JP2000124128A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の大型化に伴い，加熱処理装置が大型化
しても温度によるレジスト膜の膜厚変化を抑制する。 【解決手段】 レジスト塗布装置群２０近傍にウェハＷ
を冷却処理する各種の冷却系処理装置を有する第１冷却
処理装置群７０及び第２冷却処理装置群８０を配置し，
現像処理装置群３０近傍にウェハＷを加熱処理する各種
の加熱系処理装置を有する第１加熱処理装置群９０及び
第２加熱処理装置群１００を配置する。冷却処理装置群
７０，８０の間に第１搬送装置５０を，加熱処理装置群
９０，１００の間に第２搬送装置６０を夫々備え，搬送
装置５０，６０の間にウェハＷを載置自在な受け渡し台
４０を備える。第１搬送装置５０は，レジスト塗布装置
群２０と，受け渡し台４０と，冷却処理装置群７０，８
０との間でウェハＷを搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスにおけるフォトレジ
スト工程では，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」
という。）等の表面に対してレジストを塗布してレジス
ト膜を形成し，パターンが露光された後のウェハに現像
液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行
うにあたっては，従来から塗布現像処理装置が使用され
ている。

【０００３】この塗布現像処理装置には，ウェハを冷却
する冷却処理装置，ウェハを加熱する加熱処理装置，ウ
ェハにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置，ウェハ
に現像処理を施す現像処理装置等の各種の処理ユニット
が具備されている。そして塗布現像処理装置全体をコン
パクト化するため，複数の加熱処理装置と冷却処理装置
とを混在して多段に積み重ねた熱処理装置群を形成して
いる。この場合，熱処理装置群の上側には加熱処理装置
を，下側には冷却処理装置を夫々配置することにより熱
処理装置群内の熱干渉を防止している。そして従来の塗
布現像処理装置では，レジスト塗布装置及び現像処理装
置近傍に前記熱処理装置群を配置し，搬送装置と共に全
体として集約配置することで，塗布現像処理装置の更な
る省スペース化を達成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところでウェハが大口
径化すると，これに伴って全ての処理ユニットも大型化
する。従って，省スペース化のためには，各処理ユニッ
トの配置を一層高集約化させる必要がある。しかしなが
ら加熱処理装置が大型化すると，加熱処理装置の熱量も
多くなる。従って，これまでのように熱処理装置群の中
の一つの処理ユニットとして加熱処理装置がレジスト塗
布装置に近傍配置されていると，熱の影響によってレジ
スト膜の膜厚が変化するおそれがある。

【０００５】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり，加熱処理装置や冷却処理装置等が大型化して
も，レジスト膜の膜厚変化を抑制可能な新しい処理装置
を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１によれば，基板にレジスト液を塗布するレ
ジスト塗布装置と，基板に現像液を供給する現像処理装
置と，基板を冷却する複数の冷却処理装置と，基板を加
熱する複数の加熱処理装置と，基板を保持部材に保持さ
せた状態で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であっ
て，前記複数の冷却処理装置は多段に積み重ねられて冷
却系処理装置をなし，前記複数の加熱処理装置は多段に
積み重ねられて加熱系処理装置をなし，前記レジスト塗
布装置近傍に前記冷却系処理装置が配置され，前記現像
処理装置近傍に前記加熱系処理装置が配置され，前記レ
ジスト塗布装置と現像処理装置との間に前記搬送装置が
配置されたことを特徴とする，処理装置が提供される。

【０００７】請求項１の処理装置にあっては，加熱処理
装置からなる加熱系処理装置と，冷却処理装置からなる
冷却系処理装置とを切り離し，温度変化に敏感なレジス
ト塗布装置近傍に冷却系処理装置を，温度影響の少ない
現像処理装置近傍に加熱系処理装置をそれぞれ配置して
いる。従って，加熱系処理装置から発せられる熱の影響
が温度変化に敏感なレジスト塗布装置に対して及びにく
くなるために，レジスト膜の膜厚変化を抑制することが
可能である。

【０００８】請求項２によれば，基板にレジスト液を塗
布するレジスト塗布装置と，基板に現像液を供給する現
像処理装置と，基板を冷却する複数の冷却処理装置と，
基板を加熱する複数の加熱処理装置と，基板を保持部材
に保持させた状態で搬送する搬送装置とを備えた処理装
置であって，前記複数の冷却処理装置は多段に積み重ね
られて冷却系処理装置をなし，前記複数の加熱処理装置
は多段に積み重ねられて加熱系処理装置をなし，前記レ
ジスト塗布装置近傍に前記冷却系処理装置が配置され，
前記現像処理装置近傍に前記加熱系処理装置が配置さ
れ，前記レジスト塗布装置と現像処理装置との間に前記
搬送装置が配置され，さらに前記搬送装置は，前記レジ
スト塗布装置及び冷却系処理装置に対して基板を搬送す
る第１搬送装置と，前記現像処理装置及び加熱系処理装
置に対して基板を搬送する第２搬送装置とからなり，前
記第１搬送装置と前記第２搬送装置との間には，基板を
載置自在な受け渡し台が設けられ，前記第１搬送装置，
第２搬送装置はこの受け渡し台との間で基板を受け渡し
自在であることを特徴とする，処理装置が提供される。

【０００９】請求項２に記載の処理装置にあっては，請
求項１の場合と同様に，加熱系処理装置から発せられる
熱の影響がレジスト塗布装置に対して及びにくくなるた
めに，レジスト膜の膜厚変化を抑制することができる。
そして，高温の基板を保持することがない第１搬送装置
でレジスト塗布装置に対する基板の搬入出を行うため
に，塗布後のレジスト膜には第１搬送装置の保持部材か
ら熱が伝わらない。従って，熱によるレジスト膜の膜厚
変化をより確実に防止可能である。

【００１０】請求項３によれば，前記受け渡し台は基板
を載置する載置部を複数有するので，基板を搬送するに
際し，効率のよい稼働が実現できる。

【００１１】前記受け渡し台が，請求項４に記載したよ
うに，基板に対して温度を調整する温度調節機構を有し
ていれば，例えば受け渡し台での冷却や加熱が行え，加
熱後の基板のオーバーベークの防止や，あるいは必要に
応じて基板のプリベークなどの処理を実施することが可
能であり，処理装置全体の効率のよい稼働が実現でき
る。その他積極的に熱の影響を抑えることも可能であ
る。

【００１２】請求項５に記載したように，前記第１搬送
装置，第２搬送装置については，少なくとも垂直線を中
心として回転自在な，例えば搬送装置の設置場所を中心
とした回転移動可能に構成すると共に，前記レジスト塗
布装置及び冷却系処理装置を第１搬送装置の径方向に配
置し，前記現像処理装置及び加熱系処理装置を第２搬送
装置の径方向に配置すれば，全体として環状の配置の下
での効率のよい基板搬送が実現でき，しかも処理装置全
体として，無駄のないコンパクトな装置構成を実現でき
る。

【００１３】この場合，例えば請求項６に記載したよう
に，前記レジスト塗布装置及び／又は冷却系処理装置
は，第１搬送装置の径方向に少なくとも２以上配置し，
前記現像処理装置及び／又は加熱系処理装置は，第２搬
送装置の径方向に２以上配置するようにしてもよい。

【００１４】また請求項７のように，前記レジスト塗布
装置や現像処理装置が多段に積み重ねられていれば，そ
の分床占有面積を節約することができる。

【００１５】請求項８のように，前記基板を複数収納可
能なカセットを載置可能なカセットステーションと，こ
のカセットステーションに設けられて前記カセットに対
して前記基板を搬入出する搬入出機構とを有し，さらに
前記搬入出機構は，少なくとも冷却系処理装置又は加熱
系処理装置に対して前記基板を搬送自在に構成されてい
る処理装置も提案できる。

【００１６】このように構成することで，カセットから
の未処理の基板の搬出から，処理済みの基板のカセット
への収納がきわめて円滑にかつ効率よく行え，しかも各
種処理装置と各搬送装置とのレイアウトと相まって，全
体としてこれら装置が無駄なく集約配置された処理装置
を提供できる。

【００１７】さらに請求項９のように，基板に対して露
光処理を行う露光装置との間で前記基板を搬送するため
の搬送機構を有し，前記搬送機構は，少なくとも冷却系
処理装置又は加熱系処理装置に対して前記基板を搬送自
在に構成すれば，露光処理をも含めた一連のフォトリソ
工程が円滑に行え，しかも各種処理装置と各搬送装置と
のレイアウトと相まって，全体としてこれら装置が無駄
なく集約配置されたフォトリソ工程の処理装置を提供で
きる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の好適な実施の形態について説明する。図１は本実施の
形態にかかる塗布現像処理装置を平面から見た様子を，
図２，３は塗布現像処理装置を側面から見た様子を示し
ている。

【００１９】塗布現像処理装置１は，例えば２５枚のウ
ェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１内
に搬入出したり，カセットＣにウェハＷを搬入出するカ
セットステーション２と，ウェハＷに対して枚葉式に所
定の処理を施す各種の処理ユニットを多段配置してなる
処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接
する露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うイン
ターフェイス部５とを一体に接続した構成を有してい
る。

【００２０】カセットステーション２では図１に示すよ
うに，カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位
置に，複数のカセットＣが，ウェハＷの出入口を処理ス
テーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に
沿って一列に載置自在である。そして，このカセットＣ
の配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納された
ウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な
ウェハ搬入出機構としての搬送体１１が搬送路１２に沿
って移動可能であり，各カセットＣにウェハＷを搬入，
搬出可能である。そして，ウェハ搬送体１１はθ方向に
も回転自在に構成されており，後述する第１冷却処理装
置群７０に属するエクステンション装置７４や第１加熱
処理装置群９０に属するアライメント装置９２に対して
アクセスできるように構成されている。

【００２１】処理ステーション３では正面側にレジスト
塗布装置群２０が，背面側に現像処理装置群３０がそれ
ぞれ配置されている。

【００２２】レジスト塗布装置群２０は図２，３に示す
ように，カップＣＰ内のウェハＷに対してレジスト液を
塗布して，該ウェハＷに対してレジスト塗布処理を施す
各レジスト塗布装置２１，２２が並列配置され，さらに
レジスト塗布装置２１，２２の上段にはレジスト塗布装
置２３，２４が積み重ねられて構成されている。

【００２３】現像処理装置群３０は，カップＣＰ内のウ
ェハＷに対して現像液を供給して，該ウェハＷに対して
現像処理を施す現像処理装置３１，３２が並列配置さ
れ，さらに現像処理装置３１，３２の上段には現像処理
装置３３，３４が積み重ねられて構成されている。

【００２４】処理ステーション３の中心部にはウェハＷ
を載置自在な受け渡し台４０が備えられている。受け渡
し台４０は図４に示すように，上側載置台４１と下側載
置台４２とを有しており，上側載置台４１にはウェハＷ
の裏面を支持する例えば３本の支持ピン４３が，下側載
置台４２にはウェハＷの裏面を支持する例えば３本の支
持ピン４４がそれぞれ設けられている。従って，受け渡
し台４０には各支持ピン４３，４４により，合計２枚の
ウェハＷが上下に支持されるようになっている。

【００２５】この受け渡し台４０を挟んで上記レジスト
塗布装置群２０と現像処理装置群３０とは相対向してお
り，レジスト塗布装置群２０と受け渡し台４０との間に
は第１搬送装置５０が，現像処理装置群３０と受け渡し
台４０との間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備され
ている。したがって，この受け渡し台４０を介して第１
搬送装置５０と第２搬送装置６０とは，ウェハＷを受け
渡し自在である。

【００２６】第１搬送装置５０と第２搬送装置６０とは
基本的に同一の構成を有しており，第１搬送装置５０の
構成を図５に基づいて説明すると，第１搬送装置５０
は，上端及び下端で相互に接続され対向する一体の壁部
５１，５２からなる筒状支持体５３の内側に，上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４を備えてい
る。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されて
おり，このモータ５５の回転駆動力で，前記回転軸を中
心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従
って，ウェハ搬送手段５４は垂直線を中心としてθ方向
に回転自在となっている。

【００２７】ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上に
は，ウェハＷを保持する保持部材としての２本のピンセ
ット５７，５８が上下に備えられている。各ピンセット
５７，５８は基本的に同一の構成を有しており，筒状支
持体５３の両壁部５１，５２間の側面開口部を通過自在
な形態及び大きさを有している。また，各ピンセット５
７，５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。なお，
第２搬送装置６０には，ピンセット５７，５８と同一の
機能及び構成を有するピンセット６７，６８が備えられ
ている。

【００２８】第１搬送装置５０の両側には，レジスト塗
布装置群２０近傍に各種冷却系処理装置からなる第１冷
却処理装置群７０及び第２冷却処理装置群８０が，第１
搬送装置５０によって搬送可能な位置，すなわち径方
向，例えば図１に示した破線のθ１方向にそれぞれ配置
されており，さらに前記したレジスト塗布装置群２０の
各レジスト塗布装置２３，２４もこのθ１上に配置され
ている。第２搬送装置６０の両側には，現像処理装置群
３０の近傍に各種加熱系処理装置からなる第１加熱処理
装置群９０及び第２加熱処理装置群１００が，第２搬送
装置６０によって搬送可能な位置，すなわち径方向，例
えば図１に示した破線のθ２方向にそれぞれ配置されて
いる。そして前記した現像処理装置群３０の現像処理装
置３３，３４もこのθ２上に配置されている。そして第
１冷却処理装置群７０及び第１加熱処理装置群９０はカ
セットステーション２側に配置されており，第２冷却処
理装置群８０及び第２加熱処理装置群１００はインター
フェイス部５側に配置されている。

【００２９】ここで処理ステーション３をカセットステ
ーション２側から見た図２に基づいて，第１冷却処理装
置群７０及び第１加熱処理装置群９０の構成を説明する
と，第１冷却処理装置群７０は，ウェハＷを所定温度で
冷却処理するクーリング装置７１，７２と，ウェハＷの
位置合わせを行うアライメント装置７３と，ウェハＷを
待機させるエクステンション装置７４と，冷却処理装置
７５，７６，７７，７８とが下から順に，例えば７段に
積み重ねられている。第１加熱処理装置群９０は，レジ
ストとウェハＷとの密着性を向上させるアドヒージョン
装置９１と，アライメント装置９２と，エクステンショ
ン装置９３と，レジスト塗布後のウェハＷを加熱処理す
るプリベーキング装置９４，９５と，現像処理後のウェ
ハＷを加熱処理するポストベーキング装置９６，９７，
９８とが下から順に，例えば７段に積み重ねられてい
る。

【００３０】処理ステーション３をインターフェイス部
５側から見た図３に基づいて第２冷却処理装置群８０及
び第２加熱処理装置群１００の構成を説明すると，第２
冷却処理装置群８０は，クーリング装置８１，８２と，
アライメント装置８３と，エクステンション装置８４
と，冷却処理装置８５，８６，８７，８８とが下から順
に，例えば７段に積み重ねられている。第２加熱処理装
置群１００は，プリベーキング装置１０１，１０２と，
露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポー
ジャベーキング装置１０３，１０４と，ポストベーキン
グ装置１０５，１０６，１０７とが下から順に，例えば
７段に積み重ねられている。

【００３１】インタフェイス部５には，第２冷却処理装
置群８０に属するエクステンション装置８４と，第２加
熱処理装置群１００に属する各ポストエクスポージャベ
ーキング装置１０３，１０４とにアクセス可能なウェハ
搬送体１１０が装備されている。ウェハ搬送体１１０は
レール１１１に沿ったＸ方向への移動と，Ｚ方向（図１
の垂直方向）への昇降とが自在であり，θ方向にも回転
自在となっている。そして，露光装置４や周辺露光装置
１１２に対してウェハＷを搬送することができるように
構成されている。

【００３２】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理
装置１は以上のように構成されている。次に，塗布現像
処理装置１の作用，効果について説明する。

【００３３】まずカセットステーション２においてウェ
ハ搬送体１１がカセットＣにアクセスして未処理のウェ
ハＷを１枚取り出す。次いで，このウェハＷはウェハ搬
送体１１により第１加熱処理装置群９０のアライメント
装置９２に搬送される。アライメント装置９２で位置合
わせを終了したウェハＷは，第２搬送装置６０に装備さ
れた下側のピンセット６８に保持された状態で，同じ第
１加熱処理装置群９０に属するアドヒージョン装置９１
に搬送される。次いで，この疎水化処理終了後，ウェハ
Ｗは第２搬送装置６０のピンセット６８に保持された状
態で，受け渡し台４０に搬送される。この際，ウェハＷ
は受け渡し台４０の上側載置台４１に設けられた支持ピ
ン４３に支持される。

【００３４】次いで，ウェハＷは第１搬送装置５０に装
備された下側のピンセット５８に保持されて，受け渡し
台４０から第１冷却処理装置群７０に搬送され，第１冷
却処理装置群７０の，例えばクーリング装置７２に搬入
される。このクーリング装置７２で所定の冷却処理が終
了したウェハＷは，第１搬送装置５０のピンセット５８
に保持された状態で，レジスト塗布装置群２０に搬送さ
れる。

【００３５】レジスト塗布装置群２０に搬送されたウェ
ハＷは，例えばレジスト塗布装置２１に搬入され，レジ
スト膜が形成される。そして，レジスト膜が形成された
ウェハＷは，その後第１搬送装置５０の上側のピンセッ
ト５７に保持された状態で，受け渡し台４０に搬送され
て，受け渡し台４０の下側載置台４２に設けられた支持
ピン４４上に支持される。

【００３６】支持ピン４４に支持されたウェハＷは，第
２搬送装置６０のピンセット６８に保持され，今度は第
２加熱処理装置群１００に搬送される。そして第２加熱
処理装置群１００に属する，例えばプリベーキング装置
１０１に搬入されて所定の加熱処理が施される。

【００３７】かかる加熱処理終了後のウェハＷは第２搬
送装置のピンセット６８に保持された状態で，第２冷却
処理装置群８０に搬送される。そして，第２冷却処理装
置群８０の例えばクーリング装置８５に搬入されて冷却
処理が施される。クーリング装置８５で冷却処理が終了
したウェハＷは，その後エクステンション装置８４に搬
入されて，その場で待機する。

【００３８】次いで，ウェハＷはウェハ搬送体１１０に
よってエクステンション装置８４から搬出され，周辺露
光装置１１２に搬送される。そして，周辺露光装置１１
２で周辺部の不要なレジスト膜が除去されたウェハＷは
露光装置４に搬送されて，所定の露光処理が施される。

【００３９】露光装置４でパターンが露光されたウェハ
Ｗは，ウェハ搬送体１１０で第２加熱処理装置群１００
に搬送され，例えばポストエクスポージャベーキング装
置１０３に搬入される。かかる露光処理後の加熱処理が
終了したウェハＷは第２搬送装置６０のピンセット６８
に保持されて，第２冷却処理装置群８０の例えばクーリ
ング装置８１に搬入される。

【００４０】このクーリング装置８１で所定の冷却処理
が終了したウェハＷは，第１搬送装置５０のピンセット
５８に保持されて，受け渡し台４０に搬送される。この
際，ウェハＷは受け渡し台４０の下側載置台４２に設け
られた支持ピン４４で支持される。その後，ウェハＷは
ピンセット６８に保持された状態で受け渡し台４０から
現像処理装置群３０に搬送されると共に，例えば現像処
理装置３１に搬入されて所定の現像処理が施される。

【００４１】かかる現像処理が終了したウェハＷは，第
２搬送装置６０のピンセット６７に保持された状態で第
２加熱処理装置群１００に搬送される。そして第２加熱
処理装置群１００に属する，例えばポストベーキング装
置１０５に搬入されて現像処理後の加熱処理が施され
る。

【００４２】ポストベーキング装置１０５における加熱
処理が終了したウェハＷは，第２搬送装置６０のピンセ
ット６７に保持された状態で受け渡し台４０に搬送され
る。この際，ウェハＷは受け渡し台４０の上側載置台４
１に設けられた支持ピン４３上に支持される。

【００４３】支持ピン４３に支持されたウェハＷは，そ
の後第１搬送装置５０のピンセット５８に保持されて第
１冷却処理装置群７０に搬送され，第１冷却処理装置群
７０に属する例えばクーリング装置７１に搬入される。
このクーリング装置７１で所定温度まで積極的に冷却処
理されたウェハＷは，その後エクステンション装置７４
に搬入されてその場で待機する。そして，エクステンシ
ョン装置７４からウェハ搬送体１１で搬出され，カセッ
ト載置台１０上のカセットＣに収納される。こうして，
ウェハＷに対する一連の塗布現像処理が終了する。

【００４４】前記実施の形態にかかる塗布現像処理装置
１では，冷却処理装置群７０，８０と加熱処理装置群９
０，１００とを離し，温度変化に敏感なレジスト塗布装
置群２０近傍に冷却処理装置群７０，８０を配置し，温
度影響の少ない現像処理装置群３０近傍に加熱処理装置
群９０，１００をそれぞれ配置している。従って，第１
加熱処理装置群９０及び第２加熱処理装置群１００から
発せられる熱の影響が，レジスト塗布装置群２０に対し
て及びにくくなる。その結果，レジスト塗布装置群２０
における各レジスト塗布装置２１，２２，２３，２４に
おいてレジスト膜の形成を行う際，温度変化によるレジ
スト膜の膜厚変化を抑制することが可能である。

【００４５】また，第１搬送装置５０は，各レジスト塗
布装置２１，２２，２３，２４と，受け渡し台４０と，
各冷却処理装置群７０，８０との間でウェハＷを搬送
し，第２搬送装置６０は各現像処理装置３１，３２，３
３，３４と，受け渡し台４０と，各加熱処理装置群９
０，１００との間でウェハＷを搬送する。従って，加熱
処理直後のウェハＷは全て第２搬送装置６０のピンセッ
ト６７，６８が保持し，第１搬送装置５０はピンセット
５７，５８は温度の高いウェハＷを保持することがな
い。従って，第１搬送装置５０のピンセット５７，５８
はウェハＷの熱で暖まることがない。その結果，塗布後
のレジスト膜はピンセット５７，５８の熱で暖まること
がなく，ウェハＷを搬送している間にレジスト膜の膜厚
が熱によって変化することを防止することができる。

【００４６】その他，第１冷却処理装置群７０，レジス
ト塗布装置群２０，第２冷却処理装置群８０は，第１搬
送装置５０の径方向に各々配置され，また第１加熱処理
装置群９０，現像処理装置群３０，第２加熱処理装置群
１００は，第２搬送装置６０の径方向に配置されている
から，これらの処理装置に対するウェハＷの搬入出は，
きわめて無駄のない動きの下で実施でき，円滑である。
またレイアウト的にみても，無駄のない配置となってお
り，前記したレジスト膜の膜厚に対する熱的影響を抑え
つつも，コンパクトな塗布現像処理装置となっている。

【００４７】さらにカセットステーション２，露光装置
４との関係でも，前記各処理装置群，は，好適な搬送関
係を有する配置となっており，全体としてウェハＷに対
する一連のフォトリソ工程を無駄なく，効率よく実施で
きる装置となっている。

【００４８】次に、図６に示すように、前記受け渡し台
４０に、ウェハＷに対して温度を調整する機構を備えた
他の例を説明する。この受け渡し台４０は図６に示すよ
うに、上側載置台４１と下側載置台４２とを有してお
り、これらの上側載置台４１と下側載置台４２には、各
々発熱体ＨＴが設けられ、それぞれの発熱体ＨＴは、そ
れらに電力を供給するための電源Ｐが接続されており、
上側載置台４１と下側載置台４２とは独立して所望の温
度に設定可能に構成されている。

【００４９】また、上側載置台４１と下側載置台４２と
は、受け渡し台４０に対して熱を伝熱しないよう断熱体
Ｘを介して接続されている。さらに、上側載置台４１に
はウェハＷの裏面を支持する複数例えば３本の支持ピン
４３を貫通する貫通口Ｈが、下側載置台４２にはウェハ
Ｗの裏面を支持する複数例えば３本の支持ピン４４を貫
通する貫通口Ｈがそれぞれ設けられている。

【００５０】さらに、前記３本の支持ピン４３と３本の
支持ピン４４は、各々支持ピン台１２０に設けられてお
り、これらの支持ピン台１２０は各々駆動源、例えばエ
アシリンダーＳによって各々独立して垂直方向Ｚに上下
動可能に構成されている。

【００５１】このように構成したことにより、ウェハＷ
が受け渡し台４０において受け渡し待機中に温度変化の
影響を受けることを制御できる。また、例えばこの受け
渡し台４０から熱処理機構に搬送され処理される場合で
あって仮に加熱系処理装置である場合においては、加熱
される前の温度を一定にすることができるため、各ウェ
ハＷ毎の加熱処理を均一に処理することができ歩留まり
の向上を図ることができる。

【００５２】また、仮に搬送先が冷却系処理装置である
場合においては、その冷却系処理装置の処理温度に上側
載置台４１或いは下側載置台４２を設定することによ
り、冷却系処理装置での処理のスループットを向上する
ことも可能となる。

【００５３】また、エアシリンダーＳの駆動によりウェ
ハＷを上側載置台４１若しくは下側載置台４２と接触さ
せても良いことは言うまでも無いが、ウェハＷを上側載
置台４１若しくは下側載置台４２と所定の間隔に離間さ
せて保持してもよい。このようにすると、ウェハＷの裏
面に上側載置台４１若しくは下側載置台４２に存在する
パーティクルの付着を制御することが可能となる。

【００５４】なお前記実施の形態では基板にウェハＷを
使用した例を挙げて説明したが，本発明に使用できる基
板はウェハＷに限らず，例えばＬＣＤ基板等でもよい。

【００５５】

【発明の効果】請求項１〜３に記載の発明では，加熱系
処理装置と冷却系処理装置とを分離し，レジスト塗布装
置近傍に冷却系処理装置を，現像処理装置近傍に加熱系
処理装置をそれぞれ配置したために，加熱系処理装置で
発生した熱の影響がレジスト塗布装置に及ぶことを抑制
することができる。その結果，レジスト膜形成の際に，
熱によってレジスト膜の膜厚が変化することを抑制する
ことが可能である。

【００５６】特に請求項２に記載の発明では，第１搬送
装置は熱処理直後の温度の高い基板を搬送しないため
に，第１搬送装置の保持部材は保持した基板によって暖
まることがない。従って，第１搬送装置の保持部材から
基板に対して熱が伝わらず，搬送中にレジスト膜に対し
て熱の影響を与えることがない。その結果，歩留まりの
低下を防止することができる。

【００５７】また請求項３に記載の発明では，受け渡し
台に複数の載置部を設けたことにより，第１搬送装置及
び第２搬送装置が受け渡し台で停滞することがない。従
って，各搬送装置を効率よく稼働させて，基板の処理能
力を向上させることができる。

【００５８】請求項４の発明によれば，例えば受け渡し
台での冷却や加熱が行え，処理装置全体の効率のよい稼
働や，その他積極的に熱の影響を抑えることも可能であ
る。また請求項５の発明によれば，全体として環状の配
置の下での効率のよい基板搬送が実現でき，しかも処理
装置全体として，無駄のないコンパクトな装置構成を実
現できる。その場合，さらに請求項６に構成すること
で，より無駄のないレイアウトが可能である。そして請
求項７のように，前記レジスト塗布装置や現像処理装置
が多段に積み重ねられていれば，その分床占有面積を節
約することができる。

【００５９】請求項８によれば，カセットからの未処理
の基板の搬出から，処理済みの基板のカセットへの収納
がきわめて円滑にかつ効率よく行え，しかも各種処理装
置と各搬送装置とのレイアウトと相まって，全体として
これら装置が無駄なく集約配置された処理装置を提供で
きる。請求項９によれば，露光処理をも含めた一連のフ
ォトリソ工程が円滑に行え，しかも各種処理装置と各搬
送装置とのレイアウトと相まって，全体としてこれら装
置が無駄なく集約配置されたフォトリソ工程の処理装置
を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理装置
の一部断面平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理装置をカセットステーショ
ン側から見た側面図である。

【図３】図１の塗布現像処理装置をインターフェイス部
側から見た側面図である。

【図４】図１の塗布現像処理装置に装備された受け渡し
台の説明図である。

【図５】図１の塗布現像処理装置に装備された第１搬送
装置の外観を示す斜視図である。

【図６】図１の受け渡し台の他の例を示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理装置 ２０ レジスト塗布装置群 ２１，２２，２３，２４ レジスト塗布装置 ３０ 現像処理装置群 ３１，３２，３３，３４ 現像処理装置 ４０ 受け渡し台 ５０ 第１搬送装置 ６０ 第２搬送装置 ７０ 第１冷却処理装置群 ８０ 第２冷却処理装置群 ９０ 第１加熱処理装置群 １００ 第２加熱処理装置群 Ｗ ウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｈ ５６４Ｃ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板にレジスト液を塗布するレジスト塗
   布装置と，基板に現像液を供給する現像処理装置と，基
   板を冷却する複数の冷却処理装置と，基板を加熱する複
   数の加熱処理装置と，基板を保持部材に保持させた状態
   で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であって，前記
   複数の冷却処理装置は多段に積み重ねられて冷却系処理
   装置をなし，前記複数の加熱処理装置は多段に積み重ね
   られて加熱系処理装置をなし，前記レジスト塗布装置近
   傍に前記冷却系処理装置が配置され，前記現像処理装置
   近傍に前記加熱系処理装置が配置され，前記レジスト塗
   布装置と現像処理装置との間に前記搬送装置が配置され
   たことを特徴とする，処理装置。
2. 【請求項２】 基板にレジスト液を塗布するレジスト塗
   布装置と，基板に現像液を供給する現像処理装置と，基
   板を冷却する複数の冷却処理装置と，基板を加熱する複
   数の加熱処理装置と，基板を保持部材に保持させた状態
   で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であって，前記
   複数の冷却処理装置は多段に積み重ねられて冷却系処理
   装置をなし，前記複数の加熱処理装置は多段に積み重ね
   られて加熱系処理装置をなし，前記レジスト塗布装置近
   傍に前記冷却系処理装置が配置され，前記現像処理装置
   近傍に前記加熱系処理装置が配置され，前記レジスト塗
   布装置と現像処理装置との間に前記搬送装置が配置さ
   れ，さらに前記搬送装置は，前記レジスト塗布装置及び
   冷却系処理装置に対して基板を搬送する第１搬送装置
   と，前記現像処理装置及び加熱系処理装置に対して基板
   を搬送する第２搬送装置とからなり，前記第１搬送装置
   と前記第２搬送装置との間には，基板を載置自在な受け
   渡し台が設けられ，前記第１搬送装置，第２搬送装置は
   この受け渡し台との間で基板を受け渡し自在であること
   を特徴とする，処理装置。
3. 【請求項３】 前記受け渡し台は，基板を載置する載置
   部を複数有することを特徴とする，請求項２に記載の処
   理装置。
4. 【請求項４】 前記受け渡し台は，基板に対して温度を
   調整する温度調節機構を有していることを特徴とする，
   請求項２又は３に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記第１搬送装置，第２搬送装置は，少
   なくとも垂直線を中心として回転自在な保持部材で基板
   を搬送する構成を有し，前記レジスト塗布装置及び冷却
   系処理装置は，第１搬送装置の径方向に配置され，前記
   現像処理装置及び加熱系処理装置は，第２搬送装置の径
   方向に配置されていることを特徴とする，請求項２，３
   又は４のいずれかに記載の処理装置。
6. 【請求項６】 前記レジスト塗布装置及び／又は冷却系
   処理装置は，第１搬送装置の径方向に少なくとも２以上
   配置され，前記現像処理装置及び／又は加熱系処理装置
   は，第２搬送装置の径方向に２以上配置されていること
   を特徴とする，請求項５に記載の処理装置。
7. 【請求項７】 少なくとも前記レジスト塗布装置又は現
   像処理装置は，多段に積み重ねられていることを特徴と
   する，請求項１，２，３，４，５又は６のいずれかに記
   載の処理装置。
8. 【請求項８】 前記基板を複数収納可能なカセットを載
   置可能なカセットステーションと，このカセットステー
   ションに設けられて前記カセットに対して前記基板を搬
   入出する搬入出機構とを有し，前記搬入出機構は，少な
   くとも冷却系処理装置又は加熱系処理装置に対して前記
   基板を搬送自在に構成されていることを特徴とする，請
   求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の
   処理装置。
9. 【請求項９】 基板に対して露光処理を行う露光装置と
   の間で前記基板を搬送するための搬送機構を有し，前記
   搬送機構は，少なくとも冷却系処理装置又は加熱系処理
   装置に対して前記基板を搬送自在に構成されていること
   を特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は
   ８のいずれかに記載の処理装置。