WO2019172141A1 - ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
ペリクル、露光原版、露光装置、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
接着層からのアウトガスの発生を抑えたペリクルを提供する。ペリクル（１００）は、ペリクル膜（１０１）と、前記ペリクル膜を支持する支持枠（１０３）と、前記支持枠に設けられた突起部（１０５）と、前記突起部に設けられた第１の接着層（１０７）と、前記第１の接着層よりも前記ペリクル膜が位置する側に設けられた無機物層と、を有する。前記無機物層は、前記第１の接着層において、前記ペリクル膜と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が位置する側の第１の側面（１２１）に設けられた第１の無機物層（１０９）を含んでもよい。
Description
本発明は、例えば、半導体デバイスをリソグラフィ技術により製造する際に使用されるフォトマスク又はレチクル（以下、これらを総称して「フォトマスク」、「マスク」又は「原版」ともいう。）、及び塵埃が付着することを防ぐフォトマスク用防塵カバーであるペリクルに関する。
半導体素子は、リソグラフィと称される工程を経て製造される。リソグラフィでは、スキャナやステッパと呼ばれる露光装置が、回路パターンが描画されたマスクに露光光を照射して、フォトレジストが塗布された半導体ウェハに回路パターンを転写する。マスク上に塵埃などの異物が付着した場合、当該異物の影が半導体ウェハに転写され、回路パターンが正確に転写されない。その結果、半導体素子が正常に作動せず不良品となることがある。
ペリクル膜が貼り付けられた枠体を含むペリクルを、マスクに装着することによって、異物をペリクル膜上に付着させ、当該異物がマスクに付着することを防ぐことが知られている。露光装置の露光光の焦点は、マスク面と半導体ウェハ面に設定され、ペリクル膜の面には設定されていない。したがって、ペリクル膜に付着した異物の影が半導体ウェハ上で結象することはない。よって、ペリクル膜に異物が付着した場合は、マスクに異物が付着した場合と比較して、回路パターンの転写を妨害する程度は軽減され、半導体素子の不良品発生率が低減する。
また、リソグラフィの波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術として、極端紫外（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）光リソグラフィの開発が進められている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長の光で、１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線である。ＥＵＶ光は従来のリソグラフィで用いられていたＡｒＦ光などに比べて波長が短いため、ＥＵＶ光が有するエネルギーが強いことが知られている。
ここで、ＥＵＶ露光用のペリクルをマスクに接続する方法として、マスクとペリクルとに共通に設けられた留め具を介し、ペリクルに取り付けられた押さえバネとマスクに設置されたスタッドと呼ばれるピンとで、機械的に固定する方法が検討されている（特許文献１）。特許文献１は、ペリクル枠の凹部に接着剤が配置される構成を開示している（図１１、段落［０２６６］から［０２６９］）。
しかしながら、発明者らが検討したところ、バネとスタッドとを用いて固定する方法では、機械的接続であるがゆえに着脱時に小さなゴミが発生する場合があった。また、ペリクル枠の凹部に接着剤が配置された場合には、接着剤がはみ出してアウトガス量が増加する場合があり、アウトガスの発生を抑えることが求められる場合がある。
上記課題を解決するため、接着層からのアウトガスの発生を抑えたペリクルを提供することを目的の一つする。
上記の課題を解決するため、本発明の一実施形態において、ペリクル膜と、前記ペリクル膜を支持する支持枠と、前記支持枠に設けられた突起部と、前記突起部に設けられた第１の接着層と、前記第１の接着層よりも前記ペリクル膜が位置する側に設けられた無機物層と、を有するペリクルが提供される。
本発明の一実施形態において、前記無機物層は、前記第１の接着層において、前記ペリクル膜と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が位置する側の第１の側面に設けられた第１の無機物層を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記第１の無機物層は、前記第１の接着層において、さらに前記第１の側面に対向する第２の側面に設けられてもよい。
本発明の一実施形態において、前記第１の無機物層は、前記第１の接着層において、さらに前記突起部と接する面と対向する第１の端面に設けられてもよい。
本発明の一実施形態において、前記支持枠に設けられた密着層を有し、前記無機物層は、前記密着層において、前記ペリクル膜と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が位置する側の第３の側面に設けられている第２の無機物層を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記密着層及び前記第２の無機物層は、前記支持枠の底面に沿って枠状に形成されてもよい。
また、本発明の一実施形態において、前記第２の無機物層は、前記密着層において、さらに、前記第３の側面に対向する第４の側面、及び前記支持枠と接する面と対向する第２の端面に設けられてもよい。
また、本発明の一実施形態において、前記支持枠が、前記ペリクル膜に接続される第１の枠体と、前記第１の枠体と接続される第２の枠体と、を含んでもよい。
また、本発明の一実施形態において、前記無機物層が金属層であってもよい。
本発明の一実施形態において、金属層は、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、銅、ルテニウム、タンタル、及び金の群から選ばれた何れか一種の金属、この群から選ばれた二種以上の元素を含む合金、又は、この群から選ばれる何れか一種又は二種以上の元素を含む酸化物であってもよい。
本発明の一実施形態において、原版と、原版のパターンを有する側の面に装着されたペリクルと、を含む露光原版が提供されてもよい。
本発明の一実施形態において、露光光を放出する光源と、前記露光原版と、前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、を有し、前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置が提供されてもよい。
本発明の一実施形態において、前記露光光が、ＥＵＶ光であってもよい。
本発明の一実施形態において、光源から放出された露光光を、前記露光原版のペリクル膜を透過させて原版に照射し、前記原版で反射させ、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する、半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、接着層からのアウトガスの発生を抑えたペリクルを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図１から図２２を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
［実施形態］
図１は、本発明の一実施形態に係るペリクル１００の上面図である。ペリクル１００は、ＥＵＶフォトリソグラフィ用ペリクルである。ＥＵＶフォトリソグラフィ用ペリクル膜に特段の限定はない。ペリクル１００は、ペリクル膜１０１と、支持枠１０３と、４つの突起部１０５とを含む。
図１は、本発明の一実施形態に係るペリクル１００の上面図である。ペリクル１００は、ＥＵＶフォトリソグラフィ用ペリクルである。ＥＵＶフォトリソグラフィ用ペリクル膜に特段の限定はない。ペリクル１００は、ペリクル膜１０１と、支持枠１０３と、４つの突起部１０５とを含む。
ペリクル膜１０１は、ペリクル１００に使用される薄膜である。ペリクル膜１０１は、例えば、ＳｉＮ、炭素系膜（例えば、グラフェン膜、カーボンナノチューブの膜、カーボンナノシート）、ポリシリコン、又はそれら複数の層が積層した積層構造体である。ペリクル膜１０１は、ここでは上面が矩形であるが、正方形又はその他の形状であってもよい。
ペリクル膜１０１は、例えば、基板上に、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタ製膜の方法によって、形成される。基板は、例えば、シリコンウェハ、サファイア、又は炭化ケイ素である。ＣＶＤ法は、例えば、ＬＰ－ＣＶＤ、又はＰＥ－ＣＶＤによる成膜法である。その後、ペリクル膜１０１が露出するように、基板をエッチング（より具体的には、バックエッチング）することで、ペリクル膜１０１が製造される。バックエッチングは、ペリクル膜１０１を残して基板の一部を除去する工程である。
支持枠１０３は、ペリクル膜１０１を支持する枠体である。支持枠１０３は、ペリクル膜１０１の一方の面側からペリクル膜１０１を支持する。支持枠１０３は、ペリクル膜１０１の形状に応じた形状である。支持枠１０３は、ここではペリクル膜１０１の外縁部に沿った矩形の枠体であるが、正方形またはその他の形状の枠体であってもよい。
支持枠１０３は、基板を枠状に残してエッチングすることで残った枠体であってもよいし、別の枠体であってもよい。ペリクル膜１０１を支持枠１０３に固定する方法は、特に限定されない。例えば、ペリクル膜１０１は、支持枠１０３へ直接貼り付けられてもよい。ペリクル膜１０１は、支持枠１０３の一方の端面にある膜接着剤層を介して、支持枠１０３に接着されてもよい。ペリクル膜１０１は、機械的又は磁気的に、支持枠１０３に固定されてもよい。
４つの突起部１０５の各々は、支持枠１０３から突き出た部位である。具体的には、４つの突起部１０５の各々は、上面視において支持枠１０３からペリクル膜１０１が位置する側とは反対側に突き出ている。４つの突起部１０５のうち、２つの突起部１０５が、支持枠１０３の一辺に沿って設けられ、残りの２つの突起部１０５が、支持枠１０３の当該一辺に対向する辺に沿って設けられている。
４つの突起部１０５の各々は、支持枠１０３と一体に形成されている。ただし、４つの突起部１０５の少なくとも一部が支持枠１０３とは別の部材で形成され、例えば接着により支持枠１０３と接続されてもよい。本実施形態では、４つの突起部１０５は互いに同一の形状、かつ同一の寸法であるものとする。４つの突起部１０５の少なくとも一部の突起部１０５は、他の突起部１０５と形状又は寸法が異なっていてもよい。
図２は、突起部１０５の構成を説明する図である。図２は、ペリクル１００における突起部１０５およびその周辺の部位の上面図である。突起部１０５は、上面が台形形状である。具体的には、突起部１０５は、上底が下底よりも短く、かつ下底が支持枠１０３と接触する。突起部１０５の面積は、例えば、３０ｍｍ2以上２５０ｍｍ2以下である。突起部１０５の上底に相当する部分の長さＬ１は、例えば１５ｍｍである。突起部１０５の下底に相当する部分の長さＬ１＋Ｌ２は、例えば２５ｍｍ（つまり、Ｌ２＝１０ｍｍ）である。突起部１０５の高さに相当する部分の長さＬ３は、例えば１０ｍｍである。なお、支持枠１０３の幅Ｌ４は、例えば２ｍｍ以上４ｍｍ以下である。
ペリクル１００とフォトマスク（後述する、マスク（原版）２００）とは、接着剤を用いて接続される。ＥＵＶ光リソグラフィにおいては、真空下で露光が行われるため、接着剤からのアウトガスの発生を抑えることが求められる場合がある。この問題を解決するために、ペリクルを使用する前に接着剤の一側面に対してＥＵＶ光を照射し、あらかじめガスを発生させ、使用時のアウトガス発生量を減らす、という手法がある。しかし、この手法では、ＥＵＶ光によりダメージを受けて柔軟性を失って脆くなった接着剤由来の粉塵の発生を抑えることが求められる場合がある。また、プリベイクなどでアウトガスを減らす手段においても同様に、粉塵の発生を抑えることが求められる場合がある。ペリクル１００は、接着層からのアウトガスの発生を抑え、ペリクル枠の良好な密着性を確保するための構成として、例えば、以下の各構成例の構成を有する。
（構成例１）
図３は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。図４は、図３の構成のペリクル１００を下方から見た図（すなわち、後述する第１の端面１４１に垂直な方向から見た図）である。図４においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１は省略する。本実施形態では、４つの突起部１０５の周辺の構成は、互いに同一であるものとする。この前提は、以下で説明する各構成例でも同じである。
図３は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。図４は、図３の構成のペリクル１００を下方から見た図（すなわち、後述する第１の端面１４１に垂直な方向から見た図）である。図４においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１は省略する。本実施形態では、４つの突起部１０５の周辺の構成は、互いに同一であるものとする。この前提は、以下で説明する各構成例でも同じである。
支持枠１０３は、突起部１０５及び第１の接着層１０７を介して、マスク２００と接続される。第１の接着層１０７は、接着剤を含む層である。第１の接着層１０７は、マスク２００にペリクル１００を設置するための接着層である。具体的には、第１の接着層１０７は、突起部１０５に接触し、突起部１０５とマスク２００とを接続する。第１の接着層１０７は、例えば支持枠１０３とは接触しない。支持枠１０３と突起部１０５との境界面と、突起部１０５の第１の接着層１０７が設けられる端面とは、互いに交差する。
第１の接着層１０７の接着剤は、例えば、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、ポリイミド樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、無機系接着剤、両面粘着テープ、シリコーン樹脂粘着剤、アクリル系粘着剤、又はポリオレフィン系粘着剤であるが、これら以外の接着剤であってもよい。本明細書において、第１の接着層１０７に含まれる接着剤は、接着剤のみならず粘着剤を含む概念である。
第１の接着層１０７は、第１の側面１２１と、第２の側面１３１と、第１の端面１４１とを含む。第１の側面１２１は、ペリクル膜１０１（より詳細には、ペリクル膜１０１の膜面）と交差する方向の側面であって、ペリクル膜１０１が位置する側の側面である。なお、「ペリクル膜１０１が位置する側」とは、ペリクルの水平方向においてペリクル膜の中心が位置する側を指す。第２の側面１３１は、第１の側面１２１に対向する側面で、第１の側面１２１とほぼ平行である。すなわち、第２の側面１３１は、ペリクル膜１０１と交差する方向の側面であって、ペリクル膜１０１が位置する側とは反対側の側面である。第１の端面１４１は、第１の接着層１０７が突起部１０５と接する面と対向する端面である。すなわち、第１の端面１４１は、第１の側面１２１と第２の側面１３１との間に位置し、かつ突起部１０５と接さずに第１の側面１２１と第２の側面１３１とを接続する端面である。第１の接着層１０７の第１の端面１４１の形状は制限されないが、例えば、矩形状、台形状、円形状、不定形状、又はその他の形状が挙げられる。
なお、本明細書において、各側面および各端面は平面としているが、それぞれ一部または全部の領域に曲面の領域を含んでもよい。また、各側面は、ペリクル膜１０１又はマスク２００の表面に直交する平面に限られず、ペリクル膜１０１又はマスク２００の表面に対して傾斜した平面であってもよい。
第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７よりもペリクル膜１０１が位置する側に設けられている。具体的には、第１の無機物層１０９は、第１の側面１２１に設けられている。第１の無機物層１０９は、例えば、第１の側面１２１の全体を覆う。第１の無機物層１０９は、少なくとも突起部１０５と接触する。第１の無機物層１０９は、例えば、突起部１０５と接触するが、支持枠１０３とは接触しない。第１の無機物層１０９は、ＥＵＶ光の透過率が低い材料（例えば、金属又はセラミック）により形成されている。ＥＵＶ光は、波長５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の光である。ＥＵＶ光の波長は、５ｎｍ以上１４ｎｍ以下が好ましい。
第１の無機物層１０９は、第１の側面１２１から発生するアウトガスが、マスク２００とペリクル膜１０１により挟まれた領域Ｔに侵入することを抑える。これにより、マスク２００の表面にコンタミネーションが発生することが抑えられる。第１の接着層１０７の厚みは、１０μｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。ここにおいて、第１の接着層１０７の厚みとは、ペリクル膜１０１の膜面に直交する方向における第１の接着層１０７の長さをいう。例えば、第１の接着層１０７の厚みが１０μｍ以上であることにより、突起部１０５とマスク２００との密着性が確保されやすくなる。第１の接着層１０７の厚みが１ｍｍ以下であることにより、アウトガスの発生が抑えられる傾向にある。
第１の無機物層１０９は、ＥＵＶ光による劣化が少なく、かつＥＵＶ光の透過率が１０パーセント以下であることが好ましい。これにより、第１の接着層１０７からのアウトガスの発生量が少なくなる。さらに、第１の無機物層１０９は、水素ラジカルへの耐性を有することが好ましい。第１の無機物層１０９の厚みは、５０ｎｍ以上１μｍ以下程度であることが好ましい。ここで第１の無機物層１０９の厚みとは、ペリクル膜１０１の膜面に平行な方向における第１の無機物層１０９の長さを意味する。
なお、ＥＵＶ光の透過率が１０パーセント以下とは、所定の無機物層の厚みが４００ｎｍである場合に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を照射してそのＥＵＶ光の透過率が１０パーセント以下であることをいう。
第１の無機物層１０９を第１の接着層１０７にコーティングする方法は、例えば、蒸着又はスパッタリングであるが、これに限定されない。第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の表面に形成可能な方法であればよい。
また、ペリクル１００をマスク２００に設置する工程において、その設置方向の力が第１の接着層１０７に力が加わり、また、露光装置内では該設置方向に交差する方向の力（ずり）が第１の接着層１０７に作用することがある。この課題を解決するため、第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の形状の変化に追随させるために、金属層により形成されることが好ましい。
第１の無機物層１０９に適用しうる金属としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｇａ（ガリウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニア）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｔａ（タンタル）Ｗ（タングステン）、Ｐｔ（プラチナ）、及びＡｕ（金）の群から選ばれた何れか一種の金属が好ましい。第１の無機物層１０９は、これらから選択される２以上の元素を用いた合金であってもよいし、酸化物であってもよい。
上記の金属のうち、第１の無機物層１０９に適用しうる金属としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｔａ（タンタル）、及びＡｕ（金）の群から選ばれた何れか一種の金属がより好ましい。
第１の無機物層１０９は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｔａ（タンタル）、及びＡｕ（金）のうちから選択される二種以上の元素を用いた合金であってもよいし、酸化物であってもよい。
第１の接着層１０７と第１の無機物層１０９との間に、中間層が設けられてもよい。中間層は、第１の無機物層１０９のクラックの発生を防止することに寄与する。中間層には第１の無機物層１０９が積層されることから、ＥＵＶ光の透過率及びアウトガスに関する物性には限定がない。中間層は、例えば、パリレン、ポリイミド、セラミック又は金属の材料を用いて、蒸着、スパッタリング又はＣＶＤにより形成される。
第１の接着層１０７の第１の端面１４１に、保護層が設けられてもよい。保護層は、例えば、剥離ライナー（剥離フィルム又はセパレーターとも呼ばれる。）などの公知のものを特に制限なく適用されてよい。保護層は、搬送時に第１の接着層１０７の粘着力が低下することを抑制することに寄与する。
図５は、第１の接着層１０７、及び第１の無機物層１０９の構成の他の例を示す図である。この例では、第１の無機物層１０９は、第１の側面１２１に加え、第１の端面１４１の一部の領域と接触する。具体的には、第１の無機物層１０９は、第１の端面１４１のうちの第１の側面１２１に隣接する領域１４１１に接触する。第１の端面１４１のうちの領域１４１１に隣接する領域１４１３は、マスク２００の表面と接触する。ペリクル膜１０１の膜面に垂直な方向における第１の無機物層１０９の厚みは、領域１４１３に近づくほど小さくなっている。第１の無機物層１０９を形成する方法は、例えば、第１の接着層１０７のうち、領域１４１３をマスキングテープで保護しつつ、例えばマグネトロンスパッタリングにて無機物をコーティングし、その後にマスキングテープを剥離する方法である。
構成例１に係るペリクル１００によれば、支持枠１０３が第１の接着層１０７を介してマスク２００に接着されるので、スタッドを用いた物理的接続が採用される場合に比べて、粉塵の発生が抑えられる。また、第１の無機物層１０９が第１の側面１２１を覆うため、第１の接着層１０７からのアウトガスが発生しにくい。さらに、第１の接着層１０７は、支持枠１０３から突き出た突起部１０５に設けられる。このため、第１の接着層１０７が支持枠１０３に設けられる場合に比べて、第１の接着層１０７がＥＵＶ照射部から遠ざかるため、ＥＵＶ光に起因する熱による劣化が少なくなる。
（構成例２）
図６は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。図７は、図６の構成のペリクル１００を下方から見た図である。図７においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１を省略する。構成例２において、第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の第１の側面１２１、及び第２の側面１３１に設けられている。第１の無機物層１０９は、例えば、第１の接着層１０７の側面の全体に設けられている。第１の無機物層１０９は、例えば、突起部１０５と接触するが、支持枠１０３とは接触しない。
図６は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。図７は、図６の構成のペリクル１００を下方から見た図である。図７においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１を省略する。構成例２において、第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の第１の側面１２１、及び第２の側面１３１に設けられている。第１の無機物層１０９は、例えば、第１の接着層１０７の側面の全体に設けられている。第１の無機物層１０９は、例えば、突起部１０５と接触するが、支持枠１０３とは接触しない。
図８は、第１の接着層１０７及び第１の無機物層１０９の構成の他の例を示す図である。この例では、第１の無機物層１０９は、第１の側面１２１及び第２の側面１３１に加え、第１の端面１４１の一部の領域と接触する。具体的には、第１の無機物層１０９は、第１の端面１４１のうちの第１の側面１２１に隣接する領域１４１５と、第２の側面１３１に隣接する領域１４１７とに接触する。領域１４１９は、第１の端面１４１のうちの領域１４１５と領域１４１７との間に位置し、かつ領域１４１５と領域１４１７とに隣接する領域であり、マスク２００の表面と接触する。ペリクル膜１０１の膜面に垂直な方向における第１の無機物層１０９の厚みは、領域１４１９に近づくほど小さくなっている。第１の無機物層１０９を形成する方法は、例えば、第１の接着層１０７のうち、領域１４１９をマスキングテープで保護しつつ、例えばマグネトロンスパッタリングにて無機物をコーティングし、その後にマスキングテープを剥離する方法である。
構成例２に係るペリクル１００によれば、第１の無機物層１０９が第２の側面１３１を覆うため、第１の接着層１０７からアウトガスがさらに発生しにくくなる。これ以外にも、構成例２に係るペリクル１００によれば、構成例１に係るペリクル１００と同等の効果を奏する。
（構成例３）
図９は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。
図９は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。
構成例３において、ペリクル１００の第１の接着層１０７には、第１の無機物層１０９が設けられていない。すなわち、第１の接着層１０７の第１の側面１２１、及び第２の側面１３１が外部に露出している。
構成例３において、ペリクル１００は、密着層１１１と、第２の無機物層１１３とを有する。密着層１１１は、支持枠１０３とマスク２００との密着性を向上させる。密着層１１１は、第１の接着層１０７よりも、ペリクル膜１０１が位置する側に設けられている。具体的には、密着層１１１は、支持枠１０３に設けられ、支持枠１０３とマスク２００とを接続する。密着層１１１は、少なくとも支持枠１０３と接触する。密着層１１１は、例えば、支持枠１０３と接触するが、突起部１０５とは接しない。支持枠１０３と突起部１０５との境界面と、支持枠１０３の密着層１１１が設けられる端面とは、互いに交差する。
密着層１１１は、第３の側面１５１と、第４の側面１６１と、第２の端面１７１とを含む。第３の側面１５１は、ペリクル膜１０１と交差する方向の側面であって、ペリクル膜１０１が位置する側の側面である。第３の側面１５１は、マスク２００とペリクル膜１０１により挟まれた領域Ｔを形成する側の側面である。第４の側面１６１は、第３の側面１５１に対向する側面で、第３の側面１５１とほぼ平行である。すなわち、第４の側面１６１は、ペリクル膜１０１と交差する方向の側面であって、ペリクル膜１０１が位置する側とは反対側の側面である。第２の端面１７１は、密着層１１１が支持枠１０３に接する面と対向する端面である。すなわち、第２の端面１７１は、第３の側面１５１と第４の側面１６１との間に位置し、かつ支持枠１０３と接さずに第３の側面１５１と第４の側面１６１とに接続された端面である。
密着層１１１は、ここでは、有機材料を用いて形成される。有機材料は、例えば、ニトリルゴム、フッ素ゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、水素化ニトリルゴム、パーフルオロエラストマー、テトラフルオロエチレン－プロピレン系フッ素ゴム、シリコーンゴム、フロロシリコーンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、ウレタンゴム、オレフィン系エラストマー、スチレン系エラストマー、又はアミド系エラストマーである。また、より少ない力で密着層１１１とマスク２００との密着性（接触幅）を向上させるため、有機材料の弾性率は、２０℃の温度において０．１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である所定範囲内に含まれることが好ましい。
第２の無機物層１１３は、密着層１１１よりもペリクル膜１０１が位置する側に設けられた無機物層である。具体的には、第２の無機物層１１３は、第３の側面１５１に設けられている。第２の無機物層１１３は、例えば、第３の側面１５１の全体を覆う。第２の無機物層１１３は、少なくとも支持枠１０３と接触する。第２の無機物層１１３は、例えば、支持枠１０３と接触するが、突起部１０５とは接触しない。第２の無機物層１１３は、第１の無機物層１０９と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。
図１０は、図９の構成のペリクル１００を下方から見た図である。図１０においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１を省略する。密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の形状に応じた形状を有する。すなわち、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、ここでは、矩形の枠状に形成されている。密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の底面１０３２に沿って枠状に形成されている。底面１０３２は、支持枠１０３のうち、マスク２００側を向く端面である。換言すると、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の周方向に沿って連続的に配置されている。第２の無機物層１１３は、密着層１１１の第３の側面１５１の全体を覆う。ペリクル１００をマスク２００側から見たとき、支持枠１０３、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、領域Ｔを取り囲む。これにより、領域Ｔは、ペリクル膜１０１と、マスク２００と、密着層１１１と、第２の無機物層１１３とによって閉鎖された閉鎖領域となる。
構成例３に係るペリクル１００によれば、第１の接着層１０７及び密着層１１１を用いて、支持枠１０３がマスク２００に接続されるので、粉塵の発生が抑えられるとともに、ペリクル１００とマスク２００との密着性が向上する。また、領域Ｔは、閉鎖領域であるため、領域Ｔに粉塵やアウトガスが侵入しにくい。また、第２の無機物層１１３は、密着層１１１の第３の側面１５１を覆う。さらに、第１の接着層１０７は、第２の無機物層１１３及び密着層１１１よりもペリクル膜１０１から離れた位置に設けられている。このため、ペリクル１００は、アウトガスが発生しにくく、また、ＥＵＶ光に起因する熱による劣化が少ない。
（構成例４）
図１１は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。構成例４において、第２の無機物層１１３は、第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１に設けられている。第２の無機物層１１３は、例えば、密着層１１１の側面の全体、及び第２の端面１７１の全体を覆う。第２の無機物層１１３は、少なくとも支持枠１０３と接触する。第２の無機物層１１３は、例えば、支持枠１０３と接触するが、突起部１０５とは接触しない。
図１１は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（すなわち、図１のＡ－Ａ断面図）である。構成例４において、第２の無機物層１１３は、第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１に設けられている。第２の無機物層１１３は、例えば、密着層１１１の側面の全体、及び第２の端面１７１の全体を覆う。第２の無機物層１１３は、少なくとも支持枠１０３と接触する。第２の無機物層１１３は、例えば、支持枠１０３と接触するが、突起部１０５とは接触しない。
図１２は、図１１の構成のペリクル１００を下方から見た図である。図１２においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１を省略する。密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の形状に応じた形状を有する。すなわち、第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の底面１０３２に沿って枠状に形成されている。換言すると、第２の無機物層１１３は、支持枠１０３の周方向に沿って連続的に配置されている。第２の無機物層１１３は、密着層１１１の第３の側面１５１、第４の側面１６１、および第２の端面１７１の全体を覆う。ペリクル１００をマスク２００側から見たとき、第２の無機物層１１３は領域Ｔを取り囲む。これにより、領域Ｔは、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３によって閉鎖された閉鎖領域となる。
構成例４において、第２の無機物層１１３は、密着層１１１とマスク２００とを接続する第２の端面１７１を覆う。第２の無機物層１１３が形成されていても、密着層１１１の弾性率が上記所定範囲に含まれていることにより、密着層１１１が第２の無機物層１１３を介してマスク２００に密着し、領域Ｔへの粉塵の侵入が抑えられる。密着層１１１とマスク２００との密着性をより向上させる観点から、第２の端面１７１に形成された第２の無機物層１１３の厚みは、１０μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。また、クラックを生じにくくする観点から、第２の無機物層１１３の厚みは５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
（構成例５）
図１３は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（図１のＡ－Ａ断面図）である。構成例５は、実質的に、構成例２及び構成例４を組み合わせた構成に等しい。すなわち、第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の第１の側面１２１、及び第２の側面１３１を覆う。第２の無機物層１１３は、密着層１１１の第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１に設けられている。第２の無機物層１１３は、例えば、第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１の全体を覆う。
図１３は、ペリクル膜１０１、支持枠１０３、及び突起部１０５を含む平面でペリクル１００を切断したときの断面を示す図（図１のＡ－Ａ断面図）である。構成例５は、実質的に、構成例２及び構成例４を組み合わせた構成に等しい。すなわち、第１の無機物層１０９は、第１の接着層１０７の第１の側面１２１、及び第２の側面１３１を覆う。第２の無機物層１１３は、密着層１１１の第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１に設けられている。第２の無機物層１１３は、例えば、第３の側面１５１、第４の側面１６１、及び第２の端面１７１の全体を覆う。
図１４は、図１３の構成のペリクル１００を下方から見た図である。図１４においては、支持枠１０３及び突起部１０５を破線で示し、ペリクル膜１０１を省略する。ペリクル１００をマスク２００側から見たとき、第２の無機物層１１３は領域Ｔを取り囲む。これにより、領域Ｔは、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３によって閉鎖された閉鎖領域となる。
構成例５に係るペリクル１００によれば、上述した構成例２に係るペリクル１００の効果、および構成例４に係るペリクル１００の効果を奏する。
（構成例６）
ペリクル１００の支持枠の強度を高めるため、構成例６に係るペリクル１００の支持枠１０３は、第１の枠体１０３Ａと第２の枠体１１５とを含む。
ペリクル１００の支持枠の強度を高めるため、構成例６に係るペリクル１００の支持枠１０３は、第１の枠体１０３Ａと第２の枠体１１５とを含む。
図１５は、構成例３の支持枠１０３に、第１の枠体１０３Ａ、及び第２の枠体１１５を適用した場合のペリクル１００の断面を示す図である。図１６は、構成例４の支持枠１０３に、第１の枠体１０３Ａ、及び第２の枠体１１５を適用した場合のペリクル１００の断面を示す図である。図１７は、構成例５の支持枠１０３に、第１の枠体１０３Ａ、及び第２の枠体１１５を適用した場合のペリクル１００の断面を示す図である。
第１の枠体１０３Ａは、構成例３から構成例５に係る支持枠１０３の各々と同じ構成の枠体である。突起部１０５は、第１の枠体１０３Ａと一体に形成されている。ただし、４つの突起部１０５の少なくとも一部が第１の枠体１０３Ａとは別の部材で形成され、例えば接着により第１の枠体１０３Ａと接続されてもよい。第１の枠体１０３Ａの材質は特に問わないが、例えば、シリコン、サファイア、又は炭化ケイ素が好ましく、シリコンがより好ましい。第２の枠体１１５は、第１の枠体１０３Ａの形状に応じた形状を有する。具体的には、第２の枠体１１５は、マスク２００側から見たときに、第１の枠体１０３Ａと重なり合うように、矩形の枠状に形成されている。すなわち、第２の枠体１１５は、第１の接着層１０７よりもペリクル膜１０１が位置する側に設けられている。
第２の枠体１１５は、第２の接着層１１７を介して、第１の枠体１０３Ａと接続されている。第２の枠体１１５の材質は特に制限されないが、軽量さ及び強度を両立する観点から、アルミニウム、アルミニウム合金（５０００系、６０００系、７０００系等）、又はシリコンが好ましい。第２の枠体１１５は、例えば、第１の枠体１０３Ａよりも厚い。すなわち、ペリクル膜１０１の膜面に垂直な方向における長さは、第２の枠体１１５の方が第１の枠体１０３Ａよりも長い。第２の接着層１１７は、第１の枠体１０３Ａと第２の枠体１１５とを接続する接着層である。第２の接着層１１７の接着剤は、第１の接着層１０７と同じ接着剤であってよいし、異なる接着剤であってもよい。
なお、ＥＵＶ光が第２の接着層１１７に当たり、第２の接着層１１７からアウトガスが発生することを抑制する観点からは、第２の接着層１１７の側面にも無機物層が設けられることが好ましい。しかし、第２の接着層１１７は、マスク２００から遠く、マスク２００の表面で散乱したＥＵＶ光は第２の枠体１１５により遮られる傾向にある。このため、第２の接着層１１７の側面に無機物層を設けることは必須ではない。また、第２の枠体１１５の側面にも無機物層が設けられてもよい。
図１５、図１６、及び図１７に示すように、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、第２の枠体１１５に設けられている。より具体的には、密着層１１１、及び第２の無機物層１１３は、第２の枠体１１５の底面１１５２に沿って設けられている。このため、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、領域Ｔを閉鎖する。このため、図１５、図１６、及び図１７に示したペリクル１００によれば、それぞれ構成例３、構成例４、及び構成例５と同等の効果を奏する。さらに、上述した基板を枠状に残してエッチングすることで残った枠体を第１の枠体１０３Ａとし、第２の枠体１１５を接続することにより、ペリクル膜１０１の製造時の取り扱いを簡便にしつつ、支持枠１０３がより軽量になり、また支持枠１０３の強度がより向上する。
（構成例７）
構成例７に係るペリクル１００では、突起部が第２の枠体１１５に設けられる。図１８から図２０は、第２の枠体１１５に突起部１０５Ａを適用した場合のペリクル１００の断面を示す図である。図１８に示す例では、第１の接着層１０７、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例３と同じ位置に設けられている。図１９に示す例では、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例４と同じ位置に設けられている。図２０に示す例では、第１の接着層１０７、第１の無機物層１０９、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例５と同じ位置に設けられている。
構成例７に係るペリクル１００では、突起部が第２の枠体１１５に設けられる。図１８から図２０は、第２の枠体１１５に突起部１０５Ａを適用した場合のペリクル１００の断面を示す図である。図１８に示す例では、第１の接着層１０７、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例３と同じ位置に設けられている。図１９に示す例では、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例４と同じ位置に設けられている。図２０に示す例では、第１の接着層１０７、第１の無機物層１０９、密着層１１１及び第２の無機物層１１３は、構成例５と同じ位置に設けられている。
突起部１０５Ａは、第２の枠体１１５から突き出た部位である。具体的には、突起部１０５Ａは、支持枠１０３からペリクル膜１０１が位置する側とは反対側に突き出ている。突起部１０５Ａは、第１の接着層１０７を介してマスク２００と接続される。突起部１０５Ａは、第２の枠体１１５と一体に形成されている。ただし、４つの突起部１０５Ａの少なくとも一部が第２の枠体１１５とは別の部材で形成され、例えば接着により第２の枠体１１５と接続されてもよい。
構成例７のペリクル１００によれば、構成例６と同様の効果を奏する。また、構成例６に比べ、第１の接着層１０７の厚みを薄くできるため、アウトガスの発生をより抑制できる傾向にある。
なお、構成例１から構成例７で説明した各部材の形状、寸法、および材料は一例に過ぎず、種々の変形が可能である。
例えば、ペリクル１００において、突起部１０５は上面視において台形以外の形状であってもよい。図２１は、一変形例に係る突起部１０５の構成を説明する図である。この例では、突起部１０５は、上面が矩形である。突起部１０５の面積は、例えば、３０ｍｍ2以上２５０ｍｍ2以下である。突起部１０５の短辺に相当する部分の長さＬ５は、例えば１．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。なお、突起部１０５は、例えば、四角形以外の多角形及び円形若しくはこれらの組み合わせで例示される台形以外の形状でもよい。また、支持枠１０３が有する突起部１０５の数は、４つに限定されず、２つ以上であればよい。突起部１０５の数は、例えば２個以上１０個以下とすることができる。突起部１０５の数が多いと、ペリクル１００とマスク２００との固定が充分になる傾向にあり、突起部１０５の数が少ないと、アウトガスの発生がより抑えられる傾向にある。なお、突起部１０５Ａの形状、寸法及び数についても、突起部１０５と同様の変形が可能である。
［露光原版］
本実施形態の露光装置は、本実施形態の露光原版を備える。このため、本実施形態の露光原版と同様の効果を奏する。
本実施形態の露光装置は、本実施形態の露光原版を備える。このため、本実施形態の露光原版と同様の効果を奏する。
本実施形態の露光装置は、露光光（好ましくはＥＵＶ光等、より好ましくはＥＵＶ光。以下同じ。）を放出する光源と、本実施形態の露光原版と、光源から放出された露光光を露光原版に導く光学系と、を備え、露光原版は、光源から放出された露光光がペリクル膜を透過して原版に照射されるように配置されていることが好ましい。
この態様によれば、ＥＵＶ光等によって微細化されたパターン（例えば線幅３２ｎｍ以下）を形成できることに加え、異物による解像不良が問題となり易いＥＵＶ光を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減されたパターン露光を行うことができる。
［露光装置］
図２２は、本実施形態の露光装置の一例である、ＥＵＶ露光装置１８０の概略断面図である。
図２２は、本実施形態の露光装置の一例である、ＥＵＶ露光装置１８０の概略断面図である。
図２２に示されるように、ＥＵＶ露光装置１８０は、ＥＵＶ光を放出する光源１８２と、本実施形態の露光原版の一例である露光原版１８１と、光源１８２から放出されたＥＵＶ光を露光原版１８１に導く照明光学系１８３と、を備える。ＥＵＶ露光装置１８０では、光源１８２から放出されたＥＵＶ光が照明光学系１８３で集光され照度が均一化され、露光原版１８１に照射される。露光原版１８１に照射されたＥＵＶ光は、原版（マスク）１８４によりパターン状に反射される。
露光原版１８１は、本実施形態の露光原版の一例である。すなわち、露光原版１８１は、ペリクル膜１０１及び支持枠を含む本実施形態のペリクルの一例であるペリクル１００と、原版１８４と、を備えている。この露光原版１８１は、光源１８２から放出されたＥＵＶ光がペリクル膜１０１を透過して原版１８４に照射されるように配置されている。
照明光学系１８３には、ＥＵＶ光の光路を調整するための複数枚の多層膜ミラー１８９と光結合器（オプティカルインテグレーター）等が含まれる。
光源１８２及び照明光学系１８３は、公知の光源及び照明光学系を用いることができる。
ＥＵＶ露光装置１８０において、光源１８２と照明光学系１８３との間、及び照明光学系１８３と原版１８４の間には、フィルター・ウィンドウ１８５及び１８６がそれぞれ設置されている。フィルター・ウィンドウ１８５及び１８６は、飛散粒子（デブリ）を捕捉し得るものである。また、ＥＵＶ露光装置１８０は、原版１８４が反射したＥＵＶ光を感応基板１８７へ導く投影光学系１８８を備えている。ＥＵＶ露光装置１８０では、原版１８４により反射されたＥＵＶ光が、投影光学系１８８を通じて感応基板１８７上に導かれ、感応基板１８７がパターン状に露光される。なお、ＥＵＶによる露光は、減圧条件下で行われる。投影光学系１８８には、複数枚の多層膜ミラー１９０、１９１等が含まれる。フィルター・ウィンドウ１８５、フィルター・ウィンドウ１８６及び投影光学系１８８としては、公知の投影光学系を用いることができる。
感応基板１８７は、半導体ウェハ上にレジストが塗布された基板等であり、原版１８４によって反射されたＥＵＶ光により、レジストがパターン状に硬化する。このレジストを現像し、半導体ウェハのエッチングを行うことで、半導体ウェハに所望のパターンを形成する。
［半導体装置の製造方法］
本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版の前記ペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させ、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、光源から放出された露光光を、本実施形態の露光原版の前記ペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させ、前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する。
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、異物による解像不良が問題となり易いＥＵＶ光を用いた場合であっても、異物による解像不良が低減された半導体装置を製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態によるペリクル膜の製造方法について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
１００：ペリクル、１０１：ペリクル膜、１０３：支持枠、１０３Ａ：第１の枠体、１０３２：底面、１０５：突起部、１０５Ａ：突起部、１０７：第１の接着層、１０９：第１の無機物層、１１１：密着層、１１３：第２の無機物層、１１５：第２の枠体、１１５２：底面、１１７：第２の接着層、１２１：第１の側面、１３１：第２の側面、１４１：第１の端面、１４１１：領域、１４１３：領域、１４１５：領域、１４１７：領域、１４１９：領域、１５１：第３の側面、１６１：第４の側面、１７１：第２の端面、１８０：露光装置、１８１：露光原版、１８２：光源、１８３：照明光学系、１８４：原版、１８５：フィルター・ウィンドウ、１８６：フィルター・ウィンドウ、１８７：感応基板、１８８：投影光学系、１８９：多層膜ミラー、１９０：多層膜ミラー、１９１：多層膜ミラー、２００：マスク
Claims (15)
- ペリクル膜と、
前記ペリクル膜を支持する支持枠と、
前記支持枠に設けられた突起部と、
前記突起部に設けられた第１の接着層と、
前記第１の接着層よりも前記ペリクル膜が位置する側に設けられた無機物層と、
を有するペリクル。 - 前記無機物層は、
前記第１の接着層において、前記ペリクル膜と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が位置する側の第１の側面に設けられた第１の無機物層を含む
請求項１に記載のペリクル。 - 前記第１の無機物層は、
前記第１の接着層において、さらに前記第１の側面に対向する第２の側面に設けられている
請求項２に記載のペリクル。 - 前記第１の無機物層は、
前記第１の接着層において、さらに前記突起部と接する面と対向する第１の端面に設けられている
請求項２に記載のペリクル。 - 前記支持枠に設けられた密着層を有し、
前記無機物層は、
前記密着層において、前記ペリクル膜と交差する方向の側面であって、前記ペリクル膜が位置する側の第３の側面に設けられている第２の無機物層を含む
請求項１に記載のペリクル。 - 前記密着層及び前記第２の無機物層は、前記支持枠の底面に沿って枠状に形成されている請求項５に記載のペリクル。
- 前記第２の無機物層は、
前記密着層において、さらに、前記第３の側面に対向する第４の側面、及び前記支持枠と接する面と対向する第２の端面に設けられている
請求項６に記載のペリクル。 - 前記支持枠が、前記ペリクル膜に接続される第１の枠体と、前記第１の枠体と接続される第２の枠体と、を含む請求項１に記載のペリクル。
- 前記無機物層が金属層である、請求項１に記載のペリクル。
- 前記金属層は、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、銅、ルテニウム、タンタル、及び金の群から選ばれた何れか一種の金属、前記群から選ばれた二種以上の元素を含む合金、又は、前記群から選ばれる何れか一種又は二種以上の元素を含む酸化物である、請求項９に記載のペリクル。
- 原版と、前記原版のパターンを有する側の面に装着された、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のペリクルと、を含む露光原版。
- 請求項１１に記載の露光原版を有する露光装置。
- 露光光を放出する光源と、
請求項１１に記載の露光原版と、
前記光源から放出された露光光を前記露光原版に導く光学系と、を有し、
前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている、露光装置。 - 前記露光光が、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光である請求項１３に記載の露光装置。
- 光源から放出された露光光を、請求項１１に記載の露光原版のペリクル膜を透過させて前記原版に照射し、前記原版で反射させ、
前記原版によって反射された露光光を、前記ペリクル膜を透過させて感応基板に照射することにより、前記感応基板をパターン状に露光する、半導体装置の製造方法。
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