JPH05275519A

JPH05275519A - 多室型基板処理装置

Info

Publication number: JPH05275519A
Application number: JP7163692A
Authority: JP
Inventors: Akira Ishihata; 彰石幡; Toshimitsu Omine; 俊光大嶺; Hirosuke Sato; 裕輔佐藤; Akio Ui; 明生宇井
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-03-27
Filing date: 1992-03-27
Publication date: 1993-10-22
Anticipated expiration: 2016-06-11
Also published as: JP3176118B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ハンドラ室に位置している時の基板を良好に
保ち、高品質な薄膜を気相成長させることができる多室
型基板処理装置を提供することを目的としている。【構成】ロード・アンロード・チャンバ８、エッチン
グチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャン
バ１１、測定チャンバ１２が接続されているハンドラ室
２内の上部に配設したノズル１６から、ハンドラ室２内
にパージガスを供給し、排気口１７より排気することに
より、ハンドラ室２内を常にクリーンにして基板１５に
粉塵等が付着することを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、超ＬＳＩ等の
半導体デバイス等で製造する際に、基板に種々の処理を
行なう多室型基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、超ＬＳＩ等の半導体デバイスの高
集積化が目覚ましくそれに伴い基板（ウェハ）径の大型
化が進んでいる。このため、多数枚の基板を同時処理す
る気相成長装置に対して基板を一枚ずつ処理する枚葉式
の気相成長装置の方が、大型基板への対応が比較的容易
にできること、一枚ずつの処理により気相成相の高精度
化、基板の面内均一化が容易であること等の利点を有す
ることから注目されている。

【０００３】そして、最近では上記した枚葉式の気相成
長装置をさらに高効率化するために、複数の処理室（例
えばエッチングチャンバ、オリフラチャンバ、薄膜形成
チャンバ等）を備えた多室型基板処理装置が考えられて
いる。

【０００４】このような多室型基板処理装置では、一般
にハンドラ室に設けたハンドラを介して各処理室に基板
の出入れを行って、一連の基板処理が実行される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記したように多室型
基板処理装置では、ハンドラ室を介して各処理室に基板
の出入れが行われるので、高品質な薄膜を得るために
は、ハンドラ室での基板の取扱いが重要になってくる。

【０００６】即ち、ハンドラ室内に反応生成物の粉塵
（以下、粉塵という）等が浮遊していると、この粉塵が
ハンドラ室内に搬送される基板上に付着することによ
り、高品質の薄膜を得ることができなくなる。

【０００７】また、ハンドラ室を介して基板を各処理室
に出入れする時に、ハンドラ室内での基板の温度管理
も、高品質な基板を得るためには重要となってくる。

【０００８】しかしながら、従来の多室型基板処理装置
に備えられているハンドラ室は、単に基板を各処理室に
出入れするだけの機能しか有していなかった。

【０００９】本発明は、上記した課題を解決する目的で
なされ、ハンドラ室内で基板に粉塵等が付着するのを防
止し、また、ハンドラ室内での基板温度を制御して、高
品質な薄膜を得ることができる多室型基板処理装置を提
供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために請求項１記載の発明は、複数の処理室が接続され
たハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処
理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型
基板処理装置において、前記ハンドラ室内にパージガス
を供給する供給手段と、該供給手段によって前記ハンド
ラ室内に供給されたパージガスを排気する排気手段とを
具備したことを特徴としている。

【００１１】また、請求項２記載の発明は、複数の処理
室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介
して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実
行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内
の反応生成物の粉塵の量を測定する測定手段と、該測定
手段による測定結果に基づいて前記基板の処理工程を制
御することを特徴としている。

【００１２】また、請求項３記載の発明は、複数の処理
室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介
して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実
行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内
で前記基板の加熱と冷却を行う加熱・冷却手段を具備し
たことを特徴としている。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明によれば、ハンドラ室にパ
ージガスを供給して排気することにより、浮遊している
粉塵等を排除してハンドラ室内をクリーンに保つことが
できるので、ハンドラ室内で基板に粉塵等が付着するこ
とが防止され、高品質な薄膜を製造することができる。

【００１４】請求項２記載の発明によれば、ハンドラ室
内の粉塵の量を測定し、その結果に基づいて基板処理の
制御を行うことにより、不良基板の発生を低減して高品
質な薄膜を製造することができる。

【００１５】請求項３記載の発明によれば、ハンドラ室
内で基板の加熱と冷却を行うことにより、基板に薄膜を
形成する前にハンドラ室内で基板の余熱を行い、薄膜形
成後にハンドラ室内で冷却を行うことができるので、基
板の健全性が向上し高品質な薄膜を製造することができ
る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。

【００１７】＜第１実施例＞図１は、本発明の第１実施
例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、
図２は、本発明の第１実施例に係る多室型基板処理装置
の要部を示す概略断面図である。

【００１８】図１に示すように、回転自在のハンドラ１
が備えられているハンドラ室２の周囲に、それぞれゲー
トバルブ３，４，５，６，７を介してロード・アンロー
ド・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャ
ンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２を
接続することによって多室型基板処理装置が構成されて
いる。

【００１９】ロード・アンロード・チャンバ８には扉１
３を介してカセットステーション１４が接続されてお
り、このカセットステーション１４を通して外部から基
板１５の搬入・搬出を行う。

【００２０】エッチングチャンバ９は、基板１５の表面
に付着している自然酸化膜を例えばＨＦ（フッ化水素）
ガス等によりエッチングし、オリフラチャンバ１０は、
基板１５のオリフラ（オリエンテーションフラット）の
位置を検出し、所定方向に位置合わせする。

【００２１】また、薄膜形成チャンバ１１は、基板１５
に所定のガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給して
所定の気相成長を行って基板１５の表面に薄膜を形成
し、測定チャンバ１２は、基板１５に形成された薄膜に
対して各種の測定、検査を行う。上記のように構成され
ている基板処理装置の一連の処理動作は、制御装置（図
示省略）によって制御されている。

【００２２】そして、本実施例では図１に示すように、
ハンドラ室２内の上部に、ハンドラ室２内にパージガス
を供給する環状に形成されたノズル１６を配設し、ハン
ドラ室２の下部に、放射状に形成された複数個の排気口
１７が配設されている。ノズル１６にはパージガス供給
装置（図示省略）が接続されており、排気口１７には排
気ポンプ（図示省略）が接続されている。

【００２３】また、ハンドラ室２内に配設されているハ
ンドラ１による基板１５の搬入・搬送操作は、駆動装置
１８によって行われる。

【００２４】次に、上記した本実施例に係る基板処理装
置の基板処理動作について説明する。

【００２５】前記処理されたカセット等に収納されたク
リーンルーム等から搬送されてきた基板１５は、先ずカ
セットステーション１４にカセットごと設置される。

【００２６】そして、カセットステーション１４に設置
された基板１５を、扉１３の開閉操作に連動させてロー
ド・アンロード・チャンバ８内に搬送した後、ゲートバ
ルブ３の開閉動作に連動させてハンドラ室２のハンドラ
１によりハンドラ室２内に搬送し、さらに、ゲートバル
ブ４の開閉動作に連動させてハンドラ１によりエッチン
グチャンバ９内に搬送する。

【００２７】エッチングチャンバ９内に基板１５が搬送
されるとゲートバルブ４を閉じてエッチングチャンバ９
内を真空引きして、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等に
より基板１５の表面に付着している自然酸化膜をエッチ
ングする。

【００２８】エッチングチャンバ９で基板１５の酸化膜
が除去されると、この基板１５をハンドラ１によりゲー
トバルブ４の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送
し、さらに、ゲートバルブ５開閉動作に連動させてハン
ドラ１によりオリフラチャンバ１０内に搬送する。

【００２９】オリフラチャンバ１０では、基板１５のオ
リフラ（オリエンテーションフラット）の位置検出がな
され、所定の方向に位置合わせされる。尚、オリフラ合
わせが必要ない場合、あるいは他の方法でオリフラ合わ
せを行う場合には、このオリフラチャンバ１０は、特に
独立して設ける必要がないが、その場合には、このオリ
フラチャンバ１０内で基板１５の様々な検査を行うよう
にしてもよい。

【００３０】オリフラチャンバ１０で基板１５のオリフ
ラの測定が終了すると、この基板１５をハンドラ１によ
りゲートバルブ５の開閉動作に連動させてハンドラ室２
に搬送し、さらに、ゲートバルブ６の開閉動作に連動さ
せてハンドラ１により薄膜形成チャンバ１１内に搬送す
る。

【００３１】薄膜形成チャンバ１１では、先ずエッチン
グチャンバ９でのエッチング処理時にＨＦ（フッ化水
素）ガスを用いている場合には、基板１５の表面に付着
しているＦ（フッ素）を紫外線等を照射して除去しＦ
（フッ素）の除去はエッチングチャンバ９で行ってもよ
い）、薄膜形成チャンバ１１内を加熱して所定の圧力に
制御してガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給する
ことによって、基板１５上に薄膜を気相成長させる。

【００３２】薄膜形成チャンバ１１で基板１５に薄膜が
形成されると、この基板１５をハンドラ１によりゲート
バルブ６の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送
し、さらに、ゲートバルブ７の開閉動作に連動させてハ
ンドラ１により測定チャンバ１２内に搬送する。

【００３３】測定チャンバ１２では、基板１５の表面に
形成された薄膜に対して各種の測定、検査（例えば、薄
膜の抵抗率、組成、表面状態、金属不純物、結晶欠陥、
膜界面状態等）が実行され、これらの測定、検査が終了
すると、測定チャンバ１２内の基板１５を、ハンドラ１
によりゲートバルブ７の開閉動作に連動させてハンドラ
室２に搬送し、さらに、ゲートバルブ３の開閉動作に連
動させてハンドラ１によりロード・アンロード・チャン
バ８内のカセット上に搬送する。

【００３４】ロード・アンロード・チャンバ８内に搬送
された基板１５は、扉１３の開閉操作に連動させてカセ
ットステーション１４に搬送されることによって、一連
の処理シーケンスが終了する。上記した基板１５の一連
の処理シーケンスは連続して実行される。

【００３５】そして、本実施例では、上記した一連の処
理工程時に、ハンドラ室２にノズル１６の供給口１６ａ
からパージガス（例えばＨ₂）を供給し、排気ポンプ
（図示省略）により排気口１７から排気して、ハンドラ
室２内をパージガスで所定の圧力に調整している。

【００３６】従って、ハンドラ室２内は、パージガスが
ハンドラ室２の上部から下部方向に流れているので、ハ
ンドラ室２内に粉塵等が浮遊することなく排気口１７か
ら排出され、ハンドラ室２内を常にクリーンに維持する
ことができる。

【００３７】このように、本実施例ではハンドラ室２が
常にクリーンに保たれることにより、ハンドラ室２内に
基板１５が搬送されている時に、基板１５が粉塵等で汚
染されることなく、また、ハンドラ室２内の粉塵等が、
接続されている各チャンバ（ロード・アンロード・チャ
ンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１
０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２）に拡散
されることもないので、不良基板の発生が防止されるこ
とにより薄膜製造の歩留まりが向上し、高品質の薄膜を
得ることができる。

【００３８】＜第２実施例＞図３は、本発明の第２実施
例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、
図４は、その要部を示す概略断面である。

【００３９】本実施例では、図２に示した第１実施例に
係る多室型基板処理装置のハンドラ室２内に、ハンドラ
１に載置されている基板１５上の粉塵等を測定するため
の測定センサ（例えば、ＣＣＤカメラ）２０と、ハンド
ラ１に載置されている基板１５上の粉塵等を排除するブ
ローノズル２１と、エッチングガスを供給するノズル２
２が配置されている。他の構成は図１に示した第１実施
例の基板処理装置と同様である。

【００４０】基板１５の搬入・搬送操作を行うハンドラ
１の上方に配置されている測定センサ２０には、例えば
画像処理等によって基板１５上の粉塵等の量を測定する
測定装置２３が接続されており、測定装置２３によって
測定される基板１５上の粉塵等の量に基づいて基板処理
工程が制御される（詳細は後述する）。

【００４１】ブローノズル２１は、ハンドラ室２内の雰
囲気と同じガスを、基板１５上でこの基板１５と略平行
方向に流すようにして配置されており、ブローノズル２
１には、ハンドラ室２内の雰囲気と同じガスを供給する
ガス供給装置（図示省略）が接続されている。

【００４２】ハンドラ室２内にエッチングガスを供給す
るノズル２２には、エッチングガス供給装置（図示省
略）から供給されるエッチングガスの供給を制御するバ
ルブ２４が接続されている。

【００４３】次に、上記した本実施例に係る基板処理装
置の基板処理動作について説明する。

【００４４】基板１５のロード・アンロード・チャンバ
８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄
膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２での各処理動作
は前記した第１実施例と同様であり、ここでは省略す
る。

【００４５】そして、本実施例では、上記した各基板処
理動作中に、基板１５がハンドラ室２内にハンドラ１を
介して搬入されて所定の位置に停止した時に、測定セン
サ（例えばＣＣＤカメラ）２０によって基板１５上の粉
塵等を測定する。そして、測定センサ（例えばＣＣＤカ
メラ）２０から出力される出力信号を測定装置２４で例
えば画像処理して、基板１５上の粉塵の量を測定する。

【００４６】測定装置２４は、この測定結果に基づいて
基板１５上の粉塵の量が予め設定されているしきい値以
下の場合は、制御装置（図示省略）に次の基板処理動作
を実行させる信号を出力し、次のチャンバ（例えば薄膜
形成チャンバ１１）に基板１５を搬送する。

【００４７】また、上記した粉塵の量の測定結果がしき
い値より小さい場合でも、測定値がしきい値付近の値の
場合には、ブローノズル２１から基板１５上にハンドラ
室２内の雰囲気と同じガスを流して基板１５上の粉塵等
を排除し、基板１５上をクリーニングする。この時、排
気ポンプ（図示省略）によって、ハンドラ室２のガスを
排気口１７から排気する。

【００４８】また、測定装置２４による粉塵の量の測定
で、基板１５上の粉塵の量が予め設定されているしきい
値以上の場合は、測定装置２４から制御装置（図示省
略）に、この基板１５のその後の処理工程を中止させる
信号を出力して、次の処理工程動作を中止する。

【００４９】そして、ハンドラ室２内の基板１５を、ハ
ンドラ１によりゲートバルブ４の開閉動作に連動させて
エッチングチャンバ９に搬送した後、測定装置２４から
出力される前記した信号によりバルブ２２を開けて、ハ
ンドラ２室内に、エッチングガス供給装置（図示省略）
からノズル２３を介してエッチングガス（例えば塩化水
素ガス）を供給し、ハンドラ室２内のエッチングを行
う。この時、排気ポンプ（図示省略）によって、ハンド
ラ室２内のエッチングガスを排気口１７から排気する。

【００５０】上記したハンドラ室２内での基板１５のク
リーニング、およびハンドラ室２内のエッチングは、測
定装置２４による測定結果に基づいて所定時間行われ
る。基板１５のクリーニングが終了すると再度測定セン
サ２０で基板１５上の粉塵の測定を行い、問題がなけれ
ば次の基板処理工程を実行する。また、ハンドラ室２内
のエッチングが終了すると、ハンドラ室２内に基板１５
を搬送して再度測定センサ２０で粉塵の測定を行い、問
題がなければ次の基板処理工程を実行する。

【００５１】このように、本実施例においてもハンドラ
室２を常にクリーンに保つことができるので、ハンドラ
室２内に基板１５が搬送されている時に、基板１５が粉
塵等で汚染されることはなく、また、ハンドラ室２内の
粉塵が、接続されている各チャンバ（ロード・アンロー
ド・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャ
ンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２）
に拡散されることもないので、不良基板の発生が防止さ
れることにより薄膜製造の歩留まりが向上し、高品質の
薄膜を得ることができる。

【００５２】また、前記したハンドラ室２のエッチング
操作において、浮遊している粉塵の塩化物の量をハンド
ラ室２やその排気口１７等で測定して、エッチング時間
を制御することも可能であり、エッチング操作の開始も
ハンドラ１の操作回数、ハンドラ室２の運転経過時間に
よって制御することも可能である。

【００５３】また、前記したハンドラ室２をエッチング
するエッチングガスとしては例えば塩化水素ガスが使用
されるが、ハンドラ室２内の粉塵に対しては、通常キャ
リアーガスとして使用する水素ガス等でパージを繰り返
すことでも同じ効果が得られ、また、エッチングチャン
バ９での酸化膜除去工程で使用する例えば弗酸により発
生する弗化物等によりハンドラ室２内が汚染した場合
は、ベーキング、紫外線の照射等による弗化物の除去も
可能であり、これらの処理を前記した基板処理動作に組
入れることもできる。

【００５４】また、前記した実施例では、基板１７のク
リーニングはハンドラ１上で行ったが、これ以外にも、
例えばハンドラ室２内にクリーニングステージを設けた
り、基板１５を垂直に支持してクリーニングしたり、基
板１５の表面に所定の角度でガス体を吹き付ける等も可
能である。

【００５５】また、本実施例では、ハンドラ室２内での
基板１５のクリーニング、およびハンドラ室２内のエッ
チングは、測定装置２４から制御装置（図示省略）に出
力される信号に基づいて自動的に実行される構成であっ
たが、これらの操作を手動操作によって行うことも可能
である。

【００５６】また、本実施例では、基板１５が各チャン
バからハンドラ室２内に搬送される毎（即ち、ハンドラ
１の１回の動作毎）に、測定センサ２０によって基板１
５上の粉塵を測定する構成であったが、これ以外にも例
えば、基板処理装置の運転時間、ハンドラ室２に基板１
５が所定時間以上停滞した時、ハンドラ１動作回数等に
よって測定頻度を制御することも可能である。

【００５７】また、本実施例では、測定センサ２０でハ
ンドラ２内のハンドラ１に載置されている基板１５上の
粉塵を測定する構成であったが、これ以外にも例えば、
ハンドラ室２内の任意の位置やハンドラ室２の排気口１
７等でハンドラ室２内に浮遊している粉塵を測定して、
前記同様の制御を行うことも可能である。

【００５８】＜第３実施例＞図５は、本発明の第３実施
例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、
図６は、本発明の第３実施例に係る多室型基板処理装置
の要部を示す概略断面図である。

【００５９】本実施例では、図１に示した第１実施例の
基板処理装置のハンドラ室２内に加熱装置２５と冷却装
置２６を配設し、ハンドラ室２内で基板１５の余熱と冷
却を行うようにしている。他の構成は図１に示した第１
実施例の基板処理装置と同様である。

【００６０】ハンドラ１の下方に配設されている加熱装
置２５は支持棒２７で支持されており、加熱装置２５の
加熱手段としては、例えば抵抗加熱、ランプ加熱、高周
波加熱等を用いることができる。

【００６１】ハンドラ１の下方に配設されている冷却装
置２６は、冷媒としてハンドラ室２の下部に接続されて
いる容器２８内の液体窒素２９が用いられている。ま
た、冷媒としては、この他にも例えば、冷却水等を用い
ることもできる。

【００６２】加熱装置２５、冷却装置２６の加熱、冷却
制御は制御装置（図示省略）によって行われる。

【００６３】次に、上記した本実施例に係る基板処理装
置の基板処理動作について説明する。

【００６４】基板１５のロード・アンロード・チャンバ
８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄
膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２での各処理動作
は前記した第１実施例と同様であり、ここでは省略す
る。

【００６５】そして、本実施例では、上記したオリフラ
チャンバ１０で基板１５のオリフラ（オリエンテーショ
ンフラット）合わせを行った後、ハンドラ１によりハン
ドラ室２内の加熱装置２５上に基板１５を搬送し、加熱
装置２５で基板１５を５００〜１０００℃の間で余熱し
てから薄膜形成チャンバ１１に搬送して、薄膜形成を行
う。

【００６６】そして、薄膜形成チャンバ１１で薄膜形成
されスリップ発生温度よりやや低い温度の基板１５を、
ハンドラ１によりハンドラ室２内の冷却装置２６上に搬
送し、冷却装置２６で基板１５を操作上問題ない温度
（例えば数十度）まで冷却した後、測定チャンバ１２に
搬送して、各種の測定、検査を行う。

【００６７】加熱装置２５による基板１５の余熱と、冷
却装置２６による基板１５の冷却の各所要時間は、ハン
ドラ室２に接続されている各チャンバの本質的な操作時
間を越えることがないように制御される。

【００６８】また、本実施例では、加熱装置２５と冷却
装置２６をハンドラ室２内に設けたが、これ以外にも例
えばハンドラ室２に新たに接続する独立したチャンバ内
に設けてもよい。

【００６９】このように、本実施例では、ハンドラ室２
内で薄膜形成に先立って基板１５の余熱を行い、薄膜形
成後速やかに冷却して基板１５の測定、検査を行うこと
ができるので、処理工程で異なる基板温度を速やかに得
ることができる。

【００７０】

【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、請求項１，２記載の発明によれば、ハンドラ
室を常にクリーンに保つことができるので、ハンドラ室
で基板が粉塵等によって汚染されることを防止して、高
品質の薄膜を効率よく製造することができる。

【００７１】また、請求項３記載の発明によれば、ハン
ドラ室内で基板の余熱、冷却を行うことにより、処理工
程で異なる基板温度を速やかに得ることができるので、
基板の健全性が向上し、高品質の薄膜を効率よく製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る多室型基板処理装置
の概略構成を示す平面図である。

【図２】本発明の第１実施例に係る多室型基板処理装置
の要部を示す概略断面図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る多室型基板処理装置
の概略構成を示す平面図である。

【図４】本発明の第２実施例に係る多室型基板処理装置
の要部を示す平面図である。

【図５】本発明の第３実施例に係る多室型基板処理装置
の概略構成を示す平面図である。

【図６】本発明の第３実施例に係る多室型基板処理装置
の要部を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ハンドラ２ハンドラ室８ロード・アンロード・チャンバ９エッチングチャンバ１０オリフラチャンバ１１薄膜形成チャンバ１２測定チャンバ１５基板１６ノズル１７排気口２０測定センサ２１ブローノズル２３エッチングノズル２４測定装置２５加熱装置２６冷却装置２９液体窒素

フロントページの続き (72)発明者宇井明生神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の処理室が接続されたハンドラ室を
備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出
入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置に
おいて、前記ハンドラ室内にパージガスを供給する供給
手段と、該供給手段によって前記ハンドラ室内に供給さ
れたパージガスを排気する排気手段とを具備したことを
特徴とする多室型基板処理装置。
【請求項２】複数の処理室が接続されたハンドラ室を
備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出
入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置に
おいて、前記ハンドラ室内の反応生成物の粉塵の量を測
定する測定手段と、該測定手段による測定結果に基づい
て前記基板の処理工程を制御することを特徴とする多室
型基板処理装置。
【請求項３】複数の処理室が接続されたハンドラ室を
備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出
入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置に
おいて、前記ハンドラ室内で前記基板の加熱と冷却を行
う加熱・冷却手段を具備したことを特徴とする多室型基
板処理装置。