TWI457724B - 整合之曝光後烘烤軌 - Google Patents

Description

整合之曝光後烘烤軌

本發明大體係關於半導體製造處理。更具體而言，本發明係關於光微影晶圓系統。

在半導體處理中，使用具有許多處理步驟之處理配方而在清潔室環境中之半導體基板上製造特徵。通常在處理半導體基板中使用叢集系統，叢集系統整合許多處理腔室以執行順次處理步驟而不自高度受控處理環境移除基板。

半導體積體電路之製造中所使用的許多光微影叢集系統當前併有整合式晶圓軌及光微影系統。晶圓微影叢集內之各種模組執行某些功能，包括藉由被稱作光阻或抗蝕劑之感光膜來塗覆下伏半導體晶圓基板。在當前軌系統中，微影工具通常直接連接至照顧輸入處理(例如，施加抗蝕劑)以及輸出處理(例如，曝光後烘烤/冷卻及顯影)之軌。

電子裝置製造商通常花費大量時間來設法最佳化處理序列及腔室處理時間，以在給定叢集工具架構限制及腔室處理時間之情況下達成可能的最大基板產出量。一般而言，最長處理配方步驟通常限制處理序列之產出量。

此外，某些處理步驟具有嚴格的時間變化需求。兩個該等例示性處理步驟包括曝光後烘烤(PEB)步驟及PEB後冷卻步驟。PEB步驟用以在曝光之後即刻加熱基板，以刺激光敏性化合物之擴散及減少光阻層中駐波之效應。PEB後冷卻步驟通常將在PEB步驟之後的基板冷卻至在周圍溫度 下或附近之溫度，以確保基板在界定溫度下，且通常經控制成使得每一基板經歷相同時間溫度剖面以最小化處理可變性。PEB步驟通常必須緊密地鏈接至微影步驟，因為微影步驟之曝光處理與PEB步驟之間的時序變化影響最終產品之臨界尺寸均一性(CDU)。

類似地，輸入或輸出分支上之最慢晶圓決定軌中每一批量(亦即，待以同一方式處理之晶圓群)之處理時間。舉例而言，在一些情況下，若快速批量後接著緩慢批量(其後接著快速批量)，則批量中之每一者將自緩慢批量進入軌之時間起以緩慢批量之速度運行，直到緩慢批量離開軌為止。類似地，在一些其他情況下，軌圍繞最慢批量而排程。結果，軌使快速批量正常地運行，此接受：緩慢批量將(部分地)騰空軌。此後，軌等待開始快速批量，直到緩慢批量將不停止隨後快速批量之晶圓為止。在任一情形下，整個軌微影叢集之產出量減少。

本文描述晶圓處理系統。在一實施例中，晶圓處理系統包括：微影工具；區域軌，區域軌與微影工具連接；轉移裝置處置器，轉移裝置處置器用以處置轉移裝置且將晶圓自轉移裝置轉移至微影工具及/或區域軌/將晶圓自微影工具及/或區域軌轉移至轉移裝置；介面單元，介面單元用以在轉移裝置與微影工具及/或區域軌之間轉移晶圓；及控制器，控制器用以排程微影工具、區域軌、介面單元及轉移裝置處置器中之處理。 轉移裝置處置器可手動地或自動地處置轉移裝置。

區域軌可執行選自由下列組成之群的處理步驟：溫度穩定化、檢驗、乾燥(在曝光之後)、曝光後烘烤、冷卻及其組合。應瞭解，區域軌亦可執行不同及/或額外處理步驟，包括(例如)顯影步驟。

介面單元可將微影工具與區域軌連接。

介面單元可將轉移裝置與微影工具及區域軌中之任一者或兩者連接。

轉移裝置可將遠距軌與微影工具及區域軌中之任一者或兩者連接。

轉移裝置可為前開式通用晶圓盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)、開放式晶圓匣(open cassette)或標準機械介面(SMIF)晶圓盒。

本文亦描述一種用於處理晶圓之方法。在一實施例中，方法包括：在轉移裝置與微影工具之間轉移晶圓；在微影工具與連接至微影工具之區域軌之間轉移晶圓；及在區域軌與轉移裝置之間轉移晶圓。

方法亦可包括選自由下列組成之群的一或多者：在區域軌中使晶圓之溫度穩定化、乾燥(在曝光之後)晶圓、曝光後烘烤及冷卻。

方法亦可包括排程晶圓之轉移及處理。

本文亦揭示一種組合式曝光後烘烤及冷卻單元。在一實施例中，組合式曝光後烘烤及冷卻單元包括：外罩，外罩具有具備第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備第 二長度之第三相反側及第四相反側，第一長度大於第二長度，外罩在第一相反側中具有開口以收納晶圓；烘烤單元，烘烤單元在外罩中；及冷卻單元，冷卻單元在外罩中。

冷卻單元可包括夾具。

烘烤單元可隔離於外罩內。

機械臂亦可提供於外罩中以在外罩內轉移晶圓。

本文亦描述一種用於晶圓處理系統之介面。在一實施例中，介面包括：機械臂，機械臂用以輸送晶圓；複數個外罩，複數個外罩圍繞機械臂而配置，每一外罩具有具備第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備第二長度之第三相反側及第四相反側，第一長度等於或大於第二長度，外罩在第一相反側中具有開口以收納晶圓，開口面向機械臂，複數個外罩中之至少一者為整合式烘烤及冷卻單元。

介面可包括用以轉移晶圓之複數個機械臂，複數個外罩圍繞複數個機械臂中之至少一者而配置。

複數個外罩中之至少一者可為浸泡單元。

機械臂可自微影工具收集晶圓且將晶圓轉移至整合式烘烤及冷卻單元。

機械臂可在微影工具、浸泡單元與整合式烘烤及冷卻單元之間轉移晶圓。

介面亦可包括圍繞機械臂而配置之複數個第二外罩，每一第二外罩具有具備第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備第二長度之第三相反側及第四相反側，第一長 度大於第二長度，外罩在第三相反側中具有開口以收納晶圓，開口面向機械臂。

介面可包括複數個機械臂，其中複數個第二外罩圍繞複數個機械臂中之至少一者而配置。

介面亦可包括單獨機械臂以將晶圓自連接至整合式軌之外部介面轉移至曝光單元。

參看隨附圖式而藉由實例來描述本發明。

本發明揭示用於處理晶圓之系統及方法。例示性系統包括：微影工具；與微影工具連接之區域軌；用以自轉移裝置處置器轉移晶圓及將晶圓轉移至轉移裝置處置器之轉移裝置；用以處置轉移裝置之轉移裝置處置器；用以在轉移裝置與微影工具及/或區域軌之間轉移晶圓之介面單元；及用以排程微影工具、區域軌及介面單元中之處理的控制器。結果，關鍵性的處理可更接近地定位在一起及/或微影工具之效能可獨立於抗蝕劑及顯影處理(其為與該微影工具相關聯之一遠距軌)。

本發明亦揭示一種組合式曝光後烘烤及冷卻單元。例示性組合式曝光後烘烤及冷卻單元包括在較長側中具有開口以收納及提供晶圓之外罩，及在該外罩中之烘烤單元及冷卻單元。

本發明亦揭示一種用於晶圓處理系統之介面。例示性介面包括複數個外罩，其圍繞在外罩當中轉移晶圓之一或多個機械臂而配置，其中複數個外罩中之至少一者為整合式 烘烤及冷卻單元。結果，PEB步驟可緊密地耦接至曝光單元以更好地控制PEB之時序，此導致更好的CDU控制。該介面亦解決常見於軌介面處之各種時序衝突。此外，可增加輸出路徑上之緩衝，其能緩解PEB軌之排程與轉移裝置之排程間的緊密耦接。此外，允許單獨塗覆及顯影方案。

隨附圖式之圖1展示晶圓微影叢集10。晶圓微影叢集10可併有複數個處理步驟，包括(例如)抗蝕劑塗覆、曝光前及曝光後烘烤、曝光、顯影、清潔、冷卻、預調節等等中之一或多者。

晶圓微影叢集10包括微影工具12、區域軌段14、介面單元16，及遠距軌段18。在一實施例中，晶圓微影叢集10亦包括一或多個轉移裝置20。叢集10亦包括轉移裝置處置器21。

在一實施例中，區域軌段14直接連接至微影工具12。亦即，可將晶圓自微影工具12直接轉移至區域軌段14。

在一實施例中，區域軌段14包括鏈接至微影處理之時間關鍵性步驟。時間關鍵性步驟為具有嚴格時間變化需求之彼等處理。在一實施例中，時間關鍵性步驟為歸因於對最終產品之CDU影響而緊密地鏈接的步驟。區域軌段14中所包括之例示性處理包括(但不限於)(例如)檢驗、溫度穩定化、乾燥(在曝光之後)、曝光後烘烤、冷卻及其組合。在一實施例中，區域軌14為曝光後烘烤軌。在一實施例中，區域軌14為用於晶圓自轉移裝置處置器至微影工具12或自微影工具12至轉移裝置處置器之轉移路徑。

如圖1所說明，遠距軌段18亦可與區域軌段14分離。遠距軌段18可分裂成多個單元。

在一實施例中，介面單元16將晶圓自轉移裝置轉移至微影工具12及/或區域軌段14且返回。介面單元16亦可用以自轉移裝置20轉移晶圓及將晶圓轉移至轉移裝置20。轉移裝置20可為置放有晶圓以用於轉移之盒或匣。

在一實施例中，介面單元16包括用於在微影工具12與區域軌段14之間轉移晶圓之一或多個機械臂(未圖示)。一或多個機械臂通常各自包括致動機構及一或多個晶圓固持器。

在一實施例中，介面單元16包括一或多個轉移裝置處置器。轉移裝置處置器可為自動的或手動的。一或多個機械臂可用以自轉移裝置拾取晶圓且將其攜帶至系統中及將其攜帶回至轉移裝置中。

介面單元16可為熟習此項技術者已知之用於轉移及處理晶圓的任何分度器。介面單元16可為可移動的。

轉移裝置20可用以在微影工具12及/或區域軌段14與遠距軌段18之間轉移晶圓。在一實施例中，轉移裝置20為前開式通用晶圓盒(FOUP)、開放式晶圓匣或標準機械介面(SMIF)晶圓盒。轉移裝置20可為熟習此項技術者已知之用於儲存及轉移晶圓的任何其他輸送箱。

轉移裝置20之收納與發送及打開與關閉通常為自動化的。應瞭解，轉移裝置20之處置可或者為手動的。介面單元16可包括一或多個轉移裝置。舉例而言，介面單元16可 包括四個或五個轉移裝置。應瞭解，可使用少於四個或大於五個轉移裝置。

晶圓微影叢集10亦包括排程微影工具12及區域軌段14中之處理的中央控制器或排程器(未圖示)。中央控制器亦可控制晶圓在微影工具12與軌段14之間及/或經由介面16的轉移。中央控制器可包括一或多個單獨控制器。

在使用中，晶圓自輸入路徑移動至微影工具12。在一實施例中，輸入路徑位於遠距軌18中，且晶圓自遠距軌18移動至轉移裝置20且自轉移裝置20移動至介面單元16。自介面單元16，晶圓移動至微影工具12。在一實施例中，區域軌14中之機械臂用以移動晶圓。在一實施例中，介面單元16中之機械臂用以移動晶圓。在微影工具12中完成微影處理之後，晶圓可自微影工具12轉移至區域軌段14或轉移裝置20以用於額外處理。在區域軌段14中處理晶圓之後，可完成處理。或者，晶圓可自區域軌段14轉移至遠距軌段18以用於額外處理。在一實施例中，轉移裝置20可用以將晶圓自區域軌段14轉移至遠距軌段18。

在一實施例中，可藉由在區域軌段14中包括時間關鍵性處理而將該等時間關鍵性處理接近地定位在一起以簡化對關鍵性的參數之控制，關鍵性的參數包括(例如)晶圓溫度及PEB時間變化。微影非關鍵性的或低關鍵性的處理可位於遠距軌段18中。因此，可藉由彼此緊接地定位時間關鍵性處理來最小化該等處理之效應。

藉由烘烤位置之數目及所需烘烤時間來決定曝光後烘烤 效能，其通常為時間關鍵性處理。可在區域軌段14中提供烘烤步驟，使得其與微影工具12基本上整合。此外，區域軌段14可(例如)包括經配置以提供所需要之任何數目之烘烤位置的所有烘烤單元。

藉由在區域軌段14中將烘烤處理與其他較低時間關鍵性處理分離且根據需要而配置烘烤位置，可增加叢集之總生產率而不增加占地空間(floor space)。

在一實施例中，晶圓微影叢集10為與習知晶圓微影叢集相同大小或小於習知晶圓微影叢集，且部分彼此獨立。結果，可建構生長路徑及升級方案而對整個製造處理無大影響。

圖2A、圖2B及圖2C為展示具有控制器120之圖1之晶圓微影叢集的方塊圖。如圖2A所示，控制器120可獨立於微影工具12、區域軌段14及介面單元16。或者，如圖2B所示，控制器120可位於微影工具中。或者，如圖2C所示，控制器120可位於區域軌中。

圖3為組合式曝光後烘烤及冷卻單元200之透視圖。單元200包括具有具備第一長度α之第一側204及具備第二長度β之第二側206的外罩202。在一實施例中，第二長度β大於第一長度α。單元在第二側206中亦包括開口208。

應瞭解，開口208可定位於第二側206上之幾乎任何位置處。如在下文中所描述，因為開口208位於第二側206中，所以更密集封裝之叢集系統為可能的。

如圖4所示，單元200包括機械臂210、夾具212及烘烤單 元214。在一實施例中，單元200亦包括緩衝位置216。在一實施例中，單元200包括隔離元件218。

機械臂210包括允許晶圓轉移至外罩202內之各種位置的致動機構。應瞭解，單元200可包括一個以上機械臂及/或夾具。

夾具212可包括連接至機械臂210之用於支撐晶圓的固持器。夾具212亦可包括冷卻功能性。舉例而言，夾具212可經水冷卻及控制。

烘烤單元214可為熟習此項技術者已知之任何習知烘烤單元。烘烤單元214應位於離夾具212之冷卻位置的足夠距離處。

緩衝位置216位於單元之第二側206中的開口208處或附近。緩衝位置216可含有冷卻。

隔離元件218用以將烘烤單元214與緩衝位置216隔離。在一實施例中，隔離元件在烘烤單元214之所有側處隔離烘烤單元214。

在使用中，晶圓置放於單元200之第二側206處的開口208中。晶圓位於緩衝位置216處。機械臂210藉由夾具212而將晶圓自緩衝位置216帶至烘烤單元214。當在烘烤單元214處完成所要烘烤處理時，機械臂210藉由夾具212而自烘烤單元214移走晶圓。夾具212之冷卻功能性經啟動以冷卻晶圓。當完成冷卻處理時，機械臂210將晶圓返回至緩衝位置216。當將晶圓返回至緩衝位置216時，另一機械臂(未圖示)可用以自單元200移除晶圓。

圖5至圖7說明用於晶圓微影叢集之介面300。

在一實施例中，在以上參看圖1所描述之晶圓微影叢集10中使用介面300。在一實施例中，介面300為以上分別參看圖1及圖2所描述之介面16。

如圖5所示，介面300包括第一導軌302、第一機械臂304及第一夾具306。介面300亦可包括第二導軌308、第二機械臂310及第二夾具312。應瞭解，介面300可包括兩個以上機械臂及兩個以上夾具。舉例而言，介面300可包括三個、四個或五個機械臂。應瞭解，可使用五個以上機械臂。類似地，介面300可包括三個、四個、五個或甚至更多夾具。

介面300亦包括圍繞機械臂310而配置之複數個單元。在所說明之實施例中，複數個單元包括複數個處理單元，諸如，浸泡單元314及曝光後烘烤單元316。冷卻板亦可包括於曝光後烘烤單元316中。在該實施例中，曝光後烘烤單元316可為以上參看圖3及圖4所描述之組合式曝光後烘烤及冷卻單元200。另外或其他，冷卻板可包括於夾具306及/或夾具312中。介面300可視情況包括輸入及/或輸出緩衝器318。應瞭解，介面300可包括任何數目或類型之單元，此視處理配方及設計約束而定。

圍繞機械臂304及310而配置複數個單元，使得單元中之每一者的開口可由機械臂304及/或機械臂310接取。如以上所描述，曝光後烘烤單元316可為以上參看圖3及圖4所描述之組合式曝光後烘烤及冷卻單元200。因為所說明單 元316之開口位於其最長側處，所以可更密集地配置複數個單元。亦即，可將更大數目之單元併入介面300中。如圖6及圖7所示，可將單元316之不包括開口的部分定位於其他單元後方，諸如，其他曝光後烘烤單元316、浸泡單元314或輸出緩衝器318。

機械臂304及/或機械臂310自微影工具(未圖示)或轉移裝置(未圖示)收集晶圓且在介面300內輸送晶圓。在一實施例中，一或多個機械臂在微影工具(未圖示)之輸出緩衝器與曝光後乾燥單元(亦即，浸泡單元)314之間輸送晶圓。在一實施例中，該一或多個機械臂在浸泡單元314與PEB單元316之間轉移晶圓。在一實施例中，該一或多個機械臂在PEB單元316與介面300之輸出緩衝器318之間轉移晶圓。該一或多個機械臂可包括冷卻板以在自PEB單元316之移除之後冷卻晶圓，及/或該PEB單元316可為其中具有冷卻板之組合式單元，如在上文中所描述。每一機械臂依次自掃描器拾取晶圓，此允許多工處理所有內部處置之時間。在一實施例中，機械臂306在微影工具與浸泡單元314之間轉移晶圓。在一實施例中，如以上所論述，第二機械臂310在浸泡單元314與PEB單元316之間轉移晶圓，且視情況在PEB單元316與輸出緩衝器318之間轉移晶圓。在一實施例中，第二機械臂310亦將晶圓轉移至輸出介面322以用於轉移至叢集之另一部分，諸如，轉移裝置20及/或介面16。

如圖6所示，亦可提供專用機械臂320，其照顧所有晶圓 之輸入路徑。此減少機械臂304及310之工作。在一實施例中，輸入路徑位於輸出路徑下方。

機械臂中之每一者可經個別地控制及與微影工具控制整合，以解決常見於習知軌介面中之各種時序衝突。

在使用中，夾具306經由機械臂304而拾取晶圓，且將晶圓移動至曝光後浸泡單元314或直接移動至PEB單元316。在浸泡之後，晶圓經由機械臂310及夾具312而移動至PEB單元316。在已冷卻晶圓之後，將晶圓移動至輸出緩衝器318或移動至輸入/輸出介面322。

利用隨附圖式之前述描述僅說明所描述方法之可能實施例且應僅被如此解釋。一般熟習此項技術者應認識到，在本觀念之範疇及精神內的許多其他特定實施例為可能的。本發明之範疇由以下申請專利範圍指示，而非由前述描述指示。在以下申請專利範圍之等效意義及範圍內的任何及所有修改均將被認為係在其範疇內。

10‧‧‧晶圓微影叢集

12‧‧‧微影工具

14‧‧‧區域軌段

16‧‧‧介面單元

18‧‧‧遠距軌段

20‧‧‧轉移裝置

21‧‧‧轉移裝置處置器

120‧‧‧控制器

200‧‧‧組合式曝光後烘烤及冷卻單元

202‧‧‧外罩

204‧‧‧第一側

206‧‧‧第二側

208‧‧‧開口

210‧‧‧機械臂

212‧‧‧夾具

214‧‧‧烘烤單元

216‧‧‧緩衝位置

218‧‧‧隔離元件

300‧‧‧介面

302‧‧‧第一導軌

304‧‧‧第一機械臂

306‧‧‧第一夾具

308‧‧‧第二導軌

310‧‧‧第二機械臂

312‧‧‧第二夾具

314‧‧‧浸泡單元

316‧‧‧曝光後烘烤單元

318‧‧‧輸入及/或輸出緩衝器

320‧‧‧專用機械臂

322‧‧‧輸出介面

α‧‧‧第一長度

β‧‧‧第二長度

圖1為說明根據本發明之一實施例之光微影晶圓系統的示意性側視圖；圖2A、圖2B及圖2C為說明根據本發明之一實施例之光微影晶圓系統的方塊圖；圖3為說明根據本發明之一實施例之組合式烘烤及冷卻單元的透視圖；圖4為進一步說明根據本發明之一實施例之圖3之組合式烘烤及冷卻單元的橫截面圖； 圖5為說明根據本發明之一實施例之區域軌段的前透視圖；圖6為說明圖5之區域軌段的後透視圖；及圖7為說明圖5之區域軌段的側視圖。

10‧‧‧晶圓微影叢集

12‧‧‧微影工具

14‧‧‧區域軌段

16‧‧‧介面單元

18‧‧‧遠距軌段

20‧‧‧轉移裝置

21‧‧‧轉移裝置處置器

Claims (21)

1. 一種晶圓處理系統，其包含：一微影工具；一區域軌，該區域軌與該微影工具連接；一轉移裝置處置器，該轉移裝置處置器用以處置一轉移裝置且自該轉移裝置轉移各晶圓及將各晶圓轉移至該轉移裝置；一介面單元，該介面單元用以在該轉移裝置處置器與該微影工具、該微影工具與該區域軌及該區域軌與轉移裝置處置器中之一或多者之間轉移各晶圓；及一控制器，該控制器用以排程該微影工具、區域軌、介面單元及轉移裝置處置器中之處理，其中該區域軌係用以執行選自下列組成之群的處理：溫度穩定化、檢驗、乾燥(在曝光之後)、曝光後烘烤、冷卻、顯影及其組合。
2. 如請求項1之晶圓處理系統，其中該轉移裝置處置器係用以手動地或自動地處置該等轉移裝置。
3. 如請求項1之晶圓處理系統，其中該介面單元將該微影工具連接至該區域軌。
4. 如請求項1之晶圓處理系統，其中該介面單元將該轉移裝置處置器連接至來自由該微影工具及該區域軌組成之群的一或多者。
5. 如請求項1之晶圓處理系統，其中該介面單元將該區域軌與選自由該微影工具及該介面組成之群的一或多者連 接。
6. 如請求項1之晶圓處理系統，其中該轉移裝置為一前開式通用晶圓盒(FOUP)、開放式晶圓匣或標準機械介面(SMIF)晶圓盒。
7. 一種用於處理若干晶圓之方法，其包含：在一轉移裝置與一微影工具之間轉移一晶圓；在該微影工具與一連接至該微影工具之區域軌之間轉移該晶圓；及在該區域軌與該轉移裝置之間轉移該晶圓，其中該區域軌係用以執行選自下列組成之群的處理：溫度穩定化、檢驗、乾燥(在曝光之後)、曝光後烘烤、冷卻、顯影及其組合。
8. 如請求項7之方法，其進一步包含排程該晶圓之該轉移及處理。
9. 一種組合式曝光後烘烤及冷卻單元，其包含：一外罩，該外罩具有具備一第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備一第二長度之第三相反側及第四相反側，該第一長度大於該第二長度，該外罩在該第一相反側中具有一開口以收納一晶圓；一烘烤單元，該烘烤單元在該外罩中；及一冷卻單元，該冷卻單元在該外罩中。
10. 如請求項9之組合式曝光後烘烤及冷卻單元，其中該冷卻單元包含至少一夾具。
11. 如請求項9之組合式曝光後烘烤及冷卻單元，其中該烘 烤單元隔離於該外罩內。
12. 如請求項9之組合式曝光後烘烤及冷卻單元，其進一步包含在該外罩中的一或多個機械臂，用以在該外罩內轉移該晶圓。
13. 如請求項9之組合式曝光後烘烤及冷卻單元，其進一步包含在該外罩中的一轉移裝置，用以在該外罩內轉移該晶圓。
14. 一種用於一晶圓處理系統之介面，其包含：一機械臂，該機械臂用以輸送若干晶圓；複數個外罩，該複數個外罩圍繞該機械臂而配置，每一外罩具有具備一第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備一第二長度之第三相反側及第四相反側，該第一長度等於或大於該第二長度，該外罩在該第一相反側中具有一開口以收納一晶圓，該開口面向該機械臂，該複數個外罩中之至少一者為一整合式烘烤及冷卻單元。
15. 如請求項14之介面，其中該介面包含用以轉移各晶圓之複數個機械臂，該複數個外罩圍繞該複數個機械臂中之至少一者而配置。
16. 如請求項14之介面，其中該複數個外罩中之至少一者為一浸泡單元。
17. 如請求項14之介面，其中該機械臂自一微影工具收集該等晶圓且將該等晶圓轉移至該整合式烘烤及冷卻單元。
18. 如請求項16之介面，其中該機械臂在該微影工具、該浸 泡單元與該整合式烘烤及冷卻單元之間轉移該等晶圓。
19. 如請求項14之介面，其進一步包含圍繞該機械臂而配置之複數個第二外罩，每一第二外罩具有具備一第一長度之第一相反側及第二相反側，及具備一第二長度之第三相反側及第四相反側，該第一長度大於該第二長度，該外罩在該第三相反側中具有一開口以收納一晶圓，該開口面向該機械臂。
20. 如請求項19之介面，其中該介面包含複數個機械臂，且其中該複數個第二外罩圍繞該複數個機械臂中之至少一者而配置。
21. 如請求項14之介面，其進一步包含一單獨機械臂以將各晶圓自一連接至整合式軌之外部介面轉移至曝光單元。