JP2013222143A - 半導体装置の製造方法および露光用マスク - Google Patents

Abstract

【課題】露光用マスクの内部領域を、化学的にクリーンな雰囲気に保つ。
【解決手段】レチクル１００の第１面には、露光パターン１１０が設けられている。ペリクル２００は、レチクル１００の第１面側に当該第１面を覆うように設けられている。内側フレーム３２２は、レチクル１００およびペリクル２００に接し、平面視で露光パターンよりも外側で当該露光パターンを囲むように設けられている。また、内側フレーム３２２は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２を有している。外側フレーム３２４は、レチクル１００およびペリクル２００に接し、平面視で内側フレーム３２２を囲むように設けられている。外側フレーム３２４は、少なくとも一つ以上の第２貫通孔３４４を有している。イオン吸着剤４２０は、レチクル１００およびペリクル２００の間に設けられ、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間に設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法および露光用マスクに関する。

レチクルの露光パターンに対して異物が付着することを抑制するために、様々な露光用マスクの形態が提案されている。

特許文献１（特開２０００−１９４１２１号公報）には、以下のようなペリクルが記載されている。ペリクル膜およびレチクルの間には、外枠フレームと、当該外枠フレームの内側に配置された内枠フレームと、が設けられている。外枠フレームと内枠フレームとは、接続部材によって連結固定されている。外枠フレームの外面と内面とを貫通するように、気圧調整孔が設けられている。気圧調整孔の外面側の開口部には、フィルタが設けられている。気圧調整孔の内部には活性炭等の吸着剤を含んだ無機系ポリマー粘着材が配置されている。これにより、外部から異物が内部に侵入することを防止することができるとされている。

また、特許文献２（特開２０００−３５２８１２号公報）には、以下のようなペリクルが記載されている。一重のペリクル枠の内側には、粘着剤層が設けられている。当該粘着層には、リン酸などの補足物質が付与されている。これにより、ペリクル内の気体中に存在し、レチクルパターン面上での硫酸アンモニウムなどの析出物を形成する要因となるアンモニアなどの析出要因物質を捕捉することができるとされている。

また、特許文献３（特開平０２−２５００５５号公報）には、以下のようなフォトマスクが記載されている。一重のペリクル枠のうち、少なくとも一部には、外側から内側へ貫通するように、開口部が設けられている。当該開口部の断面形状は、長方形ではなく、たとえば「くの字」状である。さらに、開口部内に粘着層を備えている。当該粘着層として、アクリルエマルジョン系粘着剤が開示されている。これにより、レチクル内部に異物が侵入することがないとされている。

また、特許文献４（特開平０４−２６９７５２号公報）には、以下のようなペリクルが記載されている。フレームの表面または裏面に、溝が設けられている。当該溝には、気体状の水分を吸収する乾燥剤が収納されている。当該フレームのうち溝から内側面に貫通する貫通孔が設けられている。これにより、フレーム内の空間には、水分が含まれない。したがって、フレーム内の空間に、硫酸が残存していても、水と反応して反応物を生成することがないとされている。

また、特許文献５（特開平０５−１０７７４７号公報）には、以下のようなフォトマスクが記載されている。ペリクル枠の少なくとも一部は、空洞状である。そのペリクル側の側壁、および反対側の側壁のそれぞれにおいて、少なくとも一つの開孔部が設けられている。当該開孔部と空洞部とによって、ペリクル、ペリクル枠およびフォトマスクに囲まれる領域と、外気との通気性が確保されている。これにより、フォトマスクやペリクル面に異物を付着させることなく、ペリクル面の平坦性を維持することができるとされている。

特開２０００−１９４１２１号公報 特開２０００−３５２８１２号公報 特開平０２−２５００５５号公報 特開平０４−２６９７５２号公報 特開平０５−１０７７４７号公報

近年では、レチクルにおける露光パターンの微細化に伴い、露光光の波長が短波長化している。このため、ペリクルで覆われた露光用マスク内に存在する陰イオンおよび陽イオンの反応が促進される。したがって、以前より、レチクル上に異物が発生しやすいという問題が顕著に生じている。

本発明によれば、
露光用マスクを用い、半導体基板上に塗布された感光性樹脂膜を露光する露光工程を備え、
前記露光用マスクは、
第１面に露光パターンが設けられたレチクルと、
前記第１面側に前記第１面を覆うように設けられ、少なくとも前記露光パターンよりも広い面積を有するペリクルと、
前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記露光パターンよりも外側で当該露光パターンを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有する内側フレームと、
前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記内側フレームを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第２貫通孔を有する外側フレームと、
前記レチクルおよび前記ペリクルの間に設けられ、平面視で前記内側フレームおよび前記外側フレームの間に設けられたイオン吸着剤と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、
第１面に露光パターンが設けられたレチクルと、
前記第１面側に前記第１面を覆うように設けられ、少なくとも前記露光パターンよりも広い面積を有するペリクルと、
前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記露光パターンよりも外側で当該露光パターンを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有する内側フレームと、
前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記内側フレームを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第２貫通孔を有する外側フレームと、
前記レチクルおよび前記ペリクルの間に設けられ、平面視で前記内側フレームおよび前記外側フレームの間に設けられたイオン吸着剤と、
を備える露光用マスクが提供される。

本発明によれば、内側フレームおよび外側フレームには、それぞれ第１貫通孔および第２貫通孔が設けられている。また、平面視で内側フレームおよび外側フレームとの間には、イオン吸着剤が設けられている。これにより、外気と、露光用マスクの内部領域との間において、雰囲気の入れ替えを容易に行うことができる。また、雰囲気が入れ替わる際に、イオン吸着剤によって、異物を発生させる原因物質の濃度を低下させることができる。したがって、露光用マスクの内部領域を、化学的にクリーンな雰囲気に保つことができる。

本発明によれば、露光用マスクの内部領域を、化学的にクリーンな雰囲気に保つことができる。

第１の実施形態に係る露光用マスクの構成を示す図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１貫通孔または第２貫通孔の断面形状を説明するための断面図である。 第２の実施形態に係る露光用マスクの構成を示す図である。 第３の実施形態に係る露光用マスクの構成を示す平面図である。 第４の実施形態に係る露光用マスクの一部を示す平面図である。 第５の実施形態に係る露光用マスクの一部を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１〜図３を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法および露光用マスク２０について説明する。第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法は、露光用マスク２０を用い、半導体基板６００上に塗布された感光性樹脂膜を露光する露光工程を備えている。また、第１の実施形態に係る露光用マスク２０は、以下の構成を備えている。レチクル１００の第１面には、露光パターン１１０が設けられている。ペリクル２００は、レチクル１００の第１面側に当該第１面を覆うように設けられている。また、ペリクル２００は、少なくとも露光パターン１１０よりも広い面積を有している。内側フレーム３２２は、レチクル１００およびペリクル２００に接し、平面視で露光パターン１１０よりも外側で当該露光パターン１１０を囲むように設けられている。また、内側フレーム３２２は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２を有している。外側フレーム３２４は、レチクル１００およびペリクル２００に接し、平面視で内側フレーム３２２を囲むように設けられている。外側フレーム３２４は、少なくとも一つ以上の第２貫通孔３４４を有している。イオン吸着剤４２０は、レチクル１００およびペリクル２００の間に設けられ、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間に設けられている。以下、詳細を説明する。

まず、図２を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法の概略について説明する。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための断面図である。

図２のように、半導体基板６００には、開口部（符号不図示）を有する素子分離領域６８０が形成されている。たとえば、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法により、ＳｉＯ_２からなる素子分離領域６８０が形成されている。または、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法により、素子分離領域６８０が形成されていてもよい。

半導体基板６００のうち所定の位置に、ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０が設けられている。ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０をマスクとして、半導体基板６００に不純物を注入することにより、エクステンション領域６４０が形成されている。ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０の側壁には、側壁絶縁膜７８０が形成されている。

また、ゲート電極８２０および側壁絶縁膜７８０をマスクとして、半導体基板１００に不純物を注入することにより、ソース領域６１０およびドレイン領域６２０が形成されている。

半導体基板６００上、ゲート電極８２０上および素子分離領域６８０上には、層間絶縁層９００が設けられている。層間絶縁層９００には、ソース領域６１０およびドレイン領域６２０と接するビア８４０が設けられている。ビア８４０上には、配線８６０が設けられている。さらに、複数の層間絶縁層９００が積層されている。これにより、多層配線層が形成されている。

以上のような構成を有する半導体装置１０のうち、何れかの構成要素をパターニングするために、フォトリソグラフィー工程を行う。具体的には、素子分離領域６８０を形成する際にＳｉＮなどのマスク層をパターニングする工程、ゲート絶縁層７００並びにゲート電極８２０をパターニングする工程、または層間絶縁層９００にビア８４０または配線８６０を形成する際にビアホールまたは配線溝を形成する工程などにおいて、フォトリソグラフィー工程を行う。当該フォトリソグラフィー工程は、後述する露光用マスク２０を用い、半導体基板６００上に塗布された感光性樹脂膜（不図示）を露光する露光工程を備えている。

次に、図１を用い、第１の実施形態に係る露光用マスク２０について説明する。図１は、第１の実施形態に係る露光用マスク２０の構成を示す図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）におけるＢ−Ｂ'線断面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ'線断面図である。当該露光用マスク２０は、レチクル１００、ペリクル２００、内側フレーム３２２、外側フレーム３２４およびイオン吸着剤４２０を備えている。これにより、露光用マスク２０の内部領域を、化学的にクリーンな雰囲気に保つことができる。以下、それぞれの構成について詳細を説明する。

レチクル１００の第１面には、露光パターン１１０が設けられている。具体的には、レチクル１００のうち、内側フレーム３２２よりも内側に、露光パターン１１０が設けられている。当該露光パターン１１０には、上記したフォトリソグラフィー工程のいずれかのパターンが形成されている。この露光用マスク２０は、プロセスノードが１０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である露光工程に用いられる。半導体装置１０がロジック系回路を有している場合、露光パターン１１０のハーフピッチは、たとえば４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である。または、半導体装置１０がメモリ系回路を有している場合、露光パターン１１０のハーフピッチは、たとえば１０以上２８ｎｍ以下である。ここでいう「ハーフピッチ」とは、ゲート電極８２０の線幅の中心から、当該ゲート電極８２０間の中心までの距離のことをいう。このような微細パターンでは、レチクル１００上にヘイズが生じた場合、特にパターン欠陥を生じさせる可能性がある。このようなパターン欠陥は、短絡もしくは断線、抵抗の上昇、またはリーク電流を生じさせるなど、半導体装置１０の特性に悪影響を及ぼす。なお、ここでいう「ヘイズ」（Ｈａｚｅ）とは、レチクル１００上に生成する成長性の異物のことである。

また、当該露光用マスク２０を用いる露光工程において、露光光の波長は、たとえば２５０ｎｍ以下である。具体的には、露光光はたとえばＡｒＦエキシマレーザ光であり、当該露光光の波長は１９３ｎｍである。または、露光光はたとえばＫｒＦエキシマレーザ光であり、当該露光光の波長は２４８ｎｍである。これにより、上記した微細パターンを形成することができる。しかし、このような短波長の露光光を用いることによって、露光用マスク２０の内部領域に存在する陰イオンおよび陽イオンなどの反応が促進される可能性がある。なお、ここでいう「露光用マスク２０の内部領域」とは、内側フレームおよびペリクルで囲まれた内部領域のことをいう。

また、露光用マスク２０は、たとえば位相シフトマスクである。具体的には、レチクル１００上の露光パターン１１０は、ＭｏＳｉにより形成されている。ＭｏＳｉのレチクル１００の透過率は、Ｃｒのレチクルよりも高い。この場合、当該露光用マスク２０の内部領域に、光が多く透過する。このため、ヘイズを生成する光化学反応が起こりやすい。

以上のような構成のレチクル１００または露光光を用いる場合、ヘイズによって顕著にパターン欠陥を生じやすい。そこで、第１の実施形態のような露光用マスク２０を用いることにより、効果的にヘイズの生成を抑制することができる。すなわち、パターン欠陥の発生を抑制することができる。

ペリクル２００は、レチクル１００の第１面側に、第１面を覆うように設けられている。ペリクル２００は、レチクル１００の第１面に設けられた露光パターン１１０に、異物が付着することを防止するために設けられている。ペリクル２００は、少なくとも露光パターン１１０よりも広い面積を有している。ここでは、ペリクル２００は、少なくとも平面視で、後述する外側フレーム３２４で囲まれた領域と重なるように設けられている。

ペリクル２００は、上記した露光光を透過する材料により形成されている。具体的には、ペリクル２００は、たとえばセルロース誘導体を含む材料（ニトロセルロースまたは酢酸セルロース）、またはフッ素系ポリマーである。また、ペリクル２００の表面および裏面には、反射防止膜が形成されていてもよい。

内側フレーム３２２は、レチクル１００およびペリクル２００に接している。内側フレーム３２２は、平面視で露光パターン１１０よりも外側で当該露光パターン１１０を囲むように設けられている。内側フレーム３２２は、たとえばＡｌにより形成されている。内側フレームの断面形状は、たとえば矩形状である。内側フレーム３２２の幅は、たとえば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。これにより、露光用マスク２０を軽量化することができる。また、内側フレーム３２２の高さは、たとえば３ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。これにより、露光用マスク２０の内部圧が急激に変動しても、ペリクル２００がレチクル１００第１面に接触することがない。

また、内側フレーム３２２は、たとえば接着剤４４０によってレチクル１００およびペリクル２００に接着されている。接着剤４４０は、たとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂またはフッ素樹脂である。接着剤４４０は、脱ガスの少ない樹脂であることが好ましい。接着剤４４０から発生する脱ガスは、後述するイオン吸着剤４２０によって吸着される気体であることが好ましい。

隔壁３８０は、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間に設けられている。また、隔壁３８０は、少なくとも内側フレーム３２２または外側フレーム３２４のいずれか一方に接している。隔壁３８０を設けることにより、以下の二つの効果を得ることができる。一つ目は、隔壁３８０により露光用マスク２０の剛性を強化することができる。二つ目は、隔壁３８０を所望の位置に設けることにより、雰囲気を入れ替える際の気流の向きを制御することができる。ここでは、隔壁３８０は、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の双方に接している。これにより、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４が平面方向に互いに位置ずれすることを抑制することができる。

また、隔壁３８０は、たとえば内側フレーム３２２の角部および外側フレーム３２４の角部に接して設けられている。これにより、露光用マスク２０の剛性を強くすることができる。なお、隔壁３８０にも貫通孔が設けられていてもよい。

内側フレーム３２２は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２を有している。第１貫通孔３４２は、内側フレーム３２２の一方の側面から他方の側面に貫通している。これにより、内側フレーム３２２で囲まれた内部領域と、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間の領域との間において、雰囲気の入れ替えを行うことができる。

また、第１貫通孔３４２は、複数設けられている。第１貫通孔３４２は、たとえば平面視で対称に設けられている。これにより、換気性、通気性を良くすることができる。

一方、外側フレーム３２４は、平面視で内側フレーム３２２を囲むように設けられている。外側フレーム３２４は、内側フレーム３２２と同様に、レチクル１００およびペリクル２００に接している。また、外側フレーム３２４は、たとえば内側フレームと同一の材料により形成されており、同一の断面形状を有している。さらに、外側フレーム３２４は、上述した接着剤４４０によってレチクル１００およびペリクル２００に接着されている。

外側フレーム３２４は、少なくとも一つ以上の第２貫通孔３４４を有している。第２貫通孔３４４は、外側フレーム３２４の一方の側面から他方の側面に貫通している。これにより、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間の領域と、外気との間において、雰囲気の入れ替えを行うことができる。

また、第２貫通孔３４４は、第１貫通孔３４２と同様にして、複数設けられている。第２貫通孔３４４は、イオン吸着剤４２０を挟んで対称の位置に配置されている。これにより、雰囲気を入れ替える際に、確実に気流がイオン吸着剤４２０を通ることができる。

このように、内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を含んでいる。これにより、内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域に気流を通すことができる。

また、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４のそれぞれの辺、および隔壁３８０は、それぞれ分離された部材を連結することにより形成されている。たとえば、それぞれは、溶接により連結されている。これにより、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を容易に加工することができるとともに、露光用マスク２０を容易に組み立てることができる。一方で、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４は、それぞれ四辺が一体として形成されていてもよい。また、隔壁３８０は、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４のいずれか一方または両方と同一部材として設けられていてもよい。

ここで、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の大きさについて説明する。上述の特許文献１、３または５において、ペリクルを固定するフレームには、微細な貫通孔が設けられていることが記載されている。具体的には、フレームの貫通孔の断面積は１ｍｍ^２程度であると記載されている。これにより、露光用マスクの内圧を調整するとともに、異物の混入を防止することができるとされている。したがって、当該特許文献では、露光用マスク内の気圧が調整できる範囲であれば、貫通孔は小さいほど好ましいことが示唆されている。

これに対して、第１の実施形態の第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、外気と、露光用マスク２０の内部領域との間において、雰囲気の入れ替えを行うことができる大きさであることが好ましい。すなわち、第１の実施形態の第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の断面積は、たとえば上記特許文献の値よりも大きい。

具体的には、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の断面積は、たとえば５ｍｍ^２以上である。さらに、当該断面積は、たとえば０ｍｍ^２以上１５０ｍｍ^２以下であることが好ましい。これにより、外気と、露光用マスク２０の内部領域との間において、雰囲気の入れ替えを容易に行うことができる。さらに、露光用マスク２０は、後述するイオン吸着剤４２０を備えている。これにより、雰囲気が入れ替わる際に、イオン吸着剤４２０によって、異物（ヘイズ）を発生させる原因物質の濃度を低下させることができる。また、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の断面積が上記下限値以上であることにより、積極的に雰囲気の入れ替えを行うことができる。一方で、当該断面積が上記上限値以下であることにより、露光用マスク２０の剛性を保つことができる。また、当該断面積が上記上限値以下であることにより、イオン吸着剤４２０を長く持続させることができる。

次に、図３を用い、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状について説明する。図３は、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状を説明するための断面図である。図３は、たとえば第１貫通孔３４２の場合を示している。ただし、その貫通孔が、第２貫通孔３４４であってもよい。

図３（ａ）のように、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、たとえば、矩形である。また、当該矩形の一辺は、レチクル１００またはペリクル２００に対して平行である。これにより、レチクル１００またはペリクル２００に対して垂直の方向における剛性を強くすることができる。具体的には、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、正方形である。

図３（ｂ）のように、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、たとえば長方形であってもよい。なお、断面形状が矩形状である場合、当該断面形状の角部は、円弧状であってもよい（Ｒがかかっていてもよい）。

図３（ｃ）のように、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、たとえば円形である。これにより、当該貫通孔をドリル加工しやすい。

図３（ｄ）のように、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、たとえば多角形である。具体的には、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４の断面形状は、六角形である。このように、所望の気流に合わせて貫通孔の断面形状を選択することができる。

また、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４は、たとえば、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４の側面のうち、中心に設けられている。これにより、フレームの剛性を対称に保つことができる。

また、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４は、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４の側面に対して垂直に設けられている。これにより、当該貫通孔をドリル加工しやすい。一方で、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４は、気流の向きに合わせて、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４の側面に対して斜めに設けられていてもよい。

次に、再度、図１を用いて、イオン吸着剤４２０について説明する。イオン吸着剤４２０は、レチクル１００およびペリクル２００の間に設けられている。イオン吸着剤４２０は、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４との間に設けられている。ここでいう「イオン吸着剤４２０」とは、ヘイズを生成する原因物質を吸着するためのものである。

ここで、露光用マスク２０内でヘイズを生成する原因物質は、たとえば、硫酸イオンなどの陰イオン、アンモニウムイオンなどの陽イオン、または有機分子などが挙げられる。硫酸イオンは、たとえばレチクル１００の洗浄液または外気などに含まれている。たとえばレチクル１００を洗浄した際に、洗浄液のリンスが不十分であった場合など、硫酸イオンがレチクル１００の表面に残存する可能性がある。また、アンモニウムイオンは、たとえば各種エッチャントまたは外気に含まれており、人体からも放出される。また、ヘイズの原因物質である有機分子は、たとえばアミノ基を有している。具体的には、有機分子は、トリメチルアミンである。このような有機分子は、感光性樹脂材料や、現像液などのアミン系有機溶媒などに含まれている。その他、有機分子は、たとえば露光用マスク２０を構成するペリクル２００または接着剤４４０から放出されるアウトガスにも含まれている。したがって、露光用マスク２０の内部領域からもヘイズの原因物質が発生する可能性がある。よって、イオン吸着剤４２０は、これらの原因物質を吸着する材料を含んでいることが好ましい。

イオン吸着剤４２０は、たとえば陽イオンまたは陰イオンを吸着するイオン交換樹脂を含んでいる。これにより、イオン吸着剤４２０は、ヘイズを生成する陽イオンまたは陰イオンを吸着することができる。

イオン吸着剤４２０は、たとえば硫酸または硫酸イオンを吸着する材料を含んでいる。具体的には、イオン吸着剤４２０は、たとえば、炭酸カリウムを含んでいる。これにより、露光用マスク２０内において、硫酸イオン等の濃度を低下させることができる。

イオン吸着剤４２０は、たとえばアンモニアまたはアンモニウムイオンを吸着する材料を含んでいる。具体的には、イオン吸着剤４２０は、たとえば、リン酸を含んでいる。これにより、露光用マスク２０内において、アンモニウムイオン等の濃度を低下させることができる。

イオン吸着剤４２０は、たとえば有機分子を吸着する材料を含んでいる。具体的には、イオン吸着剤４２０は、たとえばトリメチルアミンを吸着する材料を含んでいることが好ましい。具体的には、イオン吸着剤４２０は、たとえば活性炭を含んでいる。これにより、露光用マスク２０内において、ヘイズの原因となる有機分子の濃度を低下させることができる。

イオン吸着剤４２０は、複数の材料を混合したものであってもよい。イオン吸着剤４２０は、たとえば有機物および無機物の混合物である。さらに、イオン吸着剤４２０は、たとえば、ゼオライトなどを含んでいてもよい。また、イオン吸着剤４２０は、シリカゲル等の吸湿剤を含んでいてもよい。

また、イオン吸着剤４２０は、たとえば、多孔質である。これにより、原因物質が吸着する表面積を広くすることができる。なお、イオン吸着剤４２０は、固体状またはゲル状であってもよい。

なお、イオン吸着剤４２０は、レチクル１００、内側フレーム３２２、外側フレーム３２４、または隔壁３８０などのいずれかの部材に固定されていてもよい。イオン吸着剤４２０は、それらの部材と接着剤（不図示）を介して接着されていてもよい。

露光用マスク２０は、第１貫通孔３４２または第２貫通孔３４４を覆うように設けられたフィルタ（内側フィルタ３６２または外側フィルタ３６４）をさらに備えている。上述のように第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、積極的に雰囲気を入れ替える程度の大きさで設けられている。そのため、第１貫通孔３４２または第２貫通孔を通して、外部から異物が侵入しやすい。したがって、少なくとも一方の貫通孔にフィルタが設けられていることにより、露光用マスク２０の外部から内部領域に、異物が侵入することを防止することができる。

内側フィルタ３６２は、たとえば、内側フレーム３２２に接し、第１貫通孔３４２を覆うように設けられている。内側フィルタ３６２は、たとえば、内側フレーム３２２のうち外側フレーム３２４側の側面に接している。ここで、イオン吸着剤４２０は、ヘイズの原因物質を吸着することなどにより、発塵する可能性がある。上記のように内側フィルタ３６２を設けることにより、イオン吸着剤４２０からの異物が、内側フレーム３２２より内側の内部領域に侵入することを防止することができる。

露光用マスク２０は、さらに外側フィルタ３６４を備えていることが好ましい。外側フィルタ３６４は、たとえば、外側フレーム３２４に接し、第２貫通孔３４４を覆うように設けられている。外側フィルタ３６４は、たとえば、外側フレーム３２４のうち露光パターン１１０側の側面に接している。これにより、外側からの異物が露光用マスク２０の内部領域に侵入することを防止することができる。さらに、イオン吸着剤４２０からの異物を露光用マスク２０の内部領域だけでなく、露光用マスク２０の外側にも拡散することを防止することができる。

内側フィルタ３６２および外側フィルタ３６４は、たとえば、ＨＥＰＡフィルタ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）またはＵＬＰＡフィルタ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）である。言い換えれば、当該フィルタの粒子捕集率は、ＪＩＳＺ８１２２で規定される粒子捕集率以上である。これにより、上記した異物を確実に捕集することができる。

なお、上記したフィルタは、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４の側面全体を覆っていてもよい。

以上、第１の実施形態に係る露光用マスク２０は、以下のようにして雰囲気を入れ替えることができる。露光用マスク２０の雰囲気の入れ替えを行うとき、外側フレーム３２４に設けられた第２貫通孔３４４から、たとえばＸＣＤＡ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｃｌｅａｎ Ｄｒｙ Ａｉｒ）を吹き込む。次いで、第２貫通孔３４４から流入した気流は、イオン吸着剤４２０によってヘイズの原因物質が吸着される。これにより、気流は、化学的にクリーンな状態となる。次いで、当該気流は、第１貫通孔３４２を通って、露光用マスク２０の内部領域に流入する。次いで、当該気流により、露光用マスク２０内に滞留していたヘイズの原因物質を含んだ雰囲気は、第１貫通孔３４２を通って、外部に向けて押し出される。露光用マスク２０の内部領域から流出した気流は、イオン吸着剤４２０によってヘイズの原因物質が吸着される。次いで、当該気流は、第２貫通孔３４４を通って外気へ放出される。以上のステップを繰り返すことにより、露光用マスク２０の内部領域において、ヘイズの原因物質の濃度を低下させることができる。

なお、第２貫通孔３４４から露光用マスク２０の内部領域に気流を吹き込む場合を説明したが、密閉容器内に露光用マスク２０を保管している際も同様の効果をえることができる。たとえばＸＣＤＡによって充填された密閉保管ボックス内に、複数の露光用マスク２０を保管しておいてもよい。

次に、第１の実施形態の効果について説明する。

ここで、第１の比較例として、特許文献１、３または５の露光用マスクについて考える。当該露光用マスクは、上述のように、微細な貫通孔を有する一重のフレームを備えている。これにより、露光用マスクの内圧を調整するとともに、異物の混入を防止することができるとされている。この微細な貫通孔は小さいほど、露光用マスク２０の外部領域から内部領域に異物が混入することを抑制できる傾向にある。

しかし、近年では、露光用マスク２０を使用または保管する環境において、クリーン度が向上してきている。そのため、固形状の異物が露光用マスク２０の外部領域から内部領域に侵入することは、少なくなってきている。

一方で、露光用マスク２０が使用または保管される環境には、ヘイズを生成する気体状の原因物質が存在している。露光用マスク２０が貫通孔のみを有し、その他の吸着物質等を有していない場合、露光用マスク２０の内部領域において、このような気体状の原因物質によってヘイズが生成することを防止することは困難である。

また、当該ヘイズの原因物質は、露光用マスク２０の外部に存在するだけでなく、内部にも存在している。この原因物質は、たとえば、露光用マスク２０を構成するレチクル１００、ペリクル２００または接着剤４４０等から発生するアウトガスにも含まれている。このように、露光用マスク２０の内部から発生したアウトガスによっても、レチクル１００上にヘイズが発生する可能性がある。また、露光用マスク２０を用いた露光工程を繰り返すことにより、露光光によって反応が促進され、ヘイズはさらに大きく成長する可能性がある。

これに対して、第１の実施形態によれば、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４には、それぞれ第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４が設けられている。また、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４との間には、イオン吸着剤４２０が設けられている。これにより、外気と、露光用マスク２０の内部領域との間において、雰囲気の入れ替えを容易に行うことができる。また、雰囲気が入れ替わる際に、イオン吸着剤４２０によって、露光用マスク２０の内部領域において、ヘイズを発生させる原因物質の濃度を低下させることができる。

このように積極的に雰囲気の入れ替えを行う構成とすることにより、イオン吸着剤４２０は、露光用マスク２０の外部だけでなく内部から発生したヘイズの原因物質を吸着して、露光用マスク２０の内部領域における当該原因物質の濃度を低下させることができる。また、イオン吸着剤４２０が密閉空間に閉じ込められている場合よりも、さらに速く因物質の濃度を低下させることができる。

以上のように、第１の実施形態によれば、露光用マスク２０の内部領域を、化学的にクリーンな雰囲気に保つことができる。

（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る露光用マスク２０の構成を示す図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）におけるＢ−Ｂ'線断面図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ'線断面図である。第２の実施形態は、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の位置を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図４（ｂ）のように、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４が外側フレーム３２４の外側側面から見て互いに異なる位置に設けられている。言い換えれば、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、断面視で互いに重ならないように配置されている。また、隣接する第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を結ぶ直線は、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４に対して垂直ではない。これにより、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間を気流が通るとき、当該気流がイオン吸着剤４２０を介さずに通り抜けることを抑制することができる。

第２の実施形態では、たとえば、Ａ−Ａ'線上にある第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、レチクル１００のうち第１面の法線方向に互いに異なる位置で設けられている。言い換えれば、いずれか一方の貫通孔は、他方の貫通孔よりもレチクル１００側に設けられている。Ａ−Ａ'線上にある第１貫通孔３４２は、第２貫通孔３４４よりもレチクル１００側に設けられている。一方、Ａ−Ａ'線上にある第２貫通孔３４４は、第１貫通孔３４２よりもペリクル２００側に設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう経路を長くすることができる。したがって、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間を気流が通るとき、当該気流を確実にイオン吸着剤４２０と接触させることができる。

たとえば、当該第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、平面視で対向するように配置されている。フレームの四辺がそれぞれ分離されている場合に、加工コストを下げることができる。

また、たとえば、当該第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４に隣接する第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、互いの位置が交互に逆転するように配置されている。内側フレーム３２２のうち一つの辺は、対向する辺と対称の位置に第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を有している。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２の実施形態によれば、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４が外側フレーム３２４の外側側面から見て互いに異なる位置に設けられている。これにより、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間を気流が通るとき、当該気流を確実にイオン吸着剤４２０と接触させることができる。すなわち、気流内に含まれるヘイズの原因物質を確実にイオン吸着剤４２０に吸着させることができる。

（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る露光用マスク２０の構成を示す平面図である。第３の実施形態は、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４のうち平面視での位置を除いて、第１の実施形態または第２の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図５は、第３の実施形態に係る露光用マスク２０のうち、図１（ｂ）のＢ−Ｂ'線断面に相当する平面図である。このうち、貫通孔は、図示されている以外に設けられていない。

図５のように、第３の実施形態に係る露光用マスク２０の貫通孔は、第１の実施形態よりも少ない。内側フレーム３２２のうち、それぞれの一辺には、一つの第１貫通孔３４２だけが設けられている。外側フレーム３２４のうち、それぞれの一辺には、一つの第２貫通孔３４４だけが設けられている。これにより、イオン吸着剤４２０を長く持続させることができる。また、隔壁３８０は、たとえば内側フレーム３２２の角部および外側フレーム３２４の角部に接して設けられている。

第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、外側フレーム３２４の側面と平行な方向に互いに異なる位置で設けられている。言い換えれば、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、レチクル１００の第１面と平行な方向に互いに異なる位置で設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう平面視での経路を長くすることができる。

互いに隣接する辺に設けられた第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間の距離は、加工可能な範囲だけ離れている。言い換えれば、第１貫通孔３４２は、内側フレーム３２２の一辺のうち、いずれか一方の角部に近い第１位置に設けられている。一方で、第２貫通孔３４４は、外側フレーム３２４の一辺うち、第１位置と反対側に位置する角部に近い位置に設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう経路を貫通孔が加工可能な範囲において長くすることができる。

第３の実施形態によれば、第１の実施形態または第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第３の実施形態によれば、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、外側フレーム３２４の側面と平行な方向に互いに異なる位置で設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう平面視での経路を長くすることができる。これにより、第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間を気流が通るとき、当該気流を確実にイオン吸着剤４２０と接触させることができる。すなわち、気流内に含まれるヘイズの原因物質がイオン吸着剤４２０に吸着させる確率を上げることができる。

（第４の実施形態）
図６は、第４の実施形態に係る露光用マスク２０の一部を示す平面図である。第４の実施形態は、隔壁が複数設けられている点を除いて、第１の実施形態または第３の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図６は、図１（ａ）に相当する平面図のうち、一つの辺を拡大したものである。他の辺は、たとえば、図６に記載の一辺と同様の構成を有している。他の構成は、第３の実施形態と同様である。

第４の実施形態では、隔壁（隔壁３８０、第１の隔壁３８２および第２の隔壁３８４）が複数設けられている。隔壁３８０は、内側フレーム３２２の角部および外側フレーム３２４の角部に接して設けられている。

一方で、第１の隔壁３８２または第２の隔壁３８４は、平面視で内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の間に設けられ、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４のいずれか一方に接している。たとえば、第１の隔壁３８２は、内側フレーム３２２に接するとともに、外側フレーム３２４から離間して設けられている。また、たとえば、第２の隔壁３８４は、外側フレーム３２４に接するとともに、内側フレーム３２２から離間して設けられている。さらに、第１の隔壁３８２および第２の隔壁３８４は、互いに交互に設けられている。詳細には、第１の隔壁３８２および第２の隔壁３８４は、各々のフレームの側面と平行な方向に、互いに交互に設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう経路を長くすることができる。

第４の実施形態では、第３の実施形態と同様に、互いに隣接する辺に設けられた第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４の間の距離は、加工可能な範囲だけ離れていることが好ましい。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう平面視での経路をさらに長くすることができる。

第１の隔壁３８２または第２の隔壁３８４は、たとえば、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４と分離された部材を連結することにより形成されている。一方で、第１の隔壁３８２または第２の隔壁３８４は、たとえば、内側フレーム３２２または外側フレーム３２４のいずれか一方と同一部材として設けられていてもよい。

イオン吸着剤４２０は、平面視で、内側フレーム３２２、外側フレーム３２４、隔壁３８０、第１の隔壁３８２および第２の隔壁３８４に囲まれた領域に追従するように設けられている。言い換えれば、イオン吸着剤４２０は、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向けて平面視で蛇行するように設けられている。

第４の実施形態によれば、第１の実施形態または第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第４の実施形態によれば、第１の隔壁３８２は、内側フレーム３２２に接するとともに、外側フレーム３２４から離間して設けられている。また、第２の隔壁３８４は、外側フレーム３２４に接するとともに、内側フレーム３２２から離間して設けられている。これにより、第１貫通孔３４２から第２貫通孔３４４に向かう平面視での経路をさらに長くすることができる。これにより、気流内に含まれるヘイズの原因物質がイオン吸着剤４２０に吸着させる確率をさらに上げることができる。

（第５の実施形態）
図７は、第５の実施形態に係る露光用マスク２０の一部を示す平面図である。第５の実施形態は、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の双方に接する隔壁が複数設けられている点を除いて、第１の実施形態または第４の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図７は、図１（ａ）に相当する平面図のうち、一つの辺を拡大したものである。他の辺は、たとえば、図７に記載の一辺と同様の構成を有している。

第５の実施形態では、隔壁３８０は、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の双方に接している。当該隔壁３８０は複数設けられている。内側フレーム３２２の角部および外側フレーム３２４の角部に接するように、隔壁３８０が設けられている。その他、内側フレーム３２２の側面および外側フレーム３２４の側面に接するように、４つの隔壁３８０が設けられている。このように隔壁３８０が複数設けられていることにより、露光用マスク２０を頑強にすることができる。

また、たとえば、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の一辺には、内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域が５つ設けられている。内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を含んでいる。これにより、内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域に気流を通すことができる。

内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域に設けられた第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４は、たとえば、断面視で重なるように設けられている。これにより、換気性、通気性を良くすることができる。

第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第５の実施形態によれば、隔壁３８０は、内側フレーム３２２および外側フレーム３２４の双方に接している。内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域は、少なくとも一つ以上の第１貫通孔３４２および第２貫通孔３４４を含んでいる。これにより、内側フレーム３２２、隔壁３８０および外側フレーム３２４で囲まれた領域に気流を通すことができる。したがって、換気性、通気性を重視する環境下では、特に有効である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 半導体装置
２０ 露光用マスク
１００ レチクル
１１０ 露光パターン
２００ ペリクル
３２２ 内側フレーム
３２４ 外側フレーム
３４２ 第１貫通孔
３４４ 第２貫通孔
３６２ 内側フィルタ
３６４ 外側フィルタ
３８０ 隔壁
３８２ 第１の隔壁
３８４ 第２の隔壁
４２０ イオン吸着剤
４４０ 接着剤
６００ 半導体基板
６１０ ソース領域
６２０ ドレイン領域
６４０ エクステンション領域
６８０ 素子分離領域
７００ ゲート絶縁層
７８０ 側壁絶縁膜
８２０ ゲート電極
８４０ ビア
８６０ 配線
９００ 層間絶縁層

Claims (17)

1. 露光用マスクを用い、半導体基板上に塗布された感光性樹脂膜を露光する露光工程を備え、
   前記露光用マスクは、
   第１面に露光パターンが設けられたレチクルと、
   前記第１面側に前記第１面を覆うように設けられ、少なくとも前記露光パターンよりも広い面積を有するペリクルと、
   前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記露光パターンよりも外側で当該露光パターンを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有する内側フレームと、
   前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記内側フレームを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第２貫通孔を有する外側フレームと、
   前記レチクルおよび前記ペリクルの間に設けられ、平面視で前記内側フレームおよび前記外側フレームの間に設けられたイオン吸着剤と、
   を備える半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１貫通孔および前記第２貫通孔の断面積は、５ｍｍ^２以上である半導体装置の製造方法。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光用マスクは、
   前記内側フレームに接し、前記第１貫通孔を覆うように設けられた内側フィルタをさらに備える半導体装置の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光用マスクは、
   前記外側フレームに接し、前記第２貫通孔を覆うように設けられた外側フィルタをさらに備える半導体装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１貫通孔および前記第２貫通孔は、前記外側フレームの外側側面から見て互いに異なる位置に設けられている半導体装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１貫通孔および前記第２貫通孔は、前記第１面の法線方向に互いに異なる位置で設けられている半導体装置の製造方法。
7. 請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１貫通孔および前記第２貫通孔は、前記外側フレームの側面と平行な方向に互いに異なる位置で設けられている半導体装置の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光用マスクは、
   平面視で前記内側フレームおよび前記外側フレームの間に設けられ、少なくとも前記内側フレームまたは前記外側フレームのいずれか一方に接する隔壁をさらに備える半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光用マスクは、
   前記内側フレームに接するとともに前記外側フレームから離間して設けられた第１の前記隔壁と、
   前記外側フレームに接するとともに前記内側フレームから離間して設けられた第２の前記隔壁と、
   を備え、
   前記第１の隔壁および前記第２の隔壁は、互いに交互に設けられている半導体装置の製造方法。
10. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記隔壁は、前記内側フレームおよび前記外側フレームの双方に接しており、
    前記内側フレーム、前記隔壁および前記外側フレームで囲まれた領域は、少なくとも一つ以上の前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を含む半導体装置の製造方法。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記イオン吸着剤は、イオン交換樹脂を含む半導体装置の製造方法。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記イオン吸着剤は、硫酸または硫酸イオンを吸着する材料を含む半導体装置の製造方法。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記イオン吸着剤は、アンモニアまたはアンモニウムイオンを吸着する材料を含む半導体装置の製造方法。
14. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記イオン吸着剤は、有機分子を吸着する材料を含む半導体装置の製造方法。
15. 請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記露光工程において、露光光の波長は２５０ｎｍ以下である半導体装置の製造方法。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記露光用マスクは、
    前記第１貫通孔または前記第２貫通孔を覆うように設けられたフィルタをさらに備え、
    当該フィルタは、ＨＥＰＡフィルタ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）またはＵＬＰＡフィルタ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）である半導体装置の製造方法。
17. 第１面に露光パターンが設けられたレチクルと、
    前記第１面側に前記第１面を覆うように設けられ、少なくとも前記露光パターンよりも広い面積を有するペリクルと、
    前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記露光パターンよりも外側で当該露光パターンを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有する内側フレームと、
    前記レチクルおよび前記ペリクルに接し、平面視で前記内側フレームを囲むように設けられ、少なくとも一つ以上の第２貫通孔を有する外側フレームと、
    前記レチクルおよび前記ペリクルの間に設けられ、平面視で前記内側フレームおよび前記外側フレームの間に設けられたイオン吸着剤と、
    を備える露光用マスク。

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