TWI670561B - 防塵薄膜組件框、防塵薄膜組件及其製造方法、曝光原版及其製造方法、曝光裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的防塵薄膜組件框具備框本體，所述框本體具有設置於為厚度方向的一端面且為支持防塵薄膜之側的一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
Description
本發明是有關於一種防塵薄膜組件框、防塵薄膜組件及其製造方法、曝光原版及其製造方法、曝光裝置及半導體裝置的製造方法。
半導體器件(半導體裝置)的高積體化及微細化正逐年加速。
例如，現在是藉由準分子曝光來形成線寬45nm左右的圖案，但近年，隨著半導體器件的進一步微細化，要求形成線寬32nm以下的圖案。藉由現有的準分子曝光難以應對此種微細加工。因此，正研究將曝光的光替換為波長更短的極紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)光。
EUV光具有容易被所有物質吸收的特性。
因此，於使用EUV光作為曝光的光的光微影術(以下亦稱為「EUV微影術」)中，使用反射光學系統進行曝光。具體而言，藉由反映曝光圖案的原版使EUV光反射，藉由作為反射光的EUV光對抗蝕劑進行曝光。此時，若原版上附著有異物，則由於EUV光被異物吸收，或EUV光發生散射，因此存在無法曝光為所需圖案的情形。
因此，正研究以防塵薄膜組件保護原版的EUV光照射面。
防塵薄膜組件的構成採用具有用以保護原版的EUV光照射面的防塵薄膜、及支持該防塵薄膜的防塵薄膜組件框(框本體)的構成。
作為EUV微影術所使用的防塵薄膜，要求對EUV光具有高透過性，且不會因照射EUV光而分解、變形。作為滿足此種要求的防塵薄膜，提出有單晶矽膜等矽結晶膜(例如，參照下述文獻1及文獻2)、積層於金屬網上的氮化鋁膜(例如，參照下述文獻3)、石墨烯膜(例如，參照下述文獻4)等。
[文獻1]日本專利特開2010-256434號公報
[文獻2]日本專利特開2009-116284號公報
[文獻3]日本專利特開2005-43895號公報
[文獻4]國際公開第2011/160861號
此外，防塵薄膜通常具有非常容易破損的性質。因此，
於防塵薄膜的處理中要求細心留意。於防塵薄膜中，含有無機系材料的防塵薄膜(例如，所述文獻1~文獻4所記載的防塵薄膜)不僅是容易破損、難以自立的膜，而且是即便機械接觸亦會導致損傷或起塵的膜。因此，於含有無機系材料的防塵薄膜(例如，所述文獻1~文獻4所記載的防塵薄膜)的處理中要求進一步留意。
另外，伴隨半導體器件的微細化，為了避免異物附著於防塵薄膜、防塵薄膜組件框、原版等構件上，要求進一步留意。
自以上觀點出發，業界正對在將防塵薄膜組件框與其他構件(例如，防塵薄膜、其他防塵薄膜組件框、原版等)固定時，以避免裝置、夾具、手等接觸防塵薄膜組件框及其他構件各自的正面及背面的方式將兩者固定的方法進行研究。
此處，關於防塵薄膜組件框，所謂「正面」是指厚度方向的一端面及另一端面中的一者，所謂「背面」是指厚度方向的一端面及另一端面中的另一者。
另外，關於防塵薄膜，所謂「正面」及「背面」是指一膜面及另一膜面。
關於原版，所謂「正面」是指光照射面，所謂「背面」是指與光照射面相反之側的面。
本發明是鑒於所述而完成者，其課題在於達成以下目的。
即，本發明的目的在於提供一種於將防塵薄膜組件框與防塵
薄膜直接固定或經由其他構件(例如其他防塵薄膜組件框)進行固定而製造防塵薄膜組件時，可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下將兩者固定的防塵薄膜組件框、具備所述防塵薄膜組件框的防塵薄膜組件、具備所述防塵薄膜組件的曝光原版、以及使用所述曝光原版的曝光裝置及半導體裝置的製造方法。
另外，本發明的目的在於提供一種可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下製造防塵薄膜組件的防塵薄膜組件的製造方法、以及可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下製造曝光原版的曝光原版的製造方法。
用以解決所述課題的具體手段如以下所述。
<1>一種防塵薄膜組件框，其具備框本體，所述框本體具有：設置於為厚度方向的一端面且為支持防塵薄膜之側的一端面的溝槽；及貫通外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
<2>如<1>所述的防塵薄膜組件框，其中所述框本體進一步具有：設置於厚度方向的另一端面的溝槽；及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
<3>如<1>或<2>所述的防塵薄膜組件框，其進一步具備與所述一端面相接的接著劑層。
<4>一種防塵薄膜組件，其具備：如<1>至<3>中
任一項所述的防塵薄膜組件框，即第1防塵薄膜組件框；由所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體的所述一端面之側所支持的防塵薄膜。
<5>如<4>所述的防塵薄膜組件，其中所述防塵薄膜含有選自由結晶矽、類鑽碳(diamond-like carbon)、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、及氮化鋁所組成的群組中的至少一種無機系材料。
<6>如<4>或<5>所述的防塵薄膜組件，其中所述防塵薄膜的厚度為10nm~200nm。
<7>如<4>至<6>中任一項所述的防塵薄膜組件，其於所述第1防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜之間具備與所述防塵薄膜相接的第2防塵薄膜組件框。
<8>如<7>所述的防塵薄膜組件，其具備包含作為所述防塵薄膜的矽結晶膜與作為所述第2防塵薄膜組件框的框狀矽基板的複合構件。
<9>一種防塵薄膜組件的製造方法，其包括：配置步驟，以所述框本體的所述一端面與所述防塵薄膜相對向的方式配置如<1>至<3>中任一項所述的防塵薄膜組件框與防塵薄膜；及固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜。
<10>如<9>所述的防塵薄膜組件的製造方法，其中所述固定步驟中的所述減壓是於將所述防塵薄膜組件框及所述防塵薄膜配置於加壓環境下的狀態下進行。
<11>一種曝光原版，其具備：如<4>至<8>中任一項所述的防塵薄膜組件；及配置於所述防塵薄膜組件的所述第1防塵薄膜組件框之側的原版。
<12>如<11>所述的曝光原版，其中所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
<13>一種曝光原版的製造方法，其包括：配置步驟，將如<4>至<8>中任一項所述的防塵薄膜組件與原版以所述另一端面與所述原版相對向的方式配置，所述防塵薄膜組件中，所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的所述另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔；及固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述另一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件與所述原版。
<14>如<13>所述的曝光原版的製造方法，其中所述固定步驟中的所述減壓是於將所述防塵薄膜組件及所述原版配置於加
壓環境下的狀態下進行。
<15>一種曝光裝置，其具備如<11>或<12>所述的曝光原版。
<16>一種曝光裝置，其具有放射曝光的光的光源、如<11>或<12>所述的曝光原版、及將自所述光源放射的曝光的光導向所述曝光原版的光學系統，且所述曝光原版是以自所述光源放射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向所述原版照射的方式而配置。
<17>如<16>所述的曝光裝置，其中所述曝光的光為EUV光。
<18>一種半導體裝置的製造方法，其包括：使自光源放射的曝光的光透過如<11>或<12>所述的曝光原版的所述防塵薄膜而向所述原版照射，且由所述原版反射的步驟；及使由所述原版反射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向感應基板照射，藉此將所述感應基板曝光為圖案狀的步驟。
<19>如<18>所述的半導體裝置的製造方法，其中所述曝光的光為EUV光。
根據本發明，可提供一種於將防塵薄膜組件框與防塵薄膜直接固定或經由其他構件進行固定而製造防塵薄膜組件時，可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下
將兩者固定的防塵薄膜組件框、具備所述防塵薄膜組件框的防塵薄膜組件、具備所述防塵薄膜組件的曝光原版、以及使用所述曝光原版的曝光裝置及半導體裝置的製造方法。
另外，根據本發明，可提供一種可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下製造防塵薄膜組件的防塵薄膜組件的製造方法、以及可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下製造曝光原版的曝光原版的製造方法。
10‧‧‧框本體100的一端面
12、22、112、212A、212B、312A、312B、312C、312D‧‧‧溝槽
14A、14B、24A、24B、114A、114B、214A、214B、314A、314B、314C、314D‧‧‧通孔
20‧‧‧框本體100的另一端面
30‧‧‧外周面
40‧‧‧內周面
50‧‧‧開口部
100、110、200、300、400‧‧‧框本體
116、117‧‧‧端部
420‧‧‧第1防塵薄膜組件框
460、462‧‧‧接著劑層
470‧‧‧剝離襯墊
480、812‧‧‧防塵薄膜
482‧‧‧第2防塵薄膜組件框
490‧‧‧複合構件
500、810‧‧‧防塵薄膜組件
800‧‧‧EUV曝光裝置
814‧‧‧防塵薄膜組件框
820、825‧‧‧濾波窗
831‧‧‧光源
832、835、836‧‧‧多層膜反射鏡
833‧‧‧原版
834‧‧‧感應基板
837‧‧‧照明光學系統
838‧‧‧投影光學系統
850‧‧‧曝光原版
E‧‧‧曝光的光
L1‧‧‧框本體100的長邊方向的長度
L2‧‧‧框本體100的短邊方向的長度
t‧‧‧防塵薄膜組件框的厚度
W‧‧‧框本體100的框寬
A-A‧‧‧線
圖1是自可觀察到一端面的方向觀察作為本實施方式的一例的防塵薄膜組件框(框本體)的概略立體圖。
圖2是自可觀察到另一端面的方向觀察本實施方式的一例的防塵薄膜組件框(框本體)的概略立體圖。
圖3是圖1的A-A線截面圖。
圖4是本實施方式的變形例的防塵薄膜組件框(框本體)的部分截面圖。
圖5是本實施方式的變形例的防塵薄膜組件框(框本體)的概略立體圖。
圖6是本實施方式的變形例的防塵薄膜組件框(框本體)的概略立體圖。
圖7是本實施方式的變形例的防塵薄膜組件框(框本體)的概略立體圖。
圖8是本實施方式的一例的防塵薄膜組件的概略截面圖。
圖9是本實施方式的曝光裝置的一例的EUV曝光裝置的概略截面圖。
以下，一面適當參照圖式，一面對本發明的實施方式進行說明。然而，本發明並不限定於圖式等具體的實施方式。另外，存在對各圖式共通的要素標註相同符號的情況，且存在省略重複說明的情況。另外，於圖式中，為了容易觀察結構，存在省略隱線的一部分的情況。
本實施方式的防塵薄膜組件框具備框本體，所述框本體具有設置於為厚度方向的一端面且為支持防塵薄膜之側的一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
本實施方式的防塵薄膜組件框可視需要而具備框本體以外的要素(例如下文所述的接著劑層等)。
本實施方式的防塵薄膜組件框及框本體與通常的防塵薄膜組件框相同，是用來支持防塵薄膜的框狀構件。
於本說明書中，所謂框本體的「為厚度方向的一端面且為支持防塵薄膜之側的一端面」是指框本體的厚度方向的兩個端面中支持防塵薄膜之側的端面。
於本實施方式中，所述通孔貫通框本體的外周面的一部分與設置於所述一端面的溝槽的壁面(側面或底面。以下相同)
的一部分之間。因此，於將本實施方式的防塵薄膜組件框的框本體的所述一端面與防塵薄膜直接或經由其他構件(例如，下文所述的第2防塵薄膜組件框等其他防塵薄膜組件框。以下相同)相對向配置的狀態下，通過所述通孔對所述溝槽的內部進行減壓，藉此可使壓合力於防塵薄膜組件框與防塵薄膜之間發揮作用。因此，可於(裝置、夾具、手等)不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下將兩者固定。
因此，藉由本實施方式的防塵薄膜組件框，於將防塵薄膜組件框與防塵薄膜直接固定或經由其他構件進行固定而製造防塵薄膜組件時，可發揮可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下將兩者固定的效果。
再者，於本實施方式中，「壓合力」與吸合力含義相同。
藉由使用本實施方式的防塵薄膜組件框，可防止因接觸防塵薄膜組件框或防塵薄膜而引起的異物對防塵薄膜組件框及防塵薄膜的附著。
進而，藉由使用本實施方式的防塵薄膜組件框，可防止因接觸防塵薄膜而引起的防塵薄膜的破損、損傷、起塵等。
此外，近年，伴隨半導體器件的微細化，抑制異物對防塵薄膜組件或原版的附著的要求進一步變得強烈。
另外，線寬32nm以下的圖案形成例如可藉由EUV微影術進行。可用於EUV微影術的含有無機系材料的防塵薄膜與含有有機系材料的防塵薄膜相比容易破損，難以自立，另外，容易因機械
接觸導致產生損傷或起塵。因此，於使用含有無機系材料的防塵薄膜製作防塵薄膜組件的情形時，於不接觸防塵薄膜的膜面的情況下製作防塵薄膜組件的要求高。此處，所謂「自立」是指可單獨保持膜形狀。
藉由本實施方式的防塵薄膜組件框，可應對伴隨半導體器件的微細化的該些要求。
具體而言，本實施方式的防塵薄膜組件框尤其適於製作使用波長短的曝光的光(例如，EUV光、波長較EUV光更短的光等)的微影術用防塵薄膜組件，其中尤其適於製作具備含有無機系材料的防塵薄膜的防塵薄膜組件。
於本實施方式中，所謂極紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)光是指波長5nm~30nm的光。
EUV光的波長較佳為5nm~13.5nm。
於本實施方式中，存在將EUV光、及波長較EUV光更短的光總稱為「EUV光等」的情況。
本實施方式的防塵薄膜組件框的較佳形態是如下形態：框本體進一步具有設置於厚度方向的另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
該形態的防塵薄膜組件框適於製作在框本體的一端面之側配置防塵薄膜、在另一端面之側配置原版而成的曝光原版。於該曝光原版的製作中，藉由使用所述形態的防塵薄膜組件框，可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜的情況下製作防塵薄膜組件，且
可於不接觸所述防塵薄膜組件及原版的情況下製作曝光原版。
藉由使用所述形態的防塵薄膜組件框而可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜的情況下製作防塵薄膜組件的理由如上所述。即，其原因在於，通過貫通防塵薄膜組件框的框本體的外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此可使壓合力(即，吸合力)於防塵薄膜組件框與防塵薄膜之間發揮作用。
藉由使用所述形態的防塵薄膜組件框而可於不接觸所述防塵薄膜組件及原版的情況下製作曝光原版的理由在於，通過貫通防塵薄膜組件框的框本體的外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述另一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此可使壓合力(即，吸合力)於防塵薄膜組件與原版之間發揮作用。
繼而，一面參照圖1~圖3，一面對本實施方式的防塵薄膜組件框的一例進行說明。但本實施方式的防塵薄膜組件框並不限定於該一例。
圖1是自可觀察到框本體100的一端面10的方向進行觀察的概略立體圖，圖2是自可觀察到同一框本體100的另一端面20的方向進行觀察的概略立體圖。
圖3是圖1的A-A線截面圖。
如圖1及圖2所示，框本體100(防塵薄膜組件框)的
形狀是矩形的框狀。於將框本體100用作防塵薄膜組件的一構件時，曝光的光E會通過由框本體100所圍成的開口部50。
框本體100的外形由框本體100的厚度方向的一端面10、另一端面20、包含四個面的外周面30、及包含四個面的內周面40所確定。
框本體100的一端面10於使用框本體100製作曝光原版時，為配置防塵薄膜之側的端面，框本體100的另一端面20於使用框本體100製作曝光原版時，為配置原版之側的端面。
再者，框本體100自厚度方向觀察的形狀如上述般為矩形，但本實施方式的框本體自厚度方向觀察的形狀並不限定於矩形，亦可為矩形以外的形狀(例如，梯形、框的外側部分具有突起的形狀等)。
如圖1及圖3所示，於一端面10設置有溝槽12。
於該實施方式中，自框本體100的厚度方向觀察的溝槽12的形狀為沿框本體100的形狀繞一周的無端(endless)形狀。
下文對自框本體的厚度方向觀察的溝槽的形狀的變形例進行說明。
框本體100具有通孔14A及通孔14B。
通孔14A及通孔14B分別貫通溝槽12的底面與外周面30之間。
此處，通孔14A及通孔14B亦可分別貫通溝槽12的側面與外周面30之間。
另外，可省略通孔14A及通孔14B中的任一者。即，於框本體100中，相對於一個溝槽(溝槽12)連接有兩個通孔(通孔14A及通孔14B)，但本實施方式並不限定於該實施方式。於本實施方式中，相對於一個溝槽(溝槽12)至少連接一個通孔即可。
另外，如圖2及圖3所示，於與一端面10為相反側的另一端面20設置有溝槽22。
於該實施方式中，溝槽22的形狀亦與溝槽12的形狀同樣，於自厚度方向觀察時，為沿框本體100的形狀繞一周的無端形狀。
框本體100具有通孔24A及通孔24B。
通孔24A及通孔24B分別貫通溝槽22的底面與外周面30之間。
通孔24A及通孔24B的變化與通孔14A及通孔14B的變化相同。
所述的框本體100(防塵薄膜組件框)適於在一端面10之側固定(支持)防塵薄膜而製作防塵薄膜組件的用途。
若對在一端面10之側固定防塵薄膜的情形進行說明，則於框本體100中，在成為防塵薄膜的相對向面的一端面10設置有溝槽12，且設置有連接於該溝槽12的通孔14A及通孔14B。因此，於將防塵薄膜固定於一端面10時，通過通孔14A及通孔14B對溝槽12的內部(例如藉由真空泵等排氣單元)進行減壓，藉此可減小框本體100與防塵薄膜之間的壓力。藉由該減壓，可使壓合力(即，吸合力)於框本體100與防塵薄膜之間發揮作用，因此可於不接
觸框本體100及防塵薄膜各自的正面及背面(即，框本體100的一端面10及另一端面20、以及防塵薄膜的一膜面及另一膜面)的情況下將兩者固定。
所述框本體100與防塵薄膜的固定亦可經由接著劑層進行。於經由接著劑層的情形時，藉由減壓，可經由接著劑層按壓框本體100與防塵薄膜，因此可將框本體100與防塵薄膜牢牢固定。
下文對防塵薄膜組件的製造方法的具體實施方式進行說明。
另外，所述的框本體100亦適於將原版固定於另一端面20之側而製作曝光原版的用途。
若對在另一端面20之側固定原版的情形進行說明，則在框本體100中，於成為原版的相對向面的另一端面20設置有溝槽22，且設置有連接於該溝槽22的通孔24A及通孔24B。因此，於將原版固定於另一端面20時，通過通孔24A及通孔24B對溝槽22的內部(例如藉由真空泵等排氣單元)進行減壓，藉此可減小框本體100與原版之間的壓力。藉由該減壓，可使壓合力於框本體100與原版之間發揮作用，因此可於不接觸框本體100及原版各自的正面及背面(即，框本體100的一端面10及另一端面20、以及原版的光照射面、及與光照射面為相反側的面)的情況下將兩者固定。所述固定亦可經由接著劑層進行。其後，亦可(視需要而經由接著劑層)將防塵薄膜固定於框本體100的一端面10側。
另外，所述的框本體100亦適於如下用途：首先將防塵薄膜固定於框本體100而製作防塵薄膜組件，其次將所得的防塵
薄膜組件與原版固定而製作曝光原版。於該曝光原版的製作中，如所述般，可於不接觸框本體100及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下將兩者固定而製作防塵薄膜組件，繼而可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下將兩者固定而製作曝光原版。
框本體100的尺寸例如可設為以下尺寸。
框本體100的長邊方向的長度L1例如可設為135mm~153mm，較佳為140mm~152mm，更佳為145mm~151mm。
框本體100的短邊方向的長度L2例如可設為100mm~130mm，較佳為105mm~125mm，更佳為110mm~120mm。
長邊方向的長度L1與短邊方向的長度L2可為相同尺寸。即，框本體100的形狀亦可為正方形形狀。
框本體100的框寬(flame width)W例如可設為1.0mm~5.0mm，較佳為1.2mm~3.5mm，更佳為1.5mm~2.5mm。於矩形框本體100的四條邊中，框寬可設為相同的尺寸，亦可設為不同的尺寸。
另外，由框本體100所圍成的開口部50(通孔)的長邊方向的長度例如可設為130mm~152mm，較佳為135mm~151mm，更佳為140mm~150mm。
另外，開口部50的寬度例如可設為95mm~130mm，較佳為100mm~125mm，更佳為105mm~120mm。
防塵薄膜組件框的厚度t例如可設為0.5mm~5.0mm，較佳
為0.5mm~3.0mm，更佳為0.5mm~2.0mm。
另外，溝槽12及溝槽22的寬度可考慮減少溝槽處的壓力損失、與框本體的框寬的關係等而適當設定，例如可設為10μm~1.0mm，較佳為50μm~700μm，更佳為100μm~600μm，尤佳為200μm~500μm。
另外，溝槽12及溝槽22的深度可考慮減少溝槽處的壓力損失、與框本體的厚度的關係等而適當設定，例如可設為10μm~1.0mm，較佳為50μm~700μm，更佳為100μm~600μm，尤佳為200μm~500μm。
另外，通孔14A、通孔14B、通孔24A、及通孔24B的寬度可考慮減少通孔處的壓力損失、與框本體的厚度的關係等而適當設定，例如可設為10μm~1.0mm，較佳為50μm~700μm，更佳為100μm~600μm，尤佳為200μm~500μm。
另外，通孔14A、通孔14B、通孔24A、及通孔24B的長度可考慮減少通孔處的壓力損失等而適當設定，例如可設為0.5mm~10mm，較佳為0.7mm~5.0mm，更佳為1.0mm~2.0mm。
此處，所謂通孔的寬度是指包含通孔的通路的通路寬度，所謂通孔的長度是指包含通孔的通路的通路長度。
框本體100(防塵薄膜組件框)的材質並無特別限制，可設為防塵薄膜組件框所使用的通常的材質。
作為框本體100的材質，具體而言，可列舉：鋁、鋁合金(5000系、6000系、7000系等)、不鏽鋼、矽、矽合金、鐵、鐵系合金、
碳鋼、工具鋼、陶瓷、金屬-陶瓷複合材料、樹脂等。其中，就輕量且剛性的方面而言，更佳為鋁、鋁合金。
另外，框本體100亦可於其表面具有保護膜。
作為保護膜，較佳為對存在於曝光環境中的氫自由基及EUV光等具有耐受性的保護膜。
作為保護膜，例如可列舉氧化覆膜。
氧化覆膜可藉由陽極氧化等公知的方法形成。
另外，氧化覆膜可藉由黑色系染料進行著色。於框本體100具有經黑色系染料著色的氧化覆膜的情形時，變得更容易檢測出框本體100上的異物。
除此以外，關於框本體100的其他構成，例如可適當參照日本專利特開2014-021217號公報、日本專利特開2010-146027號公報等公知的防塵薄膜組件框的構成。
(防塵薄膜組件框的變形例)
以下，對本實施方式的一例的防塵薄膜組件框的變形例進行說明。
框本體100於一端面10與另一端面20這兩者設置有溝槽，但可省略另一端面20的溝槽。
圖4是本實施方式的變形例的防塵薄膜組件框(框本體)的部分截面圖，與圖3的部分截面圖相對應。
如圖4所示的框本體是僅於一端面10設置有溝槽(溝槽12)的例。
另外，於如圖1~圖3所示的框本體100中，於自框本體100的厚度方向觀察時，溝槽12及溝槽22的形狀分別為繞框本體100的四條邊一周的無端形狀，但溝槽的形狀並不限定於該實施方式，亦可為有端形狀。
圖5是概念性地表示溝槽的形狀為有端形狀的本實施方式的變形例的框本體110的立體圖。
如圖5所示般，於框本體110的一端面10設置有溝槽112。自框本體的厚度方向觀察的溝槽112的形狀為繞框本體110的四條邊大致一周的形狀，但並非為完全繞一周的形狀，而為具有端部116及端部117的有端形狀。
於框本體110設置有貫通溝槽112的底面與外周面30之間的通孔114A及通孔114B。
於圖5中省略圖示，但與框本體100的另一端面20同樣，於框本體110的另一端面設置有溝槽，進而設置有貫通另一端面側的溝槽的壁面與外周面的通孔。
於框本體110中，所述以外的構成與框本體100的構成相同。
另外，於如圖1~圖3所示的框本體100中，於每一端面設置有一個溝槽，但於本實施方式中，亦可於每一端面設置有兩個以上溝槽。於在每一端面設置有兩個以上溝槽的情形時，較佳為於兩個以上的溝槽分別連接所述通孔(例如，參照圖6及圖7)。
另外，於框本體為矩形形狀的情形時，就使框本體與其他構
件之間的壓合力更有效地發揮作用的觀點而言，較佳為框本體的四條邊存在溝槽。
此處，「框本體的四條邊存在溝槽」的實施方式例如包括：跨框本體的四條邊而設置有一個溝槽的實施方式(例如，參照圖1、圖2、及圖5)、於框本體的四條邊的每一條邊設置有一個以上的溝槽的實施方式(例如，參照圖7)、分別設置有跨框本體的三條邊的兩個溝槽、且兩個溝槽是跨四條邊而設置的實施方式(例如，參照圖6)等。
圖6是概念性地表示本實施方式的變形例的框本體200的立體圖。
如圖6所示，於框本體200的一端面10設置有兩個溝槽，即溝槽212A及溝槽212B。於框本體200分別設置有貫通溝槽212A及溝槽212B各自的底面與外周面30之間的通孔214A及通孔214B。
再者，於圖6中省略圖示，但與框本體100的另一端面20同樣，於框本體200的另一端面設置有溝槽，進而設置有貫通另一端面側的溝槽的壁面與外周面的通孔。
於框本體200中，所述以外的構成與框本體100的構成相同，較佳的範圍亦相同。
圖7是概念性地表示本實施方式的變形例的框本體300的立體圖。
如圖7所示，於框本體300的一端面10設置有四個溝槽，即溝槽312A、溝槽312B、溝槽312C、及溝槽312D。於框本體300分別設置有貫通溝槽312A、溝槽312B、溝槽312C、及溝槽312D各自的底面與外周面30之間的通孔314A、通孔314B、通孔314C、及通孔314D。
再者，於圖7中省略圖示，但與框本體100的另一端面20同樣，於框本體300的另一端面設置有溝槽，進而設置有貫通另一端面側的溝槽的壁面與外周面的通孔。
於框本體300中，所述以外的構成與框本體100的構成相同，較佳的範圍亦相同。
以上的變形例亦可進行適當組合。
另外，亦可將存在於框本體100、框本體110、框本體200、框本體300各自的另一端面20的溝槽22的形狀變更為如圖5~圖7所示的一端面10側的溝槽的形狀。
本實施方式的防塵薄膜組件框可具備框本體以外的其他構件。
例如，本實施方式的防塵薄膜組件框除框本體以外，可進一步具備與所述一端面相接的接著劑層。本實施方式的防塵薄膜組件框除框本體以外，亦可進一步具備與所述另一端面相接的接著劑層。
該些接著劑層是用來與其他構件(防塵薄膜、原版、其他防
塵薄膜組件框等)接著的層，且含有接著劑。
於本實施方式中，「接著劑」是指廣義的接著劑，「接著劑」的概念亦包含黏著劑。
作為接著劑，可列舉：丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、聚醯亞胺樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑、無機系接著劑、雙面黏著膠帶、矽酮樹脂黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚烯烴系黏著劑等。
作為用來與防塵薄膜或其他防塵薄膜組件框的接著的接著劑，較佳為丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、聚醯亞胺樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑、無機系接著劑。
作為用來與原版的接著的接著劑，較佳為雙面黏著膠帶、矽酮樹脂黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚烯烴系黏著劑。
另外，本實施方式的防塵薄膜組件框可於接著劑層上進一步具有剝離襯墊(亦稱為剝離膜或隔片)。作為剝離襯墊，可並無特別限制地使用公知者。
本實施方式的防塵薄膜組件具備作為所述的本實施方式的防塵薄膜組件框的第1防塵薄膜組件框、與由所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體的所述一端面之側所支持的防塵薄膜。
本實施方式的防塵薄膜組件具備本實施方式的防塵薄膜組件框，因此發揮與本實施方式的防塵薄膜組件框相同的效果。
具體而言，於本實施方式的防塵薄膜組件中，於第1防塵薄膜組件框的一端面(支持防塵薄膜之側的端面)設置有所述的溝
槽。因此，本實施方式的防塵薄膜組件發揮可於不接觸防塵薄膜及第1防塵薄膜組件框各自的正面及背面的情況下進行製造的效果(以下設為「效果1」)。
另外，在本實施方式的防塵薄膜組件中，於在第1防塵薄膜組件框的另一端面設置有所述的溝槽的情形時，本實施方式的防塵薄膜組件發揮可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下製造曝光原版的效果(以下設為「效果2」)。
所述防塵薄膜的材質並無特別限制，可為有機系材料，亦可為無機系材料，亦可為有機系材料與無機系材料的混合材料。
作為有機系材料，可列舉氟系聚合物等。
作為無機系材料，可列舉結晶矽(例如，單晶矽、多晶矽等)、類鑽碳(DLC)、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、氮化鋁等。
防塵薄膜可單獨含有一種所述材料，亦可含有兩種以上。
即，作為防塵薄膜，可列舉含有選自由氟系聚合物、結晶矽、類鑽碳、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、及氮化鋁所組成的群組中的至少一種的防塵薄膜。
其中，就對EUV光等具有高透過性、且可抑制由照射EUV光等導致的分解及變形的方面而言，較佳為含有選自由結晶矽、類鑽碳、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、及氮化鋁所組成的群組中的至少一種無機系材料的防塵薄膜。
另一方面，該含有無機系材料的防塵薄膜是非常容易破損、
易產生因接觸導致的損傷及起塵的膜。然而，藉由本實施方式，可於不接觸防塵薄膜及第1防塵薄膜組件框各自的正面及背面的情況下製造防塵薄膜組件，因此即便於使用該含有無機系材料的防塵薄膜的情形時，亦可有效地防止因接觸導致的防塵薄膜的破損、損傷、起塵等。
另外，防塵薄膜的構成可為單層構成，亦可為包含兩層以上的構成。
防塵薄膜的厚度(於包含兩層以上的情形時為總厚度)例如可設為10nm~200nm，較佳為10nm~100nm，更佳為10nm~70nm，尤佳為10nm~50nm。
若防塵薄膜的厚度小(例如若為200nm以下)，則對EUV光等的透過性優異。
另一方面，若防塵薄膜的厚度小(例如若為200nm以下)，則有防塵薄膜變得易破損的傾向。然而，藉由本實施方式，可於不接觸防塵薄膜及第1防塵薄膜組件框各自的正面及背面的情況下製造防塵薄膜組件，因此即便於使用厚度小的(例如200nm以下的)防塵薄膜的情形時，亦可有效地防止防塵薄膜的破損。
本實施方式的防塵薄膜組件的較佳形態為於所述第1防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜之間具有與所述防塵薄膜相接的第2防塵薄膜組件框的形態。
該形態即便於防塵薄膜為難以自立的膜(例如，含有矽結晶膜等無機系材料的防塵薄膜、厚度小的防塵薄膜等)的情形時，
亦具有可一面藉由第2防塵薄膜組件框保持防塵薄膜的膜形狀、一面製造防塵薄膜組件的優點。
具有所述第2防塵薄膜組件框的形態的防塵薄膜組件較佳為含有防塵薄膜與第2防塵薄膜組件框的複合構件。
具有所述第2防塵薄膜組件框的形態的防塵薄膜組件可藉由將第1防塵薄膜組件框與所述複合構件固定而較佳地製作。
作為所述複合構件的一例，可列舉包含作為防塵薄膜的矽結晶膜與作為第2防塵薄膜組件框的框狀矽基板(例如矽晶圓)的複合構件。於防塵薄膜組件的製造中，在使用所述一例的複合構件的情形時，可一面藉由第2防塵薄膜組件框(框狀矽基板)保持防塵薄膜(矽結晶膜)的膜形狀、一面製造防塵薄膜組件。
該一例的複合構件例如可藉由如下方法進行製作：首先，於矽基板上形成矽結晶膜，其次，自該矽基板的未形成矽結晶膜的面側起，對矽基板的中央部進行蝕刻而去除該中央部的矽基板。由該方法所製作的複合構件的所述中央部僅殘留矽結晶膜，該中央部的矽結晶膜成為防塵薄膜。於中央部周圍的周邊部殘留有矽結晶膜及矽基板，藉由該殘留於周邊部的矽基板而形成第2防塵薄膜組件框。於使用圓形矽基板(例如矽晶圓)作為矽基板的情形時，圓形矽基板及矽結晶膜較佳為於與第1防塵薄膜組件框貼合前或貼合後，切割為與第1防塵薄膜組件框的外形形狀相同的外形形狀。該切割操作被稱為「修整」。
再者，防塵薄膜與第2防塵薄膜組件框的複合構件於為所述
一例以外的複合構件的情形時亦可藉由同樣的方法進行製作。
繼而，一面參照圖8一面對本實施方式的防塵薄膜組件的一例進行說明。但本實施方式的防塵薄膜組件並不限定於該一例。
圖8是本實施方式的防塵薄膜組件的一例(防塵薄膜組件500)的概略截面圖。
如圖8所示，防塵薄膜組件500的構成採用將防塵薄膜480與第2防塵薄膜組件框482的複合構件490、及第1防塵薄膜組件框420貼合而成的構成。
第1防塵薄膜組件框420具備框本體400、與框本體400的一端面相接的接著劑層460、與框本體400的另一端面相接的接著劑層462、及與接著劑層462相接的剝離襯墊470。
框本體400於厚度方向的一端面及另一端面兩端面分別具有與上文所述的框本體100同樣的溝槽。進而，框本體400具有與上文所述的框本體100同樣的通孔。
第1防塵薄膜組件框420的所述一端面是與上文所述的框本體100中的一端面10相對應的端面，第1防塵薄膜組件框420的所述另一端面是與上文所述的框本體100中的另一端面20相對應的端面。
於防塵薄膜組件500中，複合構件490與第1防塵薄膜組件框420是以複合構件490的第2防塵薄膜組件框482與第1防塵薄膜組件框420的接著劑層460相接的方式進行配置。
即，防塵薄膜組件500具備第1防塵薄膜組件框420、及由第1防塵薄膜組件框420的框本體400的一端面之側所支持的防塵薄膜480，所述第1防塵薄膜組件框420具備框本體400。此外，於第1防塵薄膜組件框420與防塵薄膜480之間具備與防塵薄膜480相接的第2防塵薄膜組件框482。
防塵薄膜組件500較佳為藉由將複合構件490與第1防塵薄膜組件框420固定(貼合)而製作。
此時，由於可藉由連接於設置於框本體400的一端面的溝槽的通孔對該溝槽的內部進行減壓，因此可於不接觸複合構件490及第1防塵薄膜組件框420各自的正面及背面的情況下將兩者固定。
再者，設置第1防塵薄膜組件框420中的剝離襯墊470，以保護接著劑層462的露出面。
於使用防塵薄膜組件500製作曝光原版的情形時，首先，藉由自防塵薄膜組件500的第1防塵薄膜組件框420去除剝離襯墊470而使接著劑層462露出，其次，藉由露出的接著劑層462將防塵薄膜組件與原版固定。
作為所述複合構件490，較佳為作為多晶矽膜(p-Si膜)的防塵薄膜480與作為矽基板的第2防塵薄膜組件框482的複合構件。製造此種複合構件的方法的例如上文所述。
作為所述框本體400，較佳為鋁製框構件或鋁合金製框構件。
另外，作為接著劑層460所含的接著劑，較佳為丙烯酸
樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、聚醯亞胺樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑、無機系接著劑。
另外，作為接著劑層462所含的接著劑，較佳為雙面黏著膠帶、矽酮樹脂黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚烯烴系黏著劑。
本實施方式的防塵薄膜組件的製造方法包括：配置步驟，以所述框本體的所述一端面與所述防塵薄膜相對向的方式，配置本實施方式的防塵薄膜組件框與防塵薄膜；及固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜。
藉由本實施方式的防塵薄膜組件的製造方法，如上文所述般，可藉由所述減壓使壓合力於防塵薄膜組件框(框本體)與防塵薄膜之間發揮作用，因此可於不接觸防塵薄膜組件框及防塵薄膜各自的正面及背面的情況下將兩者固定。
於本實施方式的防塵薄膜組件的製造方法中，固定步驟中的減壓較佳為於將防塵薄膜組件框及防塵薄膜配置於加壓環境下的狀態下進行。
藉由該實施方式，可進一步增大配置防塵薄膜組件框及防塵薄膜的整體環境的壓力、與溝槽內部的壓力的差(差壓)，因此可進一步增大產生於防塵薄膜組件框與防塵薄膜之間的壓合力。因此，可更容易地將兩者固定。
所述壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)較佳為1N以上，更佳為2N以上。
所述壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)進而較佳為10N以上，尤佳為20N以上。
所述壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)的上限並無特別限制，就生產性等方面而言，例如為500N，較佳為400N。
於所述製造方法中，於製作上文所述的具備第2防塵薄膜組件框的防塵薄膜組件(例如上文所述的防塵薄膜組件500)的情形時，所述配置步驟可為如下步驟：以第1防塵薄膜組件框的框本體的一端面與防塵薄膜經由第2防塵薄膜組件框而相對向的方式，配置作為本實施方式的防塵薄膜組件框的第1防塵薄膜組件框、與上文所述的複合構件(防塵薄膜與第2防塵薄膜組件框的複合構件)。
該情形時的防塵薄膜組件的製造方法是包括如下步驟的製造方法：配置步驟，以第1防塵薄膜組件框的框本體的一端面與複合構件的第2防塵薄膜組件框相對向的方式，配置作為本實施方式的防塵薄膜組件框的第1防塵薄膜組件框、與含有防塵薄膜及與該防塵薄膜相接的第2防塵薄膜組件框的複合構件；固定步驟，通過通孔對溝槽的內部進行減壓，藉此將第1防塵薄膜組件框與防塵薄膜經由第2防塵薄膜組件框而固定。
本實施方式的曝光原版具備本實施方式的防塵薄膜組件、及
配置於所述防塵薄膜組件的所述第1防塵薄膜組件框之側的原版。
由於本實施方式的曝光原版具備本實施方式的防塵薄膜組件，因此發揮與本實施方式的防塵薄膜組件同樣的效果。
於本實施方式的曝光原版中，較佳為所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。該形態的曝光原版可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下進行製造。
此處，作為原版，可使用含有支持基板、積層於該支持基板上的反射層、及形成於反射層上的吸收體層的原版。藉由吸收體層的部分吸收EUV光等，可於感應基板(例如，附光阻膜的半導體基板)上形成所需圖像。反射層可為鉬(Mo)與矽(Si)的多層膜。吸收體層可為鉻(Cr)或氮化鉭等對EUV光等的吸收性高的材料。
本實施方式的曝光原版的製造方法包括：配置步驟，將本實施方式的防塵薄膜組件與原版以所述另一端面與所述原版相對向的方式配置，所述防塵薄膜組件中，所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的所述另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔；固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述另一端面的溝槽的內部進行減
壓，藉此固定所述防塵薄膜組件與所述原版。
藉由本實施方式的曝光原版的製造方法，可藉由溝槽內部的減壓使壓合力於防塵薄膜組件與原版之間發揮作用，因此可於不接觸防塵薄膜組件及原版各自的正面及背面的情況下將兩者固定。
於本實施方式的曝光原版的製造方法中，所述固定步驟中的所述減壓較佳為於將所述防塵薄膜組件及所述原版配置於加壓環境下的狀態下進行。
藉由該實施方式，可進一步增大配置防塵薄膜組件及原版的整體環境的壓力、與溝槽內部的壓力的差(差壓)，因此可進一步增大防塵薄膜組件與原版之間的壓合力。因此，可更容易地將兩者固定。
防塵薄膜組件與原版之間的壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)較佳為1N以上，更佳為2N以上。
防塵薄膜組件與原版之間的壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)進而較佳為10N以上，尤佳為20N以上。
防塵薄膜組件與原版之間的壓合力(對防塵薄膜組件框整體施加的力)的上限並無特別限制，就生產性等方面而言，例如為500N，較佳為400N。
本實施方式的曝光裝置具備本實施方式的曝光原版。
因此，發揮與本實施方式的曝光原版同樣的效果。
本實施方式的曝光裝置具備放射曝光的光(較佳為EUV光等，更佳為EUV光。以下相同)的光源、本實施方式的曝光原版、及將自所述光源放射的曝光的光導向所述曝光原版的光學系統，所述曝光原版較佳為以自所述光源放射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向所述原版照射的方式而配置。
藉由該實施方式，除了可形成藉由EUV光等微細化的圖案(例如線寬32nm以下)以外，即便於使用由異物引起的解析不良容易成為問題的EUV光等作為曝光的光的情形時，亦可進行由異物引起的解析不良得以減少的圖案曝光。
本實施方式的半導體裝置的製造方法包括：使自光源放射的曝光的光透過本實施方式的曝光原版的所述防塵薄膜而向所述原版照射，且由所述原版反射的步驟；使由所述原版反射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向感應基板照射，藉此將所述感應基板曝光為圖案狀的步驟。
藉由本實施方式的半導體裝置的製造方法，即便於使用由異物引起的解析不良容易成為問題的EUV光等作為曝光的光的情形時，亦可製造由異物引起的解析不良得以減少的半導體裝置。
圖9是作為本實施方式的曝光裝置的一例的EUV曝光裝置800的概略截面圖。
如圖9所示，EUV曝光裝置800具備：放射EUV光的光源831、作為本實施方式的曝光原版的一例的曝光原版850、及將自
光源831放射的EUV光導向曝光原版850的照明光學系統837。
曝光原版850具備包含防塵薄膜812及防塵薄膜組件框814的防塵薄膜組件810、及原版833。該曝光原版850是以自光源831放射的EUV光透過防塵薄膜812而向原版833照射的方式而配置。
原版833是將所照射的EUV光以圖案狀反射者。
防塵薄膜組件框814及防塵薄膜組件810分別為本實施方式的防塵薄膜組件框及防塵薄膜組件的一例。
於EUV曝光裝置800中，在光源831與照明光學系統837之間、及照明光學系統837與原版833之間分別設置有濾波窗(filter window)820及濾波窗825。
另外，EUV曝光裝置800具備將原版833反射的EUV光導向感應基板834的投影光學系統838。
於EUV曝光裝置800中，由原版833所反射的EUV光通過投影光學系統838被導向感應基板834上，而將感應基板834曝光為圖案狀。再者，利用EUV進行的曝光是於減壓條件下進行。
EUV光源831朝向照明光學系統837而放射EUV光。
於EUV光源831中包含靶材、及脈衝雷射照射部等。藉由將脈衝雷射照射至該靶材而使之產生電漿，可獲得EUV。若將靶材設為Xe，則可獲得波長13nm~14nm的EUV。EUV光源發出的光的波長並不限於13nm~14nm，只要為波長5nm~30nm的範圍內的適合目的的波長的光即可。
照明光學系統837將自EUV光源831照射的光進行集
光，將照度均一化而向原版833照射。
於照明光學系統837中包含用以調整EUV的光路的多片多層膜反射鏡832、及光耦合器(光學積分器(optical integrator))等。多層膜反射鏡是交替積層鉬(Mo)、矽(Si)而成的多層膜等。
濾波窗820、濾波窗825的安裝方法並無特別限制，可列舉經由接著劑等貼附的方法、或機械固定於EUV曝光裝置內的方法等。
配置於光源831與照明光學系統837之間的濾波窗820捕捉自光源產生的飛散粒子(碎屑(debris))，以避免飛散粒子(碎屑)附著於照明光學系統837內部的元件(例如多層膜反射鏡832)。
另一方面，配置於照明光學系統837與原版833之間的濾波窗825捕捉自光源831側飛散的粒子(碎屑)，以避免飛散粒子(碎屑)附著於原版833。
另外，由於附著於原版的異物會吸收EUV光、或使EUV光散射，故而會對晶圓引起解析不良。因此，防塵薄膜組件810是以覆蓋原版833的EUV照射區的方式安裝。EUV光通過防塵薄膜812而向原版833照射。
由原版833所反射的EUV光通過防塵薄膜812，並通過投影光學系統838而向感應基板834照射。
投影光學系統838將由原版833所反射的光進行集光，而向感應基板834照射。於投影光學系統838中包含用以調整EUV的光路的多片多層膜反射鏡835、多層膜反射鏡836等。
感應基板834是於半導體晶圓上塗佈有抗蝕劑的基板等，藉由由原版833所反射的EUV，抗蝕劑被曝光為圖案狀。藉由將該抗蝕劑顯影，並對半導體晶圓進行蝕刻，而於半導體晶圓形成所需的圖案。
將於2014年5月2日提出申請的日本專利申請案2014-095425所揭示的所有內容以參照的方式併入至本說明書中。
關於本說明書中記載的所有文獻、專利申請案、及技術標準，是與以下情況同樣地以參照的方式併入至本說明書中，所述情況為具體且分別記載將各文獻、專利申請案、及技術標準以參照的方式併入的情況。
Claims (19)
- 一種防塵薄膜組件框，其具備框本體，所述框本體具有：設置於為厚度方向的一端面且為支持防塵薄膜之側的一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔；其使用於防塵薄膜組件之製造方法中，所述防塵薄膜組件之製造方法包括：配置步驟，以所述框本體的一端面與所述防塵薄膜相對向的方式，配置所述防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜；以及固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜。
- 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件框，其中所述框本體進一步具有設置於厚度方向的另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件框，其進一步具備與所述一端面相接的接著劑層。
- 一種防塵薄膜組件，其具備：如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的防塵薄膜組件框，即第1防塵薄膜組件框；及由所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體的所述一端面之側所支持的防塵薄膜。
- 如申請專利範圍第4項所述的防塵薄膜組件，其中所述防塵薄膜含有選自由結晶矽、類鑽碳、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、及氮化鋁所組成的群組中的至少一種無機系材料。
- 如申請專利範圍第4項或第5項所述的防塵薄膜組件，其中所述防塵薄膜的厚度為10nm~200nm。
- 如申請專利範圍第4項或第5項所述的防塵薄膜組件，其於所述第1防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜之間具備與所述防塵薄膜相接的第2防塵薄膜組件框。
- 如申請專利範圍第7項所述的防塵薄膜組件，其具備包含作為所述防塵薄膜的矽結晶膜與作為所述第2防塵薄膜組件框的框狀矽基板的複合構件。
- 一種防塵薄膜組件的製造方法，其包括：配置步驟，以框本體的一端面與防塵薄膜相對向的方式，配置如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜；及固定步驟，通過貫通外周面與設置於所述一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件框與所述防塵薄膜。
- 如申請專利範圍第9項所述的防塵薄膜組件的製造方法，其中所述固定步驟中的所述減壓是於將所述防塵薄膜組件框及所述防塵薄膜配置於加壓環境下的狀態下進行。
- 一種曝光原版，其具備：如申請專利範圍第4項至第8項中任一項所述的防塵薄膜組件；及配置於所述防塵薄膜組件的所述第1防塵薄膜組件框之側的原版。
- 如申請專利範圍第11項所述的曝光原版，其中所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔。
- 一種曝光原版的製造方法，其包括：配置步驟，將如申請專利範圍第4項至第8項中任一項所述的防塵薄膜組件與原版以所述另一端面與所述原版相對向的方式配置，所述防塵薄膜組件中，所述第1防塵薄膜組件框的所述框本體進一步具有設置於厚度方向的所述另一端面的溝槽、及貫通外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔；及固定步驟，通過貫通所述外周面與設置於所述另一端面的溝槽的壁面之間的通孔，對設置於所述另一端面的溝槽的內部進行減壓，藉此固定所述防塵薄膜組件與所述原版。
- 如申請專利範圍第13項所述的曝光原版的製造方法，其中所述固定步驟中的所述減壓是於將所述防塵薄膜組件及所述原版配置於加壓環境下的狀態下進行。
- 一種曝光裝置，其具備如申請專利範圍第11項或第12項所述的曝光原版。
- 一種曝光裝置，其具有放射曝光的光的光源、如申請專利範圍第11項或第12項所述的曝光原版、及將自所述光源放射的曝光的光導向所述曝光原版的光學系統，且所述曝光原版是以自所述光源放射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向所述原版照射的方式而配置。
- 如申請專利範圍第16項所述的曝光裝置，其中所述曝光的光為極紫外光。
- 一種半導體裝置的製造方法，其包括：使自光源放射的曝光的光透過如申請專利範圍第11項或第12項所述的曝光原版的所述防塵薄膜而向所述原版照射，且由所述原版反射的步驟；及使由所述原版反射的曝光的光透過所述防塵薄膜而向感應基板照射，藉此將所述感應基板曝光為圖案狀的步驟。
- 如申請專利範圍第18項所述的半導體裝置的製造方法，其中所述曝光的光為極紫外光。
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