JPH11163075A - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体処理装置のスループットを向上させる。 【解決手段】試料の投入、払い出し用の各試料台と処理
室の間の被処理物の各々の搬送を、未処理の被処理物と
処理済みの被処理物とを並行して搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置の製造
方法およびこれに適した半導体製造装置に関するもので
ある。特に、本発明は，ウエーハ等の被処理物を処理す
る為の搬送等に係わる方法およびこれに適した半導体製
造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置は，複数枚のウエーハな
どの被処理物を同じ処理室で同時に処理するバッジ式か
ら処理室で被処理物を一枚ずつ処理する枚葉式が主流と
なってきている。それは、被処理物を均一にしかも高速
で処理するためである。

【０００３】こうした枚葉式装置においては、処理能力
を向上させるために複数の処理室が必要となる。このた
め，真空での処理を行う枚葉式装置の場合，マルチチャ
ンバ方式が考案されている。このマルチチャンバ方式
は、真空室中央部の搬送室内に被処理物を搬送する第二
の搬送装置を設置し，前記搬送室をゲートバルブで仕切
り，複数の前記処理室や前記試料台を設置する方法を取
っている。しかし、マルチチャンバ方式では，前記のご
とき第二の搬送装置は，同時には一カ所の前記試料台や
前記処理室にしかアクセスできない。それは、次のよう
な理由による。即ち、例えば処理室内へ被処理物を収納
するためには，まず，未処理の前記被処理物を前記試料
台から取り出し，次に処理室内の処理済みの被処理物を
取り出す。更に，処理室内に未処理の被処理物を収納す
る。このように、試料台や処理室に対して、処理済みの
被処理物と未処理の被処理物の収納取り出しを一枚づつ
順次行う必要がある。こうした方法の一例は公開特許公
報、特開平６−１５５９２号に示されている技術であ
る。

【０００４】また，高速搬送方法として，第二の搬送装
置を同一平面で回転する１個の搬送テーブルとして，未
処理の被処理物と処理済みの被処理物を同時に載せ，複
数の処理室と複数の試料台の被処理物を同時に交換する
技術がある。しかし，この方法では，処理室で被処理物
を処理中に，搬送テーブルと処理室との干渉は避けられ
ない。こうした方法の一例は公開特許公報、特開平８−
９７１２６号に示されている技術である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように，従来方
式の複数の試料台や処理室に対して処理済みの被処理物
と未処理の被処理物の収納取り出しを一枚ずつ順次行っ
ている方法では，第二の搬送装置が被処理物の交換に要
する時間が長くなり，装置のスループット(単位時間当
たりの処理枚数)が低下するという大きな問題があっ
た。更に、試料台と処理室の間の搬送機構が回転，伸縮
動作が必要になり複雑となるため，装置全体の寸法が大
きくなる難点がある。

【０００６】一方、搬送テーブルを使用して複数の試料
台や処理室の被処理物を同時に交換する前述の方法の場
合，処理室以外の試料台等を発塵等により汚染するとい
う大きな問題点を有する。それは、処理室で被処理物を
処理中に，搬送テーブルは処理室との干渉は避けられな
いため，処理中に発生する反応生成物等が搬送テーブル
に付着する為である。

【０００７】更に，２個の処理室を備える場合，試料台
は平面上に２個設置する必要があるため，装置寸法が大
きくなる。また，未処理の被処理物と処理後の被処理物
が同じ試料台に滞在すると，未処理の被処理物が試料台
に滞在中に発生する物質と処理済みの被処理物が試料台
に滞在中に発生する物質が異なる場合は，試料台は両方
の物質で汚染されるため，清掃頻度が多くなったり劣化
などにより信頼性が低下する。その時，試料台を未処理
の被処理物専用と処理済みの被処理物専用とに分ける必
要がある。この場合さらに試料台の平面寸法が大きくな
るという課題を有する。

【０００８】本発明の第1の目的は、高スループットの
半導体装置の製造方法を提供することである。

【０００９】本発明の第2の目的は、処理室内での搬送
装置への反応生成物付着などによる他の試料台などの汚
染を防止した半導体装置の製造方法を提供することであ
る。

【００１０】本発明の第３の目的は、試料台の役割を定
め、複数の試料台相互による汚染を防止した半導体装置
の製造方法を提供することである。

【００１１】本発明の第４の目的は、高スループットの
半導体製造装置を提供することである。

【００１２】本発明の第５の目的は、処理室内での搬送
装置への反応生成物付着などによる他の試料台の汚染を
防止した半導体製造装置を提供することである。

【００１３】本発明の第６の目的は、試料台の役割を定
め、複数の処理台相互による汚染を防止した半導体製造
装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願発明の概要を説明す
る前に、半導体製造工程での試料の流れを整理すれば以
下の通りである。即ち、 （ａ）未処理の被処理物が収納カセットより未処理の被
処理物用の試料台へ搬送される。

【００１５】（ｂ）未処理の被処理物がこの試料台より
処理用の試料台へ搬送される。

【００１６】（ｃ）被処理物がこの試料台で所望の処理
がなされる。

【００１７】（ｄ）処理済の被処理物が、処理済の被処
理物用の試料台から処理済の被処理物の払い出し用の試
料台へ搬送される。

【００１８】（ｅ）処理済の被処理物が、処理済の被処
理物の払い出し用の試料台より収納カセットへ搬送され
る。

【００１９】以下に、本願において開示される発明のう
ち、代表的な形態の概要を列挙する。

【００２０】（１）半導体製造工程の高スループットを
確保する為、次の２つの観点を考慮する必要がある。

【００２１】第１は、所定容器内での、処理済みの被処
理物と未処理の被処理物の交換時間を短縮してスループ
ットを向上させる観点である。即ち、処理済みの被処理
物と未処理の被処理物の為の試料台と処理用の試料台と
の間のスループットを向上させるものである。即ち、上
記半導体製造工程の（ｂ）および（ｄ）の工程の時間短
縮である。

【００２２】第２は、被処理物の収納カセットと処理済
みの被処理物と未処理の被処理物の為の前記試料台の間
の被処理物を搬送する時間を短縮してスループットを高
めるものである。即ち、上記半導体製造工程の（ａ）お
よび（ｅ）の工程の時間短縮である。

【００２３】上記第１の観点は、処理室で未処理の被処
理物と処理済みの被処理物を並行した時間内で搬送する
ことである。即ち、上記半導体製造工程の（ｂ）および
（ｄ）の工程を、並行した時間内でなすことである。

【００２４】上記第２の観点は、被処理物を収納する収
納カセットと、ウエーハの投入および払い出しの為に被
処理物を載置する試料台との間の被処理物の搬送を、試
料台を複数段式として、被処理物および処理済試料の搬
送する時間を短縮するものである。上記半導体製造工程
の（ａ）および（ｅ）の各工程を、複数段式で複数枚
を、且つ並行した時間内でなすことである。カセットか
らは１枚毎払い出しあるいは投入し、ロードロック室へ
は複数枚同時に投入あるいは払い出しされる。尚、前記
の試料台は２段式が最も実際的である。

【００２５】更に、本発明の別な形態は、未処理の被処
理物が搭載された試料台より半導体処理用の試料台へ搬
送される工程、被処理物がこの試料台で所望の処理がな
される工程、処理済の被処理物が、その試料台から処理
済の被処理物の払い出し用の試料台へ搬送される工程と
を有する半導体装置の製造方法において、前記未処理の
被処理物が搭載された試料台より前記半導体処理用の試
料台への搬送と、前記処理済の被処理物のその試料台か
ら前記処理済の被処理物の払い出し用の試料台への搬送
とは、各々別異の搬送手段によってなされ且つこれらの
搬送が並行した時間内でなされることを特徴とする半導
体装置の製造方法である。

【００２６】更に、本発明の別な形態は、未処理の被処
理物が搭載された試料台より被処理物の処理用の試料台
へ搬送される工程、被処理物が試料台で所望の処理がな
される工程、処理済の被処理物が試料台から処理済の被
処理物の払い出し用の試料台へ搬送される工程とを有す
る半導体装置の製造方法において、前記未処理の被処理
物の搭載された試料台より前記被処理物の処理用の試料
台への搬送と、前記処理済の被処理物のその試料台から
前記処理済の被処理物の払い出し用の試料台への搬送と
は、各々、回転可能な搬送手段によって、前記未処理の
被処理物が搭載された試料台より前記半導体処理用の試
料台への回転と、前記処理済の被処理物のその試料台か
ら前記処理済の被処理物の払い出し用の試料台への回転
によってなされ、これら複数の回転が並行した時間内で
なされることを特徴とする半導体装置の製造方法であ
る。

【００２７】尚、上記した回転による被対象物の搬送の
具体的説明は、後述の発明の実施の形態の欄に詳細に説
明される。

【００２８】（２）被処理物を処理室で処理中は、所定
容器内の搬送装置は前記処理室と干渉しない位置に待避
せしめる。この事によって、本発明の第２の目的である
処理室内での搬送装置への反応生成物付着などによる試
料台の汚染を防止した半導体装置の製造方法を提供する
ことが出来る。

【００２９】前記（１）の高スループットの為の手段と
合わせ用いることで、高スループット且つ処理室内での
搬送装置への反応生成物付着などによる他の試料台の汚
染を防止した半導体装置の製造方法を提供することが出
来る。

【００３０】（３）試料台は上下２段で２式を備え，一
方を未処理の被処理物専用の試料台とし，他方を処理済
みの被処理物専用の試料台とし，第一の搬送装置と前記
試料台との間で被処理物を同時に２枚搬送する。このよ
うにして、試料台の役割を定め、複数の試料台相互によ
る汚染を防止した半導体装置の製造方法を提供すること
が出来る。試料台は上下２段で２式を備えるので、当然
高スループットの実現が可能である。

【００３１】尚、前述の試料台は２段で説明したが、更
に複数段とすることも可能である。

【００３２】次に、上記半導体装置の製造方法に適した
半導体製造装置の構成の概要を説明する。

【００３３】（４）本願発明の半導体製造装置の第１の
形態は次の通りである。即ち、被処理物の処理を行う処
理室と，処理の為の容器への被処理物の投入あるいは払
い出しの為の試料台と、前記処理の為の容器への被処理
物の投入あるいは払い出しの為の試料台と前記処理室内
の試料台との間で前記被処理物を搬送する搬送装置とを
少なくとも有し，前記搬送装置は回転可能な搬送手段を
有し，前記搬送装置は前記処理の為の容器内で未処理の
被処理物と処理済みの被処理物を同時に搬送し得ること
を特徴とする半導体製造装置である。

【００３４】更に、本発明の半導体製造装置の第２の形
態は、次の通りである。

【００３５】即ち、被処理物を収納する収納カセット
と，処理の為の容器への被処理物の投入あるいは払い出
しの為の試料台と、前記収納カセットと前記処理の為の
容器への被処理物の投入あるいは払い出しの為の試料台
の間を前記被処理物を搬送する第一の搬送装置と，被処
理物の処理を行う処理室と、前記処理の為の容器への被
処理物の投入あるいは払い出しの為の試料台と前記処理
室内の試料台との間で前記被処理物を搬送する第二の搬
送装置とを少なくとも有し，前記第二の搬送装置は回転
可能な搬送手段を有し，前記第二の搬送装置は前記処理
の為の容器内で未処理の被処理物と処理済みの被処理物
を同時に搬送し得ることを特徴とする半導体製造装置で
ある。

【００３６】こうして半導体製造工程の高スループット
を確保することが出来る。

【００３７】更に、前記被処理物を前記処理室で処理中
は前記第二の搬送装置は前記処理室と干渉しない位置に
待避せしめるのが好ましい。処理室内での搬送装置への
反応生成物付着などによる他の試料台の汚染を防止した
半導体製造装置を提供することが出来る。前記（４）の
高スループットの為の手段と合わせ用いることで、高ス
ループット且つ被処理物に処理室内での反応生成物など
による汚染を防止した半導体製造装置を提供することが
出来る。

【００３８】前述の第二の搬送装置の代表的な例は、次
のようなものである。即ち、試料を搭載し得る試料搭載
部が回転軸の周りに設置される。

【００３９】回転軸を持ち，かつ前記回転軸の水平方向
に伸縮動作しない構造とし，前記第二の搬送装置で前記
処理室で未処理の被処理物と処理済みの被処理物を同時
に搬送し，前記被処理物を前記処理室で処理中は前記第
二の搬送装置は前記処理室と干渉しない位置に待避する
ことように構成した。この為、前記第二の搬送装置回転
軸の中心から前記試料台の中心と前記処理室の中心を等
距離に設置されると、搬送装置の伸縮は不要となる。

【００４０】こうして、試料台と処理室の間の被処理物
を搬送する搬送装置が簡易化し装置全体を小型化可能と
し，試料台と処理室の間の被処理物を搬送する搬送装置
が処理室内で反応生成物等が付着しない半導体製造装置
を提供することが出来る。

【００４１】（５）本発明の好ましい構成例では，前記
処理の為の容器への被処理物の投入あるいは払い出しの
為の試料台は上下２段式とし，前記第一の搬送装置と前
記試料台との間で被処理物を同時に２枚搬送し，前記第
二の搬送装置は同一回転中心を持つ軸で２軸が独立して
回転可能に構成した。

【００４２】尚、前述の試料台は２段で説明したが、更
に複数段とすることも可能である。

【００４３】こうして、被処理物の収納カセットと試料
台の間の被試料物を搬送する時間を短縮し、高スループ
ットな半導体製造装置を提供することが出来る。

【００４４】（６）本発明の更に別な形態では，前記処
理の為の容器への被処理物の投入あるいは払い出しの為
の試料台は上下２段で２式を備え，一方を未処理の被処
理物専用の試料台とし，他方を処理済みの被処理物専用
の試料台とし，前記第一の搬送装置と前記試料台との間
で被処理物を同時に２枚搬送し，前記第二の搬送装置は
同一回転中心を持つ軸で２軸が独立して回転可能に構成
した。このようにして、試料台の役割を定め、複数の試
料台相互による汚染を防止した半導体装置の製造方法を
提供することが出来る。試料台は上下２段で２式を備え
るので、当然高スループットの実現が可能である。

【００４５】尚、前述の試料台は２段で説明したが、更
に複数段とすることも可能である。

【００４６】好ましくは，前記未処理の被処理物専用の
試料台は，加熱機構を備え，前記処理済みの被処理物専
用の試料台は冷却機構を備えたこえるとともに，前記試
料台，前記第二の搬送装置，前記処理室は真空容器内に
設置する構造とする。

【００４７】前述の加熱機構あるいは冷却機構を備えた
試料台は、その面積がこれに搭載するウエーハの径より
も大きくすることが好ましい。それは、ウエーハに対す
る温度制御性、温度の均一性に優れるからである。

【００４８】尚、この被対象物の処理はアッシングの例
が、以下の発明の実施の形態の欄では述べられる。より
具体的にはプラズマアッシングの例である。

【００４９】しかし、その必要に応じてプラズマアッシ
ング以外の処理を行うように、別の設計することも可能
である。即ち、この所望の処理自体は、半導体製造にお
ける通例のものを設定することが出来る。

【００５０】例えば、他のアッシング例として、オゾン
・アッシングを挙げることが出来る。オゾン・アッシン
グは大気圧でなされる。従って、以下の例における真空
容器は真空となす必要は当然ない。例えばオゾン・アッ
シングに必要な雰囲気となすことは言うまでもない。

【００５１】更に、勿論、被処理物の処理自体はアッシ
ング以外にも可能であることは言うまでもない。

【００５２】尚、通例プラズマアッシングは、半導体装
置の製造工程における、フォトレジストなどの感光性樹
脂膜の除去に用いられる。それは、加工すべき半導体基
体の上部に所望形状の感光性樹脂膜を形成し、例えば、
感光性樹脂膜の下部の材料をエッチングする。この加工
後、この感光性樹脂膜を除去する必要が生ずる。この感
光性樹脂膜の除去に、当該プラズマアッシングが用いら
れる。尚、このプラズマアッシングの後の工程は、通例
の半導体装置の製造工程に従って行われる。また、感光
性樹脂膜の形成が所定形状とならなかった場合、全ての
感光性樹脂膜の除去が必要となる。こうした場合にも当
該プラズマアッシングによって除去することが可能であ
る。

【００５３】

【発明の実施の形態】本発明の，一実施例を図を用いて
説明する。図１は本発明の一実施例の構成図を表す平面
図，図２は構成の投影を示す図，図３は図２と同様の装
置の投影を示す図で、ゲートバルブを開けた状態を示す
図、図４はの一構成要素である真空搬送装置の上段アー
ムの平面図，図５は一構成要素である真空搬送装置の下
段アームの平面図である。図６は真空搬送装置のアーム
の斜視図である。

【００５４】先ず、本例の半導体製造装置の全体構成を
説明し、次いで、未処理のウエーハの搬送、処理済のウ
エーハの搬送、更に、真空容器内でのウエーハの搬送お
よび処理終了後の動作を説明する。更に、別な真空搬送
装置の例を例示する。また、以下に説明する例は本願発
明の一つの例であって、その発明思想に基づく別なる具
体的な形態が可能な事はいうまでも無い。

【００５５】＜１．半導体製造装置の全体構成例＞図
１、図２を参酌して基本構成を説明する。箱状台１０の
上部に枚葉式でウエーハを収納するウエーハカセット１
２−１，１２−２載置するカセット載置台１１−１，１
１−２、大気圧での搬送が可能な搬送装置１４、および
真空容器１５とが少なくとも設置されている。尚、大気
圧での搬送が可能な搬送装置を以下大気搬送装置と称す
る。図１の平面図に示すように、カセット載置台１１−
１，１１−２は複数台が併置されている。

【００５６】前記大気搬送装置１４は上側のアーム１４
−１，と下側のアーム１４−２の２枚アームを備え，こ
れらは回転，上下，伸縮動作が可能である。この大気搬
送装置自体は通例のもので良い。

【００５７】真空容器１５内には，少なくとも（１）未
処理のウエーハを載置する加熱機構を備えた試料台（通
称、加熱ステージ）、（２）処理済みのウエーハを載置
する冷却機構を備えた試料台（通称、冷却ステージ）、
（３）複数の真空容器内の搬送アーム、および（４）処
理台（通称、処理室ステージ）が設置されている。尚、
リングゲートによって処理室を密閉することが多い。ま
た、真空内での搬送を可能とする搬送アームを以下、真
空搬送アームと称する。

【００５８】未処理のウエーハを載置する加熱機構を備
えた試料台１６−３，１６−４、および処理済みのウエ
ーハを載置する冷却機構を備えた試料台１７−３，１７
−４は、それぞれ、上下２段に設けられる。尚、平面図
の図１では試料台１６−３（１６−４）および試料台１
７−３（１７−４）が、上下のものが重複して示されて
いる。一方、断面図である図２では、ウエーハの投入お
よび払い出しの為の試料台、１６−３、１７−４、処理
室Ａ、Ｂの試料台１９−２と２０−２とが重複して示さ
れている。後の動作説明でこれらの関係が十分明らかに
されよう。ここで、一方向からみて重複して投影される
部材は、図中で符号は（ ）にて示した。以下、符号に
ついて、本明細書において同様の趣旨である。その他の
構成要素、例えば真空アーム、試料台、リングゲート、
ロードロック室など、符号が重複して示された部分も同
様の趣旨である。

【００５９】図２にみられるように、真空室内の搬送ア
ームは、上側の真空搬送アーム１８−１と下側の搬送ア
ーム１８−２がある。

【００６０】処理台は符号１９−２（２０−２）及び処
理室を密閉するためのリングゲートは符号１９−３（２
０−３）として図に示される。図２ではリングゲートも
併置される２つの処理室について、前述のように重複し
て示されている。

【００６１】試料台１６−３、１６−４（１７−３，１
７−４）は、台１６−５（１７−５）に接続されてい
る。そして、駆動軸１６−６（１７−６）を介して上下
動作用シリンダ１６−７（１７−７）に接続されてい
る。ここで、台１６−５（１７−５）は、ロードロック
室１６−１（１７−１）と搬送室１８−５を隔離する役
割を果たしている。更に、このロードロック室１６−１
（１７−１）はゲートバルブ１６−２（１７−２）で大
気と隔離できる構造となっている。これらについては図
３を用いて更に説明される。

【００６２】前記上側の真空搬送アーム１８−１は，回
転駆動軸１８−３を介して，モータ１８−６に接続され
ている。他方、前記下側の搬送アーム１８−２は，回転
駆動軸１８−４を介して、同様にモータ１８−６に接続
されている。モータ１８−６は，駆動軸１８−３，１８
−４を各々独立して回転可能である。この様にして，上
側の真空搬送アーム１８−１，下側の搬送アーム１８−
２は共に未処理のウエーハと処理済みのウエーハを同時
に搬送できる構造としている。

【００６３】図４に上段のＬ型搬送アーム、図５に下段
のＩ型搬送アームの平面図を示す。また、図６にこれら
のＬ型およびＩ型の各搬送アームと試料台の配置の斜視
図を示す。図では、試料台は、ロードロック室の上下の
加熱ステージ加熱機構を備えた試料台（通称、加熱ステ
ージ）、処理済みのウエーハを載置する冷却機構を備え
た試料台（通称、冷却ステージ）が示されている。

【００６４】尚、真空内の搬送アームがここに示した形
態以外の別な形態が可能なことは言うまでもない。他の
具体的事例は後述される。

【００６５】処理室１９−１（２０−１）と搬送室１８
−５を隔離するためのリングゲート１９−３（２０−
３）は，それぞれ駆動軸１９−４（２０−４）を介して
シリンダ１９−５（２０−５）に接続され、上下に動作
可能な構造としてある。

【００６６】処理室１９−１（２０−１）は，高周波電
源を使用してプラズマの発生が可能となっている。この
プラズマを用いて、所望の処理、例えば、被処理物のウ
エーハ上のレジストをアッシングできる構造となってい
る。ここでの例のプラズマアッシング自体は通例のもの
である。具体例を示せば、例えば、酸素ガスを、例えば
２Ｌ／ｍｉｎを導入し，圧力を約１３３Ｐａに設定す
る。そして、１３．５６ＭＨｚの高周波の印加によって
プラズマの発生が可能である。処理台１９−２（２０−
２）は、２５０℃に加熱しウエーハ上のレジストをアッ
シングが可能である。必要に応じて他の条件も用い得
る。また，試料台１６−３，１６−４は、例えば２５０
℃まで加熱可能であり，試料台１７−３，１７−４は，
例えば２０℃に冷却可能である。

【００６７】＜２．未処理のウエーハを載置する試料台
への搬送 ＞次いで，ウエーハ投入側のロードロック室
での動作を説明する。

【００６８】カセットより未処理のウエーハを載置する
試料台１６−３，１６−４へのウエーハ搬送に関するも
のである。それは、前記大気搬送装置１４によって行わ
れる。これは、図７における真空容器１５内へのウエー
ハ投入時に当たる。

【００６９】尚、このウエーハの投入の動作の実際は、
後述する処理済のウエーハを払い出しする工程は大気ロ
ボットでシリーズに行われる。

【００７０】図７は、図１と同様のロードロック室の平
面図である。図中、符号、は夫々処理室での処理済
ウエーハを、一方、符号、はロードロック室に投入
された状態のウエーハを示している。当然、図７では重
ねて示しているが、ウエーハ、は各々上下段の試料
台に搭載されている。

【００７１】尚、図７の試料台１７−３に符号３１，３
２、および３３と示したのは、ウエーハを搬送アーム上
に受け渡しする為のピンを示している。即ち、搬送アー
ムが上下ピンと干渉しないようにこのピンが配置されて
いる。試料台でのピンの配置は、このアームの挿入が可
能なようになされている。従って、全ての試料台のピン
が、アームの回転方向を考慮した配置となっている。こ
のことから、回転方向が逆となるロードロック室の上と
下の試料台では、ピンの配置が異なることとなる。

【００７２】このピンは試料の処理中は当然、下降し、
ウエーハが試料台の搭載されることとなる。処理が終了
すると、再びピンが上昇し、試料台とウエーハの間に空
間を形成する。この空間に搬送アームが挿入され、合わ
せてピンが下降し、ウエーハが搬送アーム上に搭載され
る。次いで、搬送アームは所定方向に回転し、払い出し
用の試料台に搬送される。尚、このピンについては半導
体ウエーハの搬送において通例用いられているものであ
る。図にこの旨示されていない試料台にも同様のピンが
当然設けられている。以下の図においても同様である。
その他の符号は図１のそれと同じである。

【００７３】通常、各ステージでは、ウエーハの加熱や
冷却を行う為、処理中はステージとウエーハを接触さ
せ、ウエーハの加熱や冷却を効率良く行う。ウエーハを
搬送する時は、各アームをウエーハの下側に挿入する必
要がある。この時にピンを上昇させウエーハとステージ
間にアームが挿入できるようにする。搬送が完了すると
ピンが上昇してウエーハとステージが接触する。

【００７４】通例、この搬送は大気内で行われる。大気
搬送装置１４の上側のアーム１４−１と下側のアーム１
４−２でカセット内のウエーハをそれぞれ１枚ずつ取り
出し，大気搬送装置１４のこの上側のアーム１４−１と
下側のアーム１４−２で同時に２枚のウエーハを試料台
１６−３，１６−４に搬送する。大気搬送装置１４のア
ーム１４−１と下アーム１４−２はウエーハ裏面を真空
吸着により保持して搬送する、通例の搬送方法を用い
る。

【００７５】この時，試料台１６−３，１６−４は上昇
して前記台１６−５で前記ロードロック室１６−１と搬
送室１８−５を隔離している。そして当然、ゲートバル
ブ１６−２が開いた状態となり、真空容器１５内へのウ
エーハ投入が可能となる。この台１６−５がロードロッ
ク室１６−１と搬送室１８−５を隔離し且つゲートバル
ブ１６−２が開いた状態を図３に示す。

【００７６】＜３．真空容器内でのウエーハ処理＞処理
室１９−１、２０−１でウエーハを処理中は，上側の真
空搬送アーム１８−１は待避位置２１−１，２１−２の
位置（待機位置については、図１または図７を参酌）に
待機し，一方、下側の真空搬送アーム１８−２は待避位
置２１−１，２１−３の位置（待機位置については、図
１または図７を参酌）に待機する。このことは、図４、
図５に示す真空搬送アーム１８−１、１８−２の形状か
らみて十分首肯されよう。

【００７７】一方、処理中は前記リングゲート１９−３
（２０−３）が上昇して前記処理室１９−１（２０−
１）と搬送室１８−５とを隔離する。処理と並行して，
前記台１６−５を上昇させ，ロードロック室１６−１
と搬送室１８−５を隔離する。これは、ロードロック室
１６−１の圧力が搬送室１８−５と同圧力となっている
ため可能である。この後，ロードロック室１６−１を大
気圧にする。そして、ゲートバルブ１６−２を開け，大
気搬送装置１４により未処理のウエーハを２枚を同時に
試料台１６−３，１６−４に搬送する。

【００７８】この搬送された未処理のウエーハを試料台
１６−３，１６−４で加熱しながら，ゲートバルブ１６
−２を閉め排気して真空にする。この後，台１６−５を
下降させる。

【００７９】同じように，処理と並行して，処理済みの
ウエーハを試料台１７−３，１７−４で冷却しながら，
前記台１７−５を上昇させ， 台１７−５を上昇させ搬
送室１８−５とロードロック室１７−１を隔離する。こ
れは、ロードロック室１７−１の圧力が搬送室１８−５
と同圧力になっているため可能である。

【００８０】ロードロック室１７−１を大気圧にした後
に，ゲートバルブ１７−２を開き大気搬送装置１４によ
り試料台１７−３，１７−４上の処理済みのウエーハ２
枚を同時に取り出す。その後，ゲートバルブ１７−２を
閉め、ロードロック室１７−１を真空に排気する。この
後に，台１７−５を下降させる。

【００８１】＜４．ウエーハの処理終了後の動作＞次
に，真空容器１５内のウエーハ搬送について説明する。

【００８２】図８は真空容器１５内での各搬送アームの
動作を示すものである。図８の左側の図８（ａ），
（ｂ）は上段のＬ型アーム１８−１の動作を示す。 図
８の右側の図８（ｃ），（ｄ）は下段のＩ型アーム１８
−２の動作を示す。

【００８３】先ず、上段のＬ型アームの動作を説明す
る。ウエーハの処理が終了後，Ｌ型アーム１８−１は図
７の２１−１および２１−２の待機位置から図８（ａ）
の各試料台の位置に回転する。尚、図８（ａ）には待機
位置にあるＬ型アーム１８−１は図示されていないが、
図８（ａ）の矢印はこの待機位置からの回転を示してい
る。ここで、試料台１６−３上の未処理ウエーハと処理
台１９−２上の処理後のウエーハを上側の真空搬送アー
ム１８−１上のそれぞれの位置に載せる。説明を容易に
する為、以下この回転移動を「回転１」と称する。ここ
で、図示されていないが、前述のピンでウエーハを上昇
させ、ウエーハとステージの間にアームを挿入可能とす
る。

【００８４】次いで、真空搬送アーム１８−１をウエー
ハ受け渡し位置２２−４，２２−２に回転させる。即
ち，未処理のウエーハを処理台２０−２へ搬送し，前記
処理済みのウエーハを前記試料台１７−３へ搬送するこ
ととなる。

【００８５】即ち、図８（ｂ）に即して説明すれば、ロ
ードロック室に投入されて上段に位置するウエーハ、
および処理室Ａの処理済ウエーハは、Ｌ型アームに搭
載されて、図８の（ｂ）の状態に回転する。処理済ウエ
ーハは払い出し位置の試料台１７−３に、一方、投入
された未処理のウエーハは、処理室Ｂの試料台２０−
２に搭載される。ここで、処理台２０−２と試料台１７
−３とのウエーハ受け渡しが終了後，Ｌ型搬送アーム１
８−１は元の待機位置２１−１，２１−２に回転する。

【００８６】説明を容易にする為、以下この回転移動を
「回転２」と称する。尚、ウエーハを試料台に搭載した
後、ウエーハを冷却する。ここで、処理台２０−２と試
料台１７−３とのウエーハ受け渡しが終了後，Ｌ型搬送
アーム１８−１は元の待機位置２１−１，２１−２に回
転する。

【００８７】次に、下段のＩ型アーム１８−２の動作を
説明する。上側の真空搬送用のＬ型アーム１８−１の動
作と並行して， Ｉ型アーム１８−２は、図７の２１−
１および２１−３の待機位置から図８（ｃ）の各試料台
の位置に回転する。説明を容易にする為、以下この回転
移動を「回転３」と称する。ここで、図示されていない
が、前述のピンでウエーハを上昇させ、ウエーハとステ
ージの間にアームを挿入可能とする。尚、下段はウエー
ハを加熱する。ここで、試料台１６−４上の未処理ウエ
ーハと処理台２０−２上の処理後のウエーハを前記下側
のＩ型搬送アーム１８−２上のそれぞれの位置に載せ
る。

【００８８】そして，Ｉ型搬送アーム１８−２をウエー
ハ受け渡し位置２２−３，２２−２に回転させ，前記未
処理のウエーハを前記処理台１９−２へ搬送し，前記処
理済みのウエーハを前記試料台１７−４へ搬送する（図
８（ｄ））。処理台１９−２と試料台１７−４とのウエ
ーハ受け渡しが終了後，Ｉ型搬送アーム１８−１は元の
待機位置２１−１，２１−３に回転する。

【００８９】図８（ｃ）（ｄ）に即して、Ｉ型搬送アー
ム１８−１の動きを説明すれば次の通りである。

【００９０】ロードロック室に投入されて上段に位置す
る未処理のウエーハ、および処理室Ａの処理済ウエー
ハは、Ｉ型アームに搭載されて、図８の（ｄ）の状態
に回転する。処理済ウエーハは払い出し位置の試料台
１７−４に、一方、投入された未処理のウエーハは、
処理室Ａの試料台１９−２に搭載される。説明を容易に
する為、以下この回転移動を「回転４」と称する。

【００９１】上述のように、「回転１」と「回転３」、
「回転２」と「回転４」は並行して行われる。

【００９２】＜５．処理済みのウエーハのウエーハの搬
送＞次に，ウエーハ払出し側のロードロック室での動作
を説明する。

【００９３】大気搬送装置１４と処理済みのウエーハを
載置する試料台１７−３，１７−４とのウエーハ搬送に
関するものである。そして、これは、図９における真空
容器１５からのウエーハ払出し時に当たる。前述のウエ
ーハ投入とここで述べるウエーハ払出しは原則として合
わせて、処理室でウエーハを処理中に行われる。それ
は、装置のスループット向上の観点から好ましいことで
ある。

【００９４】図９は、ウエーハ払い出し時の状態を示す
ロードロック室の平面図である。図中、符号、が夫
々払い出しの為の試料台での処理済ウエーハを、一方、
符号、は処理の為、処理室の試料台の搭載された状
態のウエーハを示す。ウエーハの試料番号が同じものは
図７の状態から図９の状態に変化したことを示す。この
回転変化は図８で説明される。尚、図９では重ねて示し
ているが、ウエーハ、は各々上下段の試料台に搭載
されている。また、ピン３４，３５、および３６は、前
述した通り各々試料台でウエーハを上昇させ、ウエーハ
とステージの間のアームの挿入を可能とする。その他の
符号の示す部材は図７と同様である。

【００９５】大気搬送装置１４の上側のアーム１４−１
と下側のアーム１４−２で，同時に２枚のウエーハを試
料台１７−３（１７−４）から取り出す。そして、カセ
ット内に，それぞれ１枚ずつ大気搬送装置１４の上側の
アーム１４−１と下側のアーム１４−２で搬送する。こ
の時，試料台１７−３，１７−４は上昇して台１７−５
でロードロック室１７−１と搬送室１８−５を隔離しゲ
ートバルブ１７−２が開いた状態である。この状態は、
ロードロック室１７−１と搬送室１８−５についての状
態を前述の図３と同様に考えれば良い。

【００９６】＜６．真空搬送装置の別な例＞次に、別な
真空搬送アームの例を例示する。図１０はその平面投影
図である。尚、収納カセットおよびこの収納カセットと
被処理物の処理の為の容器との間の搬送装置（通例、大
気圧での搬送である）は、前述の実施例と基本的に同様
である。図１０の（ａ）より図１０の（ｄ）までは、被
処理物の投入から処理、払い出しまでの動作を示してい
る。以下、本実施例に特有なる真空搬送アームの動作を
詳しく説明する。

【００９７】前述の真空搬送アームはＬ字型あるいはＩ
字型を用いていたが、本例は細い短冊状のアームを２本
組み合わせて動作させて、未処理ウエーハと処理済ウエ
ーハとの搬送アームとなす。搬送アームが短冊状なの
で、搬送アームの待機時に要するスペースが小さくてす
む。従って、装置の小型化に有利である。尚、前述の短
冊状の搬送アームは、現実的には２つの短冊状のアーム
を十文字型に合わせて形成し、これら２つの短冊状アー
ムを同時に回転するようにする。短冊状の搬送アームを
個別に動作させることも可能ではあるが、以下の実施例
に示す十文字型の搬送アームが、動作が簡潔であり、実
際的である。

【００９８】図１０での各部材の平面配置は次の通りで
ある。即ち、符号４１、および４２は各々ウエーハの投
入、払い出し兼用の試料台である。符号４３および４４
は各々処理室の試料台である。十文字型のアームは符号
４５と４９の２組が準備される。図１０の（ａ）の４５
−１および４９−１としてアームを図示した位置がアー
ムの待機位置である。図１０では、十文字型に固定され
ている搬送アームは同じハッチングで図示されている。

【００９９】図１１はウエーハの投入、所定の処理、お
よび払い出しを行う容器６０の別な例を示した断面図で
ある。図１１の（ａ）より（ｄ）は図１０に示した動作
に応じた容器６０の動作を示している。

【０１００】この容器６０は前述の実施例とは異なりウ
エーハの投入および払い出しを行う為の特別なロードロ
ック室が省略されている。

【０１０１】先ず、容器６０における試料台と真空室の
状態の説明を行い、次いで、搬送アームの動作について
説明する。

【０１０２】図１１の（ａ）は、台６６が上昇し、処理
の為の試料台４３が真空の処理室６２に遮断して収めら
れ、他方ゲートバブル７０が開放された状態を示してい
る。この状態で、被処理物の投入および払い出しが行わ
れる。この投入、払い出しは、通例、大気圧で行われ
る。試料台４３は上下軸によって上下が可能となってい
る。尚、図１１で（ ）を付して示したのは、図２な
どと同様に、並列して設置された試料台および処理室の
試料台を示している。また、処理の為の諸部分、例えば
プラズマアッシャーなどの装置部分は図では省略されて
いる。

【０１０３】一方、図１１の（ａ）では容器６０内の符
号６１の領域はゲートバルブ７０が開放され、大気圧と
なっている。

【０１０４】図１０（ａ）は図１１（ａ）の状態におけ
る各ウエーハ及び搬送アームの関係を示している。搬送
アーム４５−１および４９−１は待機位置にある。試料
台４１及び４２に未処理のウエーハ、が投入され
る。尚、処理済ウエーハ、は、処理室の試料台４３
及び４４に搭載されている。

【０１０５】図１１の（ｂ）はゲートバブル７０を閉め
て、領域６１の雰囲気を真空にして、処理室６２と同等
の雰囲気圧力とした状態である。試料台４３を下降さ
せ、合わせてピンの軸６４（６５）、６７（６８）によ
って各ウエーハを上昇させる。

【０１０６】次いで、搬送アーム４５および４９を回転
させる。図１０の（ｂ）に即して説明すると、真空雰囲
気中で、搬送アームが待機位置４５−１および４９−１
の位置から４５−２および４９−２の位置に回転する。

【０１０７】図１１の（ｃ）は被処理物を処理室と投入
および払い出し兼用の試料台との間の搬送の状態を示す
ものである。容器６０は真空に保たれ、各ピンは下降す
る。そして、各ウエーハは搬送アームに搭載される。各
搬送アーム４５および４９は、ウエーハを搭載したま
ま、１８０度回転する。即ち、搬送アームは図１０の
（ｂ）に示した４５−２および４９−２の位置より図１
０の（ｃ）に示した４５−３及び４９−３の位置に回転
する。未処理のウエーハ、は処理室に、一方、処理
済ウエーハ、は、払い出しの位置に搬送される。

【０１０８】図１１の（ｄ）はウエーハの払い出し時の
状態を示す。払い出し用の試料に対しては、ピンを下降
させ、各ウエーハを試料台の上に搭載する。他方、上下
軸を上昇させ、台座６６をもって試料室６２を遮断す
る。

【０１０９】この後、容器６０内の領域６１を大気圧と
する。処理室では、ウエーハの処理を行い、他方、試料
台４１および４２では処理済のウエーハが、合わせて払
い出される。

【０１１０】この間、搬送アームは４９−４および４５
−４の位置、即ち待機位置に回転する。この図１０の
（ｄ）の搬送アームの位置は、１８０度回転している
が、等価的位置は図１０の（ａ）に示した位置と同等で
ある。

【０１１１】尚、図１０の（ｄ）のウエーハの投入、払
い出し兼用の試料台４１および４２に、上述のピンを６
４−１、６４−２、および６４−３として示した。ウエ
ーハの搭載の為、ピンが図示されない試料台にも同様の
ピンが存在することは言うまでもない。

【０１１２】このように、搬送アームの回転によって、
未処理のウエーハの２枚と処理済のウエーハの２枚が合
わせて搬送される。こうして、搬送時間の短縮が可能で
ある。更には、搬送アームが短冊状であること、あるい
は特別なロードロック室を省略したことによって、半導
体製造装置のより簡素化が可能である。また、処理室の
処理中は、搬送装置が処理室から待機する為、搬送装置
への反応生成物付着などの汚染が防止される。

【０１１３】ウエーハ収納用のカセットからの、ウエー
ハの投入および払い出しの動作自体の基本は、前述の実
施例と同様であるので省略する。

【０１１４】＜７．上記の具体例の特徴等＞試料台１６
−２，１６−３，１７−３，１７−４と処理台１９−
２，２０−２の間の被処理物の搬送装置が， 未処理の
被処理物と処理済みの被処理物を同時に搬送が可能であ
るため、搬送時間の短縮ができる。即ち、スループット
の向上が可能である。

【０１１５】また、搬送装置は回転軸に対して水平方向
への伸縮動作が不要で，搬送装置の構造が簡易で小型化
が可能である。

【０１１６】更に，処理室１９−１，２０−１で被処理
物を処理中は，真空搬送アーム１８−１，１８−２が処
理室１９−１，２０−１から待避するため，処理中の反
応生成物で汚染されることがない。

【０１１７】また，処理室１９−１，２０−１を２個設
置し、試料台１６−３，１６−４を未処理の被処理物の
専用とし試料台１７−３，１７−４を処理済みの被処理
物の専用に分けることができるため，未処理の被処理物
が試料台に滞在中に発生する物質と処理済みの被処理物
が試料台に滞在中に発生する物質が異なる場合でも，試
料台は両方の物質で汚染されない。

【０１１８】

【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、スループットの短縮が可能である。また、処理中の
反応生成物で搬送装置が汚染を防止することが可能であ
る。また、この方法を実現するにあったて、その製造装
置の構造の簡易化および小型化が可能である。

【０１１９】本発明の半導体製造装置によれば、半導体
製造装置のスループットを短縮することが出来る。それ
は、未処理の被処理物と処理済みの被処理物の搬送を合
わせて実施する為、搬送時間の短縮が可能である為であ
る。

【０１２０】更に、本発明によれば、試料台と処理室の
間の被処理物の搬送装置が，回転軸に対して水平方向へ
の伸縮動作が不要であり搬送装置の構造が簡易で小型化
可能である。

【０１２１】更に、本発明によれば、処理中の反応生成
物で搬送装置が汚染されることがない。それは、処理室
で被処理物を処理中は，搬送装置が処理室から待避する
ためである。

【０１２２】また，処理室を複数個設置する場合，試料
台を複数段に設置することで平面の寸法が小型化でき
る。更に，処理室を複数個設置し試料台を複数段に複数
式設置することにより，試料台を未処理の被処理物の専
用と処理済みの被処理物の専用に分けることができるた
め，未処理の被処理物が試料台に滞在中に発生する物質
と処理済みの被処理物が試料台に滞在中に発生する物質
が異なる場合でも，試料台は両方の物質で汚染されな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図を表す平面図であ
る。

【図２】本発明の一実施例の構成図を表す断面図を含む
側面図である。

【図３】本発明の一実施例の別な状態を表す断面図を含
む側面図である。

【図４】図１の構成図の一構成要素である真空搬送装置
の上段アームの平面図である。

【図５】図１の構成図の一構成要素である真空搬送装置
の下段アームの平面図である。

【図６】真空搬送装置の搬送アームおよび各試料台の関
係を示す斜視図である。

【図７】ウエーハの投入時を示す真空容器の平面図であ
る。

【図８】真空搬送アームの動作を説明する為の真空容器
の平面図である。。

【図９】ウエーハの払い出し時を示す真空容器の平面図
である。

【図１０】別な形態の搬送アームを用いたウエーハの搬
送を示す平面図である。

【図１１】真空容器の別な形態を示す断面図である。

【符号の説明】

１１−１，１１−２…カセット、１４…大気搬送装置、
１５…真空容器、１６−３，１６−４…未処理専用の試
料台、１９−２，２０−２…処理台、２１−１，２１−
２，２１−３…真空搬送アームの待避位置、２２−１，
２２−２，２２−３，２２−４…真空搬送アームのウエ
ーハ受け渡し位置、４１，４２、４３、４４、６１、６
３…試料台、４５，４７，４９，５１…搬送アーム、４
１，４２…試料台、４３，４４…処理室内の試料台、４
５，４９…搬送アーム、６０…容器、６２…処理室、６
４，６５，６７，６８…ピンの上下軸、７０…ゲートバ
ルブ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿島 秀夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山岡 正作 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）未処理の被処理物が搭載された試料
   台より被処理物の処理用の試料台へ搬送される工程、
   （ｂ）被処理物が被処理物の処理用の試料台で所望の処
   理がなされる工程、（ｃ）処理済の被処理物が試料台か
   ら処理済の被処理物の払い出し用の試料台へ搬送される
   工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記工
   程（ａ）と工程（ｃ）とが並行した時間内でなされるこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 （ａ）未処理の被処理物が搭載された試
   料台より被処理物の処理用の試料台へ搬送される工程、
   （ｂ）被処理物が試料台で所望の処理がなされる工程、
   （ｃ）処理済の被処理物が試料台から処理済の被処理物
   の払い出し用の試料台へ搬送される工程とを有する半導
   体装置の製造方法において、前記未処理の被処理物の搭
   載された試料台より前記被処理物の処理用の試料台への
   搬送と、前記処理済の被処理物のその試料台から前記処
   理済の被処理物の払い出し用の試料台への搬送とは、各
   々、回転可能な搬送手段によって、前記未処理の被処理
   物が搭載された試料台より前記半導体処理用の試料台へ
   の回転と、前記処理済の被処理物のその試料台から前記
   処理済の被処理物の払い出し用の試料台への回転とによ
   ってなされ、これらの回転が並行した時間内でなされる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 （ａ）未処理の被処理物が搭載された試
   料台より半導体処理用の試料台へ搬送される工程、
   （ｂ）被処理物がこの試料台で所望の処理がなされる工
   程、（ｃ）処理済の被処理物が、その試料台から処理済
   の被処理物の払い出し用の試料台へ搬送される工程とを
   有する半導体装置の製造方法において、前記未処理の被
   処理物が搭載された試料台より前記半導体処理用の試料
   台への搬送と、前記処理済の被処理物のその試料台から
   前記処理済の被処理物の払い出し用の試料台への搬送と
   は、各々、回転可能な搬送手段によって、前記未処理の
   被処理物が搭載された試料台より前記半導体処理用の試
   料台への回転と、前記処理済の被処理物のその試料台か
   ら前記処理済の被処理物の払い出し用の試料台への回転
   によってなされ、これらの回転が並行した時間内でなさ
   れ、且つ少なくとも前記被処理物の処理が所定の処理室
   でなされる際、前記回転可能な搬送手段は前記処理室と
   干渉しない位置に待避することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。
4. 【請求項４】 前記未処理の被処理物が搭載された試料
   台より前記半導体処理用の試料台への回転の複数と、前
   記処理済の被処理物のその試料台から前記処理済の被処
   理物の払い出し用の試料台への回転の複数とを有し、こ
   れら複数の各回転が並行した時間内でなされることを特
   徴とする請求項第２項または第３項に記載の半導体装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 未処理の被処理物が、収納カセットより
   未処理の被処理物用の前記複数の試料台へ搬送されるこ
   とを特徴とする第４項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 被処理物の処理を行う処理室と，処理の
   為の容器への被処理物の投入あるいは払い出しの為の試
   料台と、前記処理の為の容器への被処理物の投入あるい
   は払い出しの為の試料台と前記処理室内の試料台との間
   で前記被処理物を搬送する搬送装置とを少なくとも有
   し，前記搬送装置は回転可能な搬送手段を有し，前記搬
   送装置は前記処理の為の容器内で未処理の被処理物と処
   理済みの被処理物を並行した時間内に搬送し得ることを
   特徴とする半導体製造装置。
7. 【請求項７】被処理物を収納する収納カセットと，処理
   の為の容器への被処理物の投入あるいは払い出しの為の
   試料台と、前記収納カセットと前記処理の為の容器への
   被処理物の投入あるいは払い出しの為の試料台の間を前
   記被処理物を搬送する第一の搬送装置と，被処理物の処
   理を行う処理室と， 前記処理の為の容器への被処理物
   の投入あるいは払い出しの為の試料台と前記処理室内の
   試料台との間で前記被処理物を搬送する第二の搬送装置
   とを少なくとも有し，前記第二の搬送装置は回転可能な
   搬送手段を有し，前記第二の搬送装置は前記処理の為の
   容器内で未処理の被処理物と処理済みの被処理物を並行
   した時間内に搬送し得ることを特徴とする半導体製造装
   置。
8. 【請求項８】 前記被処理物を前記処理室で処理中は、
   前記第二の搬送装置は前記処理室と干渉しない位置に待
   避させ得ることを特徴とする請求項第６項または第７項
   に記載の半導体製造装置。
9. 【請求項９】前記処理の為の容器への被処理物の投入あ
   るいは払い出しの為の試料台の複数段と、前記第二の搬
   送装置は回転可能な搬送手段の複数段とを有することを
   特徴とする請求項第６項または第７項に記載の半導体製
   造装置。
10. 【請求項１０】前記処理の為の容器への被処理物の投入
    あるいは払い出しの為の試料台，前記第二の搬送装置お
    よび前記処理室は真空容器内に設置されたことを特徴と
    する請求項第６項より請求項第９項のいずれかに記載の
    半導体製造装置。