DE102009030294B4

DE102009030294B4 - Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe

Info

Publication number: DE102009030294B4
Application number: DE102009030294A
Authority: DE
Inventors: Jürgen Schwandner
Original assignee: Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 2009-06-24
Filing date: 2009-06-24
Publication date: 2013-04-25
Anticipated expiration: 2029-06-25
Also published as: US20100330885A1; CN101930908A; US8388411B2; KR20100138737A; TW201101378A; CN101930908B; KR101152462B1; DE102009030294A1; TWI431678B; JP5839783B2; JP2011009736A

Abstract

Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe, umfassend: (a) Bereitstellen einer auf ihren Seitenflächen polierten Halbleiterscheibe, die eine verrundete Kante aufweist; (b) Politur der Kante der Halbleiterscheibe durch Fixieren der Halbleiterscheibe auf einem zentrisch rotierenden Chuck, Zustellen der Halbleiterscheibe und einer gegen den Chuck geneigten, zentrisch rotierenden, mit einem Poliertuch, enthaltend fest gebundene Abrasive, beaufschlagten Poliertrommel und Aneinanderpressen von Halbleiterscheibe und Poliertrommel, wobei ein erster Schritt der Politur der Kante unter kontinuierlicher Zuführung einer Poliermittellösung, die keine Feststoffe enthält, und ein zweiter Schritt der Politur der Kante unter Zuführung einer Abrasive enthaltenden Poliermittelsuspension erfolgt, wobei das Poliertuch in beiden Schritten eine erste Lage enthaltend Abrasive ausgewählt aus Partikeln von Oxiden der Elemente Cer, Aluminium, Silicium mit einer mittleren Größe von 0,1–1,0 μm, eine Lage aus Polycarbonat sowie eine nachgiebige, nicht-gewebte Lage aus Polyesterfasern, die mit Polyurethan getränkt sind, umfasst, wobei die Lagen mittels druckempfindlicher Klebeschichten miteinander verbunden sind.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe.
Bei der Halbleiterscheibe handelt es sich üblicherweise um eine Siliciumscheibe oder ein Substrat mit von Silicium abgeleiteten Schichtstrukturen (z. B. Silicium-Germanium). Diese Siliciumscheiben, auch Wafer genannt, werden insbesondere zur Herstellung von Halbleiterbauelementen wie Speicherchips (DRAM), Mikroprozessoren, Sensoren, Leuchtdioden und vielen mehr verwendet.
Die Qualitätsanforderungen an die Kante einer Halbleiterscheibe (Wafer) werden insbesondere bei großen Durchmessern der Halbleiterscheibe (Durchmesser ≥ 300 mm) immer höher. Die Kante der Halbleiterscheibe soll insbesondere möglichst frei von Kontaminationen sein und eine geringe Rauhigkeit aufweisen. Außerdem soll sie gegenüber erhöhten mechanischen Beanspruchungen beim Handling resistent sein. Die unbehandelte Kante einer von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe hat eine vergleichsweise raue und uneinheitliche Oberfläche. Sie bricht bei mechanischer Belastung häufig aus und ist eine Quelle störender Partikel. Daher ist es üblich, die Kante zu überschleifen, um dadurch Ausbrüche und Beschädigungen im Kristall zu beseitigen und ihr ein bestimmtes Profil zu geben.
Geeignete Schleifvorrichtungen sind aus dem Stand der Technik bekannt. Üblicherweise wird die Halbleiterscheibe auf einem sich drehenden Tisch fixiert und mit ihrer Kante gegen die sich ebenfalls drehende Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt. Die dabei eingesetzten Bearbeitungswerkzeuge sind meist als Scheiben ausgebildet, die an einer Spindel befestigt sind und Umfangsflächen aufweisen, die als Arbeitsflächen zur Bearbeitung der Kante der Halbleiterscheibe dienen. Das Material abtragende Korn ist üblicherweise fest in die Arbeitsflächen der Bearbeitungswerkzeuge verankert. Meist weist das verwendete Korn eine grobe Körnung auf. Die Korngröße wird üblicherweise in mesh (Siebgröße) gemäß Japanese Industrial Standard JIS R 6001:1998 angegeben.
Aus den mesh-Zahlen lässt sich eine mittlere Partikelgröße errechnen.
Wenn Schleifscheiben mit feiner Körnung verwendet werden, wird oftmals auch von Feinschleifen gesprochen. Solche Feinschleifscheiben weisen eine Körnung von mesh 1000 bis zu mesh 4000 auf, z. B. die von Disco Corporation kommerziell erhältlichen. Bei der Umrechnung in Partikelgrößen ergibt sich, dass beispielsweise Mesh 1200 einer mittleren Partikelgröße von 9,5 μm, mesh 5000 einer mittleren Partikelgröße von 2,5 μm und mesh 8000 einer mittleren Partikelgröße von 1,2 μm entsprechen.
Die mittleren Partikelgrößen beim Feinschleifen betragen etwa 3 μm bis zu 10 μm. Werden Schleifscheiben mit grober Körnung verwendet, liegt die mittlerer Korngröße größer als 10 μm und bis zu üblicherweise 15 μm.
Diese Schleif-Bearbeitungswerkzeuge eignen sich, die Halbleiterscheibe mit einer verrundeten Kante zu versehen. Üblicherweise bleibt nach dem Kantenverrunden aber eine gewisse Mindestrauhigkeit auf der Kantenoberfläche.
In einem späteren Bearbeitungsschritt wird die geschliffene und mit einem Ätzmedium behandelte Kante der Scheibe daher üblicherweise poliert.
Dabei wird die Kante einer sich zentrisch drehenden Halbleiterscheibe mit einer bestimmten Kraft (Anpressdruck) gegen eine sich zentrisch drehende Poliertrommel gedrückt. Aus US 5,989,105 ist ein derartiges Verfahren zum Kantenpolieren bekannt, bei dem die Poliertrommel aus einer Aluminium-Legierung besteht und mit einem Poliertuch beaufschlagt ist. Die Halbleiterscheibe ist üblicherweise auf einem flachen Scheibenhalter, einem so genannten Chuck, fixiert. Die Kante der Halbleiterscheibe ragt über den Chuck hinaus, so dass sie für die Poliertrommel frei zugänglich ist.
DE 43 25 518 A1 lehrt ebenfalls eine Vorrichtung zum Polieren einer Kante einer Halbleiterscheibe, bei dem der Wafer auf einem zentrisch rotierenden Chuck gehalten wird und eine Poliertrommel an die Kante des Wafers gedrückt wird. Die Poliertrommel ist mit einem Poliertuch belegt, welches fest gebundenes Schleifkorn enthält.
DE 100 04 578 C1 beschreibt ein Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe, mit einem Poliertuch, welches kein gebundenes Schleifkorn enthält. Der Kantenpolierprozess erfolgt unter kontinuierlicher Zuführung einer alkalischen Poliermittelsuspension.
Die deutsche Anmeldung DE 10 2007 056 122 A1 offenbart ein Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe, bei dem zuerst ein Poliertuch eingesetzt wird, welches gebundenes Schleifkorn (Abrasive) enthält. Die Glättung der Kante erfolgt mit einem Schleiftuch, bei dem die gebundenen Abrasive besonders fein sind.
Poliertücher mit festgebundenen Abrasiven (FA-Poliertücher) sind beispielsweise in US 2005 0 229 499 A1 und US 2002 0 111 120 A1 offenbart.
Eine Politur mit einem Poliertuch, welches fest gebundene Abrasive enthält (fixed abrasive polishing, FA-Politur) erfolgt in Gegenwart eines Poliermittels, das sowohl frei von Abrasiven sein kann (Poliermittellösung) oder fein verteilte Abrasive enthalten kann (Poliermittelsuspension, Slurry). Die Druckschrift DE 10 2007 035 266 A1 beschreibt übliche Merkmale von Poliermittellösungen für FA-Polituren.
Bei den üblichen Kantenpolierverfahren wird insbesondere die lokale Geometrie im Randbereich der Halbleiterscheibe negativ beeinflußt. Dies hängt damit zusammen, dass mit den hierbei verwendeten relativ ”weichen Kantenpoliertüchern” (üblicherweise werden relativ weiche und mit Kieselsol beaufschlagte Poliertücher verwendet) nicht nur die Kante selbst, sondern auch noch ein äußerer Teil auf Vorder- und/oder Rückseite der Halbleiterscheibe poliert wird, was durch ein ”Eintauchen” der harten Kante in das mit Poliermittelsuspension beaufschlagte Poliertuch zu erklären ist. Dies führt dazu, dass eben nicht nur im Bereich der eigentlichen Kante abgetragen wird, sondern auch im angrenzenden Bereich auf Vorder- und/oder Rückseite.
Aufgabe der Erfindung war es, dafür eine Lösung anzubieten und die Nachteile des Stands der Technik zu vermeiden.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch ein Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe, umfassend: (a) Bereitstellen einer auf ihren Seitenflächen polierten Halbleiterscheibe, die eine verrundete Kante aufweist; (b) Politur der Kante der Halbleiterscheibe durch Fixieren der Halbleiterscheibe auf einem zentrisch rotierenden Chuck, Zustellen der Halbleiterscheibe und einer gegen den Chuck geneigten, zentrisch rotierenden, mit einem Poliertuch, enthaltend fest gebundene Abrasive, beaufschlagten Poliertrommel und Aneinanderpressen von Halbleiterscheibe und Poliertrommel, wobei ein erster Schritt der Politur der Kante unter kontinuierlicher Zuführung einer Poliermittellösung, die keine Feststoffe enthält, und ein zweiter Schritt der Politur der Kante unter Zuführung einer Abrasive enthaltenden Poliermittelsuspension erfolgt, wobei das Poliertuch in beiden Schritten eine erste Lage enthaltend Abrasive ausgewählt aus Partikeln von Oxiden der Elemente Cer, Aluminium, Silicium mit einer mittleren Größe von 0,1–1,0 μm, eine Lage aus Polycarbonat sowie eine nachgiebige, nicht-gewebte Lage aus Polyesterfasern, die mit Polyurethan getränkt sind, umfasst, wobei die Lagen mittels druckempfindlicher Klebeschichten miteinander verbunden sind.
Bevorzugte Ausführungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beansprucht oder nachfolgend beschrieben.
Die Erfindung basiert auf einer sequentiellen Kantenpolitur auf Basis der Fixed Abrasive Poliertechnologie.
Mittels dieser ist es möglich die Waferkante gezielt zu beeinflussen, ohne den angrenzenden Bereich von Vorder- und/oder Rückseite der Halbleiterscheibe zu beeinträchitgen und somit zum Beispiel die gewünschten Geometrie- und Oberflächeneigenschaften nur auf der Waferkante einzustellen.
Das verwendete FAP-Tuch ist wesentlich härter und weit weniger kompressibel als die standardmäßig verwendeten Poliertücher und bietet zudem den Vorteil den Abtrag ohne alkalisch aufgeladenes Kieselsol – z. B. nur durch Verwendung einer alkalischen Lösung – zu erzeugen, was zudem Poliermittelverschleppung auf die Wafervorderseite und damit die zusätzliche negative Beeinflussung der Waferoberfläche – in Form von z. B. erhöhten Defektraten wie z. B. LLS (localised light scatterers) aufgrund von Anätzungen – vermeidet.
Anschließend erfolgt auf dem gleichen FA-Poliertuch ein kurzer Soft-Polierschritt mit sanft abtragendem Kieselsol, um eine Reduzierung der Kantenrauheit und -defektraten zu realisieren.
Die beiden Polierschritte können aufeinander abgestimmt werden so dass sich eine gezielte positive Beeinflussung der Waferkantengeometrie und -oberfläche ohne negative Beeinflussung der Waferpartialsites auf der Wafervorderseite und Waferrückseite vornehmen läßt.
Zunächst wird eine mittels DSP (Doppelseitenpolitur) polierte Halbleiterscheibe bereitgestellt. Die Halbleiterscheibe weist eine verrundete Kante auf (erzeugt mittels eines zuvor im Stand der Technik erläuterten Kantenschleif-Verfahrens).
Diese Halbleiterscheibe wird mittels einer Poliertrommel, auf deren Oberfläche ein hartes und wenig kompressibles Poliertuch aufgeklebt ist, das fest gebundene Abrasive beinhaltet, unter Zuführung einer alkalischen Lösung poliert. Es erfolgt ein zweiter Schritt der Politur der Kante unter Zuführung einer Abrasive enthaltenden Poliermittelsuspension.
Vorzugsweise erfolgt anschließend in einem zweiten Schritt auf dem gleichen Poliertuch ein Glättungsschritt unter Zufuhr eines Kieselsols, wie z. B. Glanzox 3900 mit etwa 1 Gew-% SiO₂.
Glanzox 3900 ist der Produktname für eine Poliermittelsuspension, die von Fujimi Incorporated, Japan, als Konzentrat angeboten wird. Die Basislösung dieses Konzentrats hat einen pH von 10,5 und enthält ca. 9 Gew-% kolloidales SiO₂ mit einer mittleren Teilchengröße von 30 bis 40 nm.
Es hat sich gezeigt, dass durch das erfindungsgemäße Verfahren die im Stand der Technik beobachtete Verschlechterung der lokalen Geometrie im Randbereich der Halbleiterscheibe vermieden wird.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass Poliermittelverschleppungen im abtragenden Schritt der Kantenpolitur und somit das Auftreten von Oberflächendefekten aufgrund von unkontrollierten Anätzungen auf der Waferoberfläche vermieden werden.
Die Erfindung ist insbesondere auf die Bearbeitung von Halbleiterscheiben mit einem Durchmesser von 300 m oder größer, ganz besonders bevorzugt mit einem Durchmesser von 450 mm, gerichtet.
Als Halbleitermaterial ist Silicium besonders bevorzugt.
Die verwendete Poliermittellösung bei der Kantenpolitur ist im einfachsten Fall Wasser, vorzugsweise deionisiertes Wasser (DIW) mit der für die Verwendung in der Halbleiterindustrie üblichen Reinheit.
Die Poliermittellösung kann aber auch Verbindungen wie Natriumcarbonat (Na₂CO₃), Kaliumcarbonat (K₂CO₃), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH₄OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) oder beliebige Mischungen davon enthalten.
Ganz besonders bevorzugt ist die Verwendung von Kaliumcarbonat.
Der pH-Wert der Poliermittellösung liegt vorzugsweise in einem Bereich von 10 bis 12 und der Anteil der genannten Verbindungen in der Poliermittellösung beträgt vorzugsweise 0,01 bis 10 Gew.-%, besonders bevorzugt von 0,01 bis 0,2 Gew.-%.
Die Poliermittellösung kann darüber hinaus einen oder mehrere weitere Zusätze enthalten, beispielsweise oberflächenaktive Additive wie Netzmittel und Tenside, als Schutzkolloide wirkende Stabilisatoren, Konservierungsmittel, Biozide, Alkohole und Komplexbildner.
Beim zweiten Schritt der Kantenpolitur wird ein Poliermittel enthaltend Abrasive verwendet.
Der Anteil des Abrasivstoffes in der Poliermittelsuspension beträgt vorzugsweise 0,25 bis 20 Gew.-%, besonders bevorzugt 0,25 bis 1 Gew.-%.
Die Größenverteilung der Abrasivstoff-Teilchen ist vorzugsweise monomodal ausgeprägt.
Die mittlere Teilchengröße beträgt 5 bis 300 nm, besonders bevorzugt 5 bis 50 nm.
Der Abrasivstoff besteht aus einem das Substratmaterial mechanisch abtragendem Material, vorzugsweise aus einem oder mehreren der Oxide der Elemente Aluminium, Cer oder Silicium.
Besonders bevorzugt ist eine Poliermittelsuspension, die kolloid-disperse Kieselsäure enthält.
Im zweiten Schritt der Kantenpolitur werden im Gegensatz zum ersten Schritt vorzugsweise keine Zusätze wie Natriumcarbonat (Na₂CO₃), Kaliumcarbonat (K₂CO₃), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH₄OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) zugesetzt.
Die Poliermittelsuspension kann aber einen oder mehrere weitere Zusätze enthalten, beispielsweise oberflächenaktive Additive wie Netzmittel und Tenside, als Schutzkolloide wirkende Stabilisatoren, Konservierungsmittel, Biozide, Alkohole und Komplexbildner.
Im erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Poliertuch verwendet, das einen im Poliertuch gebundenen Abrasivstoff enthält (FAP-Tuch bzw. FA-Pad).
Geeignete Abrasivstoffe umfassen beispielsweise Partikel von Oxiden der Elemente Cer, Aluminium, Silicium.
Besonders geeignete Poliertücher weisen eine von replizierten Mikrostrukturen geprägte Oberflächentopografie auf. Diese Mikrostrukturen („posts”) haben beispielsweise die Form von Säulen mit einem zylindrischen oder mehreckigen Querschnitt oder die Form von Pyramiden oder Pyramidenstümpfen.
Nähere Beschreibungen solcher Poliertücher sind beispielsweise in WO 92/13680 A1 und US 2005/227590 A1 enthalten.
Besonders bevorzugt ist die Verwendung von im Poliertuch gebundenen Ceroxid-Partikeln, vgl. auch US6602117B1 .
Die mittlere Partikelgröße des FAP-Poliertuchs beträgt 0,1–1,0 μm, besonders bevorzugt 0,1–0,25 μm.
Besonders geeignet zur Durchführung des Verfahrens ist ein Poliertuch mit mehrlagigem Aufbau, umfassend eine Lage enthaltend Abrasive, eine Lage aus einem steifen Kunststoff sowie eine nachgiebige, nicht-gewebte Lage, wobei die Lagen mittels druckempfindlicher Klebeschichten miteinander verbunden sind.
Die Lage aus einem steifen Kunststoff umfasst Polycarbonat.
Das Poliertuch kann eine zusätzliche Lage aus Polyurethan-Schaum enthalten.
Eine der Lagen des Poliertuchs ist dabei nachgiebig.
Bei der nachgiebigen Lage handelt es sich um eine nicht-gewebte Schicht.
Die nachgiebige Lage umfasst Poylesterfasern, die mit Polyurethan getränkt sind („non-woven”).
Durch die nachgiebige Lage kann sich die Tuchhöhe anpassen und stetigen Übergängen folgen.
Die nachgiebige Lage entspricht vorzugsweise der untersten Lage des Poliertuchs. Darüber befindet sich vorzugsweise eine Schaumlage z. B. aus Polyurethan, die mittels einer Klebeschicht auf der nachgiebigen Lage befestigt wird. Über dem PU-Schaum befindet sich eine Lage aus einem härteren, steifen Material, wozu erfindungsgemäß Polycarbonat verwendet wird. Über dieser steifen Lage befindet sich die Schicht mit den Mikroreplikaten, also die eigentliche Fixed Abrasive-Lage.
Die nachgiebige Lage kann sich aber auch zwischen der Schaumschicht und der steifen Lage oder direkt unterhalb der Fixed-Abrasive-Lage befinden.
Die Befestigung der verschiedenen Lagen aneinander erfolgt mittels druckempfindlicher Klebeschichten (PSA).
Der Erfinder hat erkannt, dass ein Poliertuch ohne die im Stand der Technik von FAP-Poliertüchern stets vorhandene PU-Schaumschicht zu guten Ergebnissen führt.
In diesem Fall umfasst das Poliertuch eine Schicht mit den Mikroreplikaten, eine nachgiebige Schicht und eine Lage aus einem steifen Kunststoff aus Polycarbonat, wobei die nachgiebige Schicht entweder die mittlere oder die unterste Lage des Poliertuchs sein kann.
Diese neuartigen Poliertücher eignen sich insbesondere zum Einsatz in einer Mehrteller-Poliermaschine (AMAT Reflection von Applied Materials, Inc.). Diese Poliermaschine umfasst einen 5 Zonen-Membrancarrier, der es erlaubt, das Druckprofil des Carriers in 5 Zonen unterschiedlich einzustellen. Dies führt in Versbindung mit den nachgiebigen Poliertüchern zu hervorragenden Ergebnissen hinsichtlich der Geometrie der polierten Scheiben.
Die Korngrößen der verwendeten FAP-Poliertücher sind größer oder gleich 0,1 μm und kleiner oder gleich 1,0 μm, besonders bevorzugt 0,1–0,25 μm.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignen sich handelsübliche Kantenpolierautomaten.
Dabei ist die Halbleiterscheibe auf einem zentrisch rotierenden Chuck fixiert, wobei sie über den Chuck hinausragt. Eine um einen bestimmten Winkel gegen den Chuck geneigte, zentrisch rotierende und mit dem FAP-Poliertuch beaufschlagte Poliertrommel und der Chuck mit der Halbleiterscheibe werden einander zugestellt und mit einem bestimmten Anpressdruck unter kontinuierlicher Zuführung des Poliermittels aneinander gepresst.
Bei der Kantenpolitur wird der Chuck mit der darauf gehaltenen Halbleiterscheibe zentrisch rotiert.
Vorzugsweise dauert eine Umdrehung des Chuck 20–300, besonders bevorzugt 50–150 s (Umlaufzeit).
Eine mit dem Poliertuch belegte Poliertrommel, die vorzugsweise mit einer Drehzahl von 300–1500 min^–1, besonders bevorzugt 500–1000 min^–1, zentrisch rotiert wird, und der Chuck werden einander zugestellt, wobei die Poliertrommel unter einem Anstellwinkel gegen die Halbleiterscheibe schräg angestellt und die Halbleiterscheibe so auf dem Chuck fixiert ist, dass sie leicht über diesen hinaus ragt und so für die Poliertrommel zugänglich ist.
Der Anstellwinkel beträgt vorzugsweise 30–50°.
Halbleiterscheibe und Poliertrommel werden mit einem bestimmten Anpressdruck unter kontinuierlicher Zuführung eines Poliermittels, vorzugsweise mit einem Poliermittelfluss von 0,1–1 Liter/min, besonders bevorzugt 0,15–0,40 Liter/min, aneinander gepresst, wobei der Anpressdruck durch an Rollen befestigte Gewichte eingestellt werden kann und vorzugsweise 1–5 kg, besonders bevorzugt 2–4 kg, beträgt. Vorzugsweise werden nach 2–20, besonders bevorzugt nach 2–8 Umdrehungen der Halbleiterscheibe bzw. des die Halbleiterscheibe haltenden Chuck Poliertrommel und Halbleiterscheibe voneinander entfernt.
Beispiel
Für eine Kantenpoliermaschine vom Typ Speedfam EP300-IV sind beispielhaft folgende Einstellparameter zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet (in Klammern ist gegebenenfalls ein bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bevorzugter Bereich angegeben):

– Anpressdruck während des Polierens: 3,0 kg (1,0–5,0 kg)
– Drehzahl Poliertrommel: 800UPM (300–1500 U/min)
– Drehzahlen Chuck/Halbleiterscheibe: 85 sec/Umdrehung (20–300 sec/Umdrehung)
– Umdrehungen der Halbleiterscheibe: 4 (2–20 Umdrehungen)
– Poliermittelfluss: 300 ml/min (100–1000 ml/min)
– Poliermittelkonzentration: z. B. 0,8% K₂CO₃ (unwesentlich, beliebige andere Konzentrationen möglich)
– Poliermittelart: z. B. 5% SiO₂ Levasil^TM 200 von Fa. Bayer, viele andere denkbar
– Anstellwinkel von Poliertrommel zum Wafer: 40° (30–50°)
– Poliertuch: Fixed Abrasive Poliertücher z. B. mit Ceroxid-Partikeln, Partikelgrößen 0,1–0,2 5 μm
– Polierdauer: 340 sec (150–600 sec)

Claims

Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe, umfassend: (a) Bereitstellen einer auf ihren Seitenflächen polierten Halbleiterscheibe, die eine verrundete Kante aufweist; (b) Politur der Kante der Halbleiterscheibe durch Fixieren der Halbleiterscheibe auf einem zentrisch rotierenden Chuck, Zustellen der Halbleiterscheibe und einer gegen den Chuck geneigten, zentrisch rotierenden, mit einem Poliertuch, enthaltend fest gebundene Abrasive, beaufschlagten Poliertrommel und Aneinanderpressen von Halbleiterscheibe und Poliertrommel, wobei ein erster Schritt der Politur der Kante unter kontinuierlicher Zuführung einer Poliermittellösung, die keine Feststoffe enthält, und ein zweiter Schritt der Politur der Kante unter Zuführung einer Abrasive enthaltenden Poliermittelsuspension erfolgt, wobei das Poliertuch in beiden Schritten eine erste Lage enthaltend Abrasive ausgewählt aus Partikeln von Oxiden der Elemente Cer, Aluminium, Silicium mit einer mittleren Größe von 0,1–1,0 μm, eine Lage aus Polycarbonat sowie eine nachgiebige, nicht-gewebte Lage aus Polyesterfasern, die mit Polyurethan getränkt sind, umfasst, wobei die Lagen mittels druckempfindlicher Klebeschichten miteinander verbunden sind.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei der im ersten Schritt verwendeten Poliermittellösung um Wasser oder um wässrige Lösungen der Verbindungen Natriumcarbonat (Na₂CO₃), Kaliumcarbonat (K₂CO₃), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH₄OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) oder beliebigen Mischungen davon handelt.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der pH-Wert der Poliermittellösung 10 bis 12 und der Anteil der genannten Verbindungen in der Poliermittellösung 0,01 bis 10 Gew.-% betragen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Anteil des Abrasivstoffes in der im zweiten Schritt verwendeten Poliermittelsuspension vorzugsweise 0,25 bis 20 Gew.-% beträgt.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Abrasivstoff in der Poliermittelsuspension aus einem oder mehreren der Oxide der Elemente Aluminium, Cer oder Silicium besteht.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Poliermittelsuspension kolloid-disperse Kieselsäure enthält.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der pH-Wert der Poliermittelsuspension im Bereich von 9 bis 11,5 liegt.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei der ph-Wert der Poliermittelsuspension durch Zusätze ausgewählt aus Natriumcarbonat (Na₂CO₃), Kaliumcarbonat (K₂CO₃), Natriumhydroxid (NaOH), Kaliumhydroxid (KOH), Ammoniumhydroxid (NH₄OH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) oder beliebigen Mischungen dieser Verbindungen, eingestellt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Poliertuch fest gebundene Ceroxid-Partikel enthält.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die mittlere Partikelgröße der im Poliertuch gebundenen Abrasive 0,1–0,25 μm beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Poliertuch eine zusätzliche Lage aus Polyurethan-Schaum umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei es sich bei der Halbleiterscheibe um eine Scheibe aus monokristallinem Silicium mit einem Durchmesser von 300 mm oder größer handelt.