KR20190078490A - 피가공물의 가공 장치 - Google Patents

피가공물의 가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190078490A
KR20190078490A KR1020180153411A KR20180153411A KR20190078490A KR 20190078490 A KR20190078490 A KR 20190078490A KR 1020180153411 A KR1020180153411 A KR 1020180153411A KR 20180153411 A KR20180153411 A KR 20180153411A KR 20190078490 A KR20190078490 A KR 20190078490A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
workpiece
grinding
thickness
cassette
Prior art date
Application number
KR1020180153411A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102619745B1 (ko
Inventor
신야 와타나베
이치로 야마하타
가츠히코 스즈키
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190078490A publication Critical patent/KR20190078490A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102619745B1 publication Critical patent/KR102619745B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/03—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent according to the final size of the previously ground workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
    • B24B49/045—Specially adapted gauging instruments
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/007—Cleaning of grinding wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1005—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material already applied to the surface, e.g. coating thickness, weight or pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • B05C9/12—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation the auxiliary operation being performed after the application
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

(과제) 수지를 피가공물에 피복하는 경우에 있어서, 피복한 수지의 두께를 원하는 두께로 제어하고, 또한 수지막을 고정밀도로 평탄화시킨다.
(해결 수단) 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인 (S) 으로 구획된 영역에 디바이스 (D) 가 형성된 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하는 피가공물의 가공 장치 (1) 로서, 피가공물 (W) 을 복수 수용하는 카세트 (51, 52) 가 재치되는 카세트 재치대 (53, 54) 와, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하는 수지 피복 유닛 (2) 과, 피복한 수지에 외적 자극을 가하여 수지를 경화시키는 수지 경화 유닛 (4) 과, 경화된 수지를 회전하는 연삭 지석 (641) 으로 연삭하여 평탄화시키는 수지 연삭 유닛 (6) 과, 각 유닛의 사이에서 피가공물 (W) 을 반송하는 반송 기구를 포함한다.

Description

피가공물의 가공 장치{MACHINING APPARATUS OF WORKPIECE}
본 발명은, 피가공물의 가공 장치, 특히 피가공물에 수지를 피복할 수 있는 피가공물의 가공 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 피가공물의 표면에 격자상으로 복수의 분할 예정 라인이 형성되고, 분할 예정 라인에 따라 구획된 각 영역에 IC, LSI 등의 디바이스가 형성된다. 이들 피가공물은 이면이 연삭 지석에 의해 연삭되어 소정의 두께로 박화된 후, 분할 예정 라인을 따라 절삭 장치 등에 의해 분할됨으로써 개개의 반도체 디바이스 칩이 제조된다.
그리고, 이면을 연삭하여 피가공물을 박화할 때에는, 연삭 가공용 보호 테이프를 피가공물의 표면에 첩착 (貼着) 하여 디바이스를 보호하는 대신에, 자외선 등에 의해 경화되는 수지로 피가공물의 표면을 피복하여 수지막을 형성하고, 이 수지막에 의해 피가공물의 표면의 디바이스를 보호하는 방법이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 2009-043931호
그러나, 스핀 코트 등에 의해 액상 수지를 피가공물의 표면에 피복하는 경우, 액상 수지의 제어가 어렵기 때문에, 피가공물의 표면 상에 있어서 피복 수지의 두께를 균일한 원하는 두께로 제어하는 것은 어렵고, 또 피복 수지의 노출면을 고정밀도로 평탄화시키는 것도 어렵다. 그리고 피복 수지의 두께가 원하는 두께가 되지 않은 경우나 피복 수지의 노출면이 양호한 정밀도로 평탄화되지 않은 경우에는, 피가공물에 연삭 가공을 실시했을 때의 피가공물의 두께 정밀도도 내려가 버린다.
따라서, 본 발명의 목적은, 스핀 코트 등에 의해 수지를 피가공물에 피복하여 수지막을 형성시키는 경우에 있어서, 피복한 수지막의 두께를 원하는 두께로 하고, 또한 수지막의 노출면을 고정밀도로 평탄화시킬 수 있는 피가공물의 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 피가공물의 표면에 수지를 피복하는 피가공물의 가공 장치로서, 피가공물을 복수 수용하는 카세트가 재치되는 카세트 재치 수단과, 피가공물의 표면에 수지를 피복하는 수지 피복 수단과, 피복한 수지에 외적 자극을 가하여 그 수지를 경화시키는 수지 경화 수단과, 경화된 수지를 회전하는 연삭 지석으로 연삭하여 평탄화시키는 수지 연삭 수단과, 상기 카세트 재치 수단, 상기 수지 피복 수단, 상기 수지 경화 수단 및 상기 수지 연삭 수단의 사이에서 피가공물을 반송하는 반송 수단을 구비한 피가공물의 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 수지 피복 수단은 스핀 코트법에 의해 수지를 피가공물의 표면에 피복한다.
바람직하게는, 본 발명에 관련된 피가공물의 가공 장치는, 연삭한 후의 수지의 두께를 측정하고, 피가공물의 이면을 연삭하여 피가공물을 소정의 두께로 박화하는 다음 공정의 연삭 장치에 측정한 수지의 두께를 전달한다.
본 발명에 의하면, 피가공물의 가공 장치 내에서만, 피복한 수지막의 두께를 원하는 두께로 하고, 또한 수지막의 노출면을 고정밀도로 평탄화시키는 것이 가능해진다.
또한, 연삭한 후의 수지의 두께를 측정하고, 피가공물의 이면을 연삭하여 피가공물을 소정의 두께로 박화하는 다음 공정의 연삭 장치에 측정한 수지의 두께를 전달하는 것으로 함으로써, 다음 공정의 연삭 장치에 있어서 연삭되는 피가공물의 연삭 후의 마무리 두께의 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1 은 가공 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 수지 피복 수단으로 피가공물의 표면에 수지를 피복하고 있는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 3 은 경화된 수지를 회전하는 연삭 지석으로 연삭하여 평탄화시키고 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 1 에 나타내는 본 발명에 관련된 가공 장치 (1) 는, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하고, 피복한 수지를 연삭 지석 (641) 으로 연삭할 수 있는 가공 장치이다. 가공 장치 (1) 의 베이스 (10) 의 전방측 (-Y 방향측) 에는, 그 내부에 복수 단의 선반이 형성되어 있고 수지 피복 전의 피가공물 (W) 을 복수 선반상으로 수용할 수 있는 제 1 카세트 (51) 및 그 내부에 복수 단의 선반이 형성되어 있고 피복된 수지가 연삭된 후의 피가공물 (W) 을 복수 선반상으로 수용할 수 있는 제 2 카세트 (52) 가 배치 형성되어 있다. 그리고, 제 1 카세트 (51) 는, 베이스 (10) 에 배치 형성된 제 1 카세트 재치 수단 (53) 에 재치되어 있고, 제 2 카세트 (52) 는, 베이스 (10) 에 배치 형성된 제 2 카세트 재치 수단 (54) 에 재치되어 있다.
제 1 카세트 (51) 내에 복수 장 선반상으로 수용되어 있는 피가공물 (W) 은, 예를 들어 실리콘을 모재로 하는 외형이 원형 판상의 반도체 웨이퍼이며, 도 1 에 있어서는 상측을 향하고 있는 표면 (Wa) 에는, 직교차하는 복수의 분할 예정 라인 (S) 이 형성되어 있고, 분할 예정 라인 (S) 에 따라 격자상으로 구획된 각 영역에는 IC 등의 디바이스 (D) 가 각각 형성되어 있다. 또한, 피가공물 (W) 은 실리콘 이외에 갈륨비소, 사파이어, 질화갈륨 또는 실리콘카바이드 등으로 구성되어 있어도 되고, 그 외형도 원형상이 아니라, 예를 들어 사각형상으로 형성되어 있어도 된다. 가공 장치 (1) 로의 피가공물 (W) 의 공급은, 내부에 피가공물 (W) 이 복수 장 수용된 제 1 카세트 (51) 를 제 1 카세트 재치 수단 (53) 에 재치함으로써 효율적으로 실시된다.
제 1 카세트 재치 수단 (53) 과 제 2 카세트 재치 수단 (54) 은 동일한 구성으로 되어 있기 때문에, 이하에 제 1 카세트 재치 수단 (53) 의 구성에 대해서만 설명한다. 제 1 카세트 재치 수단 (53) 은, 예를 들어 제 1 카세트 (51) 가 재치되는 카세트 스테이지 (531) 를 구비하고 있고, 카세트 스테이지 (531) 는 도시되지 않은 엘리베이터에 의해 상하 방향으로 이동된다.
카세트 스테이지 (531) 의 상면의 네 귀퉁이에는, 예를 들어 외형이 평면에서 보아 대략 L 자상의 도시되지 않은 카세트 위치 결정 부재가 배치 형성되어 있다. 제 1 카세트 (51) 의 하면측의 모서리 부분이 카세트 위치 결정 부재에 걸어맞춰지도록, 제 1 카세트 (51) 가 카세트 스테이지 (531) 의 상면에 재치됨으로써, 수평면 방향으로의 이동이 제한되어 어긋나지 않게 된다.
제 1 카세트 (51) 및 제 2 카세트 (52) 의 근방에는, 제 1 카세트 (51) 로부터 수지 피복 전의 피가공물 (W) 을 반출함과 함께, 피복된 수지가 연삭된 후의 피가공물 (W) 을 제 2 카세트 (52) 에 반입하는 기능을 갖는 제 1 반송 로봇 (81) 이 배치 형성되어 있다. 제 1 반송 로봇 (81) 은, 복수의 아암과 각 아암을 선회시키는 선회 수단이 연결되어 구성된 다관절상의 로봇으로, 피가공물 (W) 을 흡인 유지할 수 있는 로봇 핸드 (810) 를 선단에 구비하고 있다. 로봇 핸드 (810) 는, 피가공물 (W) 에 접촉하여 흡인력을 피가공물 (W) 에 전하는 타입의 것, 또는 베르누이의 원리를 이용하여 비접촉으로 피가공물 (W) 을 흡착 유지할 수 있는 타입의 것 중 어느 것이어도 된다.
제 1 반송 로봇 (81) 의 가동역에는, 수지 피복 전의 피가공물 (W) 을 소정의 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 수단 (14) 및 피복된 수지가 연삭된 후의 피가공물 (W) 을 세정하는 세정 장치 (15) 가 배치 형성되어 있다.
위치 맞춤 수단 (14) 은, 제 1 반송 로봇 (81) 이 대좌 (140) 에 반입된 피가공물 (W) 을, 동일 원주 상의 위치를 유지하면서 축경되도록 이동하는 각 접촉 핀 (141) 으로 그 외주연을 눌러 위치를 수정하면서 센터링한다.
세정 장치 (15) 는, 예를 들어 매엽식의 스피너 세정 장치로, 제 1 반송 로봇 (81) 이 반송해 온 피복된 수지가 연삭된 후의 피가공물 (W) 을, 도시되지 않은 세정 테이블로 유지하고, 유지된 피가공물 (W) 의 수지에 세정수를 분사함으로써 한 장씩 세정 (수지 유래의 연삭 부스러기를 제거하는 등) 할 수 있다. 또한, 세정 장치 (15) 는, 피가공물 (W) 을 복수 장 동시에 세정할 수 있는 배치식의 세정 장치여도 된다.
위치 맞춤 수단 (14) 의 근방에는 제 2 반송 로봇 (82) 이 배치 형성되고, 세정 장치 (15) 의 근방에는 제 3 반송 로봇 (83) 이 배치 형성되어 있다. 제 2 반송 로봇 (82) 은, 위치 맞춤 수단 (14) 으로 센터링된 수지 피복 전의 피가공물 (W) 을 후술하는 수지 피복 수단 (2) 의 스피너 테이블 (20) 로 반송한다. 또, 제 2 반송 로봇 (82) 은, 수지 경화 수단 (4) 에 있어서 UV 조사되어 경화된 수지막을 구비하는 상태가 된 피가공물 (W) 을 스피너 테이블 (20) 상으로부터 후술하는 유지 테이블 (30) 로 반송한다.
제 2 반송 로봇 (82) 은, 예를 들어 외형이 원판상이며 그 하면이 피가공물 (W) 을 흡착 유지하는 흡착면이 되는 흡착 패드 (820) 와, 수평 방향으로 연장되고 그 선단 하면에 흡착 패드 (820) 가 고정된 아암 (821) 과, 아암 (821) 에 접속되어 아암 (821) 을 Z 축 방향의 축심 둘레로 수평 방향으로 선회시키는 아암 이동 수단 (822) 을 구비하고 있다. 아암 (821) 은, 예를 들어 아암 이동 수단 (822) 에 의해 Z 축 방향으로 상하동 가능하게 되어 있어도 된다.
제 3 반송 로봇 (83) 은, 경화된 수지가 도 1 에 나타내는 수지 연삭 수단 (6) 에 의해 연삭된 후의 피가공물 (W) 을, 유지 테이블 (30) 로부터 세정 장치 (15) 의 세정 테이블로 반송한다. 제 3 반송 로봇 (83) 의 구성은, 제 2 반송 로봇 (82) 의 구성과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
베이스 (10) 상의 제 2 반송 로봇 (82) 의 가동 범위에 배치 형성되고 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하는 수지 피복 수단 (2) 은, 예를 들어 스핀 코터 (회전식 도포 수단) 로, 포러스 부재 등으로 구성되는 유지면 (20a) 에서 피가공물 (W) 을 흡인 유지하는 스피너 테이블 (20) 과, 스피너 테이블 (20) 에 유지된 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 액상 수지를 공급하는 노즐 (21) 을 구비하고 있다. 또한, 스피너 테이블 (20) 은, 도시되지 않은 케이스에 의해 주위가 둘러싸여 있어, 수지 피복 중에 액상 수지가 주위로 비산되지 않는 구성으로 되어 있다.
노즐 (21) 은, 예를 들어 스피너 테이블 (20) 옆측에 수직 형성되어 있고, 외형이 측면에서 보아 대략 L 자상으로 되어 있다. 노즐 (21) 의 선단 부분에 형성된 공급구는, 스피너 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 을 향해 개구되어 있다. 노즐 (21) 은, Z 축 방향의 축심 둘레로 선회 가능하게 되어 있어, 스피너 테이블 (20) 의 상방으로부터 퇴피 위치까지 공급구를 이동할 수 있다. 노즐 (21) 이 공급하는 액상 수지는, 예를 들어 소정 파장의 자외선이 조사됨으로써 경화되는 성질을 구비하고 있다. 또, 액상 수지는, 예를 들어 경화 후에 비수용성이 되는 성질을 구비하고 있어도 된다.
스피너 테이블 (20) 은 커버 (23) 에 의해 주위가 둘러싸여 있다. 스피너 테이블 (20) 의 하방에는, 모터 및 회전축 등으로 이루어지는 회전 수단 (24) (도 2 참조) 이 배치 형성되어 있고, 스피너 테이블 (20) 은 회전 수단 (24) 에 의해 Z 축 방향의 축심 둘레로 회전 가능하게 되어 있다. 또, 스피너 테이블 (20) 은, 커버 (23) 의 하방에 배치 형성된 수지 경화 이송 반송 수단인 제 4 반송 기구 (84) 에 의해, 커버 (23) 와 함께 Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
베이스 (10) 상의 수지 피복 수단 (2) 의 후방측 (＋Y 방향측) 에는, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 피복한 수지에 외적 자극을 가하여 (본 실시형태에 있어서는, 수지에 대한 UV 의 조사) 수지를 경화시키는 수지 경화 수단 (4) 이 배치 형성되어 있다. 수지 경화 수단 (4) 은, 예를 들어 박스상의 외형을 구비한 UV 조사실 (40) 을 구비하고 있다. 도 1 에 나타내는 UV 조사실 (40) 의 전측벽 (40a) 은, 그 하부측이 대략 장방형상으로 잘라내어져 반입 출구 (40b) 가 형성되어 있고, 이 반입 출구 (40b) 를 스피너 테이블 (20) 이 통과함으로써, 스피너 테이블 (20) 은 UV 조사실 (40) 내에 수용된다. 전측벽 (40a) 의 반입 출구 (40b) 는 도시되지 않은 셔터에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
예를 들어, UV 조사실 (40) 내의 상방에는, 소정 파장의 자외선을 하방을 향해 조사할 수 있는 저압 수은 UV 램프나 LED 조명 등의 자외광 (UV) 광원이 복수 배치되어 있다. 수지가 피복된 피가공물 (W) 을 유지하는 스피너 테이블 (20) 이, UV 조사실 (40) 내에 수용된 후, 자외광 광원으로부터 하방에 위치하는 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 을 향해 자외광이 조사된다. 이로써 표면 (Wa) 에 피복된 수지는 경화되고, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 을 보호하는 수지막이 형성된다.
또한, 예를 들어 스피너 테이블 (20) 을 유리 등의 투명 부재로 구성되는 것으로 하고, UV 조사실 (40) 내에 있어서, 스피너 테이블 (20) 의 하방에 자외광 광원이 배치 형성되도록 해도 된다. 이 경우에는, 투명한 스피너 테이블 (20) 을 투과하여 하방으로부터 피복 수지에 자외광이 조사된다.
수지 경화 수단 (4) 의 구성은 본 실시형태에 있어서의 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수지 피복 수단 (2) 에 의해 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 피복되는 수지막이 가열에 의해 경화되는 열 경화형의 수지로 이루어지는 경우에는, 수지 경화 수단 (4) 은 하우징 내부에 히터나 적외선 램프를 구비하고, 피복된 수지막에 열을 가하여 경화시키는 구성으로 되어 있어도 된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 베이스 (10) 의 -X 방향측 영역의 중간으로부터 장치 후방에 걸쳐서는, 유지 테이블 (30) 이 Y 축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 유지 테이블 (30) 은, 예를 들어 그 외형이 원형상이며, 포러스 부재 등으로 이루어지고 도시되지 않은 흡인원에 연통하는 상면 (300) (유지면 (300)) 에서 피가공물 (W) 을 흡인 유지한다. 유지 테이블 (30) 은, 커버 (31a) 에 의해 위요되어 있고, Z 축 방향의 축심 둘레로 회전 가능함과 함께, 커버 (31a) 및 커버 (31a) 에 연결된 벨로우즈 커버 (31b) 의 하방에 배치 형성된 도시되지 않은 Y 축 방향 이동 수단에 의해, Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.
베이스 (10) 상의 후방측에는, 칼럼 (17) 이 수직 형성되어 있고, 칼럼 (17) 의 전면에 배치 형성되어 수지 연삭 수단 (6) 을 연삭 이송하는 연삭 이송 수단 (7) 은, Z 축 방향의 축심을 갖는 볼 나사 (70) 와, 볼 나사 (70) 와 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (71) 과, 볼 나사 (70) 에 연결되어 볼 나사 (70) 를 회동시키는 모터 (72) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (70) 에 나사 결합되어 측부가 가이드 레일 (71) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (73) 을 구비하고 있고, 모터 (72) 가 볼 나사 (70) 를 회전시킴에 따라 승강판 (73) 이 1 쌍의 가이드 레일 (71) 로 가이드되어 승강한다. 승강판 (73) 은 수지 연삭 수단 (6) 을 지지하고 있으며, 승강판 (73) 의 승강에 의해 수지 연삭 수단 (6) 도 승강한다.
수지 연삭 수단 (6) 은, 축 방향이 연직 방향인 회전축 (60) 과, 회전축 (60) 을 회전 가능하게 지지하는 하우징 (61) 과, 회전축 (60) 을 회전 구동하는 모터 (62) 와, 회전축 (60) 의 하단에 장착된 마운트 (63) 와, 마운트 (63) 에 착탈 가능하게 접속된 연삭 휠 (64) 을 구비한다. 연삭 휠 (64) 의 저면에는, 대략 직방체형상의 복수의 연삭 지석 (641) 이 환상으로 배치 형성되어 있다. 연삭 지석 (641) 은, 소정의 본드제로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다.
예를 들어, 회전축 (60) 의 내부에는, 연삭수 공급원에 연통하여 연삭수의 통로가 되는 도시되지 않은 유로가, 회전축 (60) 의 축 방향으로 관통하여 형성되어 있고, 유로는 연삭 휠 (64) 의 저면에 있어서 연삭 지석 (641) 을 향해 연삭수를 분출할 수 있도록 개구되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (30) 의 이동 경로의 상방에는, 유지 테이블 (30) 이 유지한 연삭 가공 후의 수지의 두께를 측정하는 두께 측정 수단 (19) 이 배치 형성되어 있다. 두께 측정 수단 (19) 은, 예를 들어 반사형의 광 변위 센서이며, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 피복되어 연삭된 수지에 대하여 측정광을 조사하기 위한 투광 소자와, 투광 소자로부터 수지에 조사되어 반사된 반사광을 검출하기 위한 수광 소자를 구비하고 있다.
두께 측정 수단 (19) 은, 두께 측정 수단 (19) 의 하방에 위치지어진 피가공물 (W) 상의 수지에 대하여, 투광 소자가 측정광을 조사하고, 반사광을 수광 소자로 수광한다. 그리고, 수지의 상면에서 반사된 반사광과 수지를 투과한 후에 수지의 하면에서 반사된 반사광을 수광 소자가 받았을 때의 광로차를 산출하고, 그 산출치를 기초로 삼각 측량의 원리 등으로 피복된 수지의 두께를 측정한다. 또한, 상기 광로차를 산출할 때에 수지의 굴절률이 필요해지는데, 수지 피복 수단 (2) 이 피복하는 수지의 굴절률은 이미 알려진 파라미터이므로 산출은 문제없이 실시된다.
또한, 두께 측정 수단 (19) 은, 도 1 에 나타내는 위치 이외의 위치에 배치 형성되어 있어도 되고, 그 형태도 본 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 두께 측정 수단 (19) 은, 예를 들어 접촉식의 1 쌍의 높이 측정 수단 (하이트 게이지) 을 구비하는 구성으로 되어 있어도 된다. 즉, 두께 측정 수단 (19) 은, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300) 의 높이 측정용인 제 1 높이 측정 수단과, 유지 테이블 (30) 에 유지된 피가공물 (W) 의 수지의 상면의 높이 측정용인 제 2 높이 측정 수단을 구비하고, 제 1 높이 측정 수단 및 제 2 높이 측정 수단은, 그 각 선단에 상하 방향으로 승강하고 각 측정면에 접촉하는 컨택트를 구비하고 있고, 각각의 컨택트를 각 측정면에 대하여 적절한 힘으로 가압한 상태에서 높이 측정을 실시한다. 이와 같은 접촉식의 두께 측정 수단은, 제 2 높이 측정 수단이 측정한 피가공물 (W) 의 연삭 후의 수지의 상면의 높이와 제 1 높이 측정 수단이 측정한 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300) 의 높이의 차이를 산출한다. 그 차이의 값은, 피가공물 (W) 의 두께와 피복된 수지의 두께의 합이고, 피가공물 (W) 의 두께는 이미 알려져 있기 때문에, 두께 측정 수단 (19) 은 피복된 수지의 두께를 산출할 수 있다.
가공 장치 (1) 는, 예를 들어 장치 전체의 제어를 실시하는 제어 수단 (9) 을 구비하고 있다. 제어 수단 (9) 은, 제어 프로그램에 따라 연산 처리하는 CPU 및 메모리 등의 기억 소자로 이루어지고, 도시되지 않은 배선에 의해, 연삭 이송 수단 (7) 이나 수지 연삭 수단 (6) 등에 접속되어 있다. 그리고, 제어 수단 (9) 의 제어하에서, 수지 연삭 수단 (6) 에 있어서의 연삭 휠 (64) 의 회전 동작이나, 연삭 이송 수단 (7) 에 의한 수지 연삭 수단 (6) 의 Z 축 방향에 있어서의 연삭 이송 동작 등의 연삭 장치 (3) 의 각 구성의 동작이 제어된다.
이하에, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 가공 장치 (1) 를 사용하여 원하는 두께의 수지막을 피복하는 경우의, 가공 장치 (1) 의 동작에 대하여 설명한다.
우선, 제 1 카세트 (51) 내의 예를 들어 최하단의 선반으로부터 피가공물 (W) (첫 번째 장의 피가공물 (W) 로 한다) 이 한 장, 제 1 반송 로봇 (81) 에 의해 흡인 유지되면서 반출된다. 이어서, 제 1 반송 로봇 (81) 이 위치 맞춤 수단 (14) 의 대좌 (140) 상에 피가공물 (W) 을 얹고, 그 후 제 1 반송 로봇 (81) 이 피가공물 (W) 로부터 이간된다. 그리고, 각 접촉 핀 (141) 이 축경되도록 이동하고 피가공물 (W) 의 외주연을 눌러 그 위치를 수정하고, 피가공물 (W) 의 중심을 대좌 (140) 의 중심에 위치 맞춤한다.
위치 맞춤 수단 (14) 상에서 피가공물 (W) 의 중심 위치 맞춤이 된 후, 각 접촉 핀 (141) 은 확경시킬 방향으로 이동한다. 그리고, 센터링된 상태의 피가공물 (W) 은 제 2 반송 로봇 (82) 에 의해 흡착된 후 반출된다. 피가공물 (W) 을 흡착 유지한 제 2 반송 로봇 (82) 이 선회 이동하여, 스피너 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 상에 피가공물 (W) 을 반송하여 재치한다. 스피너 테이블 (20) 의 유지면 (20a) 상에서 표면 (Wa) 이 상측을 향한 상태로 피가공물 (W) 이 흡인 유지된 후, 제 2 반송 로봇 (82) 이 피가공물 (W) 로부터 이간되어 스피너 테이블 (20) 상으로부터 퇴피한다.
다음으로, 노즐 (21) 이 선회 이동하여, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 그 공급구가 예를 들어 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 의 중심 상방에 위치지어진다. 그리고, 스피너 테이블 (20) 상에서 흡인 유지된 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 의 중심부에 노즐 (21) 로부터 액상 수지가 적하되면서, 스피너 테이블 (20) 이 회전 수단 (24) 에 의해 회전한다. 적하된 액상의 수지가 원심력에 의해 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 의 중심측으로부터 외주측을 향해 퍼져 나가 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 전체면에 수지가 피복된다.
이와 같이, 본 실시형태에 있어서의 수지 피복 수단 (2) 은 스핀 코트법에 의해 수지를 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 피복하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수지 피복 수단 (2) 은, 예를 들어 포팅이나 스프레이 분사에 의해 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하는 것이어도 된다.
소정량의 수지가 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 공급되고, 표면 (Wa) 에 소정의 두께의 수지막이 피복된 후, 노즐 (21) 로부터의 액상 수지의 적하가 정지된다. 또한, 수지막의 두께는 도 1 에 나타내는 수지 연삭 수단 (6) 으로 연삭하는 만큼의 두께를 고려하여 정해진다. 이어서, 스피너 테이블 (20) 은, 도 1 에 나타내는 커버 (23) 의 하방에 배치 형성된 제 4 반송 기구 (84) 에 의해 ＋Y 방향으로 이동되어 수지 경화 수단 (4) 의 UV 조사실 (40) 로 반송된다. UV 조사실 (40) 의 도시되지 않은 셔터가 열리고, 스피너 테이블 (20) 이 반입 출구 (40b) 를 통과하여 UV 조사실 (40) 내로 반입된 후, 셔터가 닫힌다. UV 조사실 (40) 내에 있어서, 스피너 테이블 (20) 에 흡인 유지된 피가공물 (W) 의 수지막에 대하여, 소정 파장의 UV 가 조사됨으로써 수지막 (J) (도 3 참조) 이 경화된다.
소정 시간 피가공물 (W) 의 수지막 (J) 에 대하여 UV 가 조사된 후, 스피너 테이블 (20) 은 제 4 반송 기구 (84) 에 의해 -Y 방향으로 이동되어, 수지 경화 수단 (4) 으로부터 반출된다. 스피너 테이블 (20) 이 제 2 반송 로봇 (82) 의 가동 영역 내에 위치지어진 후, 피가공물 (W) 은 제 2 반송 로봇 (82) 에 의해 흡착되어 스피너 테이블 (20) 상으로부터 반출된다. 예를 들어 피가공물 (W) 의 수지막 (J) 을 흡착 유지한 제 2 반송 로봇 (82) 이 선회 이동하고, 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300) 상에 피가공물 (W) 을 반송하여 수지막 (J) 이 상측을 향한 상태로 재치된다. 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300) 상에서 피가공물 (W) 이 흡인 유지된 후, 제 2 반송 로봇 (82) 이 피가공물 (W) 로부터 이간된다.
피가공물 (W) 을 유지한 유지 테이블 (30) 이 수지 연삭 수단 (6) 아래까지 ＋Y 방향으로 이동하여, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠 (64) 의 회전 중심이 피가공물 (W) 의 회전 중심에 대하여 소정의 거리만큼 ＋Y 방향으로 어긋나, 연삭 지석 (641) 의 회전 궤도가 피가공물 (W) 의 회전 중심을 통과하도록 위치지어진다. 도 1 에 나타내는 모터 (62) 에 의해 회전축 (60) 이 회전 구동됨에 따라, 연삭 휠 (64) 이 회전한다. 또, 수지 연삭 수단 (6) 이 도 3 에 나타내는 연삭 이송 수단 (7) 에 의해 -Z 방향으로 보내지고, 회전하는 연삭 휠 (64) 의 연삭 지석 (641) 이 경화된 수지막 (J) 의 상면에 맞닿음으로써 연삭 가공이 실시된다. 또, 유지 테이블 (30) 이 회전함에 따라 유지면 (300) 상에 유지된 피가공물 (W) 도 회전하므로, 수지막 (J) 의 상면의 전체면이 연삭되어 평탄하게 되어 간다. 예를 들어, 연삭 가공 중에는, 연삭수를 회전축 (60) 중의 유로를 통해 연삭 지석 (641) 과 수지막 (J) 의 접촉 부위에 대하여 공급하여, 접촉 부위를 냉각·세정한다.
소정량 수지막 (J) 을 연삭 지석 (641) 으로 연삭한 후, 연삭 이송 수단 (7) 이 수지 연삭 수단 (6) 을 상승시켜 피가공물 (W) 로부터 이간시킨다. 또한 회전이 정지된 유지 테이블 (30) 상에 있어서, 두께 측정 수단 (19) 에 의해 연삭 후의 수지막 (J) 의 두께가 측정되어, 두께 측정 수단 (19) 이 피가공물 (W) (첫 번째 장의 피가공물 (W)) 의 두께에 대한 정보를 제어 수단 (9) 의 메모리에 보내고, 제어 수단 (9) 은 그 정보를 기억한다.
두께 측정 수단 (19) 에 의해 두께가 측정된 피가공물 (W) 을 흡인 유지하는 유지 테이블 (30) 이, -Y 방향으로 이동하여 제 3 반송 로봇 (83) 의 가동 영역 내에 위치지어지고 나서, 피가공물 (W) 이 제 3 반송 로봇 (83) 에 의해 흡착되어 유지 테이블 (30) 로부터 반출된다. 그리고, 피가공물 (W) 의 수지막 (J) 을 흡착 유지한 제 3 반송 로봇 (83) 이 선회 이동하여, 세정 장치 (15) 에 피가공물 (W) 을 반입한다.
세정 장치 (15) 에 있어서 피가공물 (W) 의 수지막 (J) 의 피연삭면이 세정된 후, 제 1 반송 로봇 (81) 이 피가공물 (W) 을 세정 장치 (15) 로부터 반출하고, 제 2 카세트 (52) 의 예를 들어 최하단의 선반에 피가공물 (W) 을 반입한다. 그리고, 제어 수단 (9) 은 앞서 기억한 첫 번째 장의 피가공물 (W) 의 수지막 (J) 의 두께와 첫 번째 장의 피가공물 (W) 이 수용된 제 2 카세트 (52) 내의 선반의 단수 (최하단) 를 결합시켜 기억한다.
이와 같이, 본 발명에 관련된 가공 장치 (1) 는, 피가공물 (W) 을 복수 수용하는 제 1 카세트 (51) 가 재치되는 제 1 카세트 재치 수단 (53) 및 피가공물 (W) 을 복수 수용하는 제 2 카세트 (52) 가 재치되는 제 2 카세트 재치 수단 (54), 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 수지를 피복하는 수지 피복 수단 (2) 과, 피복한 수지에 외적 자극을 가하여 (본 실시형태에 있어서는, UV 의 조사) 수지를 경화시키는 수지 경화 수단 (4) 과, 경화된 수지를 회전하는 연삭 지석 (641) 으로 연삭하여 평탄화시키는 수지 연삭 수단 (6) 과, 각 수단의 사이에서 피가공물을 반송하는 제 1 반송 로봇 (81), 제 2 반송 로봇 (82), 제 3 반송 로봇 (83), 및 제 4 반송 기구 (84) 를 구비하고 있기 때문에, 본 발명에 관련된 가공 장치 (1) 내에서만, 피복한 수지막 (J) 의 두께를 원하는 두께로 하고, 또한 수지막 (J) 의 노출면 (피연삭면) 을 고정밀도로 평탄화시키는 것이 가능해진다.
이하 상기 첫 번째 장의 피가공물 (W) 에 두께를 제어한 수지막 (J) 을 형성하는 것과 동일하게 하여, 제 1 카세트 (51) 에 수용되어 있는 피가공물 (W) 을 하방의 선반으로부터 순서대로 제 1 반송 로봇 (81) 에 의해 반출하고, 수지의 피복, 피복한 수지막의 경화, 수지막의 연삭 가공, 및 수지막의 세정을 실시해 가고, 수지막이 피복된 피가공물 (W) 을 제 2 카세트 (52) 의 예를 들어 하방의 선반으로부터 순서대로 수용해 간다. 또, 제어 수단 (9) 에 의해, 제 2 카세트 (52) 내의 각 선반의 단수와, 그 단수의 선반에 수용되어 있는 피가공물 (W) 의 수지막의 두께값이 결합되어 순서대로 기억되어 간다.
이와 같이 하여, 제 1 카세트 (51) 내의 예를 들어 모든 피가공물 (W) 에 대하여, 수지의 피복, 피복한 수지막의 경화, 수지막의 연삭 가공, 및 수지막의 세정이 실시되고, 제 2 카세트 (52) 의 각 선반 모두에 수지가 피복된 피가공물 (W) 이 수용되면, 제 2 카세트 (52) 는, 도시되지 않은 반송 수단 등에 의해 다음 공정의 연삭 장치로 반송된다.
연삭 장치는, 다음 공정에 있어서 피가공물 (W) 의 수지막측을 유지 테이블로 흡인 유지하고, 유지 테이블로 유지된 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 회전하는 연삭 휠로 연삭하여 피가공물 (W) 을 소정의 두께로 박화한다. 예를 들어, 가공 장치 (1) 의 제어 수단 (9) 은, 배선을 개재하여 다음 공정의 연삭 장치에 전기적으로 접속되어 있고, 앞서 기억한 제 2 카세트 (52) 내의 각 선반의 단수번과 각 단수번의 선반에 수용되어 있는 각 피가공물 (W) 의 수지막의 두께값의 정보를 연삭 장치의 제어 수단에 전달한다. 그 때문에, 다음 공정의 연삭 장치에 있어서는, 전달된 피가공물 (W) 의 수지막의 두께 정보 등을 이용하여, 연삭 수단의 연삭 이송 위치의 적절한 설정 등을 실시하는 것이 가능해지므로, 피가공물 (W) 의 연삭 후의 마무리 두께의 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명에 관련된 가공 장치 (1) 는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 또 첨부 도면에 도시되어 있는 장치의 각 구성의 형상 등에 대해서도 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 범위 내에서 적절히 변경 가능하다.
예를 들어, 제 1 반송 로봇 (81), 제 2 반송 로봇 (82), 및 제 3 반송 로봇 (83) 은, 본 실시형태에 있어서는, 흡인력으로 피가공물 (W) 을 흡인 유지하는 반송 수단이지만, 예를 들어 피가공물 (W) 의 외주연을 직경 방향으로 축경 가능한 복수의 유지 갈고리로 유지하여 반송하는 에지 클램프 타입의 반송 수단이어도 된다.
1 : 가공 장치
10 : 베이스
17 : 칼럼
19 : 두께 측정 수단
14 : 위치 맞춤 수단
15 : 세정 장치
2 : 수지 피복 수단
20 : 스피너 테이블
21 : 노즐
24 : 회전 수단
30 : 유지 테이블
300 : 유지면
4 : 수지 경화 수단
40 : UV 조사실
7 : 연삭 이송 수단
70 : 볼 나사
71 : 1 쌍의 가이드 레일
72 : 모터
73 : 승강판
51 : 제 1 카세트
53 : 제 1 카세트 재치 수단
531 : 카세트 스테이지
52 : 제 2 카세트
54 : 제 2 카세트 재치 수단
6 : 수지 연삭 수단
60 : 회전축
61 : 하우징
62 : 모터
63 : 마운트
64 : 연삭 휠
641 : 연삭 지석
81 : 제 1 반송 로봇
82 : 제 2 반송 로봇
83 : 제 3 반송 로봇
84 : 제 4 반송 기구
9 : 제어 수단
W : 피가공물
Wa : 피가공물의 표면
Wb : 피가공물의 이면
1A : 다음 공정의 연삭 장치

Claims (3)

  1. 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 피가공물의 표면에 수지를 피복하는 피가공물의 가공 장치로서,
    피가공물을 복수 수용하는 카세트가 재치되는 카세트 재치 수단과,
    피가공물의 표면에 수지를 피복하는 수지 피복 수단과,
    피복한 수지에 외적 자극을 가하여 그 수지를 경화시키는 수지 경화 수단과,
    경화된 수지를 회전하는 연삭 지석으로 연삭하여 평탄화시키는 수지 연삭 수단과,
    상기 카세트 재치 수단, 상기 수지 피복 수단, 상기 수지 경화 수단 및 상기 수지 연삭 수단의 사이에서 피가공물을 반송하는 반송 수단을 구비한 피가공물의 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 피복 수단은 스핀 코트법에 의해 수지를 피가공물의 표면에 피복하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    연삭한 후의 수지의 두께를 측정하고, 피가공물의 이면을 연삭하여 피가공물을 소정의 두께로 박화하는 다음 공정의 연삭 장치에 측정한 수지의 두께를 전달하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 장치.
KR1020180153411A 2017-12-26 2018-12-03 피가공물의 가공 장치 KR102619745B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017249095A JP7081919B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 加工装置
JPJP-P-2017-249095 2017-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190078490A true KR20190078490A (ko) 2019-07-04
KR102619745B1 KR102619745B1 (ko) 2023-12-29

Family

ID=66767938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180153411A KR102619745B1 (ko) 2017-12-26 2018-12-03 피가공물의 가공 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11819975B2 (ko)
JP (1) JP7081919B2 (ko)
KR (1) KR102619745B1 (ko)
CN (1) CN109955144B (ko)
DE (1) DE102018222298A1 (ko)
MY (1) MY202344A (ko)
TW (1) TWI789473B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7081919B2 (ja) 2017-12-26 2022-06-07 株式会社ディスコ 加工装置
JP7115850B2 (ja) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および加工装置
JP7216613B2 (ja) * 2019-05-16 2023-02-01 株式会社ディスコ 加工装置
JP7434352B2 (ja) * 2019-11-15 2024-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN117861894B (zh) * 2024-03-13 2024-05-07 常州威斯敦粘合材料有限责任公司 锂电池电芯喷涂自动化检测设备及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303214A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2009043931A (ja) 2007-08-08 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研削方法
JP2011245610A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2012049395A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Covalent Materials Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2013069886A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法および保護膜形成装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020052169A1 (en) 2000-03-17 2002-05-02 Krishna Vepa Systems and methods to significantly reduce the grinding marks in surface grinding of semiconductor wafers
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
JP3932836B2 (ja) * 2001-07-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法
US7175505B1 (en) * 2006-01-09 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Method for adjusting substrate processing times in a substrate polishing system
JP2010034128A (ja) 2008-07-25 2010-02-12 Sumco Corp ウェーハの製造方法及び該方法により得られたウェーハ
JP5791329B2 (ja) * 2011-03-31 2015-10-07 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP5770677B2 (ja) * 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6046933B2 (ja) * 2012-07-10 2016-12-21 株式会社荏原製作所 研磨方法
JP2015035582A (ja) * 2013-07-11 2015-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜システム
JP6145342B2 (ja) * 2013-07-12 2017-06-07 株式会社荏原製作所 膜厚測定装置、膜厚測定方法、および膜厚測定装置を備えた研磨装置
US9312142B2 (en) 2014-06-10 2016-04-12 Globalfoundries Inc. Chemical mechanical polishing method and apparatus
WO2016043965A1 (en) * 2014-09-19 2016-03-24 Applied Materials, Inc. Parallel plate inline substrate processing tool
US10199255B2 (en) * 2016-03-10 2019-02-05 Infineon Technologioes AG Method for providing a planarizable workpiece support, a workpiece planarization arrangement, and a chuck
JP6974126B2 (ja) * 2017-11-13 2021-12-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7081919B2 (ja) 2017-12-26 2022-06-07 株式会社ディスコ 加工装置
JP7115850B2 (ja) * 2017-12-28 2022-08-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法および加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005303214A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェーハの研削方法
JP2009043931A (ja) 2007-08-08 2009-02-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの裏面研削方法
JP2011245610A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2012049395A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Covalent Materials Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2013069886A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法および保護膜形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190198357A1 (en) 2019-06-27
CN109955144B (zh) 2022-08-02
TWI789473B (zh) 2023-01-11
MY202344A (en) 2024-04-24
JP2019114742A (ja) 2019-07-11
US11819975B2 (en) 2023-11-21
KR102619745B1 (ko) 2023-12-29
DE102018222298A1 (de) 2019-06-27
CN109955144A (zh) 2019-07-02
JP7081919B2 (ja) 2022-06-07
TW201931459A (zh) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190078490A (ko) 피가공물의 가공 장치
JP2002343756A (ja) ウェーハ平面加工装置
JP6377433B2 (ja) 研削方法
CN106563980B (zh) 磨削方法
TWI534932B (zh) Wafer transfer mechanism
KR102605419B1 (ko) 피가공물의 가공 방법 및 가공 장치
JP6552930B2 (ja) 研削装置
JP6598668B2 (ja) 研削装置
JP7018506B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
CN116230510A (zh) 晶片的制造方法和磨削装置
CN113043156A (zh) 磨削装置
JP2014042959A (ja) 研削装置
TW202212052A (zh) 研磨裝置
TWI838595B (zh) 磨削裝置
JP5512314B2 (ja) 研削装置
JP2010010267A (ja) 半導体ウエーハの加工装置
KR20230163296A (ko) 연삭 장치 및 웨이퍼의 연삭 방법
KR102246915B1 (ko) 연삭 방법
JP2023034897A (ja) 基板処理装置
JP2021045814A (ja) チップの研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant