JPH0616526B2 - 半導体ウエハの切断方法 - Google Patents
半導体ウエハの切断方法Info
- Publication number
- JPH0616526B2 JPH0616526B2 JP6425686A JP6425686A JPH0616526B2 JP H0616526 B2 JPH0616526 B2 JP H0616526B2 JP 6425686 A JP6425686 A JP 6425686A JP 6425686 A JP6425686 A JP 6425686A JP H0616526 B2 JPH0616526 B2 JP H0616526B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- groove
- cutting
- blade
- cutting groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの切断方法に関する。
従来、メサ型サイリスタ等を構成する半導体装置の製造
は、例えば半導体ウェハに所定のＰＮ接合を複数個形成
し、ＰＮ接合の露出した界面をガラス等の表面保護膜で
覆った後、この半導体ウェハを所定の素子ごとに分割す
ることによっている。而して、このように半導体ウェハ
を複数個に分割する半導体ウェハの切断方法として、ダ
イアモンドカッターを使用するものがある。この方法
は、第６図に示す如く、所定の素子を形成した半導体ウ
ェハ１の被切断領域であるダイミング溝２にダイアモン
ドカッターで浅い溝３を形成する。次いで、半導体ウェ
ハ１に圧力を加えてこれを第７図に示すような所定の大
きさのチップ４に分割するものである。ダイシング溝２
には、露出したＰＮ接合の界面を保護するためのガラス
保護膜５が形成されている。この方法では、ガラス保護
膜５の表面にダイアモンドカッターで浅い溝３を形成し
ている。この溝形成作業は、ダイアモンドカッターの圧
力、半導体ウェハ１とダイアモンドカッターとの角度、
或はダイアモンドカッターの刃先のねじ等に大きく影響
され、所定の溝３を形成するには、熟練を要する。この
ような圧力等の切断条件が不適当な場合には、溝３を形
成しただけで半導体ウェハ１に貝殻状の欠けが発生する
問題がある。また、半導体ウェハ１を分割したチップ４
の断面を見ると、第７図に示す如く、所定の条件下で溝
３を形成してもチップ４の分離作業中に隣接するチップ
４同志がこすれ合い、ガラス保護膜５から半導体ウェハ
１内にチッピング（欠け）６が発生する問題があった。
は、例えば半導体ウェハに所定のＰＮ接合を複数個形成
し、ＰＮ接合の露出した界面をガラス等の表面保護膜で
覆った後、この半導体ウェハを所定の素子ごとに分割す
ることによっている。而して、このように半導体ウェハ
を複数個に分割する半導体ウェハの切断方法として、ダ
イアモンドカッターを使用するものがある。この方法
は、第６図に示す如く、所定の素子を形成した半導体ウ
ェハ１の被切断領域であるダイミング溝２にダイアモン
ドカッターで浅い溝３を形成する。次いで、半導体ウェ
ハ１に圧力を加えてこれを第７図に示すような所定の大
きさのチップ４に分割するものである。ダイシング溝２
には、露出したＰＮ接合の界面を保護するためのガラス
保護膜５が形成されている。この方法では、ガラス保護
膜５の表面にダイアモンドカッターで浅い溝３を形成し
ている。この溝形成作業は、ダイアモンドカッターの圧
力、半導体ウェハ１とダイアモンドカッターとの角度、
或はダイアモンドカッターの刃先のねじ等に大きく影響
され、所定の溝３を形成するには、熟練を要する。この
ような圧力等の切断条件が不適当な場合には、溝３を形
成しただけで半導体ウェハ１に貝殻状の欠けが発生する
問題がある。また、半導体ウェハ１を分割したチップ４
の断面を見ると、第７図に示す如く、所定の条件下で溝
３を形成してもチップ４の分離作業中に隣接するチップ
４同志がこすれ合い、ガラス保護膜５から半導体ウェハ
１内にチッピング（欠け）６が発生する問題があった。
また、ダイアモンドブレードを用いて半導体ウェハの切
断を行う手段がある。この方法は第８図に示す如く、先
ずガラス専用のダイアモンドブレードによってガラス保
護膜５にのみ溝７を形成する。次いで、ウェハ専用のダ
イアモンドブレードを用いてこの溝７を介して半導体ウ
ェハ１の中央部に達する溝８を形成する。然る後、半導
体ウェハ１に所定の圧力を加えてこれを多数個のチップ
４に分割するものである。この方法では、ガラス専用の
ダイアモンドブレードの移動速度を低速にして、ダイア
モンドブレードを頻繁に研磨しながら溝７を形成するよ
うにしても依然、チップ４に欠けが発生し易い問題があ
った。この欠けは、ウェハ専用のダイアモンドブレード
がガラスによって目詰りを起こすため発生するものであ
ることが判った。
断を行う手段がある。この方法は第８図に示す如く、先
ずガラス専用のダイアモンドブレードによってガラス保
護膜５にのみ溝７を形成する。次いで、ウェハ専用のダ
イアモンドブレードを用いてこの溝７を介して半導体ウ
ェハ１の中央部に達する溝８を形成する。然る後、半導
体ウェハ１に所定の圧力を加えてこれを多数個のチップ
４に分割するものである。この方法では、ガラス専用の
ダイアモンドブレードの移動速度を低速にして、ダイア
モンドブレードを頻繁に研磨しながら溝７を形成するよ
うにしても依然、チップ４に欠けが発生し易い問題があ
った。この欠けは、ウェハ専用のダイアモンドブレード
がガラスによって目詰りを起こすため発生するものであ
ることが判った。
本発明は、ＰＮ接合，ダイシング溝，及び前記ダイシン
グ溝から露出した前記ＰＮ接合を保護するガラス保護膜
を夫々形成した半導体ウェハを、テーブルのウェハ固着
領域に固着する工程と、前記テーブルの砥石固着領域
に、砥石を前記ダイシング溝と平行に固着する工程と、
半導体ウェハに形成された多数本の被切断領域の１つに
ブレードを当接して切断溝を形成する工程と、該切断溝
形成後の前記ブレードを前記砥石に当接移動させて研磨
する工程と、前記切断溝の形成処理と前記ブレードの研
磨処理を交互に複数回行って前記被切断領域の全てに前
記切断溝を形成する工程と、前記半導体ウェハに圧力を
加えてこれを前記切断領域にて区切られた複数個の領域
に分割する工程とを具備することを特徴とする半導体ウ
ェハの切断方法である。
グ溝から露出した前記ＰＮ接合を保護するガラス保護膜
を夫々形成した半導体ウェハを、テーブルのウェハ固着
領域に固着する工程と、前記テーブルの砥石固着領域
に、砥石を前記ダイシング溝と平行に固着する工程と、
半導体ウェハに形成された多数本の被切断領域の１つに
ブレードを当接して切断溝を形成する工程と、該切断溝
形成後の前記ブレードを前記砥石に当接移動させて研磨
する工程と、前記切断溝の形成処理と前記ブレードの研
磨処理を交互に複数回行って前記被切断領域の全てに前
記切断溝を形成する工程と、前記半導体ウェハに圧力を
加えてこれを前記切断領域にて区切られた複数個の領域
に分割する工程とを具備することを特徴とする半導体ウ
ェハの切断方法である。
本発明に係る半導体ウェハの切断方法によれば、被切断
領域の１つにブレードにて切断溝を形成し、次いで、こ
のブレードを研磨してから次の被切断領域に切断溝を形
成し、常にブレードを研磨した状態で切断溝を形成す
る。然る後、被切断領域の全てに切断溝を形成した後に
半導体ウェハに圧力を加えてこれを所定形状のものに分
割する。その結果、チッピング発生率及びＢＴ（Bias a
nd Temperature Test以下ＢＴと記す）不良率を大幅に
減少して半導体ウェハを分割することができる。
領域の１つにブレードにて切断溝を形成し、次いで、こ
のブレードを研磨してから次の被切断領域に切断溝を形
成し、常にブレードを研磨した状態で切断溝を形成す
る。然る後、被切断領域の全てに切断溝を形成した後に
半導体ウェハに圧力を加えてこれを所定形状のものに分
割する。その結果、チッピング発生率及びＢＴ（Bias a
nd Temperature Test以下ＢＴと記す）不良率を大幅に
減少して半導体ウェハを分割することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第１図(A)は、本発明の実施例を示す説明図、同図
(B)は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図中1
0は、被処理体の半導体ウェハ１１を固着するチャッキ
ングテーブルである。このチャッキングテーブル10に第
２図に示すような所定のＰＮ接合及びダイシング溝１２
を形成した半導体ウェハ１１を固着する。タイジング溝
１２上には、ガラス保護膜１３が形成されている。チャ
ッキングテーブル10の半導体ウェハ１１を固着したウェ
ハ固着領域の近傍には、これよりも一段低くなった砥石
固着領域１４が形成されている。砥石固着領域１４は略
直角の角部を形成してウェハ固着領域を囲んでいる。こ
のように砥石固着領域１４をウェハ固着領域よりも一段
低くしたのは、後述の切断溝の深さを一定にするためで
ある。また、略直角の角部でウェハ固着領域を囲むよう
にしたのは、後述の砥石１６ａ，１６ｂを半導体ウェハ
１１上の格子状のタイシング溝１２に対して平行に配置
するためである。なお、半導体ウェハ１１の厚さは例え
ば約２４０μｍであり、ダイシング溝１２の深さは約８
０μｍに設定されている。
る。第１図(A)は、本発明の実施例を示す説明図、同図
(B)は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図中1
0は、被処理体の半導体ウェハ１１を固着するチャッキ
ングテーブルである。このチャッキングテーブル10に第
２図に示すような所定のＰＮ接合及びダイシング溝１２
を形成した半導体ウェハ１１を固着する。タイジング溝
１２上には、ガラス保護膜１３が形成されている。チャ
ッキングテーブル10の半導体ウェハ１１を固着したウェ
ハ固着領域の近傍には、これよりも一段低くなった砥石
固着領域１４が形成されている。砥石固着領域１４は略
直角の角部を形成してウェハ固着領域を囲んでいる。こ
のように砥石固着領域１４をウェハ固着領域よりも一段
低くしたのは、後述の切断溝の深さを一定にするためで
ある。また、略直角の角部でウェハ固着領域を囲むよう
にしたのは、後述の砥石１６ａ，１６ｂを半導体ウェハ
１１上の格子状のタイシング溝１２に対して平行に配置
するためである。なお、半導体ウェハ１１の厚さは例え
ば約２４０μｍであり、ダイシング溝１２の深さは約８
０μｍに設定されている。
次に、砥石固着領域１４上に所定の砥石16a，１６ｂを
格子状のダイシング溝１２と平行になるようにして固着
する。
格子状のダイシング溝１２と平行になるようにして固着
する。
次に図示しないダイアモンドブレードを例えば５０mm／
sec の移動速度でダイシング溝１２に沿って移動させ深
さ約４０μｍの切断溝１７を形成する。次いで、一本の
切断溝１７を形成したらこのダイシング溝１２と平行に
配置された砥石１６ａにダイアモンドブレードを当接移
動させて研磨する。ダイアモンドブレードの刃先部が研
磨された状態で隣接する次のダイシング溝１２に上述と
同様の条件下で切断溝１７を形成する。以下、この切断
溝１７の形成処理とダイアモンドブレードの研磨処理と
を交互に行って、例えば縦列のダイシング溝１２の全て
に切断溝１７を形成する。次に、ダイアモンドブレード
の移動方向を前述と直交する方向に設定する。次いで、
ダイシング溝１２の横列のものに切断溝１７を形成する
処理と交互にダイアモンドブレードを残りの砥石１６ｂ
で研磨する処理とを交互に行う。その結果、格子状のダ
イシング溝１２の全域に所定の切断溝１７を形成する。
sec の移動速度でダイシング溝１２に沿って移動させ深
さ約４０μｍの切断溝１７を形成する。次いで、一本の
切断溝１７を形成したらこのダイシング溝１２と平行に
配置された砥石１６ａにダイアモンドブレードを当接移
動させて研磨する。ダイアモンドブレードの刃先部が研
磨された状態で隣接する次のダイシング溝１２に上述と
同様の条件下で切断溝１７を形成する。以下、この切断
溝１７の形成処理とダイアモンドブレードの研磨処理と
を交互に行って、例えば縦列のダイシング溝１２の全て
に切断溝１７を形成する。次に、ダイアモンドブレード
の移動方向を前述と直交する方向に設定する。次いで、
ダイシング溝１２の横列のものに切断溝１７を形成する
処理と交互にダイアモンドブレードを残りの砥石１６ｂ
で研磨する処理とを交互に行う。その結果、格子状のダ
イシング溝１２の全域に所定の切断溝１７を形成する。
然る後、半導体ウェハ１１をチャッキングテーブル10か
ら取外し、切断溝１７を形成していない側の面に所定の
圧力を加え、半導体ウェハ１１から第３図に示すような
ガラス保護膜１３の部分に欠けのないチップ１８を多数
個分割して取出する。
ら取外し、切断溝１７を形成していない側の面に所定の
圧力を加え、半導体ウェハ１１から第３図に示すような
ガラス保護膜１３の部分に欠けのないチップ１８を多数
個分割して取出する。
このようにして半導体ウエハ１１から切断によって切出
されたチップ１８の欠け（チッピング）発生率を調べた
ところ第４図に示す如く約０．２％であった。これに対
して第８図に示した従来の方法によるものでは、欠けの
発生率は約５％であった。また、得られたチップ１８に
所定の温度下で一定の電圧を印加して寿命試験（ＢＴ不
良率）を行ったところ、本発明によるものでは第５図に
示す如く、ＢＴ不良率は２ppmであった。これに対して
第８図に示した従来の方法によるものではＢＴ不良率は
１０ppmであった。
されたチップ１８の欠け（チッピング）発生率を調べた
ところ第４図に示す如く約０．２％であった。これに対
して第８図に示した従来の方法によるものでは、欠けの
発生率は約５％であった。また、得られたチップ１８に
所定の温度下で一定の電圧を印加して寿命試験（ＢＴ不
良率）を行ったところ、本発明によるものでは第５図に
示す如く、ＢＴ不良率は２ppmであった。これに対して
第８図に示した従来の方法によるものではＢＴ不良率は
１０ppmであった。
以上説明した如く、本発明に係る半導体ウェハの切断方
法によれば、チッピング発生率及びＢＴ不良率を大幅に
減少して半導体ウェハを容易に分割することができるも
のである。
法によれば、チッピング発生率及びＢＴ不良率を大幅に
減少して半導体ウェハを容易に分割することができるも
のである。
第１図(A)は、本発明の実施例を示す説明図，第１図(B)
は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図第２図は、本発明
方法にて半導体ウェハを切断する際の半導体ウェハの状
態を示す断面図，第３図は、本発明方法で得られた素子
の構造を示す説明図，第４図は、本発明方法及び従来の
方法におけるチッピング発生率を示す特性図，第５図
は、本発明方法及び従来の方法におけるＢＴ不良率を示
す特性図，第６図乃至第８図は、従来の方法を示す説明
図である。 10……チャッキングテーブル、１１……半導体ウェハ、
１２……ダイシング溝、１３……ガラス保護膜、１４…
…砥石固着領域、１６ａ，１６ｂ……砥石、１７…切断
溝、１８……チップ。
は、同実施例のＢ−Ｂ線に沿う断面図第２図は、本発明
方法にて半導体ウェハを切断する際の半導体ウェハの状
態を示す断面図，第３図は、本発明方法で得られた素子
の構造を示す説明図，第４図は、本発明方法及び従来の
方法におけるチッピング発生率を示す特性図，第５図
は、本発明方法及び従来の方法におけるＢＴ不良率を示
す特性図，第６図乃至第８図は、従来の方法を示す説明
図である。 10……チャッキングテーブル、１１……半導体ウェハ、
１２……ダイシング溝、１３……ガラス保護膜、１４…
…砥石固着領域、１６ａ，１６ｂ……砥石、１７…切断
溝、１８……チップ。
Claims (1)
- 【請求項１】ＰＮ接合，ダイシング溝，及び前記ダイシ
ング溝から露出した前記ＰＮ接合を保護するガラス保護
膜を夫々形成した半導体ウェハを、テーブルのウェハ固
着領域に固着する工程と、前記テーブルの砥石固着領域
に、砥石を前記ダイシング溝と平行に固着する工程と、
半導体ウェハに形成された多数本の被切断領域の１つに
ブレードを当接して切断溝を形成する工程と、該切断溝
形成後の前記ブレードを前記砥石に当接移動させて研磨
する工程と、前記切断溝の形成処理と前記ブレードの研
磨処理を交互に複数回行って前記被切断領域の全てに前
記切断溝を形成する工程と、前記半導体ウェハに圧力を
加えてこれを前記被切断領域にて区切られた複数個の領
域に分割する工程とを具備することを特徴とする半導体
ウェハの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6425686A JPH0616526B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体ウエハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6425686A JPH0616526B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体ウエハの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220305A JPS62220305A (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0616526B2 true JPH0616526B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=13252914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6425686A Expired - Lifetime JPH0616526B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体ウエハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616526B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4581158B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2010-11-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2098108A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-17 | Gerber Garment Technology Inc | Sharpening method and apparatus for rotary cutting wheel |
| JPS5877436A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-10 | Sony Corp | プリント基板のリ−ド線切断装置 |
| JPS60122113A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエ−ハの分割方法 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6425686A patent/JPH0616526B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62220305A (ja) | 1987-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100542850B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US6162703A (en) | Packaging die preparation | |
| US6214704B1 (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
| US6910403B1 (en) | Method for cutting semiconductor wafer protecting sheet | |
| JPS6112373B2 (ja) | ||
| JPH04276645A (ja) | 化合物半導体ウエーハのダイシング方法 | |
| US20040232524A1 (en) | Scribe street width reduction by deep trench and shallow saw cut | |
| US20060261445A1 (en) | Integrated circuit device with treated perimeter edge | |
| JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| EP0396326A1 (en) | Method of processing substrate for semiconductor device | |
| JPH0429640B2 (ja) | ||
| JPH07106285A (ja) | 半導体製造方法 | |
| US20150183131A1 (en) | Semiconductor wafer dicing blade | |
| JP2003273053A (ja) | 平面研削方法 | |
| US6465344B1 (en) | Crystal thinning method for improved yield and reliability | |
| US6107163A (en) | Method of manufacturing a semiconductor chip | |
| JP2003007649A (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
| JPH07232319A (ja) | インゴットのスライス方法 | |
| JPH0616526B2 (ja) | 半導体ウエハの切断方法 | |
| JPH04245663A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法とダイシングブレードの冷却構造 | |
| JPS59188921A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| JP6196846B2 (ja) | 被加工物の分割方法 | |
| JPS633774Y2 (ja) | ||
| JP5860216B2 (ja) | ウエーハの面取り部除去方法 | |
| SU1023452A1 (ru) | Способ ориентированной механической обработки кремниевых изделий |