CN102335855A - 一种49u/s石英晶片倒边工艺 - Google Patents

一种49u/s石英晶片倒边工艺 Download PDF

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Abstract

一种49U/S石英晶片倒边工艺,其工艺为:将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，砂号采用GC800#-1000#，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为：水1000 碳化硅20-30 防锈剂8-12。本发明的优点是：提高了49U/S小公差晶片温度特性的一致性，提高了生产效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒边加工。

Description

一种49U/S石英晶片倒边工艺
技术领域
本项发明涉及电子元件加工工艺领域，具体涉及一种49S石英晶片倒边工艺。 
技术背景
现在49U/S小公差石英晶片的倒边多采用干法倒边，未使用研磨液，现有的技术对于解决某一种49U/S小公差合格率偏低，生产效率低下，无法满足生产的需要。 
发明内容
本发明的目的就是本实用新型的目的在于解决现在49U/S小公差晶片的倒边多采用干法倒边，不需要配制研磨液，现有的技术对于解决某一种49U/S小公差合格率偏低，生产效率低下，无法满足生产的需要。而提供一种全新的工艺进行49U/S石英晶片加工。 
本发明工艺为： 
将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为： 
水1000 碳化硅(800井)20-30 防锈剂8-12。 
本发明的优点是：提高了49U/S小公差晶片温度特性的一致性，提高了生产效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒边加工。 
具体实施方式
1、本发明的工艺为： 
将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，将水1000g、碳化硅25g、防锈剂10g混合搅匀即成倒边研磨液。 
石英晶片倒边机水平安装在恒温(环境温度25℃±2)恒湿(环境湿度40％-45％)的工作间，装有倒边液和晶片的直筒放在石英晶片倒边机上按照设置的转速和时间转动，经过约12小时间，对倒边液进行更换，直到达到所需要的频率，倒边机上装有定时器。 

Claims (1)

1.一种49U/S石英晶片倒边工艺，其特征在于其工艺为：
将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为：
水1000 碳化硅20-30 防锈剂8-12。
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