TW202405555A - 檢測裝置、euv表膜透射量測工具及euv表膜透射及反射量測工具 - Google Patents

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德克 瑟華提思 傑卓達 布朗司
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Abstract

一種用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中之一表膜之一物件的檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一真空腔室； -   一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一載物台裝置，其經組態以自該負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位； 其中該真空腔室包含用於臨時儲存該物件之一第一停放位置及一第二停放位置。

Description

檢測裝置、EUV表膜透射量測工具及EUV表膜透射及反射量測工具
本發明係關於一種如可用於檢測物件之檢測工具或裝置，特定言之，該等物件為用於使用EUV微影裝置製造積體電路中的物件。特定言之，檢測工具或裝置可用於檢測在EUV微影裝置中使用以保護經圖案化倍縮光罩免受污染之表膜。
微影裝置係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將在圖案化器件(例如，光罩)處之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影至基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長決定可形成於基板上之特徵之最小尺寸。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4-20 nm之範圍內的波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極遠紫外(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
在EUV微影裝置之情況下，如所提及之圖案化器件通常藉由表膜保護。在應用表膜之前，表膜需要經歷檢核或檢測程序，以便評定其是否符合規格。
在已知配置中，此檢核程序可為相當耗時的且可能不具有所需之準確度。
本發明之一目的為提供用於檢測諸如一表膜之一物件的一檢測裝置，從而縮減處理時間且/或提高準確度。根據本發明之一第一態樣，提供用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中的一表膜之一物件的一檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一真空腔室； -   一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一載物台裝置，其經組態以自該負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位； 其中該真空腔室包含用於臨時儲存該物件之一第一停放位置及一第二停放位置。 根據本發明之該第一態樣，進一步提供用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中的一表膜之一物件的一檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一真空腔室； -   一第一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一第二負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； 一載物台裝置，其經組態以自該第一負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位，且經組態以將該物件提供至該第二負載鎖。 根據本發明之一第二態樣，提供用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中的一表膜之一物件的一檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一腔室，其經組態以在一經調節氛圍中提供以用於檢測該物件； -   一負載鎖，其在該腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一輻射光束源，其經組態以產生用於檢測該物件之一輻射光束； -   一輻射光束量測系統，其經組態以量測該輻射光束之一特性，其中該輻射光束量測系統包含： ○  一部件，其配置於該輻射光束源與該物件之間的該輻射光束之一光徑中，該部件包含一孔隙以允許該輻射光束的一部分傳播至該物件，及 ○  至少一個輻射感測器，其配置於該部件上且經組態以量測該輻射光束之該特性。
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射光束B。作為琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11之補充或替代，照明系統IL可包括其他鏡面或器件。 在由此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，由此形成具有小於圖案化器件MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管投影系統PS經說明為僅具有圖1中之兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影裝置LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。 可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。 輻射源SO可為雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。 本發明係關於用於裝置或用於裝置中之組件之製造。裝置可為微影裝置，例如諸如可用於製造積體電路晶片之極遠紫外(EUV)微影裝置。組件可為例如用於裝置中之膜或表膜。 在組件之產生期間，可能有必要測試組件以確保其滿足某些準則。一些測試可在例如真空環境之特定環境中進行。此可在真空腔室中提供。當然，應瞭解，組件之其他加工、量測或操作亦可在真空腔室中執行。為了在真空腔室內維持真空環境，可提供前室(亦稱為負載鎖)。組件可在環境壓力下插入至負載鎖中。隨後密封負載鎖且抽出空氣直至負載鎖中普遍為與真空腔室之真空條件匹配之真空條件為止。隨後負載鎖向真空腔室打開且隨後組件可自負載鎖移動至準備進行測試或其他程序之真空腔室。當組件將自真空腔室移除時，程序逆轉。換言之，組件在真空中轉移至負載鎖且負載鎖與真空腔室密封。隨後藉由將空氣泵送至負載鎖內部之空間中，使環境壓力恢復至負載鎖。一旦達至環境壓力，就可打開負載鎖且移除組件。 在靈敏及/或精密組件(諸如用於EUV裝置之表膜)之情況下，泵送及排出時間可為大約幾個小時，以便藉由維持低壓差來保持組件之機械完整性以及藉由保持低的氣流速度來降低污染風險。此可顯著大於在真空腔室中測試組件所花費之時間，例如長達至多兩倍。 本發明揭示以上問題之兩種解決方案。在第一實施例中，本發明提供用於檢測例如用於EUV微影裝置中之表膜的物件或組件之檢測裝置。 根據第一實施例，檢測裝置包含： -   真空腔室； -   負載鎖，其在真空腔室與周圍環境之間形成界面； -   載物台裝置，其經組態以自負載鎖接收組件且使物件在真空腔室內部移位。
另外，根據第一實施例，為了縮減總製造及/或測試時間，或更具體言之，為增加組件之產出率，提議使用真空腔室的一部分用於儲存組件使得可在測試第二組件之同時對第一組件執行負載及/或卸載階段。 特定言之，在本發明之實施例中，檢測裝置之真空腔室包含第一停放位置及第二停放位置。根據本發明，停放位置係指組件可臨時儲存之位置或場所。 根據本發明之第一實施例，由此提議在真空腔室內部提供兩個停放位置。如下文將說明，在真空腔室內部應用兩個停放位置能夠在第一組件存在於負載鎖內部時操作負載鎖，該操作例如包括在處理(例如檢測配置於真空腔室內部之第二組件)的同時將空氣自負載鎖泵出或將空氣泵送至負載鎖中。以下圖2A至2F中進一步說明此程序之可能順序。圖2A至2F示意性地展示根據本發明之檢測裝置100之平面視圖。在如所展示之實施例中，檢測裝置包含真空腔室110、負載鎖120、載物台裝置130，從而真空腔室110包括兩個停放位置140.1及140.2，亦指示為PP1及PP2。 在一實施例中，諸如負載鎖120之負載鎖可視為在第一氛圍與第二氛圍之間(例如在環境氛圍或環境與真空環境之間)的界面。此負載鎖可例如包含第一門(點線) 120.1、第二門120.2及負載鎖定腔室120.3，第一門120.1經組態以將周圍環境與負載鎖定腔室120.3分隔開，第二門120.2經組態以將真空腔室110與負載鎖定腔室120.3分隔開。一般而言，負載鎖定腔室120.3應足夠大以容納組件，例如產品A或產品B。
圖2A展示在第一程序步驟期間之檢測裝置100，其中第一組件(產品A，例如表膜)在真空腔室中經歷量測或檢測，同時第二組件(產品B)經負載至負載鎖中。在如所展示之實施例中，載物台裝置130包含經：X載物台130.1，其組態以使安裝至載物台裝置之產品(亦即圖2A中之產品A)在X方向上移位；及Y載物台，其經組態以使產品A在Y方向上移位。 將負載鎖與真空腔室密封；亦即關閉門120.2。在將產品B負載至負載鎖(特定言之，負載鎖定腔室120.3)中之後，第一門120.1亦可關閉，且空氣可經泵出負載鎖定腔室120.3。此泵出空氣之程序可在量測產品A時進行。 在圖2B中所展示之第二步驟中，將產品A移動至第一儲存區域(停放位置1、PP1、140.1)。在一實施例中，此步驟可例如藉由載物台裝置130(特定言之X載物台130.1及Y載物台130.2)執行。在一實施例中，載物台裝置130可例如包含一或多個線性馬達，例如使物件(例如表膜)沿X方向移位之線性馬達及使物件沿Y方向移位之線性馬達。
在圖2C中所展示之第三步驟中，打開通向真空腔室110之負載鎖定門120.2，且自負載鎖120取回產品B且將其移動至真空腔室110中，同時產品A保留於第一儲存區域140.1中。
在圖2D中所展示之第四步驟中，將產品B移動至第二儲存區域(停放位置2、PP2、140.2)。在如所展示之實施例中，負載鎖120包含經組態以將物件自負載鎖120轉移至載物台裝置130且反之亦然的轉移機構150。可指出此轉移機構亦可定位於載物台裝置上或真空腔室110中之別處。在一實施例中，轉移機構之末端部分150.1可例如經組態以固持物件且抬升及/或降低物件。
在圖2E中所展示之第五步驟中，產品A自第一儲存區域140.1返回至負載鎖120。就此而言，可指出由於應用兩個停放位置PP1及PP2，此轉移可藉由載物台裝置130執行。因此，由於使用兩個停放位置，不需要在真空腔室中安裝或使用額外的轉移機器人。
最後，在圖2F中所展示之第六步驟中，密封負載鎖120，亦即關閉負載鎖定門120.2，且在測試產品B時返回至環境條件。一旦負載鎖120返回至環境條件，則產品A可經卸載。
藉由使用真空腔室內之第一及第二儲存區域，有可能將量測週期時間縮減到大致1/1.5。此係因為，特定言之，第二組件可在第一組件經歷量測時經負載或卸載。在此組態中，一個組件之負載/卸載時間與另一組件之量測程序時間重疊，由此提高待測試/量測組件的產出率且縮減總處理時間。
根據本發明之第一態樣之第二實施例，可使用第二負載鎖。在此組態中，負載及卸載可同時發生。舉例而言，在量測第一組件時，第二組件可在前述量測之後卸載且第三組件可在後續量測之前負載。使用此程序可將量測週期時間縮減至多兩倍。由於產出率顯著增加，此亦可減少製造設備的量及/或製造組件所需要之清潔室空間。 在圖3A至3C中說明使用具有兩個負載鎖之真空腔室的步驟之可能順序。圖3A至3C示意性地描繪豎直面(XZ-平面)中之橫截面視圖。 圖3A展示根據本發明之實施例之檢測裝置200。在如所展示之實施例中，檢測裝置包含具有兩個負載鎖1及2 (亦藉由附圖標號222及224指示)之真空腔室210。三個組件(產品A、B及C)，例如諸如用於EUV微影裝置中之表膜的物件，定位於真空腔室210以及負載鎖222及224中。負載鎖222及224可例如具有與負載鎖120類似之結構，亦即包括如上文所描述之第一門及第二門以及負載鎖定腔室。在如所展示之實施例中，產品A已在真空腔室210中處理且已經移動至負載鎖224。負載鎖224已與真空腔室210密封且正返回至準備卸載產品A之環境條件。產物B已自負載鎖222負載至真空腔室210中以供處理。負載鎖222隨後已與真空腔室密封且返回至環境條件以使產品C能夠負載至負載鎖1中。圖3A至3C進一步示意性地展示配置於真空腔室210內部之載物台裝置230。在如所展示之實施例中，負載鎖222及224進一步包括用於將物件自負載鎖定腔室轉移至真空腔室且反之亦然的轉移機構252及254。 隨後，在產品B於真空腔室中經量測及/或處理時，可將含有產品C之負載鎖1、222自環境壓力帶入至真空條件。隨後，產品A自負載鎖2、224卸載，隨後該負載鎖2、224返回至準備接收產品B之真空條件。隨後將負載鎖224與真空腔室210分隔開之門224.2打開且在完成量測程序之後，將產品B遞送至負載鎖224。圖3B中說明此情形。 同時，負載鎖222繼續帶入至真空條件以便允許將產品C傳遞至真空腔室。 一旦負載鎖222已經帶入至真空條件，將負載鎖222與真空腔室210分隔開之門222.2打開且將產品C轉移至真空腔室210。同時，負載鎖224與真空腔室210密封且可經排出至環境壓力，因此可卸載產品B。最後，產品C之量測及/或處理可在下一個組件經負載至負載鎖222中時進行。此等步驟在圖3C中示意性地展示。 根據本發明，檢測裝置可進一步包含用於檢測物件之輻射源及用於接收自物件發射、反射或透射之輻射的偵測器，以便執行檢測或品質評定程序。在本發明之含義中，此輻射源可包括任何適合形式之輻射，例如電磁輻射或諸如電子束或離子束之粒子束。
根據本發明之第二態樣，提供用於檢測諸如表膜之物件的檢測裝置。 一些微影裝置包含附接至經圖案化倍縮光罩之表膜。表膜為與倍縮光罩之圖案間隔幾毫米之透射膜。在表膜上接收之污染粒子相對於倍縮光罩之圖案處於遠場中，且因此對藉由微影裝置投影至基板上之影像品質不具有顯著影響。若不存在表膜，則污染粒子可處於倍縮光罩之圖案上且因此可混淆圖案之一部分，藉此防止圖案正確地投影至基板上。 檢測裝置，亦稱為表膜檢核系統，可經組態以判定表膜之光學屬性(諸如反射率及/或透射率)，以便判定表膜是否具有足夠高的品質以用於微影裝置中。此表膜檢核或檢測可涉及將量測輻射光束導向表膜且在量測輻射光束與表膜相互作用之前及之後使用輻射感測器偵測該量測輻射光束的強度。此能夠在量測輻射光束與表膜相互作用之前及之後比較該量測輻射光束之特性，藉此能夠判定表膜如何影響量測輻射光束及表膜是否具有足夠高的品質以用於微影裝置中。 一種已知表膜檢核系統使用兩個輻射感測器以在量測輻射光束已與表膜相互作用之前偵測量測輻射光束之強度。量測輻射光束之第一部分沿主量測路徑引導，其中該量測輻射光束與表膜相互作用。量測輻射光束之第二部分經引導至輻射感測器。因此，兩個輻射感測器定位於不同光徑上及/或接收與主量測路徑成不同角度之入射輻射。光徑可彼此不同。不同光徑之間的差異可隨時間變化。舉例而言，不同光徑中之光學組件(例如透鏡及/或鏡面)可不同地劣化，溫度及後續熱變形可變化，光徑中之真空或氣體變化等。由於不同的光徑，在量測輻射光束之第一部分與第二部分之間存在隨機差異且藉此降低已知表膜檢核系統的準確度。提高已知表膜檢核系統之準確度之已知方法涉及光束分光器及/或掠入射鏡面的使用。然而，此類光學組件降低輻射之強度，其反過來不利地影響系統之準確度。根據本發明之第二態樣之檢測裝置提供量測如應用於檢測或檢核表膜之輻射光束的替代方式。 圖4示意性地展示如應用於根據本發明之第二態樣之檢測裝置中的新穎輻射光束量測系統(亦稱為表膜檢核系統)之俯視圖(圖4之左側)及側視圖(圖4的右側)。 根據本發明之第二態樣之檢測裝置可例如包含： -   腔室，其經組態以在經調節氛圍中提供以用於檢測物件； -   負載鎖，其在腔室與周圍環境之間形成界面； -   輻射光束源，其經組態以產生用於檢測物件之輻射光束； -   輻射光束量測系統，其經組態以量測輻射光束之特性。
在一實施例中，經調節氛圍可例如為真空環境。取決於用於檢測或檢核之輻射類型，亦可考慮其他類型之經調節氛圍或環境。 在本發明之含義中，任何適合類型之輻射可用作用於表膜之檢測或檢核的輻射光束源。 根據本發明之第二態樣，如應用於檢測裝置或表膜檢核系統中之輻射光束量測系統進一步包含： -   部件，其配置於輻射光束源與物件之間的輻射光束之光徑中，部件包含孔隙以允許輻射光束的一部分傳播至物件，及 -   至少一個輻射感測器，其配置於部件上且經組態以量測輻射光束之特性。
在一實施例中，輻射光束量測系統包含配置於部件上之複數個輻射感測器(例如四個或八個輻射感測器)，該部件配置於輻射光束源與物件之間的輻射光束之光徑中，亦即輻射光束源之下游及物件的上游。在圖4之實例中，輻射光束量測系統之部件400配備有八個輻射感測器，附圖標號1至8。在如所展示之實施例中，部件400包含實質上矩形孔隙410。八個輻射感測器1-8配置於孔隙410之兩個相對側上或沿該等相對側配置。在圖4左側中，附圖標號412係指在穿過孔隙410之後輻射光束之寬度，而附圖標號414係指入射於部件400上的輻射光束之寬度。在一實施例中，輻射光束量測系統包含組態以量測特性(例如輻射光束(亦即如所描繪之入射光束)之強度)的至少一個輻射感測器。 可優選使用較大數目的輻射感測器，此係因為藉由輻射光束量測系統執行之量測中存在的任何雜訊可藉由對每一輻射感測器執行之量測進行平均來降低。輻射感測器可經組態以偵測EUV輻射。輻射感測器可例如包含光電二極體及/或攝影機，例如電荷耦合器件。輻射光束量測系統可經組態以判定入射輻射光束之空間強度剖面。輻射感測器可偵測接近於待量測的輻射光束之光徑之中心軸的量測輻射光束。 在一實施例中，檢測系統或表膜檢核系統可包含光譜純度濾光器(SPF) 422及偵測器430，例如電荷耦合器件(CCD)。在如所展示之實施例中，偵測器430配置於物件(亦即待檢測或檢核之表膜440)之下游。在此實施例中，偵測器由此接收透射通過物件440之輻射。一般而言，根據本發明之第二態樣之檢測裝置可經組態以接收由輻射光束與物件440的相互作用引起之任何類型的輻射。此輻射可例如包括由物件發射之輻射或由物件反射之輻射或由物件透射或透射通過物件的輻射。 光譜純度濾光器422可經組態以在輻射光束450入射於表膜440上之前過濾入射輻射光束450。由此，SPF 422可配置於表膜440之上游。CCD，一般而言偵測器430，可經組態以在輻射光束450已與表膜440相互作用之後偵測輻射光束450。輻射光束量測系統之輻射感測器1至8可配置成使得在輻射光束已與光譜純度濾光器422相互作用之後及在輻射光束已與CCD 430相互作用之前偵測輻射光束450。藉由輻射光束量測系統執行之量測與藉由表膜檢核系統之CCD執行的量測之間的比較可用於判定表膜440對輻射光束具有何種影響，且藉此判定表膜440是否適合用於微影裝置中。 光譜純度濾光器422可藉由支撐件固持於適當位置。在如所展示之實施例中，光譜純度濾光器422經由支撐件420安裝至部件400。在如所展示之實施例中，部件400包含在輻射光束入射於表膜上之前輻射光束的至少一部分(其可稱為輻射光束之第一部分)穿過之孔隙410。輻射光束量測系統之輻射感測器1至8可安裝於部件400上。輻射感測器之邊緣可實質上與部件400之孔隙的邊緣對準。安裝有輻射光束量測系統之部件400之表面及輻射光束量測系統的輻射感測器用以阻擋入射輻射光束450中之一些 (其可稱為入射輻射光束之第二部分)。由於輻射感測器之邊緣實質上與部件400之孔隙410的邊緣對準，因此輻射光束量測系統能夠儘可能接近於輻射光束之中心軸量測輻射光束450之特性而不影響輻射光束與表膜相互作用的部分(且其可由檢測裝置或表膜檢核系統之CCD 430偵測)。輻射光束量測系統可為在輻射光束入射於表膜440上之前與輻射光束相互作用之最終光學元件。藉此，在藉由輻射光束量測系統執行之量測中，包括且考慮輻射光束之光徑中的所有其他光學組件之影響。由此，與已知輻射光束量測系統相比，輻射光束之光徑之變化對新穎輻射光束量測系統之準確度具有較小影響。 輻射光束量測系統有利地能夠原位監測入射輻射光束之特性(例如能量、空間強度剖面、劑量等)而不顯著影響輻射光束。此可提高在輻射光束已與表膜相互作用之後使用輻射光束執行之後續量測的準確度。輻射光束量測系統允許使用CCD 430作為參考進行設置校準。舉例而言，當表膜440未安置於支撐件與CCD 430之間時，輻射光束量測系統之輻射感測器1至8及CCD 430皆可用於判定入射輻射光束450之特性。來自輻射光束之第一部分之CCD 430的直接量測可用於校準來自輻射光束量測系統之輻射感測器1至8之間接量測。輻射光束量測系統為精巧的且易於安裝及使用。輻射光束量測系統可能夠藉由例如使用輻射感測器之已知位置的組合、執行參考量測、將量測與關於輻射光束之特性的資訊之資料庫進行比較且擬合演算法來重建構輻射之空間強度剖面。輻射光束量測系統之安裝及/或操作可比已知輻射光束量測系統便宜。
在如圖4中所展示之實施例中，輻射感測器1至8沿孔隙410之兩個相對側設置，該等相對側在Y方向上延伸。沿在X方向上延伸之一側或兩側包括或設置輻射感測器亦可為有利的。此實施例示意性地展示於圖5中。除圖4中所展示之特徵以外，圖5示意性地展示另一對輻射感測器20、21，其配置於在X方向上延伸之孔隙410的兩個相對側上或沿該等兩個相對側配置。
在本發明之實施例中，至少一個輻射感測器沿輻射光束量測系統的部件400之孔隙410的圓周配置。在一實施例中，至少一個輻射感測器沿部件400之孔隙410之每一側配置。
在一實施例中，根據本發明之檢測裝置可有利地用於量測諸如表膜(特定言之，EUV表膜)的物件之透射及/或反射特性。在此實施例中，檢測裝置由此可稱為EUV表膜透射及/或反射量測工具。在此實施例中，如此類工具中所量測之一個或兩個屬性為： a) 通過膜或表膜之EUV輻射透射率，亦即EUV輻射相對於總輻射之百分比，該EUV輻射在未由膜或表膜吸收的情況下穿過，及/或由膜反射之EUV輻射，及/或 b)由膜或表膜反射之EUV輻射，亦即由膜或表膜反射回之EUV輻射的百分比。 亦可指出EUV輻射之一部分可由膜或表膜吸收。藉由量測反射及透射之EUV輻射兩者，結合關於朝向膜或表膜的總EUV輻射之資訊，可確定三個輻射分量(亦即反射、吸收、透射)之間的關係。反射及透射屬性可例如用輻射偵測器量測，該等輻射偵測器例如CCD攝影機，諸如如上文所展示之CCD 430。特定言之，如圖4及5中所展示，CCD攝影機可配置於經透射EUV輻射之光徑中。類似地，為了確定反射之EUV輻射的量，CCD攝影機可配置於經反射EUV輻射之光徑中。此類攝影機可例如稱為T-CCD (透射)及R-CCD (反射)。 本發明亦可藉由以下條項描述： 條項1：一種用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中之一表膜之一物件的檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一真空腔室； -   一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一載物台裝置，其經組態以自該負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位； 其中該真空腔室包含用於臨時儲存該物件之一第一停放位置及一第二停放位置。 條項2：如條項1之檢測裝置，其進一步包含經組態以將該物件自該負載鎖轉移至該載物台裝置且反之亦然的一轉移機構。 條項3：如條項2之檢測裝置，其中該轉移機構至少部分地配置於該負載鎖內部。 條項4：如條項2之檢測裝置，其中該轉移機構安裝至該載物台裝置。 條項5：如前述條項中任一項之檢測裝置，其中該負載鎖包含一第一門、一第二門及一負載鎖定腔室，該第一門經組態以將該周圍環境與該負載鎖定腔室分隔開，該第二門經組態以將該真空腔室與該負載鎖定腔室分隔開。 條項6：如條項1之檢測裝置，其中該載物台裝置經組態以將一物件自該載物台裝置轉移至該第一停放位置且反之亦然，且其中該載物台裝置經組態以將一物件自該載物台裝置轉移至該第二停放位置且反之亦然。 條項7：如前述條項中任一項之檢測裝置，其中該載物台裝置包含用於固持該物件之一固持器。 條項8：一種用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中之一表膜之一物件的檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一真空腔室； -   一第一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一第二負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一載物台裝置，其經組態以自該第一負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位，且經組態以將該物件提供至該第二負載鎖。 條項9：一種用於檢測諸如用於一EUV微影裝置中之一表膜之一物件的檢測裝置，該檢測裝置包含： -   一腔室，其經組態以在一經調節氛圍中提供以用於檢測該物件； -   一負載鎖，其在該腔室與一周圍環境之間形成一界面； -   一輻射光束源，其經組態以產生用於檢測該物件之一輻射光束； -   一輻射光束量測系統，其經組態以量測該輻射光束之一特性，其中該輻射光束量測系統包含： ○  一部件，其配置於該輻射光束源與該物件之間的該輻射光束之一光徑中，該部件包含一孔隙以允許該輻射光束的一部分傳播至該物件，及 ○  至少一個輻射感測器，其配置於該部件上且經組態以量測該輻射光束之該特性。 條項10：如條項9之檢測裝置，其中該至少一個輻射感測器沿該孔隙之一圓周配置。 條項11：如條項9或10之檢測裝置，其中該孔隙具有一實質上矩形形狀。 條項12：如條項11之檢測裝置，其中該輻射光束量測系統包含沿該孔隙之至少兩側的一輻射感測器。 條項13：如條項11或12之檢測裝置，其中該輻射光束量測系統包含沿該孔隙之每一側的至少一個輻射感測器。 條項14：如條項9至13中任一項之檢測裝置，其中該輻射光束量測系統進一步包含配置於該光徑中之該部件的上游之一光譜純度濾光器。 條項15：如條項14之檢測裝置，其中該光譜純度濾光器安裝至該部件。 條項16：如條項14或15之檢測裝置，其中該至少一個輻射感測器配置於該光譜純度濾光器之下游。 條項17：如條項9至16中任一項之檢測裝置，其進一步包含經組態以接收由該輻射光束與該物件之相互作用引起之輻射的一偵測器。 條項18：如條項17之檢測裝置，其中該輻射包含由該物件透射之輻射。 條項19：如條項18之檢測裝置，其中該偵測器配置於該物件之下游。 條項20：如條項17至19中任一項之檢測裝置，其中該偵測器包含一CCD。 條項21：一種EUV表膜透射量測工具，其包含如條項9至20中任一項之檢測裝置。 條項22：一種EUV表膜透射及反射量測工具，其包含如條項9至20中任一項之檢測裝置。
儘管可在本文中具體地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中在微影裝置之內容背景中具體地參考本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置之部分。此等裝置一般可稱為微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可在光學微影之內容背景中具體地參考對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)，及其他。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起且這樣做可使致動器或其他器件與實體世界相互作用。
雖然上文已描述本發明之具體實施例，但應瞭解，可以與如所描述不同之其他方式來實踐本發明。上文描述意欲為說明性，而非限制性的。由此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1:輻射感測器 2:輻射感測器 3:輻射感測器 4:輻射感測器 5:輻射感測器 6:輻射感測器 7:輻射感測器 8:輻射感測器 10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 20:輻射感測器 21:輻射感測器 100:檢測裝置 110:真空腔室 120:負載鎖 120.1:第一門 120.2:第二門 120.3:負載鎖定腔室 130:載物台裝置 130.1:X-載物台 130.2:Y-載物台 140.1:停放位置 140.2:停放位置 150:轉移機構 150.1:末端部分 200:檢測裝置 210:真空腔室 222:負載鎖 222.2:門 224:負載鎖 224.2:門 230:載物台裝置 252:轉移機構 254:轉移機構 400:部件 410:矩形孔隙 412:寬度 414:寬度 420:支撐件 422:光譜純度濾光器 430:偵測器；電荷耦合器件(CCD) 440:表膜 450:輻射光束 A:產品 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 C:產品 IL:照明系統 LA:微影裝置 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PP1:停放位置 PP2:停放位置 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中： -  圖1描繪包含微影裝置及輻射源之微影系統； -  圖2A至2F描繪根據本發明之第一態樣之檢測裝置的第一實施例。 -  圖3A至3C描繪根據本發明之第一態樣之檢測裝置的第二實施例。 -  圖4描繪如可應用於根據本發明之檢測裝置中之輻射光束量測系統。 -  圖5描繪如可應用於根據本發明之檢測裝置中之另一輻射光束量測系統。
200:檢測裝置
210:真空腔室
222:負載鎖
224:負載鎖
230:載物台裝置
252:轉移機構
254:轉移機構
A:產品
B:產品
C:產品
X:方向
Z:方向

Claims (15)

  1. 一種用於檢測一物件之檢測裝置，該檢測裝置包含： 一腔室，其經組態以用於其中之該物件之該檢測； 一負載鎖(load lock)，其在該腔室與一周圍環境(ambient environment)之間形成一界面； 一輻射光束量測系統，其經組態以量測與一輻射光束有關之一特性，該輻射光束用於檢測該物件以判定： a)   通過該物件之EUV輻射透射率，該EUV輻射透射率係EUV輻射相對於總輻射之百分比，其在未由該物件吸收的情況下穿過，及/或 b)   由該物件反射之EUV輻射，經反射之該EUV輻射係由該物件反射回之EUV輻射的百分比。
  2. 如請求項1之檢測裝置，其進一步包含經組態以在該輻射光束已與該物件相互作用之後偵測該輻射光束之一偵測器。
  3. 如請求項1之檢測裝置，其中該經量測特性係關於由該物件發射之輻射。
  4. 如請求項1之檢測裝置，其進一步包含配置於該物件之上游且經組態以在該輻射光束入射於該物件上之前過濾該輻射光束之一光譜純度濾光器，及經組態以在該輻射光束已與該物件相互作用之後偵測該輻射光束之一偵測器，且其中該量測系統經配置以在該輻射光束已與該光譜純度濾光器相互作用之後且在該輻射光束已與該偵測器相互作用之前偵測該輻射光束。
  5. 如請求項1之檢測裝置，其中該輻射光束量測系統經組態以儘可能接近於該輻射光束之一中心軸量測該輻射光束之該特性而不影響該輻射光束與該物件相互作用的部分。
  6. 一種用於檢測一物件之檢測裝置，該檢測裝置包含： 一腔室，其經組態以用於其中之該物件之該檢測； 一負載鎖，其在該腔室與一周圍環境之間形成一界面； 一輻射光束量測系統，其經組態以量測用於檢測該物件之一輻射光束之一特性，該輻射光束量測系統包含經組態以接收自該物件發射、反射或透射之輻射之一偵測器並進一步經組態以沿著該入射輻射光束朝向該物件之一路徑量測該輻射光束之一特性。
  7. 如請求項6之檢測裝置，其中該負載鎖包含： 一第一負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面； 一第二負載鎖，其在該真空腔室與一周圍環境之間形成一界面；及 一載物台裝置，其經組態以自該第一負載鎖接收該物件且使該物件在該真空腔室內部移位且經組態以將該物件提供至該第二負載鎖。
  8. 如請求項6之檢測裝置，其中該偵測器包含至少一個輻射感測器，該至少一個輻射感測器經組態以偵測EUV輻射並量測該入射輻射光束之一特性。
  9. 如請求項8之檢測裝置，其中該至少一個輻射感測器經組態以判定該入射輻射光束之一能量、劑量或空間強度剖面。
  10. 如請求項8之檢測裝置，其中該至少一個輻射感測器經組態以偵測接近於該入射輻射光束之該光徑之一中心軸的該入射輻射光束。
  11. 如請求項6之檢測裝置，其進一步包含配置於該輻射光束之該光徑中且配置於該光徑中之該物件之上游之一光譜純度濾光器。
  12. 如請求項6之檢測裝置，其中該輻射光束量測系統經組態以判定該物件之EUV反射率及/或EUV透射率。
  13. 一種EUV透射量測工具，其包含如請求項1或6之檢測裝置。
  14. 一種EUV透射及反射量測工具，其包含如請求項1或6之檢測裝置。
  15. 一種檢測一物件之方法，該方法包含： 將一量測輻射光束導向待檢測之該物件；及 在該量測輻射光束已與該物件相互作用之前及之後使用一輻射感測器偵測該量測輻射光束以該輻射光束之一特性之原位監測(in-situ monitoring)而不顯著影響該輻射光束。
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