JPS5837932A - 半導体ウエハの周辺欠けペレットを分離する方法 - Google Patents

半導体ウエハの周辺欠けペレットを分離する方法

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JPS5837932A
JPS5837932A JP56136540A JP13654081A JPS5837932A JP S5837932 A JPS5837932 A JP S5837932A JP 56136540 A JP56136540 A JP 56136540A JP 13654081 A JP13654081 A JP 13654081A JP S5837932 A JPS5837932 A JP S5837932A
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JP
Japan
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pellet
semiconductor
pellets
adhesive tape
semiconductor wafer
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JP56136540A
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JPS609347B2 (ja
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Itsuo Mori
逸雄 森
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International Rectifier Corp Japan Ltd
Infineon Technologies Americas Corp
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International Rectifier Corp Japan Ltd
Infineon Technologies Americas Corp
International Rectifier Corp USA
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Publication of JPS5837932A publication Critical patent/JPS5837932A/ja
Publication of JPS609347B2 publication Critical patent/JPS609347B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 した半導体ウエ・・の周辺ベレットを効率良く分離する
方法に関する。
所定のP−N接合部を作り込んだ円板状半導体ウェハを
互いに直角になるようにX軸方向及びY軸方向にスフ−
ライビングあるいは〃゛ シンクし矩形状の小片ベレッ
トに分割する方法が一般に採用されている。この場合、
半導体ウェハは円板状であるために周辺部は完全な矩形
状の小片ベレットとならず、所定の大きさを有さないこ
とからこの部分を分離、除去して使用している。
すなわち、第1図に示すように例えば、トラ7ジスタや
ダイオードのような小型の半導体素子を製造する場合、
円板状の半導体ウェハに全体的て所定のP−N接合を作
り込み、その後上記の半導体ウェハ1を粘着テープ2に
貼着する。
この粘着テープ2を所定の機械等により互いに直角にな
るようにX軸方向及びY軸方向にスクライビングあるい
はダイシングし小片の半導体ベレット3を形成する。こ
の場合、ハノチングで示す周辺の欠はベレット4は使用
できないので除去しなければならないが一般に次のよう
な方法を採っている。
すなわち、粘着テープ2上で切断した半導体ウェハ1を
粘着テープ2ごとJクレン等の有機溶剤中に浸漬させ、
個々の半導体ペレット3及び欠はペレット4を粘着テー
プ2がら分離した後、適当なトレイ上に広げ、毛筆等を
用い、手作業で角形の半導体ベレット3と、異形の欠は
ペレットとを選別する方法や、所定のメツシーのふるい
を用いて選別する方法、さらには、第1図のように半導
体ベレット3が整列された状態で真空チャックやピンセ
ット等で前記の半導体ベレット3と欠はペレット4とを
分離する方法等がある。
しかしながら、第一の方法では、毛筆等を用いて手作業
で行うため、作業が繁雑でかつ時間が掛ること、また第
二の方法では、ふるいに振動を与えるため半導体ペレッ
ト同士の衝突によって特に隅角部に損傷を与え易くかつ
異形ペレットと角形ペレットとを完全に選別することは
困難であること、さらに第三の方法、すなわち、真空チ
ャックやピンセット等を使用し、ペレットを1っすパっ
分離するため、作業時間を要し、非能率的である等の欠
点を有する。
本発明は、上記の事情に基づきなされたもので角形の半
導体ペレットと異形の欠はペレットとを損傷を与えるこ
となく容易かつ確実に分離し得るようにした半導体ウェ
ハの周辺部はペレットの分離方法を提供することを目的
とする。
以下に、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第2図において、半導体ウェハ1の直径りは、一般に高
精度に仁上られておゆ、従って一つ半導体ベレット3の
寸法が設計段階で決定されれば、この半導体ウニ・・1
からの取り個数及び配列パターンは自から決定されてし
まい、複数枚の半導体ウニ・・間においてもそれらの誤
差はきわめて小さいO そこで、角形の半導体ベレット3の最大取り個M ノ配
列パターンに合せ、すなわち、半導体ウニ・・1の周辺
部の欠はペレット4を除いた形状のマスク板5を用意す
る。
第3図は、このマスク板5の外形を示し、板厚が0.1
 mm以下の薄いステンレス板等で形成する。
次に、このマスク板5を第4図に示すように半導体ウェ
ハ1が貼着される粘着テープ2よりも粘着力の強い粘着
テープ6に貼着した後、第5図に示すように半導体ウェ
ハ1のペレット3の配列パターンに合せて重ねる。
このようにすると、マスク板5の外形から外れた半導体
ウェハ1の周辺の欠はペレット4.4は粘着力の強い粘
着テープ6に矢印方向の加圧力を付与することにより貼
着され、その後、粘着テープ2及び6を離間する方向に
剥離すれば第6図に示すようになる。
すなわち、マスク板5が重ね合された角形の半導体ベレ
ットの配列部分を除き、周辺の欠はペレット4.4は粘
着力の強い粘着テープ6側に吸着され、一方の粘着力の
弱い粘着テープ2側には、欠はペレット4を除いた角形
の半導体ベレット3のみが残存する。
上記の説明から明らかなように本発明によれば、未だ分
離されていない半導体ウェハの状態で、周辺の欠はペレ
ットを容易かつ短時間に除去することができ、しかも半
導体ペレット同士の衝突がないので損傷を与えることも
なく収率の向上に寄与し得る。
なお、本発明の実施例では、粘着テープ2及び6の材質
について言及しなかったが位置合せのために透明性を有
するものが便利であり、特に材質に限定されないことは
いうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、半導体ウェハを粘着テープに貼着した状態の
平面図、第2図1は1半導体ウェハ上の半導体ベレット
の配列状態を示す拡大平面図、第3図は、本発明に使用
するマスク板の平面図、第4図は、上記マスク板を粘着
テープに貼着し、他方の粘着テープ上の半導体ウェハと
対向させた状態の側面図、第5図は、マスク板を半導体
ウニ・・上に重ね合せた状態の側面図、第6図は、マス
ク板の貼着された粘着テープ側に除去すべき欠はペレッ
トが残存した状態を示す側面図である。 1・・・半導体ウェハ、2.6・・・粘着テープ、3°
゛半導体ペレット、4・・・欠はベレット、5°・マス
ク板。 出願代理人 弁理士 菊 池 五 部 第 l 爾 弗 2 図 \

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウニ・・上の個々に分離すべき矩形状の半導体ベ
    レットの配列パターンに合せてマスク板を形成し、この
    マスク板を前記半導体ウニ・・が貼着される粘着テープ
    の粘着力よりも強い粘着力を布導体ウニ・・の周辺部は
    ベレットを粘着力の強い粘着テープ側に吸着させて分離
    することを特徴とする半導体ウニ・・の周辺部はベレッ
    トを分離する方法。
JP56136540A 1981-08-31 1981-08-31 半導体ウエハの周辺欠けペレットを分離する方法 Expired JPS609347B2 (ja)

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JPS5837932A true JPS5837932A (ja) 1983-03-05
JPS609347B2 JPS609347B2 (ja) 1985-03-09

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01161485A (ja) * 1987-12-17 1989-06-26 Nichiden Mach Ltd 微小ワーク片の認識方法
JPH01253247A (ja) * 1988-02-25 1989-10-09 Hewlett Packard Co <Hp> ダイの位置決め方法と装置
JP2010114117A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sinfonia Technology Co Ltd Icチップ選別方法、及びicチップ選別装置

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JP2010114117A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Sinfonia Technology Co Ltd Icチップ選別方法、及びicチップ選別装置

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