JP2024017881A - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】生産性の高い、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を湿式で行う湿式処理システムを含み露光装置に接続される基板処理システムを提供する。【解決手段】基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有し、露光装置と連結される湿式処理システム２と、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置を有する乾式処理システム３と、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間で基板を搬送する中継搬送システム４と、を備え、湿式処理システム２は、湿式処理システム２と前記露光装置との連結方向から視たときに、上面視で前記連結方向と垂直な奥行き方向の一方側から前記露光装置が突出するように、配設され乾式処理システム３は、湿式処理システム２の前記奥行き方向の前記一方側に隣接するように、配設されている、基板処理システムである。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
特許文献１は、基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、処理ステーションとカセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムが開示されている。処理ステーションと基板搬送機構との間には、カセット載置部と処理ステーションとの間で搬送される基板、及び処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられている。また、基板搬送機構は、カセット載置部と各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備えている。
特開２０１３－６９８７４号公報
本開示にかかる技術は、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を行う処理システムを含み露光装置に接続される基板処理システムであって生産性の高いシステムを提供する。
本開示の一態様は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有し、露光装置と連結される湿式処理システムと、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置を有する乾式処理システムと、前記湿式処理システムと前記乾式処理システムとの間で基板を搬送する中継搬送システムと、を備え、前記湿式処理システムは、当該湿式処理システムと前記露光装置との連結方向から視たときに、上面視で前記連結方向と垂直な奥行き方向の一方側から前記露光装置が突出するように、配設され前記乾式処理システムは、前記湿式処理システムの前記奥行き方向の前記一方側に隣接するように、配設されている、基板処理システムである。
本開示によれば、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を行う処理システムを含み露光装置に接続される基板処理システムであって生産性の高いシステムを提供することができる。
第１実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。 湿式処理システムの正面側の内部構成の概略を示す図である。 湿式処理システムの背面側の内部構成の概略を示す図である。 図１のウェハ処理システムの、受け渡しブロック部分での断面を概略的に示す図である。 乾式処理システムの他の例を示す図である。 湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。 湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。 湿式処理システムの他の例を示す図である。 湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。 湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。 第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。 第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの変形例を説明するための図である。 第３実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。 図１３のウェハ処理システムをカセットステーション側から視た様子を示す図である。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理には、例えば、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が含まれる。これらの処理のうち、レジスト膜形成処理及び現像処理は、それぞれの処理を行う基板処理装置を有する塗布現像システムで行われ、露光処理は露光装置で行われる。塗布現像システムは一般的に露光装置と直接連結されて用いられる。また、塗布現像システムでは、例えば、レジスト膜形成処理及び現像処理が、液体を用いて、すなわち湿式で行われる。
現像処理等を湿式で行う湿式塗布現像システムより露光装置の方が、上面視での塗布現像システムと露光装置との連結方向の長さすなわち奥行きが大きい場合等において、上記連結方向から視たときに、湿式塗布現像システムの奥側面から、露光装置が突出することがある。また、露光装置の奥側面と奥行き方向に隣接する領域は、当該露光装置のメンテナンス時に、メンテナンス用の装置が配置されるメンテナンス領域となっている。
従来、上述のように露光装置の方が奥行きが大きい場合、湿式塗布現像システムの奥側面と奥行き方向に隣接する空間であって、上記連結方向視における、湿式塗布現像システムの奥側面と上述のメンテナンス領域の奥側端との間の空間には、何ら装置等が配設されず、当該空間が無駄になることがあった。すなわち、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を湿式で行う湿式処理システムを含み露光装置に接続される従来の基板処理システムには、生産性の面で改善の余地がある。また、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理をガスを用いてすなわち乾式で行う乾式処理システムを含み露光装置に接続される基板処理システムについても、同様に、生産性の面で改善の余地がある。
そこで、本開示にかかる技術は、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を行う処理システムを含み露光装置に接続される基板処理システムであって生産性の高いシステムを提供する。
以下、本実施形態にかかる基板処理システム及び基板処理方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１実施形態）
＜塗布現像処理システム＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、後述の湿式処理システムの正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。図４は、図１のウェハ処理システムの、後述の受け渡しブロック部分での断面を概略的に示す図である。
図１のウェハ処理システム１は、湿式処理システム２と、乾式処理システム３と、中継搬送システム４と、を備える。
湿式処理システム２は、図１～図３に示すように、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、インターフェイスステーション１２とを備え、露光装置Ｅと連結される。露光装置Ｅは、基板としてのウェハＷに露光処理を行い、具体的には、ウェハＷに対して液浸法により露光処理を行う。湿式処理システム２において、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、インターフェイスステーション１２とは、一体に接続されている。
なお、以下では、湿式処理システム２と露光装置Ｅとの連結方向を幅方向といい、上面視で上記連結方向すなわち幅方向に垂直な方向を奥行き方向という。
湿式処理システム２のカセットステーション１０は、ウェハＷを複数収容可能に構成された収容容器であるカセットＣが搬入出されるものである。
カセットステーション１０は、例えば、幅方向一方側（図１等のＹ方向負側）の端部に、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０上には、複数、例えば４つの載置板２１が設けられている。載置板２１は奥行き方向（図１のＸ方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板２１には、湿式処理システム２の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
また、カセットステーション１０は、例えば、幅方向他方側（図１のＹ方向正側）に、ウェハＷを搬送する搬送装置２３が設けられている。搬送装置２３は、奥行き方向（図１のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アーム２３ａを有する。また、搬送装置２３の搬送アーム２３ａは、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向にも移動自在に構成されている。この搬送装置２３は、各載置板２１上のカセットＣと、後述の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１との間でウェハＷを搬送できる。
なお、カセットステーション１０は、カセット載置台２０の上方や、カセット載置台２０より露光装置Ｅから遠い部分（図１のＹ方向負側部分）に、カセットＣが載置されて貯留される貯留部（図示せず）が設けられていてもよい。
処理ステーション１１は、レジスト膜形成等の所定の処理を施す各種処理装置を複数備えるものである。
処理ステーション１１は、それぞれが各種装置を備えた複数（図の例では２つ）のブロックに分割されている。インターフェイスステーション１２側に処理ブロックＢＬ１を有し、カセットステーション１０側に受け渡しブロックＢＬ２を有する。
処理ブロックＢＬ１は、例えば、手前側（図１のＸ方向負側）に第１のブロックＧ１を有し、奥側（図１のＸ方向正側）に第２のブロックＧ２を有する。
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像装置３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３１が下からこの順に配置されている。現像装置３０は、湿式処理装置の一例である。湿式処理装置は、ウェハＷ上へのレジスト膜の形成処理から露光後のレジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理としてのウェハ処理を、すなわちフォトリソグラフィ用処理のいずれかのウェハ処理を、湿式で行う装置である。
例えば現像装置３０、レジスト塗布装置３１は、それぞれ幅方向（図のＹ方向）に４つ並べて配置されている。なお、これら現像装置３０、レジスト塗布装置３１の数や配置は、任意に選択できる。
これら現像装置３０、レジスト塗布装置３１では、例えばスピン塗布法でウェハＷ上に所定の処理液を塗布する。スピン塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０が鉛直方向（図の上下方向）と幅方向（図のＹ方向）に複数並べて設けられている。熱処理装置４０の数や配置についても、任意に選択できる。
また、処理ブロックＢＬ１は、図１に示すように、第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の部分に、幅方向に延びる搬送路Ｒ１が設けられている。処理ブロックＢＬ１では、この幅方向に延びる搬送路Ｒ１に沿って並ぶように、現像装置３０やレジスト塗布装置３１が複数配置されている。搬送路Ｒ１には、ウェハＷを搬送する搬送装置Ｒ２が配置されている。
搬送装置Ｒ２は、例えば幅方向（図１のＹ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ２ａを有している。搬送装置Ｒ２は、ウェハＷを保持した搬送アームＲ２ａをウェハ搬送領域Ｄ内で移動させ、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、後述の受け渡しタワー５０及び受け渡しタワー６０内の所定の装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送装置Ｒ２は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、受け渡しタワー５０、６０それぞれの同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。
また、搬送路Ｒ１には、受け渡しタワー５０と受け渡しタワー６０との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置Ｒ３が設けられている。
シャトル搬送装置Ｒ３は、支持したウェハＷをＹ方向に直線的に移動させ、同程度の高さの受け渡しタワー５０の装置と受け渡しタワー６０の装置との間でウェハＷを搬送できる。
受け渡しブロックＢＬ２は、図１に示すように、奥行き方向（図のＸ方向）中央部に、受け渡しタワー５０が設けられている。受け渡しタワー５０は、具体的には、受け渡しブロックＢＬ２における、処理ブロックＢＬ１の搬送路Ｒ１と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、設けられている。受け渡しタワー５０には、図３に示すように、複数の受け渡し装置５１が鉛直方向に重なるように設けられている。
インターフェイスステーション１２は、図１に示すように、処理ステーション１１と露光装置Ｅとの間に設けられ、これらの間でウェハＷの受け渡しを行うものである。
インターフェイスステーション１２における、処理ブロックＢＬ１の搬送路Ｒ１と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、受け渡しタワー６０が設けられている。受け渡しタワー６０には、図３に示すように、複数の受け渡し装置６１が鉛直方向に重なるように設けられている。
また、図１に示すように、インターフェイスステーション１２の手前側（図のＸ方向負側）と奥側（図のＸ方向正側）にはそれぞれ、露光後洗浄装置６２及び露光前洗浄装置６３が設けられている。露光後洗浄装置６２は、露光装置Ｅによる露光後にウェハＷを洗浄する。露光前洗浄装置６３は、レジスト膜が形成されたウェハＷを洗浄し、具体的には、当該ウェハＷの裏面を露光装置Ｅによる露光前に洗浄する。露光後洗浄装置６２は、例えば、図２に示すように、インターフェイスステーション１２の手前側において、鉛直方向（図の上下方向）に複数（図の例では３つ）並べて配置される。図示は省略するが、露光前洗浄装置６３は、インターフェイスステーション１２の奥側において、露光後洗浄装置６２と同様に、複数配置されている。露光後洗浄装置６２及び露光前洗浄装置６３の数や配置についても、任意に選択できる。
さらに、図１に示すように、インターフェイスステーション１２には、搬送装置Ｒ４～Ｒ６が設けられている。
搬送装置Ｒ４は、受け渡しタワー６０と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に設けられ、例えば、奥行き方向（図１のＸ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ４ａを有している。搬送装置Ｒ４は、搬送アームＲ４ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１及び露光装置Ｅの間でウェハＷを搬送できる。
搬送装置Ｒ５は、受け渡しタワー６０と露光後洗浄装置６２との間に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ５ａを有している。搬送装置Ｒ５は、搬送アームＲ５ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１及び複数の露光後洗浄装置６２の間でウェハＷを搬送できる。
搬送装置Ｒ６は、受け渡しタワー６０と露光前洗浄装置６３との間に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ６ａを有している。搬送装置Ｒ６は、搬送アームＲ６ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１及び複数の露光前洗浄装置６３の間でウェハＷを搬送できる。
さらに、処理ステーション１１の受け渡しブロックＢＬ２は、図１に示すように、奥側（図のＸ方向正側）の端部に、受け渡しタワー５２を有する。
受け渡しタワー５２は、図４に示すように、受け渡し装置５３を有する。受け渡しタワー５２において、受け渡し装置５３が鉛直方向（図４の上下方向）に複数重なるように設けられていてもよい。
また、受け渡しタワー５２は、ウェハを冷却する冷却装置５４を有していてもよい。
さらにまた、図１に示すように受け渡しブロックＢＬ２には搬送装置Ｒ７が設けられている。搬送装置Ｒ７は、受け渡しタワー５０と受け渡しタワー５２との間に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ７ａを有している。搬送装置Ｒ７は、搬送アームＲ７ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー５０の複数の受け渡し装置５１、受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置５３及び冷却装置５４の間でウェハＷを搬送できる。
乾式処理システム３は、図１に示すように、ロードロックステーション１００と、処理ステーション１０１とを有する。乾式処理システム３において、ロードロックステーション１００と処理ステーション１０１とは一体に接続されている。本例においては、ロードロックステーション１００と処理ステーション１０１との連結方向と、湿式処理システム２と露光装置Ｅとの連結方向とは、上面視で垂直である。
ロードロックステーション１００には、内部雰囲気を減圧雰囲気と大気圧雰囲気とで切り替え可能に構成されたロードロック装置１１０が設けられている。
処理ステーション１０１は、真空搬送室１２０と処理装置１２１を有する。
真空搬送室１２０は、密閉可能に構成された筐体からなり、その内部が減圧状態（真空状態）に保たれる。真空搬送室１２０は、例えば上面視において略多角形状（図の例では五角形）に形成されている。
処理装置１２１は、例えば処理ステーション１０１に複数（図の例では４つ）設けられる。処理ステーション１０１に設けられた処理装置１２１の少なくともいずれか１つは、乾式処理装置であり、湿式処理システム２の湿式処理装置と同種のウェハ処理を乾式で行い、具体的には、湿式処理システム２の現像装置３０が行う現像処理を乾式で行う。乾式とは、ガスを用いる方式であり、具体的には、減圧下でガスを用いる方式である。乾式処理はその処理目的となる作用を主にガスによって得るもので、湿式処理はその作用を主に液体によって得るものとも言える。
処理ステーション１０１において、真空搬送室１２０の外側には、複数の処理装置１２１、ロードロックステーション１００が、例えば、上面視で当該真空搬送室１２０の周囲を囲むように、すなわち、当該真空搬送室１２０の中心部を通る鉛直軸周りに並ぶように、配置されている。
また、真空搬送室１２０の内部には、ウェハＷを搬送する搬送装置１２２が設けられている。搬送装置１２２は、例えば鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アーム１２２ａを有している。搬送装置１２２は、搬送アーム１２２ａにウェハＷを保持して、複数の処理装置１２１及びロードロック装置１１０の間でウェハＷを搬送できる。
中継搬送システム４は、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間で、ウェハＷを搬送し、具体的には、ウェハ単位すなわち枚葉でウェハＷを搬送する。
この中継搬送システム４は、搬送路１３０が設けられており、搬送路１３０を介して、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間でウェハＷを搬送する。中継搬送システム４の搬送路１３０は、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０等を含む奥行き方向（図のＸ方向）に延びる搬送経路を構成する。当該搬送経路は、処理ブロックＢＬ１の搬送路Ｒ１を含む幅方向（図のＹ方向）に延びる搬送経路に対して上面視で垂直である。
本実施形態では、中継搬送システム４は、湿式処理システム２における処理ブロックＢＬ１より露光装置Ｅから離間した部分に接続され、具体的には、受け渡しブロックＢＬ２に接続されている。より具体的には、中継搬送システム４は、その搬送路１３０が、受け渡しブロックＢＬ２に接続されている。
搬送路１３０には、ウェハＷを搬送する搬送装置１３１が配置されている。
搬送装置１３１は、例えば鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アーム１３１ａを有している。搬送装置１３１は、搬送アーム１３１ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置５３、冷却装置５４及びロードロック装置１１０の間でウェハＷを搬送できる。
さらに、ウェハ処理システム１は、搬送装置の制御を含む当該ウェハ処理システム１の制御を行う制御装置５を有している。制御装置５は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理装置や各種搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理を制御するプログラムが格納されているなお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置５にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
ところで、露光装置Ｅが、例えば液浸露光用であるとき、湿式処理システム２より、露光装置Ｅの方が、奥行き方向（図のＸ方向）の長さすなわち奥行きが大きいことがある。このように露光装置Ｅの方が奥行きが大きい場合等においては、湿式処理システム２の奥側（図のＸ方向正側）から露光装置Ｅが奥側に突出するように、湿式処理システム２が配設される。ウェハ処理システム１でも同様に湿式処理システム２が配設される。そして、ウェハ処理システム１では、乾式処理システム３が、湿式処理システム２の奥側（図のＸ方向正側）と奥行き方向に隣接するように配設されている。具体的には、ウェハ処理システム１では、乾式処理システム３が、湿式処理システム２の奥側と、各種装置のメンテナンス時等に用いられる作業用通路を間に挟んで、奥行き方向に隣接している。
なお、露光装置Ｅには、当該露光装置Ｅの奥側（図のＸ方向正側）に、当該露光装置Ｅ用のメンテナンス領域ＭＡが設定される。
乾式処理システム３は、具体的には、その奥側（図のＸ方向正側）端が、露光装置Ｅ用のメンテナンス領域ＭＡの奥側（図のＸ方向正側）端より手前側（図のＸ方向負側）に位置するように、配設される。より具体的には、乾式処理システム３の奥側にも、乾式処理システム３用のメンテナンス領域が設定されるため、乾式処理システム３用のメンテナンス領域の奥側端が、露光装置Ｅ用のメンテナンス領域の奥側端より手前側に位置するように、乾式処理システム３は配設される。
露光装置Ｅ用のメンテナンス領域ＭＡの奥側（図のＸ方向正側）端は、例えば、露光装置Ｅのメンテナンスに用いられるクレーン用のレールＲＡの奥側（図のＸ方向正側）端を基準に設定され、より具体的には、レールＲＡの奥側端と一致する。レールＲＡは、例えば、ウェハ処理システム１が設置される工場内に常設される。
＜ウェハ処理の例１＞
次に、ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理の一例について説明する。
ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理では、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれかに選択的に搬送される。
本例では、１枚のウェハＷに対し行われる現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理のいずれか一方のみ行われる。すなわち、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれか１台にのみ搬送される。
湿式の現像処理のみが行われる場合は、ウェハ処理システム１のうち、乾式処理システム３は用いられずに、湿式処理システム２のみが用いられる。一方、乾式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、フォトリソグラフィ用処理のうち現像処理より前までの処理（露光処理を除く）が湿式処理システム２で行われた後、ウェハＷが、中継搬送システム４の搬送を介して乾式処理システム３に搬送され、乾式の現像処理が行われる。
以下、より具体的に説明する。
湿式と乾式の現像処理のいずれが行われる場合も、ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理では、まず、湿式処理システム２の搬送装置２３によって、カセット載置台２０上のカセットＣからウェハＷが取り出され、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。
次にウェハＷは、搬送装置Ｒ２によって処理ブロックＢＬ１の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、レジスト塗布装置３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、プリベーク（ＰＡＢ：Pre-Applied Bake）処理される。なお、プリベーク処理や後段のＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置４０は互いに異なる。
次にウェハＷは、インターフェイスステーション１２の受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。続いて、ウェハＷは、搬送装置Ｒ６によって、露光前洗浄装置６３に搬送され、ウェハＷの裏面が洗浄される。その後、ウェハＷは、受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。次に、ウェハＷは、搬送装置Ｒ４によって、露光装置Ｅに搬送され、液浸露光される。
液浸露光後、ウェハＷは、搬送装置Ｒ４によって、受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。次に、ウェハＷは、搬送装置Ｒ５によって、露光後洗浄装置６２に搬送され、洗浄される。その後、ウェハＷは、受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。
次いで、ウェハＷは、搬送装置Ｒ２によって、熱処理装置４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。
その後、ウェハＷに対し、湿式の現像処理または乾式の現像処理のいずれかが行われる。
湿式の現像処理が行われる場合は、ＰＥＢ処理後のウェハＷが、搬送装置Ｒ２によって、現像装置３０に搬送される。当該現像装置３０によって湿式の現像処理が行われた後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。その後、ウェハＷは、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。そして、ウェハＷは、搬送装置２３によって、カセット載置台２０上のカセットＣに戻される。
一方、乾式の現像処理が行われる場合は、ＰＥＢ処理後のウェハＷが、搬送装置Ｒ２によって、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。次に、ウェハＷは、搬送装置Ｒ７によって、受け渡しタワー５２の受け渡し装置５３に搬送される。続いて、ウェハＷは、中継搬送システム４の搬送装置１３１によって、搬送路１３０を介して、乾式処理システム３のロードロック装置１１０に搬送される。次いで、ロードロック装置１１０の内部が減圧された後、ウェハＷが、搬送装置１２２によって、所定の処理装置１２１に搬送され、乾式の現像処理が行われる。その後、ウェハＷは、ロードロック装置１１０に戻される。次いで、ロードロック装置１１０の内部が大気圧雰囲気に戻された後、ウェハＷが、中継搬送システム４の搬送装置１３１によって、搬送路１３０を介して、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５２の冷却装置５４に搬送され、略室温まで冷却される。その後、ウェハＷは、搬送装置Ｒ７によって、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。そして、ウェハＷは、搬送装置２３によって、カセット載置台２０上のカセットＣに戻される。
＜ウェハ処理の例２＞
上述のウェハ処理の例１では、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理とのうち、ウェハＷに対し行われるのはいずれか一方であった。ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理において、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は複数回でもよく、その場合、湿式の現像処理と乾式の現像処理との両方がウェハＷに対し行われてもよい。
例えば、現像処理の回数が２回の場合、１回目に湿式の現像処理が行われ、２回目に乾式の現像処理が行われてもよいし、また、その逆であってもよい。さらに、この場合、１回目の現像処理の前、１回目の現像処理と２回目の現像処理の間（すなわち湿式の現像処理と乾式の現像処理との間）または２回目の現像処理の後の少なくともいずれか１において、熱処理が行われてもよい。
具体的には、ウェハ処理システム１において、ウェハＷが、１回目の現像に対応した装置に搬送され湿式または乾式の現像処理のいずれか一方が行われ、その後、２回目の現像に対応した装置に中継搬送システム４の搬送路１３０を介して搬送され湿式又は乾式の現像処理のいずれか他方が行われるようにしてもよい。この場合、１回目の現像処理の前湿式の現像処理と乾式の現像処理との間または２回目の現像処理の後の少なくともいずれか１において、湿式処理システム２の熱処理装置４０で熱処理が行われてもよい。この熱処理が行われるか否かは目的に応じて選択され得る。
＜本実施形態の主な効果＞
ウェハ処理システム１では、上述のように、湿式処理システム２の奥側（図１のＸ方向正側）から露光装置Ｅが奥側に突出するように、湿式処理システム２が配設される。従来、湿式処理システム２がこのように配設される場合には、湿式処理システム２の奥側面と奥行き方向に隣接する空間であって、幅方向（図１のＹ方向）視における、湿式処理システム２の奥側面と露光装置用のメンテナンス領域ＭＡの奥側端との間の空間には、何ら装置等が配設されず無駄となっていた。それに対し、本実施形態では、上記空間に、乾式処理システム３を配設している。そして、当該乾式処理システム３と湿式処理システム２との間でウェハＷを搬送する中継搬送システム４を設け、湿式と乾式のフォトリソグラフィ用処理（具体的には現像処理）が選択的または続けて行われることを可能にしている。このように、ウェハ処理システム１は、従来無駄となっていた空間を有効活用して、湿式と乾式のフォトリソグラフィ用処理が選択的または続けて行われることを可能にしているため、生産性が高い。すなわち、本実施形態によれば、湿式処理システム２を含み露光装置Ｅに接続されるウェハ処理システム１であって生産性の高いシステムを提供することができる。
さらに、本実施形態では、露光処理を含む、レジストパターンを形成するための一連の処理として、湿式のフォトリソグラフィ用処理を含むものを行う場合も、乾式のフォトリソグラフィ用処理を含むものを行う場合も、ウェハＷはインラインで処理される。すなわち、ウェハＷは、ウェハ処理システム１内に搬入されたカセットＣ内から取り出され、上記一連の処理が施され、その後、ウェハ処理システム１外への搬出のためにカセットＣ内に戻されるまで、ウェハ処理システム１外に搬出されない。このようなインライン処理が可能なように、制御装置５では、上記一連の処理のためのウェハＷの搬送開始タイミング、上記一連の処理の各処理の完了タイミング、ウェハＷをカセットＣへ戻すタイミング等を管理している。そのため、制御装置５では、上記一連の処理が、湿式のフォトリソグラフィ用処理及び乾式のフォトリソグラフィ用処理のいずれを含む場合であっても、上記一連の処理の各処理の状況把握や、搬送タイミングの調整を容易に行うことができる。
また、本実施形態では、湿式処理システム２において、幅方向（図１のＹ方向）に延びる搬送路Ｒ１に沿って並ぶように、湿式の現像処理を行う現像装置３０が複数配置され、ウェハＷが、中継搬送システム４の搬送路１３０を含む、奥行き方向（図１のＸ方向）に延びる搬送経路を介して、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間で搬送される。すなわち、本実施形態では、露光装置Ｅに向かう搬送路Ｒ１に沿って湿式の現像処理を行う現像装置３０が並び、乾式の現像処理を行う場合は上記搬送路Ｒ１から当該搬送路Ｒ１に対し直角の方向にウェハＷが搬送される。そのため、湿式の現像処理を行う時も、乾式の現像処理を行う時も、ウェハＷの搬送経路がシンプルであるため、搬送効率が良い。
さらに、本実施形態では、中継搬送システム４の搬送路１３０は、その一端が乾式処理システム３に接続され、他端が、露光装置Ｅに直接接続されずに、一般的に露光装置Ｅに対して陽圧とされる湿式処理システム２を介して露光装置Ｅに接続されている。すなわち、乾式処理システム３と露光装置Ｅは、当該露光装置Ｅに対して陽圧の湿式処理システム２を介して互いに接続されている。乾式処理システム３において乾式の現像処理等に腐食性ガスが用いられる場合があるため、乾式処理システム３と露光装置Ｅを上述のように互いに接続することで、腐食性ガスが露光装置Ｅに進入するのを抑制することができる。
＜乾式処理システムの他の例＞
図５は、乾式処理システムの他の例を示す図である。
乾式処理システムの構成は図１等に示した例に限られない。例えば、図５の乾式処理システム３Ａのように、真空搬送室１２０Ａが、ロードロックステーション１００と処理ステーション１０１Ａの連結方向に長い上面視矩形状に形成されていてもよい。この場合等においては、上記連結方向に沿って、複数の処理装置１２１が並ぶように配置されていてもよい。この場合、搬送装置１２２Ａの搬送アーム１２２Ａａは、例えば上記連結方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在に構成される。
また、ロードロックステーション１００と処理ステーション１０１Ａとの連結方向と、湿式処理システム２と露光装置Ｅとの連結方向は上面視で平行であってもよい。図１等に示した乾式処理システム３でも同様である。
以上の例では、乾式の現像処理後のウェハＷを冷却する冷却装置が、湿式処理システム２に設けられていたが、上記冷却装置は、乾式処理システムに設けられていてもよい。乾式処理システムに設けられる場合、上記冷却装置は、例えばロードロック装置１１０に接続されるよう配置される。
また、以上の例では、ＰＥＢ処理は、湿式処理システム２で行われていたが、乾式処理システムで行われてもよい。この場合、ＰＥＢ処理は、処理装置１２１で行われてもよいし、処理装置１２１とは別に設けられた加熱装置で行われてもよい。
さらに、乾式の現像処理に腐食性ガスを用いる場合、乾式処理システムに、乾式の現像処理時にウェハＷへ付着した腐食性ガスを加熱により除去する加熱装置を設けてもよい。この種の加熱装置は、湿式処理システム２に設けることも可能であるが、乾式処理システムに設けることにより、湿式処理システム２が腐食性ガスによりダメージを受けるのを抑制することができる。
＜湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例１＞
図６及び図７は、湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。
以上の例では、受け渡しブロックＢＬ２という、湿式処理システム２における処理ブロックＢＬ１より露光装置Ｅから離れた部分に中継搬送システム４が接続されていた。それに対し、図６及び図７の例では、湿式処理システム２Ａに対する中継搬送システム４Ａの接続部分が、処理ブロックＢＬ１より露光装置Ｅから離れた部分ではあるが、受け渡しブロックＢＬ２ではなく、カセットステーション１０である。具体的には、湿式処理システム２Ａに対する中継搬送システム４Ａの搬送路１３０Ａの接続部分が、カセットステーション１０の処理ステーション１１側（図６のＹ方向正側）の部分である。
この例では、受け渡しブロックＢＬ２Ａから受け渡しタワー５２（図１参照）が省略され、代わりに、受け渡しボックス２４が、カセットステーション１０の処理ステーション１１側であって奥側（図６のＸ方向正側）の端部に設けられる。受け渡しボックス２４は、例えば図７に示すように、複数の受け渡し装置２５を有する。受け渡しボックス２４は冷却装置を有していてもよい。また、この例では、カセットステーション１０の搬送装置２３は、受け渡し装置２５に対するウェハＷの搬送も行うことができる。
さらに、この例では、中継搬送システム４Ａの搬送路１３０Ａに配置された搬送装置１３１Ａは、搬送アーム１３１ＡａにウェハＷを保持して、受け渡しボックス２４の受け渡し装置２５及びロードロック装置１１０の間でウェハＷを搬送できる。
なお、カセットステーション１０の下部は、処理ブロックＢＬ１等で用いられる処理液を貯留する液ボトルが収容されるケミカル室ＣＨとなる。本例の場合は、中継搬送システム４Ａを、ケミカル室ＣＨより高い位置に配設してもよい。これにより、上述の液ボトルの交換等のケミカル室に対する作業者による作業が、中継搬送システム４Ａによって妨げられるのを抑制することができる。
＜湿式処理システムの他の例＞
図８は、湿式処理システムの他の例を示す図である。
以上の例では、湿式処理システム２、２Ａの処理ステーション１１の処理ブロックＢＬ１の数は１つであった。それに対し、図８の湿式処理システム２Ｂでは、処理ステーション１１Ａに、幅方向（図のＹ方向）に沿って、２つの処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４をカセットステーション１０側から順に有する。
処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、図１等に示した処理ブロックＢＬ１と略同様に構成される。具体的には、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、例えば、手前側
（図８のＸ方向負側）に、現像装置３０及びレジスト塗布装置３１がそれぞれ幅方向（図のＹ方向）に沿って複数（例えば２つ）並べて配置されている。また、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、例えば奥側（図８のＹ方向正側）に、熱処理装置４０が鉛直方向と幅方向（図のＹ方向）に複数並べて設けられている。
なお、処理ブロックＢＬ３と処理ブロックＢＬ４とで、幅方向に並ぶ現像装置３０の数は同じであっても異なっていてもよい。レジスト塗布装置３１及び熱処理装置４０についても同様である。
また、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４は、現像装置３０等の液処理装置が設けられる部分と熱処理装置４０が設けられる部分との間の部分に、幅方向に延びる搬送路Ｒ８、Ｒ９が設けられている。処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４では、この幅方向に延びる搬送路Ｒ８、Ｒ９に沿って並ぶように、現像装置３０やレジスト塗布装置３１が複数配置されている。搬送路Ｒ８、Ｒ９にはそれぞれ、ウェハＷを搬送する搬送装置Ｒ１０、Ｒ１１が配置されている。
搬送装置Ｒ１０は、周囲の液処理装置、熱処理装置４０、受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１及び後述の受け渡しタワー５５の受け渡し装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送装置Ｒ１１は、周囲の液処理装置、熱処理装置４０、後述の受け渡しタワー５５の受け渡し装置及び受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に、ウェハＷを搬送できる。
さらに、処理ステーション１１Ａは、処理ブロックＢＬ３と処理ブロックＢＬ４との間に、中継ブロックＢＬ５を有する。
中継ブロックＢＬ５は、奥行き方向（図のＸ方向）中央部に、受け渡しタワー５５が設けられている。受け渡しタワー５５は、具体的には、受け渡しブロックＢＬ２において、処理ブロックＢＬ３の搬送路Ｒ８と処理ブロックＢＬ４の搬送路Ｒ９との間となる部分に、設けられている。受け渡しタワー５５には、複数の受け渡し装置（図示せず）が鉛直方向に重なるように設けられている。
この例の場合、中継ブロックＢＬ５に中継搬送システム４Ｂが接続されていてもよく、具体的には、中継ブロックＢＬ５に中継搬送システム４Ｂの搬送路１３０Ｂが接続されていてもよい。言い換えると、中継搬送システム４Ｂの搬送路１３０Ｂが、湿式処理システム２Ｂにおける処理ブロックＢＬ４より露光装置Ｅから離れた部分に接続される場合、当該部分より露光装置Ｅから離れた部分に、他の処理ブロックＢＬ３が存在してもよい。
中継ブロックＢＬ５に中継搬送システム４が接続される場合、受け渡しブロックＢＬ２Ａから受け渡しタワー５２（図１参照）が省略され、代わりに、受け渡しタワー５６が、中継ブロックＢＬ５の奥側（図８のＸ方向正側）の端部に設けられる。受け渡しタワー５６には、複数の受け渡し装置（図示せず）が鉛直方向に重なるように設けられている。受け渡しタワー５６は冷却装置を有していてもよい。また、この例では、中継ブロックＢＬ５の受け渡しタワー５５と受け渡しタワー５６との間には、搬送装置Ｒ１２が配置される。搬送装置Ｒ１２は、受け渡しタワー５５の複数の受け渡し装置及び受け渡しタワー５６の複数の受け渡し装置の間で、ウェハＷを搬送できる。
さらに、この例では、中継搬送システム４Ｂの搬送路１３０Ｂに配置された搬送装置１３１Ｂは、搬送アーム１３１ＢａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー５６の受け渡し装置及びロードロック装置１１０の間でウェハＷを搬送できる。
＜湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例２＞
図９及び図１０は、湿式処理システムに対する中継搬送システムの接続部分の他の例を示す図である。
図９及び図１０に示すように、湿式処理システム２Ｃに対する中継搬送システム４Ｃの接続部分が、インターフェイスステーション１２Ａであってもよい。具体的には、湿式処理システム２Ｃに対する中継搬送システム４Ｃの搬送路１３０Ｃの接続部分が、インターフェイスステーション１２Ａであってもよい。
この例では、受け渡し装置６４が、インターフェイスステーション１２Ａの奥側（図９及び図１０のＸ方向正側）の端部に設けられる。受け渡し装置６４は、例えば図１０に示すように、露光前洗浄装置６３の上方に設けられる。なお、この例では、インターフェイスステーション１２の搬送装置Ｒ６は、受け渡し装置６４に対するウェハＷの搬送も行うことができる。
さらに、この例では、図９に示すように、中継搬送システム４Ｃにおける奥行き方向（図のＸ方向）に延びる搬送路１３０Ｃには、上面視で、奥行き方向に沿ってインターフェイスステーション１２側から順に、シャトル搬送装置１３２、受け渡し装置１３３、搬送装置１３４が設けられている。
シャトル搬送装置１３２及び受け渡し装置１３３は、図１０に示すように、インターフェイスステーション１２Ａの受け渡し装置６４と同じ高さに設けられており、シャトル搬送装置１３２は、受け渡し装置１３３と受け渡し装置６４との間でウェハＷを搬送する。
搬送装置１３４は、受け渡し装置１３３と、乾式処理システム３Ａのロードロック装置１１０との間でウェハＷを搬送できる。
中継搬送システム４Ｃは、上述のように構成されるため、その手前側（図１０のＸ方向負側）における、露光前洗浄装置６３に対応する部分が、空いたスペースとなっている。したがって、露光前洗浄装置６３に対する作業者による作業（例えばメンテナンス作業）が、中継搬送システム４Ｃによって妨げられるのを抑制することができる。
なお、この例での乾式処理システムは、図９に示したような例に限られず、例えば、図１の乾式処理システム３のように構成されていてもよい。
（第２実施形態）
図１１は、第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
図１等を用いて説明した第１実施形態では、中継搬送システムが有する搬送路が１つであった。それに対し、本実施形態では、図１１に示すように、中継搬送システム４Ｄが、湿式処理システム２から乾式処理システム３へウェハＷを搬送するための搬送往路１３５と、乾式処理システム３から湿式処理システム２へウェハＷを搬送するための搬送復路１３６の２つの搬送路を有する。
搬送往路１３５は、例えば、湿式処理システム２Ｄの処理ステーション１１Ａの中継ブロックＢＬ５に接続されている。また、搬送往路１３５には、搬送装置１３７が配置される。搬送装置１３７は、中継ブロックＢＬ５の受け渡しタワー５６の複数の受け渡し装置及び乾式処理システム３Ｂのロードロック装置１１０の間でウェハＷを搬送できる。
搬送復路１３６は、例えば、湿式処理システム２Ｄの処理ステーション１１Ａの受け渡しブロックＢＬ２Ａに接続されている。また、搬送復路１３６には、搬送装置１３８が配置される。搬送装置１３８は、受け渡しブロックＢＬ２Ａの受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置５３、冷却装置５４及び乾式処理システム３Ｂの後述のロードロック装置１２３の間でウェハＷを搬送できる。
本実施形態の場合、乾式処理システム３Ｂは、乾式の現像処理が行われる前のウェハＷが通過するロードロック装置１１０の他、乾式の現像処理が行われた後のウェハＷが通過するロードロック装置１２３を有する。
ロードロック装置１１０は、乾式処理システム３Ｂのロードロックステーション１００に設けられ、中継搬送システム４Ｄの搬送往路１３５の奥側（図のＸ方向正側）に隣接するように配置される。それに対し、ロードロック装置１２３は、乾式処理システム３Ｂの処理ステーション１０１Ｂに設けられ、処理ステーション１０１Ｂの真空搬送室１２０Ａと中継搬送システム４Ｄの搬送復路１３６との間に配置される。言い換えると、ロードロック装置１２３は、真空搬送室１２０Ａの手前側（図のＸ方向負側）に隣接し且つ中継搬送システム４の搬送復路１３６の奥側（図のＸ方向正側）に隣接するように、配置される。この例の場合、真空搬送室１２０Ａ内の搬送装置１２２Ａは、ロードロック装置１２３にもウェハＷを搬送できる。
本実施形態では、第１実施形態の前述した主な効果と同じ効果が得られる。さらに、本実施形態では、湿式処理システム２Ｄから乾式処理システム３Ｂへの搬送に関与する湿式処理システム２Ｄ内の搬送装置と、乾式処理システム３Ｂから湿式処理システムへの搬送に関与する湿式処理システム２Ｄ内の搬送装置とが異なる。そのため、湿式処理システムでの処理の生産効率が高い。また、別々のウェハＷに対する湿式の現像処理と乾式の現像処理の並行処理の効率も高い。
＜第２実施形態の変形例＞
図１２は、第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの変形例を説明するための図である。
図１１の例では、中継搬送システム４Ｄの搬送往路１３５が湿式処理システム２Ｄの処理ステーション１１Ａの中継ブロックＢＬ５に接続されている。ただし、図１２に示すように、搬送往路１３５Ａは、図９に示した搬送路１３０ｃと同様、湿式処理システム２Ｅのインターフェイスステーション１２Ａに接続されてもよい。
この場合、搬送往路１３５には、例えば、図９に示した搬送路１３０Ｃと同様、シャトル搬送装置１３２、受け渡し装置１３３、搬送装置１３４が設けられる。
（第３実施形態）
図１３は、第３実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図１４は、図１３のウェハ処理システムをカセットステーション側から視た様子を示す図である。
第１実施形態及び第２実施形態では、中継搬送システムがウェハ単位でウェハＷを搬送していた。それに対し、本実施形態では、図１３及び図１４中継搬送システム４Ｅが、カセットＣ単位でウェハＷを搬送する。具体的には、図１３及び図１４中継搬送システム４Ｅが、湿式処理システム２Ｆと乾式処理システム３Ｃの間でのウェハＷの搬送を、カセットＣ単位で行う。湿式処理システム２Ｆ内の一部の処理を行った後で乾式処理システム３Ｃ内の処理を行う場合、ウェハＷは、例えば、湿式処理システム２Ｆの実施対象の処理が完了した後に、湿式処理システム２Ｆのカセット載置台２０上のカセットＣ内に格納される。その後、ウェハＷは、乾式処理システム３ＣへカセットＣ単位で搬送され、乾式処理システム３内の処理が行われる。乾式処理システム３内の処理の完了後、ウェハＷは、例えば、カセットＣ単位で湿式処理システム２Ｆに戻される。
中継搬送システム４Ｅは、例えば、図１３に示すように、奥行き方向（図のＸ方向）に延びる搬送領域１４０を有し、当該搬送領域１４０に搬送装置１４１が設けられている。搬送装置１４１は、図１４に示すように、カセットＣを保持可能に構成された多関節アーム１４２と、多関節アーム１４２が鉛直方向に移動可能に支持する柱部１４３と、柱部１４３を奥行き方向（図のＸ方向）に移動可能に支持するレール１４４と、を有する。レール１４４は、奥行き方向（図のＸ方向）に沿って延びるように設けられている。
本実施形態の場合、乾式処理システム３Ｃは、ロードロックステーション１００の処理ステーション１０１と反対側に、カセットＣが搬入出されるカセットステーション１５０を有する。
カセットステーション１５０は、例えば、幅方向一方側（図１３のＹ方向負側）の端部に、カセット載置台１５１が設けられている。カセット載置台１５１上には、複数、例えば２つの載置板１５２が設けられている。載置板１５２は奥行き方向（図１のＸ方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板１５２には、乾式処理システム３Ｃの外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。
また、カセットステーション１５０は、例えば、幅方向他方側（図１のＹ方向正側）に、ウェハＷを搬送する搬送装置１６０が設けられている。搬送装置１６０は、各載置板１５２上のカセットＣと、ロードロック装置１１０との間でウェハＷを搬送できる。
なお、この例での乾式処理システムも、図１３及び図１４に示したような例に限られない。例えば、乾式処理システムは、図１の乾式処理システム３のロードロックステーション１００における処理ステーション１０１と反対側の位置に、カセットステーション１５０またはそれに相当するものが接続されたものでもよい。
＜その他の変形例＞
以上の例では、湿式処理システムによって湿式で行われ乾式処理システムによって乾式で行われる処理は、現像処理であるものとしたが、フォトリソグラフィ用処理であればよく、例えば、レジスト膜等のフォトリスグラフィ用の膜の形成処理やウェハＷの洗浄処理であってもよい。
また、以上の例では、ウェハＷが、湿式処理システムでの処理の後に、乾式処理システムへ搬入されて乾式処理が完了した後、再び湿式処理システム内へ戻るように搬入され、処理工程が完了していた。だが、この例に限られず、例えば、ウェハＷに対する乾式処理システム内での乾式処理が完了した後、ウェハＷを湿式処理システム内に搬入することなく、乾式処理システムに載置されたカセットへ格納して、ウェハＷを外部へ搬出するための準備を完了してもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有し、露光装置と連結される湿式処理システムと、
前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置を有する乾式処理システムと、
前記湿式処理システムと前記乾式処理システムとの間で基板を搬送する中継搬送システムと、を備え、
前記湿式処理システムは、当該湿式処理システムと前記露光装置との連結方向から視たときに、上面視で前記連結方向と垂直な奥行き方向の一方側から前記露光装置が突出するように、配設され、
前記乾式処理システムは、前記湿式処理システムの前記奥行き方向の前記一方側に隣接するように、配設されている、基板処理システム。
（２）前記湿式処理システムにおいて、前記連結方向に延びる搬送路に沿って並ぶように、前記湿式処理装置が複数配置され、
基板は、前記中継搬送システムの搬送路を含む、前記奥行き方向に延びる搬送経路を介して、前記湿式処理システムと前記乾式処理システムとの間で搬送される、前記（１）に記載の基板処理システム。
（３）前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムにおける、前記湿式処理装置を含む処理ブロックより前記露光装置から離間した部分に接続されている、前記（１）または（２）に記載の基板処理システム。
（４）前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムにおける、前記湿式処理装置を含む処理ブロックより前記露光装置に近い部分に接続されている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（５）前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムから前記乾式処理システムへ基板を搬送するための搬送往路と、前記乾式処理システムから前記湿式処理システムへ基板を搬送するための搬送復路と、を含み、
前記搬送往路と前記搬送復路とで、前記湿式処理システムの異なる部分に接続されている、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（６）前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムから前記乾式処理システムへ基板を搬送するための搬送往路と、前記乾式処理システムから前記湿式処理システムへ基板を搬送するための復路搬送復路と、を含み、
前記搬送往路と前記搬送復路とで、前記湿式処理システムの異なる部分に接続されている、前記（４）に記載の基板処理システム。
（７）前記搬送復路は、前記湿式処理システムにおける、前記処理ブロックより前記露光装置から離間した部分に接続されている、前記（６）に記載の基板処理システム。
（８）前記中継搬送システムは、基板を複数収容可能に構成された収容容器単位で基板を搬送する、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（９）前記中継搬送システムの搬送路は、一端が前記湿式処理システムに接続され、他端が前記露光装置に直接接続されずに前記湿式処理システムを介して前記露光装置に接続されている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（１０）基板処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有する湿式処理システムと、前記湿式処理装置と同種の処理を乾式で行う乾式処理装置を有する緩式処理システムとが、隣接して配設されており、
基板を、湿式処理装置と乾式処理装置のいずれかに選択的に搬送する、基板処理方法。
１ ウェハ処理システム
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ、２Ｆ 湿式処理システム
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ 乾式処理システム
４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ 中継搬送システム
３０ 現像装置
１２１ 処理装置
Ｗ ウェハ

Claims (10)

  1. 基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有し、露光装置と連結される湿式処理システムと、
    前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置を有する乾式処理システムと、
    前記湿式処理システムと前記乾式処理システムとの間で基板を搬送する中継搬送システムと、を備え、
    前記湿式処理システムは、当該湿式処理システムと前記露光装置との連結方向から視たときに、上面視で前記連結方向と垂直な奥行き方向の一方側から前記露光装置が突出するように、配設され、
    前記乾式処理システムは、前記湿式処理システムの前記奥行き方向の前記一方側に隣接するように、配設されている、基板処理システム。
  2. 前記湿式処理システムにおいて、前記連結方向に延びる搬送路に沿って並ぶように、前記湿式処理装置が複数配置され、
    基板は、前記中継搬送システムの搬送路を含む、前記奥行き方向に延びる搬送経路を介して、前記湿式処理システムと前記乾式処理システムとの間で搬送される、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムにおける、前記湿式処理装置を含む処理ブロックより前記露光装置から離間した部分に接続されている、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  4. 前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムにおける、前記湿式処理装置を含む処理ブロックより前記露光装置に近い部分に接続されている、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  5. 前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムから前記乾式処理システムへ基板を搬送するための搬送往路と、前記乾式処理システムから前記湿式処理システムへ基板を搬送するための搬送復路と、を含み、
    前記搬送往路と前記搬送復路とで、前記湿式処理システムの異なる部分に接続されている、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  6. 前記中継搬送システムは、前記湿式処理システムから前記乾式処理システムへ基板を搬送するための搬送往路と、前記乾式処理システムから前記湿式処理システムへ基板を搬送するための搬送復路と、を含み、
    前記搬送往路と前記搬送復路とで、前記湿式処理システムの異なる部分に接続されている、請求項４に記載の基板処理システム。
  7. 前記搬送復路は、前記湿式処理システムにおける、前記処理ブロックより前記露光装置から離間した部分に接続されている、請求項６に記載の基板処理システム。
  8. 前記中継搬送システムは、基板を複数収容可能に構成された収容容器単位で基板を搬送する、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  9. 前記中継搬送システムの搬送路は、一端が前記湿式処理システムに接続され、他端が前記露光装置に直接接続されずに前記湿式処理システムを介して前記露光装置に接続されている、請求項１または２に記載の基板処理システム。
  10. 基板処理を行う基板処理方法であって、
    前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
    前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置を有する湿式処理システムと、前記湿式処理装置と同種の処理を乾式で行う乾式処理装置を有する緩式処理システムとが、隣接して配設されており、
    基板を、湿式処理装置と乾式処理装置のいずれかに選択的に搬送する、基板処理方法。
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