CN111279260A

CN111279260A - 表膜框架和表膜组件

Info

Publication number: CN111279260A
Application number: CN201880070179.4A
Authority: CN
Inventors: A·W·戴斯; M·A·纳萨莱维奇; A·W·诺滕博姆; 玛丽亚·皮特; 彼得-詹·范兹沃勒; D·F·弗莱斯
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2017-10-27
Filing date: 2018-08-28
Publication date: 2020-06-12
Also published as: JP2023129431A; TWI797160B; NL2021560A; JP7307054B2; US11314163B2; NL2023187A; US20200319546A1; JP2021500595A; EP3701331A1; NL2023187B1; TW202334742A; NL2021560B1; TW201923446A; KR20200071080A; WO2019081095A1

Abstract

一种用于支撑表膜的表膜框架(17)，所述框架(17)包括第一表面(17B)和与所述第一表面(17A)相对的第二表面(17A)，以及设置在所述第一表面(17A)与所述第二表面(17B)之间的结构(18)；其中所述第一表面(17A)和所述第二表面(17B))以及所述结构(18)之间至少部分地限定不含形成所述框架(17)的材料的至少一个容积部(28)。

Description

表膜框架和表膜组件

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月27日递交的欧洲申请17198755.5的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种表膜框架和一种表膜组件。表膜组件可以包括表膜和用于支撑表膜的表膜框架。表膜可以适合于与用于光刻设备的图案形成装置一起使用。本发明具有与EUV光刻设备和EUV光刻工具有关的特定但非排它性用途。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备使用的用于将图案投影至衬底上的辐射的波长决定了能够形成在所述衬底上的特征的最小尺寸。相比于常规的光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻术中使用表膜是众所周知且公认的。DUV光刻设备中的典型的表膜是被定位成远离图案形成装置且在使用时在光刻设备的焦平面之外的隔膜。由于表膜在光刻设备的焦平面外，因此落在表膜上的污染粒子在光刻设备的焦点外。因此，污染粒子的图像未被投影至衬底上。如果表膜不存在，则落在图案形成装置上的污染粒子将被投影至衬底上且会把缺陷引入至所投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻术与DUV光刻术的不同之处在于其典型地在真空中执行且图案形成装置典型地为反射式的而非为透射式的。

期望提供克服或减轻与现有技术相关联的一个或更多个问题的表膜框架和/或表膜组件。本发明中描述的本发明的实施例可以用于EUV光刻设备。本发明的实施例还可以用于DUV光刻设备和/或另外形式的光刻工具。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种表膜框架，用于支撑表膜，所述框架包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的结构；其中所述第一表面和所述第二表面以及所述结构之间至少部分地限定不含形成所述框架的材料的至少一个容积部。

这可以具有以下优点：相对于不具有不含形成所述框架的材料的容积部的相应的框架，所述框架的重量可以减少，并且可以提高所述框架的本征频率。这可以允许使用不同的材料来形成所述框架。使用不同的材料可以允许更接近地匹配隔膜的热膨胀系数(CTE)，这可以在制作所述表膜期间减少热应力。

所述框架的至少一个部分可以具有与所述框架的至少一个其它部分不同的横截面轮廓。所述容积部的分布可以围绕所述框架不同，或至少在所述框架的所述至少一个部分与所述至少一个其它部分之间不同。这可以具有以下优点：所述容积部可以定位在实质上没有对框架的刚度(例如，所述框架的弯曲刚度和/或所述框架的抗扭刚度)作出贡献的所述框架的一部分中。

设置在所述第一表面与所述第二表面之间的所述结构的形式和/或容积部的量可以在所述框架的所述至少一个部分与所述至少一个其它部分之间不同。

所述容积部可以限定或包括至少一个空隙、空间、中空部、凹穴或腔室。

所述容积部可以围绕所述框架的周界的至少一部分延伸。

所述容积部可以是敞开的。

所述容积部可以被包括在所述第一表面与所述第二表面之间的容积部的基体中。

所述结构可以至少包括连接所述第一表面与所述第二表面的第一壁。

所述框架可以包括与所述第一壁相对且连接所述第一表面与所述第二表面的第二壁，并且其中所述容积部延伸穿过所述第一壁和所述第二壁或在所述第一壁与所述第二壁之间延伸。

所述第一表面和所述第二表面以及所述第一壁和所述第二壁可以沿所述框架的一侧的长度的至少一部分形成中空管。

所述第一表面和所述第二表面和所述第一壁可以沿所述框架的一侧的长度的至少一部分形成I形横截面。

所述框架的所述侧可以是不直接附接或不能附接至图案形成装置的自由侧。

所述框架的所述侧可以是被配置成可以附接至图案形成装置的支撑侧。

所述第一表面和所述第二表面中的至少一个可以是连续的。

所述第一表面和所述第二表面中的至少一个可以在其中具有至少一个凹部。

所述框架可以包括用于将所述框架附接至图案形成装置的至少一个接合机构。这是有利的，这是因为其避免潜在地破坏在所述框架中产生的热应力。

所述框架的所述侧可以是支撑侧，中空管可以从所述框架的自由侧延伸至所述接合机构。

所述框架可以包括多个接合机构，每个接合机构可以被定向成背离垂直于其上定位有接合机构的所述框架的侧。这可以具有允许所述框架相对于所述图案形成装置的热膨胀的优点，并且可以有助于防止应力在所述图案形成装置中积聚。

每个接合机构可以实质上面朝所述框架的中心点。

所述接合机构可以被配置使得附接构件以可移除的方式固定在所述接合机构中的实质上的中心部位中。这可以具有减少扭转的优点。

所述接合机构可以包括一对第一板簧和分别连接至所述第一板簧的一对第二板簧，并且每个板簧可以在大致相同的方向上延伸。

中间体可以定位在所述第一板簧与所述第二板簧之间。

所述第一板簧的长度与所述第二板簧的长度的比率可以具有介于1.5:1与2.5:1之间。

所述第一板簧可以包括多个可弹性弯曲的接合臂，梁可以定位在两个所述接合臂之间，其中所述梁可以横跨所述接合机构延伸超过一半。这可以具有为所述附接构件提供空间的优点。

所述表膜框架可以由铝和/或氮化铝中的至少一种制成。

根据本发明的第二方面，提供一种制造用于支撑表膜的表膜框架的方法，所述方法包括：由框架材料形成表膜框架，所述框架包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及位于所述第一表面与所述第二表面之间的结构；和在所述第一表面与所述第二表面之间形成不含框架材料的至少一个容积部。

可以通过移除在所述第一表面与所述第二表面之间的至少一个容积的框架材料来形成所述至少一个容积部。

所述方法还可以包括在实质上不对所述框架的刚度、所述框架的弯曲刚度和/或所述框架的抗扭刚度作出贡献的所述框架的一部分中形成所述容积部。

所述框架材料可以由铝和氮化铝中的至少一种形成。

根据本发明的第三方面，提供一种表膜组件，包括如上文描述的表膜框架和表膜。

所述表膜组件可还包括表膜边界。这可以具有减少所述表膜中的应力的优点。

所述表膜边界与所述表膜框架可以是相同的材料。

所述表膜边界可以由铝和/或氮化铝中的至少一种制成。

所述表膜框架可以由铝和/或氮化铝中的至少一种制成。

所述表膜框架可以包括接合机构。

用于保持所述接合机构的块状部可以与所述表膜框架由相同的材料形成。

根据本发明的第四方面，提供一种表膜框架，包括四个接合机构，其中每个接合机构实质上面向所述框架的中心点。这可以具有允许所述框架相对于所述图案形成装置的热膨胀的优点，并且有助于防止应力在所述图案形成装置中积聚。

根据本发明的第五方面，提供一种表膜框架，包括接合机构，其中所述接合机构被配置使得附接构件以可移除的方式固定在所述接合机构中的实质上的中心中。这可以具有减少扭转的优点。

应了解，在以下描述中上文描述的或参考的一个或更多个方面或特征可以与一个或更多个其它方面或特征组合。

附图说明

现将参考随附示意性附图仅通过示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中：

-图1示意性地描绘包括包含表膜组件的光刻设备的光刻系统；

-图2A描绘表膜组件和图案形成装置；

-图2B描绘表膜组件和图案形成装置；

-图3示意性地描绘表膜组件和图案形成装置的横截面；

-图4示意性地描绘表膜框架的俯视图；

-图5A至图5F示意性地描绘穿过图4截取的截面和详细的截面；

-图6A示意性地描绘框架的立体图。

-图6B示意性地描绘框架的横截面的立体图。

-图7示意性地描绘接合机构的俯视图；

-图8A示意性地描绘穿过图7的线A-A截取的接合机构的横截面；

-图8B示意性地描绘穿过图7的线B-B截取的接合机构的横截面。

-图9示意性地描绘接合机构的立体图。

-图10示意性地描绘穿过图9的线C-C截取的接合机构的横截面的立体图。

-图11A示意性地描绘附接构件的端视图。

-图11B示意性地描绘图11A的附接构件的侧视图。

-图12示意性地描绘穿过图9的线C-C截取的接合机构的横截面的侧视图。

具体实施方式

图1示出包括根据本发明的一个实施例的表膜组件15的光刻系统。所述光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置成产生极紫外线(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS、以及被配置成支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置成在辐射束B入射在图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统被配置成将辐射束B(现由掩模MA图案化)投影至衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化辐射束B与先前形成在衬底W上的图案对准。

辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS都可以被构造和布置使得其可以与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供处于低于大气压力的压力下的气体(例如，氢气)。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供在远低于大气压力的压力下的少量气体(例如，氢气)。

图1中示出的辐射源SO属于可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1(可以例如为CO₂激光器)被布置成通过激光束2将能量沉积至诸如锡(Sn)之类的燃料中，所述燃料从燃料发射器3提供。尽管在以下描述中提及锡，但可以使用任何适合的燃料。燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如为金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿朝向等离子体形成区4的轨迹而引导例如呈小滴的形式的锡。激光束2入射到在等离子体形成区4处的锡上。激光能量至锡中的沉积会在等离子体形成区4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激励和复合期间从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。

EUV辐射由近正入射辐射收集器5(有时更一般地被称为正入射辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望的波长的EVU辐射)的多层结构。收集器5可以具有椭圆形配置，其具有两个椭圆焦点。第一焦点可以处于等离子体形成区4处，第二焦点可以处于中间焦点6处，如下文论述的。

激光器1可以远离辐射源SO。在这种情况下，激光束2可以借助于包括例如适合的定向反射镜和/或扩束器和/或其它光学器件的束传递系统(未示出)而从激光器1传递至辐射源SO。激光器1和辐射源SO可以一起被认为是辐射系统。

由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B聚焦在点6处以形成用作用于照射系统IL的虚拟的辐射源的等离子体形成区4的图像。辐射束B聚焦的点6可以被称为中间焦点。辐射源SO被布置成使得中间焦点6位于辐射源的围封结构9中的开口8处或附近。

辐射束B从辐射源SO传递至照射系统IL中，所述照射系统IL被配置成调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起向辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角强度分布。辐射束B从照射系统IL传递且入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA受表膜19保护，所述表膜由表膜框架17(在描述的其余部分中被称为框架)保持在适当的位置。表膜19和框架17一起构成表膜组件15。图案形成装置MA(其可以例如为掩模)反射且图案化辐射束B。作为琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的补充或替代，照射系统IL也可以包括其它反射镜或装置。

在从图案形成装置MA反射之后，被图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统包括多个反射镜，所述多个反射镜被配置成将辐射束B投影至由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可以将减小因子应用于辐射束，从而形成特征小于图案形成装置MA上的对应特征的图像。例如，可以应用为4的减小因子。尽管投影系统PS在图1中具有两个反射镜，但投影系统可以包括任意数目的反射镜(例如，六个反射镜)。

图1中示出的辐射源SO可以包括未图示的部件。例如，光谱滤光器可以设置在辐射源中。光谱滤光器可以实质上透射EUV辐射，但实质上阻挡其它波长的辐射，诸如红外线辐射。

如上文简要地描述的，表膜组件15包括邻近于图案形成装置MA而设置的表膜19。表膜19设置在辐射束B的路径中，使得辐射束B在其从照射系统IL接近图案形成装置MA时和在其由图案形成装置MA朝向投影系统PS反射时两种情况下传递通过表膜19。表膜19包括实质上对于EUV辐射来说为透明的薄膜(尽管其将吸收少量的EUV辐射)。在本发明中EUV透明表膜或用于EUV辐射的实质上透明的薄膜意味着表膜19透射EUV辐射的至少65％，优选地至少80％且更优选地EUV辐射的至少90％。表膜19用于防止图案形成装置MA受到颗粒污染。表膜19在本发明中可以被称为EUV透明表膜。表膜19可以由硅化钼(MoSi)制成。MoSi在高温下比硅强，这是因为MoSi比硅更快速地冷却。在其它示例中，表膜可以由诸如硅之类的其它材料制成。

可以努力维持光刻设备LA内部的清洁环境，但在光刻设备LA内部中可能仍存在粒子。在不存在表膜19的情况下，颗粒可能沉积至图案形成装置MA上。图案形成装置MA上的粒子可能不利地影响被赋予至辐射束B的图案且因此影响转印至衬底W的图案。表膜19在图案形成装置MA与光刻设备LA中的环境之间提供屏障以便防止粒子沉积在图案形成装置MA上。

在使用时，表膜19设置成与图案形成装置MA相隔一距离，所述距离足以使得入射在表膜19的表面上的任何粒子并不在辐射束B的焦平面中。表膜19与图案形成装置MA之间的这种分离用以减小表膜19的表面上的任何粒子将图案赋予至辐射束B的范围。应了解，在辐射束B中但不在辐射束B的焦平面上(即，不在图案形成装置MA的表面处)的位置处存在粒子的情况下，于是粒子的任何图像将不被聚焦在衬底W的表面处。在一些实施例中，表膜19与图案形成装置MA之间的分离距离可以例如介于2mm与3mm之间(例如，约2.5mm)。在一些实施例中，如下文更详细地描述，表膜19与图案形成装置之间的分离距离可以是可调整的。

图2A是表膜组件15和图案形成装置MA的透视图。表膜组件15可以包括框架17和不具有表膜边界20的表膜19(见图2B)。表膜19可以直接形成在框架17上。图案形成装置MA具有图案化表面21。

在其它示例中，表膜组件也可以包括边界20。图2B是表膜组件15A和图案形成装置MA的透视图。表膜组件15A可以包括表膜19、框架17和表膜边界20。边界20可以可选地与表膜19成一体、被包括在其中或与其物理地分离。边界20可以比表膜19的主要部分显著地更厚，并且可以围绕在表膜19的外部周边定位。这种边界20附接至框架17。框架17通过边界20围绕表膜19的周边部分支撑表膜19。边界20可以胶合至框架17或可以以另一方式附接。在描述的示例中，框架17可以与不具有边界20的表膜19或具有边界20的表膜19一起使用。

图3是以横截面且更详细地对表膜组件15和图案形成装置MA进行的示意性说明。示意性地示出污染粒子26。污染粒子26入射在表膜19上且由表膜19保持。表膜19保持污染粒子26充分远离掩模MA的被图案化的表面21，使得所述污染粒子26并未通过光刻设备LA成像至衬底上。根据本发明的实施例的表膜组件可以允许由表膜提供免受污染的掩模图案(在图案形成装置上)，使得使用掩模产生的图案在使用期间保持实质上无缺陷。在其它示例中，可以以类似的方式使用表膜组件15A(即，具有边界20)。

可以通过在将提供边界20的基板的顶部上直接沉积表膜19来构造表膜组件15A。在沉积表膜19的薄膜之后，可以选择性地回蚀基板以移除基板的中心部分且仅留下外部周边，从而形成用以支撑表膜19的边界20。

在其它示例中，可以首先沉积蚀刻终止层(例如，SiO₂)，接着沉积表膜核心材料，接着沉积另一蚀刻终止层(例如，SiO₂)。可以蚀刻掉硅晶片材料直至蚀刻终止层为止。可以接着以既不侵蚀(attack)硅也不侵蚀硅化钼MoSi的不同蚀刻剂蚀刻掉蚀刻终止层。这留下独立的隔膜(表膜)。表膜19可以具有例如15nm至50nm量级的厚度。在其它示例中，可以通过在将提供框架17的基板的顶部上直接沉积表膜19来构造表膜组件15。

表膜19需要一水平的“预应力”(即，在在未使用中时在表膜19内存在的一水平的应力)。表膜19内的预应力允许表膜19耐受由在扫描操作期间的温度和气体压力改变引起的压力差。然而，在预应力过大的情况下，这将减小表膜组件15的总体寿命。因而，期望给予表膜19最小的预应力(在描绘的x-z平面上)，以便限制在表膜19上的给定压力下偏转(在z方向上)。当表膜19在z方向上的偏转过大时，表膜19可能破裂和/或触摸表膜19的周围区域中的其它部件。

表膜19的预应力优选是受限的，因为表膜19的应力优选地显著低于形成表膜19的材料的极限张应力或屈服强度。预应力与极限张应力之间的容限应尽可能大，从而增加表膜19的寿命和可靠度。

预应力通过一个或更多个机制而可以被包含于表膜19中，所述一个或更多个机制包括化学计量、氢化、晶体尺寸的控制、掺杂和表膜19沉积至基板期间的热膨胀系数(CTE)的选择性失配。表膜19也可以包括多个层(例如，用以保护表膜19免受例如氢自由基影响的盖帽层)。归因于表膜组件15的表膜19部分的层之间的CTE失配和可以沉积表膜19的不同层的异质外延过程，多层表膜19的每个层中的应力可能不同。

使用中的表膜19中的张力将在一定程度上由施加的预应力决定，如上文详述的。也可以控制表膜19至边界20的附接以便在表膜19中实现期望的张力。例如，可以在表膜19附接至边界20期间或之后测量表膜19中的张力，并且可以响应于所述测量而调整张力以便在表膜19中实现期望的张力。例如，可以通过向边界20的部件施加向外的力以便拉伸表膜19来维持表膜19中的张力。可以例如通过使用框架与表膜之间的热膨胀系数差来维持表膜19中的张力。

尽管图示的实施例示出框架被附接在图案形成装置MA的前方，但在其它示例中，框架可以被附接在图案形成装置MA的其它部分处。例如，框架可以附接至图案形成装置MA的多个侧上。这可以例如使用子安装件来实现，所述子安装件在框架与图案形成装置MA的多个侧之间提供以可释放方式接合的附接。在替代性布置中，框架可以通过将图案形成装置MA的多个侧上的一些附接部位与图案形成装置MA的前方上的一些附接部位进行组合而附接至图案形成装置MA。附接可以例如由以可释放的方式接合框架与图案形成装置MA的子安装件提供。

可以控制框架17至图案形成装置MA的附接以便在表膜19中实现期望的张力。例如，可以在框架17附接至图案形成装置MA期间测量表膜19中的张力，并且可以响应于所述测量而调整张力以便在表膜19中实现期望的张力。

框架17可以包括接合机构22，所述接合机构被配置成允许框架17以可移除的方式附接至图案形成装置MA(即，允许框架17可以附接至图案形成装置MA并可以从图案形成装置MA移除)。接合机构22可以定位在框架17的块状部23(见图4)中。接合机构22被配置成与设置在图案形成装置MA上的附接构件24接合。例如，附接构件24可以是从图案形成装置MA伸出的突起或螺柱。接合机构22可以例如包括与突起接合且将框架17紧固至图案形成装置MA的锁定构件32(见图7)。

可以提供多个接合机构22和相关联的附接构件24。接合机构22可以围绕框架17分布(例如，两个接合机构22A、22B在框架的一侧上，两个接合机构22C、22D在框架的相对侧上)。相关联的附接构件可以围绕图案形成装置MA的周边分布。接合机构22可以定位在框架17的块状部23(见图4)中。

现参考图4，示出框架17的俯视图。框架17设置有四个接合机构22A至22D。每个接合机构22可以定位在框架17的对应的块状部23中，所述块状部从框架17的周边的对应侧的其余部分向外径向地突出。每个接合机构22A至22D被配置成接收从图案形成装置MA伸出的对应的附接构件24A至24D(如下文描述的)。框架17在这个示例中具有四个侧。两个接合机构22A、22B设置在框架17的一侧30A上，两个接合机构22C、22D设置在框架17的相对侧上。这些侧将被称为支撑侧30A、30B。将支撑侧30A、30B连接在一起且不具有接合机构22A至22D的另外两个侧被称为自由侧30C、30D。其它组合也可以是可能的，诸如接合机构位于四个框架侧中的每个上，等等。多个接合机构22设置在将在光刻设备中在使用期间沿扫描方向(根据常规表示法在图3和图4中指示为y方向)而定向的框架17的多个侧上。然而，多个接合机构可以设置在将在光刻设备中在使用期间垂直于扫描方向(根据常规表示法在图3和图4中指示为x方向)而定向的框架17的多个侧上。

由接合机构22A至22D接收的附接构件24A至24D(突起)可以定位在图案形成装置MA的前表面，即，被图案化的表面21上。另外或替代地，多个突起可以定位在图案形成装置的多个侧上。多个突起可以从图案形成装置的多个侧竖直延伸。在这样的布置中，每个突起都可以具有平坦化的侧表面以便于牢固接合至图案形成装置的侧。

每个接合机构22A至22D可以倾斜地定向至框架的侧，例如以使得所述侧在x-y平面上实质上面朝框架17的中心点CP。在这种情况下，中心点CP是框架17的几何中心。也就是，每个接合机构22A至22D已被旋转背离垂直于框架17的侧被定向的状态，以使得其大致面向框架17的中心。因此，接合机构22A面向接合机构22D，接合机构22B面向接合机构22C。在图4中从每个接合机构绘制的线在中心点CP处相交。这形成两个对称平面，从而导致在框架17的中心点CP中的热中心。这允许框架17相对于图案形成装置MA热膨胀，并且防止应力在图案形成装置MA中积聚。在其它示例中，接合机构22可能不一直旋转以面朝框架17的中心点CP。在这种情况下，减少的应力积聚的益处将不会太大，但仍将存在提高的热膨胀能力。

再次参考图3，框架17可以具有第一表面17A和与第一表面17A相对的第二表面17B。第一表面17A和第二表面17B可以是连续的。当适用时，表膜19或边界20可以围绕其完整周边与框架的第一表面17A接触。在其它示例中，第一表面17A和/或第二表面17B可以具有至少一个凹部(未示出)。在图3中，第一表面17A是顶表面，第二表面17B是底表面。当表膜19在使用中时，第一表面17A可以面向下方，第二表面可以面向上方，但这里使用的术语仅用于辅助理解且第一表面17A和第二表面17B在使用时面向的方向可能不同或反转。

框架17可以包括结构18，所述结构18设置在第一表面17A与第二表面17B之间并将第一表面17A与第二表面17B连接和分离。结构18至少部分地限定容积部28A至28C，诸如空隙、空间、中空部、凹穴、腔室等等。

在示例中，结构18包括第一壁17C。第一壁17C可以定位在框架17的内部周边处且可以围绕框架17的周界的至少一部分延伸。在实施例中，第一壁17C可以位于框架17的内部周边与外部周边之间，并且可以围绕框架17的周界的至少一部分延伸。第一壁17C可以围绕框架17的周界的至少一部分或围绕框架17的整个周界而连续。框架17可以具有连接第一表面17A与第二表面17B的第二壁17D。第二壁17D可以定位在框架17的外部周边处且可以围绕框架17的周界的至少一部分延伸。在实施例中，第二壁17D可以位于框架17的内部周边与外部周边之间，并且可以围绕框架17的周界的至少一部分延伸。第二壁17D可以围绕框架17的周界的至少一部分或围绕框架17的周界的全部而连续。在实施例中，第一壁17C和/或第二壁17D大致垂直于第一表面17A和第二表面17B或大致与第一表面17A和第二表面17B倾斜地延伸。

图5A至图5F示出穿过图4截取的截面。如图5A至图5D中所示出的，容积部28A至28C设置在框架17中，在所述容积部中，材料已从框架17移除或缺失。也就是，第一表面17A和第二表面17B至少部分地限定在第一表面17A与第二表面17B之间的多个容积部28，所述容积部不含形成框架17的材料。在实施例中，框架17可以已形成，同时在容积部28中没有材料。容积部28可以对环境(例如空气、过程气体或真空)敞开或封闭。在其它示例中，容积部28可以填充有与框架17的材料不同的材料。例如，容积部28可以填充有与形成框架17的其余部分的大部分的材料相比密度更低的材料。

可以存在沿框架17的周界定位在不同部位处的多个容积部28，这些容积部28可以彼此接合以形成更大的容积部或可以被第一壁17C和/或第二壁17D分离。也就是，可以存在形成在第一表面17A与第二表面17B之间的容积部28的晶格。

另外，框架的至少一个部分可以与框架的至少一个其它部分具有不同的横截面轮廓。特别地，设置在第一表面17A与第二表面17B之间的结构18的形式(例如，壁17C、17D的数目，壁17C、17D的相对布置等等)和容积部28与结构18的相对量可选地在框架的至少一个部分与至少一个其它部分之间不同，例如以便在那些部位处提供期望的机械属性和热属性。例如，框架17的至少一个部分可以具有I形横截面，并且框架17的至少一个的其它部分可以具有盒形(box)或中空管段。

图5B示出自由侧30C的侧视图，该侧视图图示出支撑侧30A、30B被至少部分地挖空以形成在y方向上延伸的敞开的管结构(即，中空管)。中空管内的敞开空间是容积部28A。这种情形在图5E中更详细地示出。中空管提供抗扭刚度。第一表面17A和第二表面17B以及第一壁17C和第二壁17D沿框架17的支撑侧30A的长度的至少一部分形成中空管。容积部28A可以被视为延伸穿过第一壁17C和第二壁17D或在其之间延伸。优选地，中空管在支撑侧30A中从所述自由侧30C延伸至接合机构22A。在其它示例中，中空管可以在支撑侧30A中从自由侧30C延伸至保持接合机构22A的块状部23。中空管可以沿支撑侧30A、30B中的一个或两个的全长延伸。中空管可以仅沿支撑侧30A、30B中的一个或两个的长度的一部分延伸。在其它示例中，中空管可以沿自由侧30C、30D中的一个或两个的至少一部分延伸。在其它示例中，支撑侧30A、30B中的一个或两个的横截面可以是另一形状或除中空管以外的中空结构，只要提供所需抗扭刚度即可。

图5C示出穿过图4的线D-D截取的截面视图，该截面视图图示了具有在x方向上延伸的I形横截面的自由侧30C、30D。这种情形在图5F中更详细地示出。I形横截面提供弯曲刚度。第一表面17A和第二表面17B和第一壁17C沿自由侧30C的长度的至少一部分形成I形横截面。由于I形横截面，存在在x方向上沿侧30C的长度的至少一部分在第一壁17C的任一侧上延伸的两个容积部28B。优选地，I形横截面在自由侧30C中从支撑侧30A一直延伸至支撑侧30B。I形横截面可以沿自由侧30C、30D中的一个或两个的全长延伸。在其它示例中，I形横截面可以仅沿自由侧30C、30D中的一个或两个的长度的一部分延伸。在其它示例中，I形横截面可以沿支撑侧30A、30B中的一个或两个的至少一部分延伸。在其它示例中，自由侧30C、30D中的一个或两个的横截面可以是除I形以外的另外的形状，只要提供所需弯曲刚度即可。

图5A示出穿过线C-C截取的截面视图，该截面视图图示了支撑侧30A上的块状部23中的已移除容积部28C的至少一个块状部。这种情形在图5D中更详细地示出。限定容积部28C的第一表面17A和第二表面17B仅需要作为参考表面。也就是，不需要容积部28C具有用于强度或刚度的材料。将第二壁17D视作围绕块状部23的外围延伸，容积部28C可以被视为在x方向上延伸至第二壁17D。在其它示例中，容积部28C可以在框架17的内部周边处在x方向上穿过第二壁17D一直延伸至第一壁17C。容积部28C可以延伸穿过第二壁17D并穿过内壁17C，使得容积部28C在x方向上完全或部分地延伸穿过支撑侧30A。块状部23中的容积部28C可以是任何适合的大小，并且可以定位在框架17的另一部分中。也就是，容积部28C可以围绕框架17的周界在任何部位处延伸穿过第一壁17C和/或第二壁17D或在其之间延伸。

图4示出已移除块状部23的外角。也就是，可以从块状部23的角部移除将在标准框架中以其它方式存在的材料。这是因为，由于如上文描述的接合机构22的旋转，这个区域中不再需要块状部23的支撑。

图6A示出具有定位在块状部23中的四个接合机构22A至22D的框架17的立体图。在支撑侧30A、30B和自由侧30C、30D中示出容积部28A至28C。

图6B示出框架17的平面横截面的立体图。更详细地示出容积部28A至28C。容积部28A示出为在支撑侧30A中从自由侧30C延伸至保持接合机构22A的块状部23的中空管。另一容积部28A示出为在支撑侧30B中从自由侧30C延伸至保持接合机构22C的块状部23的中空管。另一容积部28A示出为在支撑侧30A中从自由侧30D延伸至保持接合机构22B的块状部23的中空管。另一容积部28A示出为在支撑侧30B中从自由侧30D延伸至保持接合机构22D的块状部23的中空管。

容积部28B示出为沿在自由侧30C、30D中一直从支撑侧30A延伸至支撑侧30B的I形横截面的任一侧延伸。容积部28C示出为从块状部23的外围的外部延伸至第二壁17D，即，容积部28C呈三角形腔的形式。

如关于图4和5A至图5F描述的，框架17的材料已在容积部28中从框架17移除，或在制作框架17时材料不被包括在容积部28中。可以通过如本领域中已知的诸如研磨、蚀刻之类的任何方法执行容积部28中的框架17的材料的移除。在其它示例中，诸如通过3D打印，可以在不在容积部28A至28C中放置材料中的任一个的情况下制作框架，即，容积部已不含材料。不含框架17的材料的容积部28意味着当与在这些容积部28中具有材料的框架17相比时，框架17的重量已经被降低。此外，由于容积部28不含框架17的材料，框架17的本征频率已经被升高。

表膜先前已直接制作至晶体硅(c-Si)的晶片上。以与如上文提及的类似的方式，这是通过在SiOx层(例如，大约300nm)的顶部上直接沉积薄层来完成的，所述SiOx层接着沉积在硅晶片上，其中所述隔膜(表膜)通过选择性地且各向异性地回蚀c-Si来变得独立。因此，c-Si的框架保持在其上方横跨有的独立的隔膜(例如，11cm×14cm，具有15至50nm量级的厚度)。

其上生长有隔膜的基板影响终止于表膜中的应力。最小化制作过程中的热应力是重要的。这是重要的，因为最小化应力导致提高表膜的可用性、鲁棒性和使用寿命。应力越多，表膜将越可能失效。为了在制作中最小化应力，基板的热膨胀系数(CTE)与形成的隔膜的CTE优选地相匹配。如提及的，晶体硅已用于制作表膜。作为示例，当晶体硅晶片的热膨胀系数(CTE)匹配多晶核心的CTE(2.6um/m/K对～4um/m/K)时，在制作过程中不会增加大量的热应力。

使用边界20是有利的，这是因为可以通过将高CTE材料的边界20接合至表膜19上来减小表膜19中的应力。大约7至8μm/m/K和更高的CTE可以相对于表膜被视为高的CTE。这用边界20与表膜19之间的CTE引发的应力来切换框架17与表膜19之间的CTE引发的应力。因此，以相同材料提供边界20、框架17和块状部23是有利的。边界20的材料可以与框架17的材料相同。块状部23的材料可以与框架17的材料相同。

隔膜的增大的CTE意味着应力将增大。在许多情况下，使用晶体硅基板将不合适，这是因为其将不能够匹配隔膜的CTE。

硅具有相对高的比模量(即，杨氏模量/密度)且具有相对高的导热率。因此，硅是用于光和刚性工程的良好构造材料。

将除硅以外的材料用作框架材料呈现出难以获得表膜组件15所需的规格。这些规格可以例如是表膜框架的固有频率、表膜组件的最大重量、所述组件内的温度波动等等。

用定位在上文描述的部位中的容积部28来构造表膜框架17允许替代硅将其它材料用于框架17，并且在一些示例中用于表膜的边界20。也就是，具有不含框架17的材料的容积部28意味着可以在所需规格(本征频率、重量等)内构造表膜组件15。

框架17和/或边界20可以由晶体硅制成。框架17和/或边界20可以由铝制成。框架17和/或边界20可以由氮化铝制成。尽管本说明书提及铝和氮化铝用作用以形成表膜组件的材料，但可以使用其它材料，例如铍或其化合物。

针对框架17和/或表膜19的边界20使用不同的材料(诸如铝或氮化铝)意味着可以更好地匹配隔膜的CTE。这接着在表膜19的制作期间减少热应力。例如，表膜19可以由MoSi(其是相对高的CTE的材料)形成，且可以使用铝或氮化铝来制造框架17。这提供框架17与表膜19之间的更接近地匹配的CTE，这可以在表膜19的制作期间减少热应力。

铝和氮化铝具有比硅更低的杨氏模量，铝的杨氏模量小于氮化铝的杨氏模量。这意味着对于相同的密度，铝和氮化铝的刚度低于硅。因为铝比氮化铝具有更低的杨氏模量，所以由铝制成的框架可能从不含材料的容积部受益非常多，而由氮化铝制成的框架可能从不含材料的容积部受益没有前者多。然而，由铝或氮化铝制成的框架的设计可以相同或类似地相应地提高本征频率(即，具有不含材料的相同的容积部)。

不含材料的容积部28在特定区域中以使得框架17的刚度(不论抗扭还是弯曲刚度)不会实质上降低。这意味着，因为铝与硅具有类似的密度，所以针对铝或氮化铝框架17实现所需重量的必要刚度。因此，不会相对地对刚度作出贡献的框架17的容积部28已经被移除。不含材料的容积部28不会实质上削弱框架17的刚度。框架17的刚度与框架17上的负载匹配。

在特定部位处在特定方向上需要框架17的刚度。例如，在框架17的自由侧30C、30D中，在表膜框架的平面(x-y平面)中需要刚度，因此这个区域中使用I形横截面。容积部28不会实质上削弱框架17的弯曲刚度。例如，在框架17的支撑侧30A、30B中，需要抗扭刚度，因此这个区域中使用中空管。容积部28不会实质上削弱框架17的抗扭刚度。

来源于沉积过程的应力能够消除与期望的应力(例如，预应力)的相互影响。例如，如果微结构提供理想使用寿命但产生过少应力，则可以调谐结构以提供期望的平衡。

尽管已示出已在特定部位处从容积部28移除框架17的材料的示例，但应了解，可以通过从框架17的任何部分中的容积部移除材料来降低框架17的重量。此外，应了解，尽管I形横截面和中空管已示出为示例，但可以使用其它横截面形状以提供框架的所需刚度，不论是抗扭刚度还是弯曲刚度。

作为示例，将铝用作材料且使用在图4、图5A至图5F中示出的框架，框架17、边界20、块状部23和附接构件24的重量可以从14克(其将是使用由铝制成的标准框架的重量)减小至10克。

如提及的，在框架17中的特定部位处移除容积部28中的框架17的材料提升框架17的本征频率。作为示例，将铝用作材料且使用在图4、图5A至图5F中示出的框架，最低本征频率可以是405Hz，这与由硅制成的标准框架的355Hz形成比较。

图7示出紧固至框架17的块状部23的接合机构22的俯视图。在这个示例中，接合机构22已旋转离开垂直于框架17的侧定向的状态，但在其它示例中，接合机构可以在x方向上对准。接合机构22A至22D允许x方向和y方向(见图4)上的移动。接合机构22被配置成允许接合至附接构件24(未描绘)。附接构件24可以例如胶合至图案形成装置MA或可以通过其它结合方式(光学接触、磁性或范德瓦尔斯力等)附接。

接合机构22和附接构件24使表膜框架17相对于图案形成装置MA悬浮，使得在表膜框架与图案形成装置(见图3)之间存在间隙G(其可以被视为狭缝)。间隙G可以由一些移动限制部件维持。间隙G可以足够宽以允许均衡外部环境与表膜与图案形成装置之间的空间之间的压力。间隙G也可以足够窄以使得其提供从外部环境至表膜与图案形成装置之间的空间的潜在污染粒子路线的期望的限制。间隙G可以例如是至少100微米，以便允许均衡外部环境与表膜与图案形成装置之间的空间之间的压力。间隙G可以例如小于500微米，更优选地小于300微米。间隙G可以例如介于200微米与300微米之间。

接合机构22具有被配置成锁定至附接构件24的锁定构件32。锁定构件32具有呈大致在y方向上从中间体36延伸的两个第一板簧形式的两个可弹性弯曲的接合臂34。接合臂34提供表面以在上面搁置附接构件24。中间体36大致在x方向上延伸。中间体36又连接至两个附加的可弹性弯曲的接合臂38，所述接合臂38也呈大致在y方向上但相比于接合臂34以另一距离延伸的两个第二板簧形式。第一板簧34的长度与第二片弹簧38的长度的比率介于1.5:1与2.5:1之间，例如2:1。这保持附接构件(或螺柱)与搁置表面尽可能齐平。

梁40定位在两个接合臂34之间，并且大致在y方向上相对于中间体36从接合构件22的相对侧延伸。梁40用作止动部以抵靠接合臂34固定附接构件24。通过大致在y方向上延伸的梁40为附接构件24提供空间。因此，接合机构22的梁40延伸达一距离，所述距离允许将附接构件24插入至接合机构22中。梁40可以横跨接合构件22延伸超过一半。

图8A示意性地描绘穿过图7的线A-A截取的接合机构22的横截面。图8B示意性地描绘穿过图7的线B-B截取的接合机构22的横截面。

图9示意性地描绘固定至框架17的块状部23的接合机构22的立体图。

图10示意性地描绘穿过图9的线C-C截取的接合机构22的横截面的立体图。

图11A是用以将接合机构22锁定至图案形成装置MA的附接构件24(螺柱)的端视图。图11B是用以将接合机构22锁定至图案形成装置MA的附接构件24(螺柱)的侧视图。在其它示例中，附接构件可以是另一形状和大小。

图12示意性地描绘穿过图9的线C-C截取的接合机构22的横截面的侧视图。附接构件24从图案形成装置MA(未示出)延伸且固定至图案形成装置MA。为了使用锁定构件32以将框架17锁定至图案形成装置MA，框架17被压靠在附接构件24上且接着向下按压接合机构22以产生供框架17开槽至适当位置的空间。特别地，附接构件24相对于接合机构22在箭头D的方向上移动。接着在箭头E的方向(图7中的z方向)上向下推动接合机构22的中间体36，这进而向下推动接合机构22的两个接合臂34。

在向下按压接合臂34的情况下，在接合机构22中产生空间以使附接构件24开槽至梁40的止动部下方的位置中。为了执行这种操作，框架17且因此的接合机构22在箭头F的方向上移动，这进而意味着附接构件24在虚线箭头G的方向上相对于接合机构22有效地移动。附接构件24接着位于其锁定位置中。

一旦释放中间体36且因此释放接合臂34，即，移除在箭头E的方向上推动所述中间体和所述接合臂的力，则附接构件24被夹在梁40的止动部与接合臂34之间。接合机构22因此锁定至附接构件24，并且当接合机构22固定至框架17且附接构件24固定至图案形成装置MA时，框架17锁定至图案形成装置MA。可以针对接合机构22A至22D中的每个执行上文描述的锁定过程。

接合机构22的配置具有在接合机构22的中心中装载接合机构22的优点，这避免引入不想要的扭转。因此，接合机构22被配置使得附接构件24以可移除的方式固定在接合机构22中的大致中心部位中。这与具有朝向引入不想要的扭转的接合机构的侧定位的支撑臂的标准接合机构形成对比。

在附接构件24固定至接合机构22且接合机构22允许框架17在x方向和y方向两者上弯曲的情况下，可以减少表膜19的制作期间的热应力。由接合机构22A至22D和附接构件24提供的移动/柔性或弹性在温度发生改变时根据需要允许表膜框架17相对于图案形成装置MA弯曲。这是有利的，这是因为其避免潜在地破坏在表膜框架17中产生的热应力。

在实施例中，本发明可以形成掩模检查设备的部分。掩模检查设备可以使用EUV辐射以照射掩模且使用成像传感器以监视从掩模反射的辐射。由成像传感器接收的图像用以确定掩模中是否存在缺陷。掩模检查设备可以包括被配置成接收来自EUV辐射源的EUV辐射且将其形成至将要在掩模处引导的辐射束中的光学器件(例如，反射镜)。掩模检查设备还可以包括被配置成收集从掩模反射的EUV辐射且在成像传感器处形成掩模的图像的光学器件(例如，反射镜)。掩模检查设备可以包括处理器，所述处理器被配置成分析成像传感器处的掩模的图像且根据所述分析确定掩膜上是否存在任何缺陷。处理器可以被进一步配置成确定在由光刻设备使用掩模时检测到的掩模缺陷是否将在投影至衬底上的图像中造成不可接受的缺陷。

在实施例中，本发明可以形成量测设备的部分。量测设备可以用以测量形成在衬底上的抗蚀剂中的被投影的图案相对于已经存在于衬底上的图案的对准。相对对准的这种测量结果可以被称为重叠。量测设备可以例如被定位成紧邻光刻设备且可以用以测量在衬底(和抗蚀剂)已被处理之前的重叠。

尽管可以在本文中特定地参考在光刻设备的内容背景下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以构成掩模检查设备、量测设备或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的对象的任何设备的部分。这些设备通常可以被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

术语“EUV辐射”可以被认为涵盖具有介于4nm至20nm的范围内，例如介于13nm至14nm的范围内的波长的电磁辐射。EUV辐射可以具有小于10nm的波长，例如介于4nm至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm。

尽管图1和图2将辐射源SO描绘为激光产生等离子体LPP源，但可以使用任何适合的源以产生EUV辐射。例如，可以通过使用放电以将燃料(例如，锡)转换成等离子体状态来产生发射EUV的等离子体。这种类型的辐射源可以被称为放电产生等离子体(DPP)源。可以由电源产生放电，所述电源可以构成辐射源的部分或可以是通过电连接而连接至辐射源SO的分立的实体。

尽管可以在本发明中特定地参考在IC制造中光刻设备的使用，但应理解，本发明中描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测、平板显示器、液晶显示器(LCD)、表膜磁头等等。

尽管上文可以特定地参考在光学光刻术的内容背景下对本发明的实施例的使用，但将了解，本发明可以用于其它应用，例如，压印光刻术中，并且在内容背景允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定产生在衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌压入到被供应至衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。

尽管上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以与描述的方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述意图为说明性而非限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的权利要求和权利要求的范围的情况下对描述的本发明进行修改。

Claims

1.一种表膜框架，用于支撑表膜，所述表膜框架包括：

第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及

设置在所述第一表面与所述第二表面之间的结构；

其中所述第一表面和所述第二表面以及所述结构之间至少部分地限定不含形成所述表膜框架的材料的至少一个容积部。

2.根据权利要求1所述的表膜框架，其中所述表膜框架的至少一个部分能够具有与所述表膜框架的至少一个其它部分不同的横截面轮廓。

3.根据权利要求2所述的表膜框架，其中设置在所述第一表面与所述第二表面之间的所述结构的形式、和/或容积部的量在所述表膜框架的所述至少一个部分与所述至少一个其它部分之间不同。

4.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述容积部限定或包括至少一个空隙、空间、中空部、凹穴或腔室。

5.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述容积部围绕所述表膜框架的周界的至少一部分延伸。

6.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述容积部是敞开的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述容积部被包括在所述第一表面与所述第二表面之间的容积部基体中。

8.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述结构至少包括连接所述第一表面与所述第二表面的第一壁。

9.根据权利要求8所述的表膜框架，其中所述表膜框架包括第二壁，所述第二壁与所述第一壁相对并连接所述第一表面与所述第二表面，其中所述容积部延伸穿过所述第一壁和所述第二壁或在所述第一壁与所述第二壁之间延伸。

10.根据权利要求9所述的表膜框架，其中所述第一表面和所述第二表面以及所述第一壁和所述第二壁沿所述表膜框架的一侧的长度的至少一部分形成中空管。

11.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述第一表面和所述第二表面以及所述第一壁沿所述表膜框架的一侧的长度的至少一部分形成I形横截面。

12.根据权利要求10和11中任一项所述的表膜框架，其中所述表膜框架的所述侧是不直接附接或不能附接至图案形成装置的自由侧。

13.根据权利要求10和11中任一项所述的表膜框架，其中所述表膜框架的所述侧是被配置成能够附接至图案形成装置的支撑侧。

14.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述第一表面和所述第二表面中的至少一个是连续的。

15.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述第一表面和所述第二表面中的至少一个在其中具有至少一个凹部。

16.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述表膜框架包括用于将所述表膜框架附接至图案形成装置的至少一个接合机构。

17.根据当从属于权利要求10时的权利要求16所述的表膜框架，其中所述表膜框架的所述侧是支撑侧，中空管从所述表膜框架的自由侧延伸至所述接合机构。

18.根据权利要求16或权利要求17所述的表膜框架，其中所述表膜框架包括多个接合机构，每个接合机构被定向成背离垂直于其上定位有接合机构的所述表膜框架的所述侧。

19.根据权利要求16至18中任一项所述的表膜框架，其中每个接合机构实质上面向所述表膜框架的中心点。

20.根据权利要求16至19中任一项所述的表膜框架，其中所述接合机构被配置使得附接构件能够以可移除的方式固定在所述接合机构中的实质上的中心部位中。

21.根据权利要求16至20中任一项所述的表膜框架，其中所述接合机构包括一对第一板簧和分别连接至所述第一板簧的一对第二板簧，每个板簧在大致相同的方向上延伸。

22.根据权利要求21所述的表膜框架，其中中间体定位在所述第一板簧与所述第二板簧之间。

23.根据权利要求21至22中任一项所述的表膜框架，其中所述第一板簧的长度与所述第二板簧的长度的比率介于1.5:1与2.5:1之间。

24.根据权利要求21至23中任一项所述的表膜框架，其中所述第一板簧包括多个可弹性弯曲的接合臂，梁定位在两个所述接合臂之间，其中所述梁横跨所述接合机构延伸超过一半。

25.根据前述权利要求中任一项所述的表膜框架，其中所述表膜框架由铝和氮化铝中的至少一种制成。

26.一种制造用于支撑表膜的表膜框架的方法，所述方法包括：

由框架材料形成表膜框架，所述表膜框架包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、和位于所述第一表面与所述第二表面之间的结构，以及

在所述第一表面与所述第二表面之间形成不含框架材料的至少一个容积部。

27.根据权利要求26所述的方法，其中通过移除在所述第一表面与所述第二表面之间的至少一个容积的框架材料来形成所述至少一个容积部。

28.根据权利要求26或权利要求27所述的方法，其中所述方法包括在实质上没有对所述表膜框架的刚度、所述表膜框架的弯曲刚度和/或所述表膜框架的抗扭刚度作出贡献的所述表膜框架的一部分中形成所述容积部。

29.根据权利要求26至29中任一项所述的方法，其中所述框架材料由铝和氮化铝中的至少一种形成。

30.一种表膜组件，包括根据权利要求1至25中任一项所述的表膜框架和表膜。

31.根据权利要求30所述的表膜组件，还包括表膜边界。

32.根据权利要求31所述的表膜组件，其中所述表膜边界与所述表膜框架是相同的材料。

33.根据权利要求31至32中任一项所述的表膜组件，其中所述表膜边界由铝和氮化铝中的至少一种制成。

34.根据权利要求30至33中任一项所述的表膜组件，其中所述表膜框架由铝和氮化铝中的至少一种制成。

35.根据权利要求30至34中任一项所述的表膜组件，其中所述表膜框架包括接合机构。

36.根据权利要求35所述的表膜组件，其中用于保持所述接合机构的块状部与所述表膜框架由相同的材料形成。

37.一种表膜框架，包括四个接合机构，其中每个接合机构实质上面向所述表膜框架的中心点。

38.一种表膜框架，包括接合机构，其中所述接合机构被配置成使得附接构件能够以可移除的方式固定在所述接合机构中的实质上的中心。