JPS6244409B2 - - Google Patents

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JPS6244409B2
JPS6244409B2 JP150783A JP150783A JPS6244409B2 JP S6244409 B2 JPS6244409 B2 JP S6244409B2 JP 150783 A JP150783 A JP 150783A JP 150783 A JP150783 A JP 150783A JP S6244409 B2 JPS6244409 B2 JP S6244409B2
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adhesive tape
pellets
wafer
pellet
ultraviolet rays
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JP150783A
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JPS59126648A (ja
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Koichi Tanigawa
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NEC Home Electronics Ltd
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NEC Home Electronics Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 本発明は、粘着テープ上に張付けられた半導体
ウエーハを粘着テープ上で個々の半導体ペレツト
に分割後、これを選別抽出して粘着テープから剥
離する方法に関するものである。
ロ 従来技術 一般に、トランジスタやIC等の半導体装置の
半導体ペレツト（以下単にペレツトと称す）は次
のようにして製造される。即ち一枚の半導体ウエ
ーハＡ（以下単にウエーハと称す）に多数の半導
体ペレツトＢを一括して形成する（第１図参
照）。次に所定個数のペレツトＢを一括形成した
ウエーハＡを伸縮性のある粘着テープ１上に張着
する（第２図参照）。この状態でウエーハＡをス
クライブ工程に送り、例えば円板状のダイサ２を
使用するダイシング法によつてウエーハＡ表面の
各ペレツトＢ間に格子状の溝３を形成する（第３
図参照）。次にこの溝３を形成したウエーハＡを
ブレーキング工程に送り、溝３の所からウエーハ
Ａを順次分割し、個々のペレツトＢに細分割して
多数のペレツトＢを一度に得る（第４図参照）。
この後多数のペレツトＢを張着している粘着テー
プ１を放射状に引き伸ばすことにより、各ペレツ
トＢを互いに所定の間隔が開くように引き離し、
この状態で粘着テープ１を固定する（第５図参
照）。後は粘着テープ１上に張着されている各ペ
レツトＢの外観チエツクを行ない、良品ペレツト
Ｂのみを真空吸着ペン４を用いて粘着テープ１か
ら引き剥し、良品ペレツトＢを次工程に搬送する
（第６図参照）。尚良品ペレツトＢを真空吸着ペン
４を使用して粘着テープ１から引き剥す時には、
粘着テープ１の引き剥しを行なうペレツトＢの下
方に位置する部分を、突上棒５によつて上方に突
上げ、吸着を行なうペレツトを他のペレツトより
突出させて真空吸着が容易に行なえるようにして
ある。
しかし、ウエーハＡのペレツトＢへの分割及び
分割したペレツトＢの良品と不良品との分離作業
を、上記した如く伸縮性を有する粘着テープ１を
使用して行なうと、ウエーハＡのペレツトＢへの
分割後、各ペレツトＢの粘着テープ１からの引き
剥し作業を容易にするため、粘着テープ１を引き
伸ばして各ペレツトＢ間の間隔を開ける時、各ペ
レツトＢの位置関係にズレが生じるといつた欠点
があつた。このため、粘着テープ１上に張着され
たペレツトＢの外観検査を自動化しようとした場
合、上記ペレツトＢの位置ズレがペレツト外観検
査自動化の妨げになるといつた欠点があつた。
又粘着テープ１に張着したペレツトＢの粘着テ
ープ１からの引き剥しを容易にするためには、粘
着テープ１の下方に、真空吸着を行なうペレツト
Ｂだけを上方に突き上げるための突き上げ機構を
設ける必要があり、構造が複雑になるといつた欠
点もあつた。
ハ 発明の目的 多数のペレツトを一括形成したウエーハの下面
に紫外線照射により粘着力の低下する粘着テープ
を張着し、この状態でウエーハを個々のペレツト
に細分割した後、良品又は不良品の抽出ペレツト
の改善された選別剥離方法の提供を目的とするも
のであり、それにより従来のような粘着テープの
引き伸ばし及びペレツトの真空吸着により個別分
離することなく、ペレツトの選別が行なえるよう
にするものである。
ニ 発明の構成 多数のペレツトを一括形成したウエーハの裏面
に紫外線照射により粘着力の低下する第１の粘着
テープを張着した状態で、ウエーハの完全スルー
カツトを行ない、ウエーハを各ペレツトに細分割
し、この第１の粘着テープに紫外線を照射して粘
着力を低下させた後、第１の粘着テープ上にカツ
トされた時の状態のまま張付けられている多数の
ペレツトの表面に紫外線照射により粘着力の低下
する第２の粘着テープを張着し、次にこの第２の
粘着テープ表面の抽出を行ないたいペレツトの上
方に位置する部分に紫外線非透過膜を塗布形成
し、この状態で第２の粘着テープに紫外線を照射
した後、第２の粘着テープを剥すことにより抽出
したいペレツトを第２の粘着テープに張着した状
態で抽出するようにしたものである。
ホ 実施例 第７図乃至第１１図は本発明に係るペレツト剥
離方法によつてウエーハを細分割することにより
得られた複数のペレツトの中から任意のペレツト
を抽出する時の作業工程を示す図面である。本発
明に係るペレツト剥離方法によつてペレツトの抽
出を行なうには、先ず多数のペレツトＢを一括形
成したウエーハＡの裏面に第１の粘着テープ１０
を張着する（第７図参照）。尚、この粘着テープ
とは紫外線を照射すると粘着力が低下する粘着テ
ープのことであり、その粘着力は例えば紫外線照
射前の粘着力が500〜600ｇ／cm2のものが、紫外線
照射後は20〜30ｇ／cm2に低下する。次に第１の粘
着テープ１０上に張着したウエーハＡに完全スル
ーカツトを行ない、ウエーハＡに一括形成したペ
レツトＢを第１の粘着テープ１０上で個々のペレ
ツトＢに細分割する（第８図参照）。次に細分割
したペレツトＢの外観検査を、粘着テープの引き
伸ばし等を行なうことなく細分割した時の状態の
まま行ない、第１の粘着テープ１０上に張着して
いる所定個数のペレツトＢを良品と不良品とに選
別する。次に選別の終了したペレツトＢを張着し
ている第１の粘着テープ１０に紫外線を照射し、
第１の粘着テープ１０の粘着力を低下させる。次
に粘着力の低下した第１の粘着テープ１０上にそ
の裏面が張着されたペレツトＢの表面に、第２の
粘着テープ１１を張着する（第９図参照）。この
状態で第２の粘着テープ１１表面の、上記外観検
査で良品と判定されたペレツト、或いは不良品と
判定されたペレツトの上方に位置する部分に紫外
線非透過膜１２を塗布形成する（第１０図参
照）。次に所定の位置に紫外線非透過膜１２を塗
布形成し、第２の粘着テープ１１に紫外線を照射
し、第２の粘着テープ１１の紫外線非透過膜１２
を塗布形成していない部分の粘着力を低下させ
る。そしてこの後、第２の粘着テープ１１を剥が
せば第２の粘着テープ１１の紫外線非透過膜１２
を塗布形成した部分は粘着力が低下していないた
め、当該部分に張着したペレツトB′は第１の粘着
テープ１０から剥離し、第２の粘着テープ１１に
残ることになり、第１の粘着テープ１０上に張着
したペレツトＢの内、任意のペレツトB′のみを第
２の粘着テープB′に張着した状態で抽出できる。
ヘ 発明の効果 上記した如く、多数のペレツトを一括形成した
ウエーハを第１の粘着テープ上に張着した状態で
各ペレツトを完全スルーカツトによつて分割した
後、第１の粘着テープの引き伸ばしを行なうこと
なく、第２の粘着テープによつて必要なペレツト
の抽出を行なえばウエーハのペレツトへの分割
後、各ペレツト間の位置関係にズレが生じること
がないため各ペレツトの外観検査を自動化する
時、この自動化が容易に行なえる。
又第１の粘着テープに張着されたペレツトの抽
出は、ペレツトの表面に張着する第２の粘着テー
プによつて行なうため、第１の粘着テープの下面
にペレツトを上方に突き上げるための突き上げ機
構を設ける必要もなくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第６図は従来のペレツト剥離方法を
示す説明図、第７図乃至第１１図は本発明に係る
ペレツト剥離方法を示す説明図である。 Ａ……半導体ウエーハ、Ｂ……半導体ペレツ
ト、１０……第１の粘着テープ、１１……第２の
粘着テープ、１２……紫外線非透過膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 多数のペレツトを一括形成したウエーハを紫
    外線照射により粘着力の低下する第１の粘着テー
    プに張着してペレツト分割すべく完全スルーカツ
    トする工程と、この第１の粘着テープに紫外線を
    照射してその粘着力を低下させ、スルーカツト状
    態の多数のペレツト面に紫外線照射により粘着力
    の低下する第２の粘着テープを張着する工程と、
    抽出すべきペレツトの対応位置に紫外線非透過膜
    を形成する工程と、前記第２の粘着テープに紫外
    線を照射して抽出すべきペレツトをこの第２の粘
    着テープに張着した状態で抽出する工程とを含む
    ことを特徴とするペレツト剥離方法。
JP150783A 1983-01-07 1983-01-07 ペレツト剥離方法 Granted JPS59126648A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP150783A JPS59126648A (ja) 1983-01-07 1983-01-07 ペレツト剥離方法

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JP150783A JPS59126648A (ja) 1983-01-07 1983-01-07 ペレツト剥離方法

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JPS59126648A JPS59126648A (ja) 1984-07-21
JPS6244409B2 true JPS6244409B2 (ja) 1987-09-21

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ID=11503388

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JP150783A Granted JPS59126648A (ja) 1983-01-07 1983-01-07 ペレツト剥離方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH01185981A (ja) * 1988-01-21 1989-07-25 Fuji Electric Co Ltd 極低温容器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616527B2 (ja) * 1983-07-29 1994-03-02 関西日本電気株式会社 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト
PH25206A (en) * 1985-12-12 1991-03-27 Lintec K K Control apparatus for reducing adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate
JPH0616529B2 (ja) * 1986-02-17 1994-03-02 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62189111A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPH0616528B2 (ja) * 1986-02-17 1994-03-02 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS6392038A (ja) * 1986-10-06 1988-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd チツプ供給方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01185981A (ja) * 1988-01-21 1989-07-25 Fuji Electric Co Ltd 極低温容器

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JPS59126648A (ja) 1984-07-21

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