2で得られたポリイミド膜(A−2)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−2)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−3で得られたポリイミド膜(A−3)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−3)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−4で得られたポリイミド膜(A−4)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−4)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−5で得られたポリイミド膜(A−5)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−5)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−6で得られたポリイミド膜(A−6)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−6)を得た。
製造例1−3で得られたポリイミド膜(A−3)を、グラファイトシートで挟み込み、電気炉を用いて、窒素ガス雰囲気中、5℃/分の速度で950℃まで昇温し、950℃で20分間保ったのち自然冷却させ、炭素化膜を得た。得られた炭素化膜を、アルゴンガス雰囲気中で5℃/分の速度で2800℃まで昇温し、2800℃で20分間保ったのち自然冷却させ、グラファイト薄膜(B−7)を得た。
製造例2−7において、製造例1−3で得られたポリイミド膜(A−3)に代えて、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−8)を得た。
製造例2−7において、製造例1−3で得られたポリイミド膜(A−3)に代えて、製造例1−2で得られたポリイミド膜(A−2)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−9)を得た。
製造例2−7において、製造例1−3で得られたポリイミド膜(A−3)に代えて、製造例1−4で得られたポリイミド膜(A−4)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−10)を得た。
製造例2−1において、製造例1−1で得られたポリイミド膜(A−1)に代えて、製造例1−7で得られたポリイミド膜(A−7)を用いた以外は同様として、グラファイト薄膜(B−11)を得た。グラファイト薄膜(B−11)の引張強度は40MPaであった。グラファイト薄膜(B−1)〜(B−3)も、(B−11)と同じ原料を用いて同じ要領で作製しているため、(B−11)と同等の引張強度を有すると考えられる。
表面状態が鏡面であり、膜厚が18.5nmであるグラファイト薄膜(B−1)を底の無い枡型のジグに張設し、ペリクルとした。ジグは、縦横の外寸が12mm、内寸が10mm、高さ10mmであり、ジグの素材にはアウトガスの出にくいA5052合金を用いた。ペリクルの固定には、エポキシ樹脂接着剤を用いた。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−2)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−3)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−4)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−5)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−6)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−7)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−8)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−9)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−10)を用いた以外は同様とした。
実施例1において、グラファイト薄膜(B−1)に代えて、グラファイト薄膜(B−11)を用いた以外は同様とした。
Claims (10)
- グラファイト薄膜を含むペリクルであって、
前記グラファイト薄膜の表面粗さSaが0.1nm以上、500nm以下であり、
前記グラファイト薄膜の膜厚が5nm以上、30nm以下であるペリクル。 - 前記グラファイト薄膜の膜厚が5nm以上、20nm以下である請求項1に記載のペリクル。
- 前記グラファイト薄膜の密度が、2.10g/cm3以上、2.26g/cm3以下である請求項1または請求項2に記載のペリクル。
- 前記グラファイト薄膜の表面粗さSaが1nm以上、350nm以下である請求項1〜請求項3のいずれかに記載のペリクル。
- 前記グラファイト薄膜のラマンスペクトルにおけるGバンド強度(I(G))に対する、Dバンド(I(D))の強度の比(I(D)/I(G))が、0以上、0.5以下である請求項1〜請求項4のいずれかに記載のペリクル。
- 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のペリクルと、枠を含むペリクル複合体。
- 炭素化膜を、張力をかけながら、2200℃以上の温度で焼成し、グラファイト薄膜を得る工程を含むペリクルの製造方法であって、
表面粗さSaが0.1nm以上、500nm以下であり、且つ膜厚が5nm以上、30nm以下であるグラファイト薄膜を含むペリクルの製造方法。 - さらに、高分子膜に張力をかけながら炭化し、炭素化膜を得る工程を含む請求項7に記載のペリクルの製造方法。
- 前記焼成の少なくとも一部で、炭素化膜を黒鉛で挟んだ状態で焼成する請求項7または請求項8に記載のペリクルの製造方法。
- 高分子膜を黒鉛に挟んだ状態で炭化する請求項8または請求項9に記載のペリクルの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018043100 | 2018-03-09 | ||
JP2018043100 | 2018-03-09 | ||
PCT/JP2019/008330 WO2019172170A1 (ja) | 2018-03-09 | 2019-03-04 | グラファイト薄膜を含むペリクル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019172170A1 true JPWO2019172170A1 (ja) | 2021-03-04 |
JP7304035B2 JP7304035B2 (ja) | 2023-07-06 |
Family
ID=67846126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020505011A Active JP7304035B2 (ja) | 2018-03-09 | 2019-03-04 | グラファイト薄膜を含むペリクル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11372326B2 (ja) |
EP (1) | EP3764160A4 (ja) |
JP (1) | JP7304035B2 (ja) |
WO (1) | WO2019172170A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11443916B2 (en) * | 2020-04-15 | 2022-09-13 | Kla Corporation | Thin pellicle material for protection of solid-state electron detectors |
JP2022191120A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 気圧調整が容易な露光用ペリクル |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
WO2015166927A1 (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | 三井化学株式会社 | ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2015178250A1 (ja) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | 三井化学株式会社 | ペリクル膜、ペリクル、露光原版、露光装置及び半導体装置の製造方法 |
US20160282712A1 (en) * | 2013-12-17 | 2016-09-29 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan Univer Sity | Pellicle film including graphite-containing thin film for extreme ultraviolet lithography |
JP2016539372A (ja) * | 2013-12-05 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ペリクルを製造するための装置および方法ならびにペリクル |
US20180004082A1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle for photomask and exposure apparatus including the pellicle |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4932331A (en) * | 1987-10-16 | 1990-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Novel single-bond carbon film and process for the production thereof |
WO2011160861A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2015171968A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 日本電気株式会社 | グラフェン・グラファイト膜またはナノカーボンとグラフェン・グラファイトの複合化膜の形成方法 |
CN109874344B (zh) | 2015-04-15 | 2023-03-28 | 株式会社钟化 | 离子束用的电荷转换膜 |
US9864270B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Pellicle and method for manufacturing the same |
KR101813186B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2017-12-28 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크용 펠리클과 이를 포함하는 레티클 및 리소그래피용 노광 장치 |
JP6504626B2 (ja) | 2017-12-22 | 2019-04-24 | 株式会社サンセイアールアンドディ | 遊技機 |
-
2019
- 2019-03-04 WO PCT/JP2019/008330 patent/WO2019172170A1/ja active Application Filing
- 2019-03-04 JP JP2020505011A patent/JP7304035B2/ja active Active
- 2019-03-04 EP EP19763403.3A patent/EP3764160A4/en active Pending
-
2020
- 2020-09-04 US US17/012,912 patent/US11372326B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
JP2016539372A (ja) * | 2013-12-05 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ペリクルを製造するための装置および方法ならびにペリクル |
US20160282712A1 (en) * | 2013-12-17 | 2016-09-29 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan Univer Sity | Pellicle film including graphite-containing thin film for extreme ultraviolet lithography |
WO2015166927A1 (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | 三井化学株式会社 | ペリクル枠、ペリクル及びその製造方法、露光原版及びその製造方法、露光装置、並びに半導体装置の製造方法 |
WO2015178250A1 (ja) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | 三井化学株式会社 | ペリクル膜、ペリクル、露光原版、露光装置及び半導体装置の製造方法 |
US20180004082A1 (en) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pellicle for photomask and exposure apparatus including the pellicle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11372326B2 (en) | 2022-06-28 |
TW201938485A (zh) | 2019-10-01 |
EP3764160A1 (en) | 2021-01-13 |
US20200401038A1 (en) | 2020-12-24 |
WO2019172170A1 (ja) | 2019-09-12 |
JP7304035B2 (ja) | 2023-07-06 |
EP3764160A4 (en) | 2021-12-01 |
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