CN202839562U - 一种多晶硅片制绒花蓝装置 - Google Patents

一种多晶硅片制绒花蓝装置 Download PDF

Info

Publication number
CN202839562U
CN202839562U CN 201220461823 CN201220461823U CN202839562U CN 202839562 U CN202839562 U CN 202839562U CN 201220461823 CN201220461823 CN 201220461823 CN 201220461823 U CN201220461823 U CN 201220461823U CN 202839562 U CN202839562 U CN 202839562U
Authority
CN
China
Prior art keywords
basket
polycrystalline silicon
silicon wafer
texturing
motor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201220461823
Other languages
English (en)
Inventor
袁作臻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Irico Group Corp
Original Assignee
Irico Group Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Irico Group Corp filed Critical Irico Group Corp
Priority to CN 201220461823 priority Critical patent/CN202839562U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202839562U publication Critical patent/CN202839562U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种多晶硅片制绒花蓝装置,包括盛装多晶硅片的花篮,在花篮上设有悬挂装置,花篮通过悬挂装置浸在酸性制绒液中,悬挂装置上接有电机,使用时,将多晶硅片放置在花篮中,将花篮浸在酸性制绒液中,同时开启电机,带动花篮进行旋转动作,调整旋转的速度,进行化学腐蚀或酸性腐蚀制绒,本实用新型通过对电机旋转速度的调整,可以改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度,起到调整和改善绒面陷光性能的作用,可以改善反应均匀性和制绒质量。

Description

一种多晶硅片制绒花蓝装置
技术领域
本实用新型涉及一种盛放多晶硅片的装置,特别涉及一种多晶硅片制绒花蓝装置。
背景技术
多晶硅片目前主要采用化学腐蚀(酸性腐蚀)制绒方法,使用基于HF/HNO3体系的酸性腐蚀液。一般将多晶硅片放置在花篮中,浸泡在制绒液内,花篮处于静止状态。由于在不同温度下,硅片的反应速度相差很大,反应温度越高反应速率越快,因此一般的制绒装置存在反应液和温度不均匀、制绒质量不理想的缺点,并且无法调整和改善绒面陷光性能。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种多晶硅片制绒花蓝装置,能够通过对花篮旋转速度的调整,改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度,具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种多晶硅片制绒花蓝装置,包括花篮1,在花篮1上设有悬挂装置2,花篮1通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中,悬挂装置2上接有电机3。
由于本实用新型中的电机旋转后可以带动花篮进行旋转动作,通过对旋转速度的调整,可以改变硅片表面的反应速度和气泡停留速度,起到调整和改善绒面陷光性能的作用,所以具有可以改善反应均匀性和制绒质量的特点。
附图说明
附图为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述。
参见附图,一种多晶硅片制绒花蓝装置,包括花篮1,在花篮1上设有悬挂装置2,花篮1通过悬挂装置2浸在酸性制绒液4中,悬挂装置2上接有电机3。
本实用新型的工作原理是:
使用时,将多晶硅片放置在花篮1中,将花篮1浸在酸性制绒液4中,同时开启电机3,带动花篮1进行旋转动作,调整旋转的速度,进行化学腐蚀(酸性腐蚀)制绒。

Claims (2)

1.一种多晶硅片制绒花蓝装置,包括花篮(1),其特征在于,在花篮(1)上设有悬挂装置(2),悬挂装置(2)上接有电机(3)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒花蓝装置,其特征在于,花篮(1)通过悬挂装置(2)浸在酸性制绒液(4)中。
CN 201220461823 2012-09-11 2012-09-11 一种多晶硅片制绒花蓝装置 Expired - Fee Related CN202839562U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220461823 CN202839562U (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种多晶硅片制绒花蓝装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220461823 CN202839562U (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种多晶硅片制绒花蓝装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202839562U true CN202839562U (zh) 2013-03-27

Family

ID=47951204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220461823 Expired - Fee Related CN202839562U (zh) 2012-09-11 2012-09-11 一种多晶硅片制绒花蓝装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202839562U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107955972A (zh) * 2017-10-17 2018-04-24 中锗科技有限公司 旋转锗片/硅片碱腐蚀工艺及其专用设备
CN110137306A (zh) * 2019-05-08 2019-08-16 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种具有透明导电氧化薄膜的电池的化学刻蚀方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107955972A (zh) * 2017-10-17 2018-04-24 中锗科技有限公司 旋转锗片/硅片碱腐蚀工艺及其专用设备
CN110137306A (zh) * 2019-05-08 2019-08-16 苏州联诺太阳能科技有限公司 一种具有透明导电氧化薄膜的电池的化学刻蚀方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016531835A (ja) 多結晶シリコンウェハのテクスチャリング添加剤及びその使用方法
CN103681974B (zh) 双槽式多晶硅片制绒方法
MX2018014328A (es) Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino.
CN107523881A (zh) 一种制备单晶硅绒面的预处理方法
CN105040108B (zh) 多晶硅太阳能电池的制绒方法
CN103014877A (zh) 一种两面光泽度不同的单晶硅晶圆腐蚀片的加工方法
CN202839562U (zh) 一种多晶硅片制绒花蓝装置
CN102226983B (zh) 刻蚀清洗设备及刻蚀清洗工艺
CN103894362A (zh) 一种镀膜返工片的清洗方法
US9378966B2 (en) Selective etching of silicon wafer
CN108206145A (zh) 一种实现相邻晶圆对转的腐蚀装置及腐蚀方法
CN206076260U (zh) 一种太阳能电池片刻蚀装置
CN104176944A (zh) 一种玻璃基底上ots自组装薄膜的改性方法
CN102364697B (zh) 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN101976705A (zh) 晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺
CN105047763A (zh) 晶硅制绒槽
CN104051578A (zh) 一种太阳电池用多晶硅片的气相刻蚀制绒方法
CN202247021U (zh) 硅片湿法旋转腐蚀装置
CN204400829U (zh) 一种新型蚀刻机
CN103361734A (zh) 一种提高多晶硅产出效率的方法
CN109913222A (zh) 一种硅片打磨液
CN107354513B (zh) 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
CN205911321U (zh) 一种链式晶硅制绒设备
CN104131356A (zh) 多晶硅电池片腐蚀液及其制备工艺
CN203269792U (zh) 一种液晶显示器玻璃基板蚀刻设备

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130327

Termination date: 20150911

EXPY Termination of patent right or utility model