TWI797160B

TWI797160B - 薄膜框、製造薄膜框之方法及薄膜總成

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Publication number: TWI797160B
Application number: TW107132360A
Authority: TW
Inventors: 安東威爾赫姆斯戴斯; 邁可辛亞歷山德羅維奇納莎里維奇; 雅努威稜諾登布; 瑪莉亞彼得; 柔彼德珍凡; 大衛凡迪奈德凡爾斯
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2017-10-27
Filing date: 2018-09-14
Publication date: 2023-04-01
Also published as: NL2023187B1; US20200319546A1; WO2019081095A1; JP2021500595A; NL2023187A; TW201923446A; JP2023129431A; NL2021560B1; CN111279260A; TW202334742A; KR20200071080A; NL2021560A; US11314163B2; EP3701331A1; JP7307054B2

Abstract

本發明提供一種用於支撐一薄膜之薄膜框(17)，該框(17)包含一第一表面(17A)及與該第一表面(17A)相對之一第二表面(17B)，以及設置於該第一表面與該第二表面(17A、17B)之間的結構(18)；其中該第一表面及該第二表面(17A、17B)以及該結構(18)至少部分地在其間界定不含形成該框(17)之材料的至少一個容積(28)。

Description

薄膜框、製造薄膜框之方法及薄膜總成

本發明係關於一種薄膜框及一種薄膜總成。薄膜總成可包含薄膜及用於支撐薄膜之薄膜框。薄膜可適合於與用於微影設備之圖案化裝置一起使用。本發明具有結合EUV微影設備及EUV微影工具之特定但非排他性用途。

微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)之製造中。微影設備可例如將圖案自圖案化裝置(例如，光罩)投影至設置於基板上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。

由微影設備使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影設備(其可例如使用具有193nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4nm至20nm之範圍內的波長之電磁輻射之EUV輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

在微影中使用薄膜為熟知及公認的。DUV微影設備中之典型薄膜為遠離圖案化裝置而定位且在使用時在微影設備之焦平面之外的隔膜。由於薄膜在微影設備之焦平面外，因此落在薄膜上之污染粒子在微影設備之焦點外。因此，污染粒子之影像未投影至基板上。若薄膜不存在，則落在圖案化裝置上之污染粒子將投影至基板上且將把缺陷引入至所投影圖案中。

可能需要在EUV微影設備中使用薄膜。EUV微影與DUV微影之不同之處在於其通常在真空中執行且圖案化裝置通常為反射的而非為透射的。

需要提供克服或減輕與先前技術相關聯的一或多個問題之薄膜框及/或薄膜總成。本文中所描述之本發明的實施例可在EUV微影設備中具有用途。本發明之實施例亦可在DUV微影設備及/或另一種形式之微影工具中具有用途。

根據本發明之一第一態樣，提供一種用於支撐一薄膜之薄膜框，該框包含一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，以及設置於該第一表面與該第二表面之間的結構；其中該第一表面及該第二表面及該結構至少部分地在其間界定不含形成該框之材料的至少一個容積。

此可具有以下優點：相對於不具有不含形成該框之材料之容積的一框，可存在該框之重量的一減小，且可提高該框之特徵頻率。此可允許使用不同材料以形成該框。使用不同材料可允許更接近地匹配薄膜熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)，此舉可在製造該薄膜期間減少熱應力。

該框之至少一部分可與該框之至少一個其他部分具有一不同橫截面輪廓。該等容積之分佈可在該框周圍或至少在該框之該至少一部分之間及在該至少一個其他部分處不同。此可具有以下優點：該等容積可定位於該框之不實質上有助於該框之剛度的一部分中，剛度例如係該框之彎曲剛度及/或該框之抗扭剛度。

設置於該第一表面與該第二表面之間該結構的形式及/或一容積量可在該框之該至少一部分與該至少一個其他部分之間不同。

該容積可界定或包含至少一個空隙、空間、凹陷、凹穴或腔室。

該容積可圍繞該框之周界的至少一部分延伸。

該容積可係開放的。

該容積可包含於該第一表面與該第二表面之間的一容積基體中。

該結構可至少包含連接該第一表面與該第二表面之一第一壁。

該框可包含與該第一壁相對之連接該第一表面與該第二表面的一第二壁，且其中該容積延伸穿過該第一壁及該第二壁或在該第一壁與該第二壁之間延伸。

該第一表面及該第二表面以及該第一壁及該第二壁可沿著該框之一側的長度之至少一部分形成一中空管。

該第一表面及該第二表面及該第一壁可沿著該框之一側的長度之至少一部分形成一I形橫截面。

該框之該側可係不直接附接或可附接至一圖案化裝置之一自由側。

該框之該側可係經組態以可附接至一圖案化裝置之一支撐側。

該第一表面及該第二表面中之至少一者可係連續的。

該第一表面及該第二表面中之至少一者可在其中具有至少一個凹槽。

該框可包含用於將該框附接至一圖案化裝置之至少一個接合機構。此係有利的，此係因為其避免潛在地破壞在該框中產生之熱應力。

該框之側可係一支撐側且中空管可自該框之一自由側延伸至該接合機構。

該框可包含複數個接合機構且各接合機構可定向成遠離垂直於該框之其在上面定位的側。此可具有允許該框相對於該圖案化裝置之熱膨脹的優點，且可有助於防止應力在該圖案化裝置中累積。

各接合機構可實質上面向該框之中心點。

該接合機構可經組態使得一附接部件可按可卸除方式固定於該接合機構中之一實質上中心的位置中。此可具有減少扭轉之優點。

該接合機構可包含一對第一片彈簧及分別連接至該等第一片彈簧之一對第二片彈簧，且各片彈簧可在大體上相同之方向上延伸。

一中間體可定位於該等第一片彈簧與該等第二片彈簧之間。

該等第一片彈簧之長度與該等第二片彈簧之長度可具有介於1.5：1與2.5：1之間的一比率。

該等第一片彈簧可包含彈性可撓之接合臂且一橫樑可定位於該兩個接合臂之間，其中該橫樑可跨越該接合機構之一半在上方延伸。此可具有為該附接部件提供空間之優點。

該薄膜框可由鋁及/或氮化鋁中之至少一者製成。

根據本發明之一第二態樣，提供一種製造用於支撐一薄膜之一薄膜框的方法，該方法包含：自一框材料形成一薄膜框，該框包含一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，以及置於該第一表面與該第二表面之間的一結構；及在該第一表面與該第二表面之間形成不含框材料之至少一個容積。

可在該第一表面與該第二表面之間藉由移除框材料之至少一個容積來形成該至少一個容積。

該方法可進一步包含在該框之不實質上有助於該框之剛度、該框之彎曲剛度及/或該框之抗扭剛度的一部分中形成該容積。

該框材料可由鋁及氮化鋁中之至少一者形成。

根據本發明之一第三態樣，提供一種包含如上文所描述之一薄膜框及一薄膜之薄膜總成。

該薄膜總成可進一步包含一薄膜邊界。此可具有減少該薄膜中之應力的優點。

該薄膜邊界與該薄膜框可係相同材料。

該薄膜邊界可由鋁及/或氮化鋁中之至少一者製成。

該薄膜框可由鋁及/或氮化鋁中之至少一者製成。

該薄膜框可包含一接合機構。

用於固持該接合機構之一塊體可與該薄膜框由相同材料形成。

根據本發明之一第四態樣，提供一種包含四個接合機構之薄膜框，其中各接合機構實質上面向該框之中心點。此可具有允許該框相對於該圖案化裝置之熱膨脹的優點，且有助於防止應力在該圖案化裝置中累積。

根據本發明之一第五態樣，提供一種包含一接合機構之薄膜框，其中該接合機構經組態使得一附接部件可按可卸除方式固定於該接合機構中之一實質上中心的位置中。此可具有減少扭轉之優點。

應瞭解，在以下描述中上文所描述或參考之一或多個態樣或特徵可與一或多個其他態樣或特徵組合。

1:雷射

2:雷射光束

3:燃料發射器

4:電漿形成區

5:收集器

6:中間焦點

7:電漿

8:開口

9:圍封結構

10:琢面化場鏡面裝置

11:琢面化光瞳鏡面裝置

15:薄膜總成

15A:薄膜總成

17:薄膜框

17A:第一表面

17B:第二表面

17C:第一壁

17D:第二壁

18:結構

19:薄膜

20:薄膜邊界

21:經圖案化表面

22:接合機構

22A:接合機構

22B:接合機構

22C:接合機構

22D:接合機構

23:塊體

24:附接部件

24A:附接部件

24B:附接部件

24C:附接部件

24D:附接部件

26:污染粒子

28:容積

28A:容積

28B:容積

28C:容積

30A:支撐側

30B:支撐側

30C:自由側

30D:自由側

32:鎖定部件

34:接合臂/第一片彈簧

36:中間體

38:接合臂/第二片彈簧

40:橫樑

B:輻射光束

CP:中心點

D:箭頭

E:箭頭

F:箭頭

G:間隙/箭頭

IL:照明系統

LA:微影設備

MA:圖案化裝置

MT:支撐結構

PS:投影系統

SO:輻射源

W:基板

WT:基板台

x:方向

y:方向

z:方向

現將參考隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中：- 圖1示意性地描繪包含包括薄膜總成之微影設備的微影系統；- 圖2A描繪薄膜總成及圖案化裝置；- 圖2B描繪薄膜總成及圖案化裝置；- 圖3示意性地描繪薄膜總成及圖案化裝置之橫截面；- 圖4示意性地描繪薄膜框之俯視圖；- 圖5A至圖5F示意性地描繪穿過圖4截取之截面及詳細截面；- 圖6A示意性地描繪框之透視圖。

- 圖6B示意性地描繪框之橫截面的透視圖。

- 圖7示意性地描繪接合機構之俯視圖；- 圖8A示意性地描繪穿過圖7之線A-A截取之接合機構的橫截面；- 圖8B示意性地描繪穿過圖7之線B-B截取之接合機構的橫截面。

- 圖9示意性地描繪接合機構之透視圖。

- 圖10示意性地描繪穿過圖9之線C-C截取之接合機構之橫截面的透視圖。

- 圖11A示意性地描繪附接部件之端視圖。

- 圖11B示意性地描繪圖11A之附接部件的側視圖。

- 圖12示意性地描繪穿過圖9之線C-C截取之接合機構之橫截面的側視圖。

圖1展示根據本發明之一個實施例的包括薄膜總成15之微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)輻射光束B。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA(例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節輻射光束。投影系統經組態以將輻射光束B(現藉由光罩MA而圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影設備將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。

輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構及配置使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在遠低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。

圖1所展示之輻射源SO係屬於可被稱作雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP)源之類型。可例如為CO₂雷射之雷射1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至諸如錫(Sn)之燃料中，該燃料自燃料發射器3提供。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合之燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而引導例如呈小滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積會在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射係由近正入射輻射收集器5(有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5nm之所要波長之EVU輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可處於電漿形成區4處，且第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。

雷射1可遠離輻射源SO。在此狀況下，雷射光束2可藉助於包含例如適合導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起被認為是輻射系統。

由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦在點6處以形成充當用於照明系統IL之虛擬的輻射源之電漿形成區4之影像。輻射光束B聚焦之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。

輻射光束B自輻射源SO傳送至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起向輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角強度分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA受薄膜19保護，該薄膜由薄膜框17(在描述之其餘部分中被稱作框)固持在適當的位置。薄膜19及框17共同形成薄膜總成15。圖案化裝置MA(其可例如為光罩)反射且圖案化輻射光束B。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11補充或替代，照明系統IL亦可包括其他鏡面或裝置。

在自圖案化裝置MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4之減小因數。儘管投影系統PS在圖1中具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

圖1中所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可設置於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

如上文簡要地描述，薄膜總成15包括鄰近於圖案化裝置MA而設置之薄膜19。薄膜19設置於輻射光束B之路徑中，使得輻射光束B在其自照明系統IL接近圖案化裝置MA時及在其由圖案化裝置MA朝向投影系統PS反射時兩種情況下傳遞通過薄膜19。薄膜19包含實質上對於EUV輻射而言為透明的之薄膜(儘管其將吸收少量EUV輻射)。在本文中EUV透明薄膜或用於EUV輻射之實質上透明的薄膜意謂薄膜19透射EUV輻射之至少65%，較佳地至少80%且更佳地EUV輻射之至少90%。薄膜19作用以防止圖案化裝置MA受到顆粒污染。薄膜19在本文中可被稱作EUV 透明薄膜。薄膜19可由矽化鉬(MoSi)製成。MoSi在高溫下比矽強，此係因為其比矽更快速地冷卻。在其他實例中，薄膜可由諸如矽之其他材料製成。

可努力維持微影設備LA內部之清潔環境，但粒子可仍存在於微影設備LA內部。在不存在薄膜19之情況下，顆粒可沈積至圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA上之粒子可不利地影響被賦予至輻射光束B之圖案且因此影響轉印至基板W之圖案。薄膜19在圖案化裝置MA與微影設備LA中之環境之間提供障壁以便防止粒子沈積於圖案化裝置MA上。

在使用中，薄膜19安置成與圖案化裝置MA相隔某距離，該距離足以使得入射於薄膜19之表面上之任何粒子並不在輻射光束B之焦平面中。薄膜19與圖案化裝置MA之間的此分離度用以減小薄膜19之表面上之任何粒子將圖案賦予至輻射光束B之範圍。應瞭解，當輻射光束B中但是在不在輻射光束B之聚焦平面上(亦即，不在圖案化裝置MA之表面處)的位置處存在粒子時，接著粒子之任何影像將不在基板W之表面處聚焦。在一些實施例中，薄膜19與圖案化裝置MA之間的分離可例如介於2mm與3mm之間(例如，約2.5mm)。在一些實施例中，如下文更詳細地描述，薄膜19與圖案化裝置之間的分離度可為可調整的。

圖2A係薄膜總成15及圖案化裝置MA之透視圖。薄膜總成15可包含框17及不具有薄膜邊界20之薄膜19(見圖2B)。薄膜19可直接形成於框17上。圖案化裝置MA具有經圖案化表面21。

在其他實例中，薄膜總成亦可包含邊界20。圖2B係薄膜總成15A及圖案化裝置MA之透視圖。薄膜總成15A可包含薄膜19、框17及薄膜邊界20。邊界20可視情況與薄膜19成一體、包含於其中或與其實體分離。邊界20可比薄膜19之主部分顯著地更厚，且可定位於薄膜19之外部周邊周圍。此邊界20附接至框17。薄膜框17經由邊界20圍繞薄膜19之周邊部分支撐薄膜19。邊界20可膠合至框17或可以另一方式附接。在所描述實例中，框17可與不具有邊界20之薄膜19或具有邊界20之薄膜19一起使用。

圖3係以橫截面且更詳細地對薄膜總成15及圖案化裝置MA進行的示意性說明。示意性地展示污染粒子26。污染粒子26入射於薄膜19上且由薄膜19固持。薄膜19固持污染粒子26充分遠離光罩MA之經圖案化表面21，使得其並未藉由微影設備LA成像至基板上。根據本發明之實施例的薄膜總成可允許提供受保護免於薄膜之污染的光罩圖案(圖案化裝置上)，使得使用光罩產生之圖案在使用期間保持實質上無缺陷。在其他實例中，可以類似方式使用薄膜總成15A(亦即，具有邊界20)。

可藉由在將設置邊界20之基板之頂部正上方沈積薄膜19來建構薄膜總成15A。在沈積薄膜19之膜之後，可選擇性地回蝕基板以移除基板之中心部分且僅留下外部周邊，從而形成用以支撐薄膜19之邊界20。

在其他實例中，可首先沈積蝕刻終止層(例如，SiO₂)，接著沈積薄膜核心材料，且接著沈積另一蝕刻終止層(例如，SiO₂)。可蝕刻掉矽晶圓材料直至蝕刻終止層為止。可接著以既不攻擊矽亦不攻擊矽化鉬MoSi之不同蝕刻劑蝕刻掉蝕刻終止層。此留下獨立薄膜(membrane/pellicle)。薄膜19可具有例如大約15nm至50nm之厚度。在其他實例中，可藉由在將設置框17之基板之頂部正上方沈積薄膜19來建構薄膜總成15。

薄膜19需要一定等級的「預應力」(亦即，在未在使用中時在薄膜19內存在之定等級的應力)。薄膜19內之預應力允許薄膜19耐受由在掃描操作期間之溫度及氣體壓力改變引起的壓力差。然而，在預應力過大的情況下，此將減小薄膜總成15之總體壽命。因而，需要給予薄膜19預應力(在所描繪x-z平面上)，以便在薄膜19上之給定壓力係限制偏轉(z方向上)。當薄膜19在z方向上之偏轉過大時，薄膜19可能破裂及/或觸摸薄膜19之周圍區域中之其他構件。

薄膜19之預應力較佳受限的，此係由於薄膜19之應力較佳顯著低於從中形成薄膜19之材料之最終張應力或屈服強度。預應力與最終張應力之間的裕度應儘可能地大，從而增加薄膜19之壽命及可靠度。

預應力經由一或多個機構可併入於薄膜19中，包括化學計量、氫化、晶體尺寸之控制、摻雜及薄膜19沈積至基板上在期間之熱膨脹係數(CTE)的選擇性失配。薄膜19亦可包含多個層(例如，用以保護薄膜19免於例如氫自由基之罩蓋層)。歸因於薄膜總成15之薄膜19部分之層之間的CTE失配及可供沈積薄膜19之不同層之異質磊晶製程，多層薄膜19之每一層中之應力可不同。

使用中之薄膜19中的張力將在一定程度上由所施加預應力決定，如上文所詳述。亦可控制薄膜19至邊界20之附接以便在薄膜19中達成合乎需要之張力。舉例而言，可在薄膜19附接至邊界20期間或之後量測薄膜19中之張力，且可回應於量測而調整張力以便在薄膜19中達成合乎需要之張力。舉例而言，可藉由向邊界20之組件施加朝外力以便拉伸薄膜19來維持薄膜19中之張力。可例如藉由使用框與薄膜之間的熱膨脹係數差來維持薄膜19中之張力。

儘管所說明實施例展示框在圖案化裝置MA前方附接，但在其他實例中，框可在圖案化裝置MA之其他部分處附接。舉例而言，框可附接至圖案化裝置MA之側。此可例如使用提供框與圖案化裝置MA之側之間的以可釋放方式可嚙合之附接的子安裝台來得以達成。在替代性配置中，框可經由圖案化裝置MA之側上之一些附接位置與圖案化裝置MA之前方上之一些附接位置的組合附接至圖案化裝置MA。附接可例如由以可釋放方式嚙合框與圖案化裝置MA之子安裝台提供。

可控制框17至圖案化裝置MA之附接以便在薄膜19中達成合乎需要之張力。舉例而言，可在框17附接至圖案化裝置MA期間量測薄膜19中之張力，且可回應於量測而調整張力以便在薄膜19中達成所要張力。

框17可包括接合機構22，該接合機構經組態以允許框17可按可卸除方式附接至圖案化裝置MA(亦即，允許框17可附接至且可自圖案化裝置MA卸除)。接合機構22可定位於框17之塊體23(見圖4)中。接合機構22經組態以與設置於圖案化裝置MA上之附接部件24嚙合。舉例而言，附接部件24可係突出物或自圖案化裝置MA延伸之螺柱。接合機構22可例如包含與突起部嚙合且將框17緊固至圖案化裝置MA之鎖定部件32(見圖7)。

可提供複數個接合機構22及相關聯附接部件24。接合機構22可圍繞框17分佈(例如，兩個接合機構22A、22B在框之一側上，且兩個接合機構22C、22D在框之相對側上)。相關聯附接部件可圍繞圖案化裝置MA之周邊分佈。接合機構22可定位於框17之塊體23(見圖4)中。

現參考圖4，展示框17之俯視圖。框17配備有四個接合機構 22A至22D。各接合機構22可定位於框17之各別塊體23中，該等塊體自框17之周邊之相應側的其餘部分朝外徑向突出。各接合機構22A至22D經組態以收納自圖案化裝置MA延伸之各別附接部件24A至24D(如下文所描述)。框17在此實例中具有四個側。兩個接合機構22A、22B設置於框17之一側30A上，且兩個接合機構22C、22D設置於框17之相對側上。此等側將被稱作支撐側30A、30B。將支撐側30A、30B連接至一起且不具有接合機構22A至22D的另外兩個側被稱作自由側30C、30D。其他組合亦可係可能的，諸如四個框側中之每一者上的接合機構等等。接合機構22設置於框17之將在微影設備中在使用期間沿著掃描方向(根據習知記法在圖3及圖4中指示為y方向)而定向的側上。然而，接合機構可設置於框17之將在微影設備中在使用期間垂直於掃描方向(根據習知記法在圖3及圖4中指示為x方向)而定向的側上。

由接合機構22A至22D收納之附接部件24A至24D(突出物)可定位於圖案化裝置MA之前表面，亦即，圖案化表面21上。另外或替代地，突出物可定位於圖案化裝置之側上。突出物可自圖案化裝置之側垂直延伸。在此配置中，突出物可各具有扁平化側表面以便於安全地接合至圖案化裝置之一側。

各接合機構22A至22D可傾斜地定向至框之側，例如以使得該等側在x-y平面上實質上面向框17之中心點CP。在此狀況下，中心點CP係框17之幾何中心。亦即，各接合機構22A至22D已遠離垂直於框17之側定向而旋轉，以使得其大致面朝框17之中心。因此，接合機構22A面朝接合機構22D，且接合機構22B面朝接合機構22C。在圖4中自各接合機構繪製之線在中心點CP處相交。此形成在框17之中心點CP中產生熱中心的兩個對稱平面。此允許框17相對於圖案化裝置MA熱膨脹，且防止應力在圖案化裝置MA中累積。在其他實例中，接合機構22可不一直旋轉以面向框17之中心點CP。在此狀況下，減少之應力累積的益處將不會太大，但仍將存在提高之熱膨脹能力。

再次參考圖3，框17可具有第一表面17A及與第一表面17A相對之第二表面17B。第一表面17A及第二表面17B可係連續的。如適用，薄膜19或邊界20可圍繞其完整周邊與框之第一表面17A接觸。在其他實例中，第一表面17A及/或第二表面17B可具有至少一個凹槽(未展示)。在圖3中，第一表面17A係頂表面且第二表面17B係底表面。當薄膜19在使用中時，第一表面17A可面朝下且第二表面可面朝上，但此處使用之術語僅用於輔助理解且第一表面17A及第二表面17B在使用中面朝之方向可不同或反轉。

框17可包含設置於第一表面17A與第二表面17B之間且連接且分離第一表面17A與第二表面17B的結構18。結構18至少部分地界定容積28A至28C，諸如空隙、空間、凹穴、凹穴、腔室等等。

在實例中，結構18包含第一壁17C。第一壁17C可定位於框17之內部周邊處且可圍繞框17之周界的至少部分延伸。在實施例中，第一壁17C可位於框17之內部周邊與外部周邊之間，且可圍繞框17之周界的至少部分延伸。第一壁17C可圍繞框17之周界的至少一部分或圍繞框17之整個周界而連續。框17可具有連接第一表面17A與第二表面17B之第二壁17D。第二壁17D可定位於框17之外部周邊處且可圍繞框17之周界的至少部分延伸。在實施例中，第二壁17D可位於框17之內部周邊與外部周邊之間，且可圍繞框17之周界的至少部分延伸。第二壁17D可圍繞框17之周界的至少一部分或圍繞框17之周界的全部而連續。在實施例中，第一壁17C及/或第二壁17D與第一表面17A及第二表面17B大體上垂直且傾斜地延伸。

圖5A至圖5F展示穿過圖4截取之截面。如圖5A至圖5D中所展示，容積28A至28C設置於框17中，其中材料已自框17移除或缺失。亦即，第一表面17A及第二表面17B至少部分地界定第一表面17A與第二表面17B之間的複數個容積28，該等容積不含形成框17之材料。在實施例中，框17可能未在容積28中形成有材料。容積28可對環境，例如空氣、處理氣體或真空開放，或閉合。在其他實例中，容積28可填充有不同於框17之材料的材料。舉例而言，容積28可填充有不如形成框17之其餘部分之大部分之材料密集的材料。

可存在沿著框17之周界定位於不同位置處之多個容積28，此等容積28可彼此接合以形成更大容積或可由第一壁17C及/或第二壁17D分離。亦即，可存在形成於第一表面17A與第二表面17B之間的容積28之晶格。

另外，框之至少一部分可與框之至少一個其他部分具有不同橫截面輪廓。特定言之，設置於第一表面17A與第二表面17B之間的結構18的形式(例如，壁17C、17D之數目，壁17C、17D之相對配置等等)及容積28與結構18之相對量視情況在框之至少一部分與至少一個其他部分之間不同，例如以便在彼等位置處提供所要機械性質及熱性質。舉例而言，框17之可至少一部分具有I形橫截面，且框17之至少一個之其他部分可具有框或中空管區段。

圖5B展示自由側30C之側視圖，其說明支撐側30A、30B至少部分地挖空以形成在y方向上延伸之開放管結構(亦即，中空管)。中空管內之開放空間係容積28A。此情形在圖5E中更詳細地予以展示。中空管提供抗扭剛度。第一表面17A及第二表面17B及第一壁17C及第二壁17D沿著框17之支撐側30A之長度的至少一部分形成中空管。容積28A可被視為延伸穿過第一壁17C及第二壁17D或在其之間延伸。優選地，中空管在支撐側30A中該自由側30C延伸至接合機構22A。在其他實例中，中空管可在支撐側30A中自自由側30C延伸至固持接合機構22A之塊體23。中空管可沿著支撐側30A、30B中之一者或兩者的全長延伸。中空管可僅沿著支撐側30A、30B中之一者或兩者之長度的一部分延伸。在其他實例中，中空管可沿著自由側30C、30D中之一者或兩者的至少部分延伸。在其他實例中，支撐側30A、30B中之一者或兩者的橫截面可係另一形狀或除中空管以外之中空結構，只要提供所需抗扭剛度即可。

圖5C展示穿過圖4之線D-D截取之截面視圖，其說明具有在x方向上延伸之I形橫截面的自由側30C、30D。此情形在圖5F中更詳細地予以展示。I形橫截面提供彎曲剛度。第一表面17A及第二表面17B及第一壁17C沿著自由側30C之長度的至少一部分形成I形橫截面。由於I形橫截面，存在在x方向上沿著側30C之長度的至少一部分在第一壁17C之側上延行的兩個容積28B。優選地，I形橫截面在自由側30C中自支撐側30A一直延伸至支撐側30B。I形橫截面可沿著自由側30C、30D中之一者或兩者的全長延伸。在其他實例中，I形橫截面可僅沿著自由側30C、30D中之一者或兩者之長度的一部分延伸。在其他實例中，I形橫截面可沿著沿著自由側30C、30D中之一者或兩者的至少部分延伸。在其他實例中，自由側30C、30D中之一者或兩者的橫截面可係除I形以外之另一形狀，只要提供所需彎曲剛度即可。

圖5A展示穿過線C-C截取之截面視圖，其說明支撐側30A上之塊體23中之已移除容積28C的至少一者。此情形在圖5D中更詳細地予以展示。界定容積28C之第一表面17A及第二表面17B僅作為參考表面而需要。亦即，不需要容積28C具有用於強度或剛度之材料。將第二壁17D視作圍繞塊體23之外圍延伸，容積28C可被視為在x方向上延伸至第二壁17D。在其他實例中，容積28C可在框17之內部周邊處在x方向上穿過第二壁17D一直延伸至第一壁17C。容積28C可延伸穿過第二壁17D及穿過內壁17C，使得容積28C在x方向上完全或部分地延伸穿過支撐側30A。塊體23中之容積28C可係任何適合大小，且可定位於框17之另一部分中。亦即，容積28C可圍繞框17之周界在任何位置處延伸穿過第一壁17C及/或第二壁17D或在其之間延伸。

圖4展示已移除區塊23之外角。亦即，可自塊體23之角移除將在標準框中以其他方式存在之材料。由於如上文所描述之接合機構22的旋轉，此係因為在此區域中不再需要塊體23之支撐。

圖6A展示具有定位於塊體23中之四個接合機構22A至22D之框17的透視圖。在支撐側30A、30B及自由側30C、30D中展示容積28A至28C。

圖6B展示框17之平面橫截面的透視圖。更詳細地展示容積28A至28C。容積28A展示為在支撐側30A中自自由側30C延伸至固持接合機構22A之塊體23的中空管。另一容積28A展示為在支撐側30C中自自由側30C延伸至固持接合機構22C之塊體23的中空管。另一容積28A展示為在支撐側30A中自自由側30D延伸至固持接合機構22B之塊體23的中空管。另一容積28A展示為在支撐側30B中自自由側30D延伸至固持接合機構22D之塊體23的中空管。

容積28B展示為沿著在自由側30C、30D中一直自支撐側30A延伸至支撐側30B之I形橫截面的任一側延行。容積28C展示為自塊體23之外圍外部延伸至第二壁17D，亦即，容積28C呈三角形空腔之形式。

如關於圖4及5A至圖5F所描述，已自容積28中之框17移除框17之材料，或材料在製造框17時不包括於容積28中。可藉由如此項技術中已知的諸如碾磨、蝕刻之任何方法執行容積28中之框17之材料的移除。在其他實例中，諸如藉由3D打印，可在不在容積28A至28C中置放材料中之任一者的情況下製造框，亦即，容積已不含材料。不含框17之材料的容積28意謂框17之重量已相比於框17在此等容積28中具有材料時減小。此外，框17之特徵頻率已由於容積28不含框17之材料而升高。

薄膜先前已直接製造至晶體矽(c-Si)晶圓上。以與如上文所提及類似之方式，此藉由在SiOx層(例如，大致300nm)正上方沈積薄層來完成，該SiOx層接著沈積於具有選擇性且非等向性地回蝕刻c-Si來變得獨立之薄膜(membrane/pellicle)的矽晶圓上。因此，保持在其上方橫跨獨立薄膜(例如，11cm×14cm，具有大約15至50nm之厚度)之c-Si框。

上面生長薄膜之基板影響在薄膜中結束之應力。最小化製造製程中之熱應力係重要的。此係重要的，此係因為最小化應力提高薄膜之可用性、穩固性及使用壽命。應力愈多，薄膜將愈可能失效。為了在製造中最小化應力，基板之熱膨脹係數(CTE)與所形成薄膜之CTE較佳地匹配。如所提及，晶體矽已用以製造薄膜。作為實例，當晶體矽晶圓之熱膨脹係數(CTE)匹配多晶核心之CTE(2.6um/m/K vs~4um/m/K)時，在製造製程中不會增加大量熱應力。

使用邊界20係有利的，此係因為可藉由將高CTE材料邊界20接合至薄膜19上來減小薄膜19中之應力。大致7至8μm/m/K及更高之CTE可相對於薄膜被視為高CTE。此切換框17與薄膜19之間的CTE引發之應力與邊界20與薄膜19之間的CTE引發之應力。因此，以相同材料提供邊界20、框17及塊體23係有利的。邊界20可與框17材料材料相同。塊體23之材料可與框17之材料相同。

薄膜之增大的CTE意謂應力將增大。在許多狀況下，使用晶體矽基板將不適合，此係因為其將不能夠匹配薄膜之CTE。

矽具有相對高比模數(亦即，楊氏模數/密度)且具有相對高之導熱率。因此，矽係用於光及剛性工程之良好建構材料。

將除矽以外之材料用作框材料呈現出難以獲得薄膜總成15所需之規格。此等規格可例如係薄膜框之自然頻率、薄膜總成之最大重量、總成內之溫度波動等等。

以定位於上文所描述之位置中之容積28建構薄膜框17允許替代矽將其他材料用於框17，且在一些實例中用於薄膜之邊界20。亦即，具有不含框17之材料的容積28意謂可在所需規格(特徵頻率、重量等)內建構薄膜總成15。

框17及/或邊界20可由晶體矽製成。框17及/或邊界20可由鋁製成。框17及/或邊界20可由氮化鋁製成。儘管本說明書提及鋁及氮化鋁用作用以形成薄膜總成之材料，但可使用其他材料，例如鈹或其化合物。

將不同材料(諸如鋁或氮化鋁)使用框17及/或薄膜19之邊界 20意謂可更佳地匹配薄膜CTE。此接著在薄膜19之製造期間減少熱應力。舉例而言，薄膜19可由MoSi(其係相對高CTE材料)形成且可使用鋁或氮化鋁來製造框17。此提供框17與薄膜19之間的更接近地匹配之CTE，其可在薄膜19之製造期間減少熱應力。

鋁及氮化鋁比矽具有更低之楊氏模量，鋁之楊氏模量小於氮化鋁。此意謂對於相同密度，鋁及氮化鋁不如矽具有剛性。因為鋁比氮化鋁具有更低之楊氏模量，所以由鋁製成之框可受益於不含材料之容積多得多，而由氮化鋁製成之框可能不同樣多地受益於不含材料之容積。然而，由鋁或氮化鋁製成之框的設計可相同或類似(亦即，具有不含材料之相同容積)。自然頻率因此增大。

不含材料之容積28在特定區域中以使得框17之剛度(不論抗扭還是彎曲剛度)不會實質上降低。此意謂因為鋁與矽具有類似密度，所以針對鋁或氮化鋁框17達成所需重量之必要剛度。因此，已移除框17之不會相對地有助於剛度的容積28。不含材料之容積28不會實質上削弱框17之剛度。框17之剛度與框17上之負載對準。

在特定位置處在特定方向上需要框17之剛度。舉例而言，在框17之自由側30C、30D中，在薄膜框之平面(x-y平面)上需要剛度，因此在此區域中使用I形橫截面。容積28不會實質上削弱框17之彎曲剛度。舉例而言，在框17之支撐側30A、30B中，需要抗扭剛度，因此在此區域中使用中空管。容積28不會實質上削弱框17之抗扭剛度。

來源於沈積製程之應力可與所要應力(例如，預應力)解耦。舉例而言，若微結構提供理想使用壽命但產生過少應力，則可調諧結構以提供所要平衡。

儘管已展示已在特定位置處自容積28移除框17之材料的實例，但應瞭解，可藉由自框17之任何部分中的容積移除材料來降低框17之重量。此外，應瞭解，儘管I形橫截面及中空管已展示為實例，但可使用其他橫截面形狀以提供框之所需剛度，不論抗扭剛度還是彎曲剛度。

作為實例，將鋁用作材料且使用在圖4、圖5A至圖5F中所展示之框，框17、邊界20、塊體23及附接部件24之重量可自14克(其將係使用由鋁製成之標準框的重量)的減小至10克。

如所提及，在框17中之特定位置處移除容積28中之框17的材料提昇框17之特徵頻率。作為實例，將鋁用作材料且使用在圖4、圖5A至圖5F中所展示之框，最低固有頻率可係405Hz，此與由矽製成之標準框的355Hz形成比較。

圖7展示緊固至框17之塊體23之接合機構22的俯視圖。在此實例中，接合機構22已遠離垂直於框17之側定向而旋轉，但在其他實例中，接合機構可在x方向上對準。接合機構22A至22D允許x方向及y方向(見圖4)上之移動。接合機構22經組態以允許接合至附接部件24(未描繪)。舉例而言，附接部件24可膠合至圖案化裝置MA或可藉由其他接合構件(光學接觸、磁性或凡得瓦爾力等)附接。

接合機構22及附接部件24使薄膜框17相對於圖案化裝置MA懸浮，使得在薄膜框與圖案化裝置(見圖3)之間存在間隙G(其可被視為狹縫)。間隙G可由一些移動限制組件維持。間隙G可充分地寬以允許均衡外部環境與薄膜與圖案化裝置之間的空間之間的壓力。間隙G亦可充分地窄以使得其提供自外部環境至薄膜與圖案化裝置之間的空間之潛在污染粒子路線的所要限制。間隙G可例如係至少100微米，以便允許均衡外部環境與薄膜與圖案化裝置之間的空間之間的壓力。間隙G可例如小於500微米，更優選地小於300微米。間隙G可例如介於200微米與300微米之間。

接合機構22具有經組態以鎖定至附接部件24之鎖定部件32。鎖定部件32具有呈大體上在y方向上自中間體36延伸之兩個第一片彈簧形式之兩個彈性可撓之接合臂34。接合臂34提供表面以在上面擱置附接部件24。中間體36大體上在x方向上延伸。中間體36又連接至具有呈亦大體上在y方向上但相比於接合臂34以另一距離延伸之兩個第二片彈簧形式之兩個彈性可撓之接合臂38。第一片彈簧34之長度與第二片彈簧38之長度具有介於1.5：1與2.5：1之間的一比率，例如2：1。此保持附接部件(或螺柱)與擱置表面儘可能齊平。

橫樑40定位於兩個接合臂34之間，且大體上在y方向上相對於中間體36自接合部件22之相對側延伸。橫樑40充當止擋件以抵靠著接合臂34固定附接部件24。大體上在y方向上延伸之橫樑40為附接部件24提供空間。因此，接合機構22之橫樑40按允許將附接部件24插入至接合機構22中的距離延伸。橫樑40可跨越接合部件22延伸超出一半。

圖8A示意性地描繪穿過圖7之線A-A截取之接合機構22的橫截面。圖8B示意性地描繪穿過圖7之線B-B截取之接合機構22的橫截面。

圖9示意性地描繪緊固至框17之塊體23之接合機構22的透視圖。

圖10示意性地描繪穿過圖9之線C-C截取之接合機構22之橫截面的透視圖。

圖11A係用以將接合機構22鎖定至圖案化裝置MA之附接部件24(螺柱)的端視圖。圖11B係用以將接合機構22鎖定至圖案化裝置MA之附接部件24(螺柱)的側視圖。在其他實例中，附接部件可係另一形狀及大小。

圖12示意性地描繪穿過圖9之線C-C截取的接合機構22之橫截面的側視圖。附接部件24自圖案化裝置MA(未展示)延伸且固定至圖案化裝置MA。為了使用鎖定部件32以將框17鎖定至圖案化裝置MA，框17壓靠在附接部件24上且接著向下按壓接合機構22以產生供框17開槽至適當位置的空間。特定言之，附接部件24相對於接合機構22在箭頭D之方向上移動。接著在箭頭E之方向(圖7中之z方向)上朝下推動接合機構22之中間體36，此又向下推動接合機構22之兩個接合臂34。

在朝下按壓接合臂34之情況下，在接合機構22中產生空間以使附接部件24開槽至橫樑40之止擋件下方之位置中。為了執行此操作，框17及因此的接合機構22在箭頭F之方向上移動，此又意謂附接部件24在虛線箭頭G之方向上相對於接合機構22有效地移動。附接部件24接著在其鎖定位置中。

一旦釋放中間體36且因此釋放接合臂34，亦即，移除在箭頭E之方向上推動該中間體及該等接合臂之力，則附接部件24包夾於橫樑40之止擋件與接合臂34之間。接合機構22因此鎖定至附接部件24，且當接合機構22固定至框17且附接部件24固定至圖案化裝置MA時，框17鎖定至圖案化裝置MA。可針對接合機構22A至22D中之每一者執行上文所描述之鎖定程序。

接合機構22之組態具有在接合機構22之中心裝載接合機構 22之優點，此避免引入非想要扭轉。因此，接合機構22經組態使得附接部件24可按可卸除方式固定於接合機構22中之實質上中心的位置中。此與具有朝向引入非想要扭轉之接合機構的側定位之支撐臂的標準接合機構形成比較。

在附接部件24固定至接合機構22且接合機構22允許框17在x方向及y方向兩者上撓曲之情況下，可減少薄膜19之製造期間的熱應力。由接合機構22A至22D及附接部件24提供之移動/柔性在發生改變時視需要允許薄膜框17相對於圖案化裝置MA撓曲。此係有利的，此係因為其避免潛在地破壞在薄膜框17中產生之熱應力。

在一實施例中，本發明可形成光罩檢測設備之部件。光罩檢測設備可使用EUV輻射以照明光罩且使用成像感應器以監視自光罩反射之輻射。由成像感應器接收之影像係用以判定缺陷是否存在於光罩中。光罩檢測設備可包括經組態以自EUV輻射源接收EUV輻射且將其形成至待在光罩處引導之輻射光束中的光學件(例如，鏡面)。光罩檢測設備可進一步包括經組態以收集自光罩反射之EUV輻射且在成像感測器處形成光罩之影像的光學件(例如，鏡面)。光罩檢測設備可包括一處理器，該處理器經組態以分析成像感測器處之光罩之影像且自彼分析判定是否任何缺陷存在於光罩上。處理器可經進一步組態以判定偵測到之光罩缺陷在由微影設備使用光罩時是否將在投影至基板上之影像中造成不可接受的缺陷。

在一實施例中，本發明可形成度量衡設備之部分。度量衡設備可用以量測形成於基板上之抗蝕劑中之經投影圖案相對於已經存在於基板上之圖案之對準。相對對準之此量測可被稱作疊對。度量衡設備可例如經定位成緊鄰於微影設備且可用以量測在基板(及抗蝕劑)已被處理之前之疊對。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備之部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。

術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有介於4nm至20nm之範圍內，例如介於13nm至14nm之範圍內之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有例如介於4nm至10nm之範圍內之小於10nm的波長，諸如6.7nm或6.8nm。

儘管圖1及圖2將輻射源SO描繪為雷射產生電漿LPP源，但可使用任何適合源以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如，錫)轉換成電漿狀態來產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可被稱作放電產生電漿(discharge produced plasma，DPP)源。可由電源供應器產生放電，該電源供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源SO的分離實體。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(liquid-crystal display，LCD)、薄膜磁頭等等。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用，例如，壓印微影中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑經固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

1. 一種用於支撐一薄膜之薄膜框，該框包含：一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，及設置於該第一表面與該第二表面之間的結構；其中該第一表面及該第二表面及該結構至少部分地在其間界定不含形成該框之材料的至少一個容積。

2. 如條項1之薄膜框，其中該框之至少一部分可與該框之至少一個其他部分具有一不同橫截面輪廓。

3. 如條項2之薄膜框，其中設置於該第一表面與該第二表面之間該結構的形式及/或一容積量在該框之該至少一部分與該至少一個其他部分之間不同。

4. 如任一前述條項之薄膜框，該容積界定或包含至少一個空隙、空間、凹陷、凹穴或腔室。

5. 如任一前述條項之薄膜框，其中該容積圍繞該框之周界的至少一部分延伸。

6. 如任一前述條項之薄膜框，其中該容積係開放的。

7. 如任一前述條項之薄膜框，其中該容積包含於該第一表面與該第二表面之間的一容積基體中。

8. 如任一前述條項之薄膜框，其中該結構至少包含連接該第一表面與該第二表面之一第一壁。

9. 如條項8之薄膜框，其中該框包含與該第一壁相對之連接該第一表面與該第二表面的一第二壁，且其中該容積延伸穿過該第一壁及該第二壁或在該第一壁與該第二壁之間延伸。

10. 如條項9之薄膜框，其中該第一表面及該第二表面以及該第一壁及該第二壁沿著該框之一側的長度之至少一部分形成一中空管。

11. 如任一前述條項之薄膜框，其中該第一表面及該第二表面及該第一壁沿著該框之一側的長度之至少一部分形成一I形橫截面。

12. 如條項10或11中任一項之薄膜框，其中該框之該側係不直接附接或可附接至一圖案化裝置之一自由側。

13. 如條項10或11中任一項之薄膜框，其中該框之該側係經組態以可附接至一圖案化裝置之一支撐側。

14. 如任一前述條項之薄膜框，其中該第一表面及該第二表面中之至少一者係連續的。

15. 如任一前述條項之薄膜框，其中該第一表面及該第二表面中之至少一者在其中具有至少一個凹槽。

16. 如任一前述條項之薄膜框，其中該框包含用於將該框附接至一圖案化裝置之至少一個接合機構。

17. 當依附於條項10時如條項16之薄膜框，其中該框之側係一支撐側且中空管自該框之一自由側延伸至該接合機構。

18. 如條項16或條項17之薄膜框，其中該框包含複數個接合機構且各接合機構定向成遠離垂直於該框之其在上面定位的側。

19. 如條項16至18中任一項之薄膜框，其中各接合機構實質上面向該框之中心點。

20. 如條項16至19中任一項之薄膜框，其中該接合機構經組態使得一附接部件可按可卸除方式固定於該接合機構中之一實質上中心的位置中。

21. 如條項16至20中任一項之薄膜框，其中該接合機構包含一對第一片彈簧及分別連接至該等第一片彈簧之一對第二片彈簧，各片彈簧在大體上相同之方向上延伸。

22. 如條項21之薄膜框，其中一中間體定位於該等第一片彈簧與該等第二片彈簧之間。

23. 如條項21至22中任一項之薄膜框，其中該等第一片彈簧之長度與該等第二片彈簧之長度具有介於1.5：1與2.5：1之間的一比率。

24. 如條項21至23中任一項之薄膜框，其中該等第一片彈簧包含彈性可撓之接合臂且一橫樑定位於該兩個接合臂之間，其中該橫樑跨越該接合機構之一半在上方延伸。

25. 如任一前述條項之薄膜框，其中該薄膜框由鋁及氮化鋁中之至少一者製成。

26. 一種製造用於支撐一薄膜之一薄膜框的方法，該方法包含：自一框材料形成一薄膜框，該框包含一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面，以及置於該第一表面與該第二表面之間的一結構，及在該第一表面與該第二表面之間形成不含框材料之至少一個容積。

27. 如條項26之方法，其中在該第一表面與該第二表面之間藉由移除框材料之至少一個容積來形成該至少一個容積。

28. 如條項26或條項27之方法，其中該方法包含在該框之不實質上有助於該框之剛度、該框之彎曲剛度及/或該框之抗扭剛度的一部分中形成該容積。

29. 如條項26至29中任一項之方法，其中該框材料由鋁及氮化鋁中之至少一者形成。

30. 一種薄膜總成，其包含如條項1至25中任一項之薄膜框及一薄膜。

31. 如條項30之薄膜總成，其進一步包含一薄膜邊界。

32. 如條項31之薄膜總成，其中該薄膜邊界與該薄膜框係相同材料。

33. 如條項31至32中任一項之薄膜總成，其中該薄膜邊界由鋁及氮化鋁中之至少一者製成。

34. 如條項30至33中任一項之薄膜總成，其中該薄膜框由鋁及氮化鋁中之至少一者製成。

35. 如條項30至34中任一項之薄膜總成，其中該薄膜框包含一接合機構。

36. 如條項35之薄膜總成，其中用於固持該接合機構之一塊體與該薄膜框由相同材料形成。

37. 一種包含四個接合機構之薄膜框，其中各接合機構實質上面向該框之中心點。

38. 一種包含一接合機構之薄膜框，其中該接合機構經組態使得一附接部件可按可卸除方式固定於該接合機構中之一實質上中心的位置中。