JPH03177050A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03177050A JPH03177050A JP1317104A JP31710489A JPH03177050A JP H03177050 A JPH03177050 A JP H03177050A JP 1317104 A JP1317104 A JP 1317104A JP 31710489 A JP31710489 A JP 31710489A JP H03177050 A JPH03177050 A JP H03177050A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ウェーハに形成した半導体チップを分割する工程
の改良に関し、 分離された半導体チップの背面と側面との交線上に生じ
たカケが、半導体チップ搬送時に他の半導体チップの表
面に落下するのを防止することが可能な半導体装置の製
造方法の提供を目的とし、ダイシング用の第１のフレー
ムに貼付したＵＶテープに半導体ウェーハを貼付し、該
半導体ウェーハに形成されている半導体チップを個々の
半導体チップに分割する半導体チップ分割工程において
、分割した前記半導体チップを、前記ダイシング用の第
１のフレームに貼付したＵＶテープから、第２のフレー
ムに貼付したＵＶテープの表面に移し替えて貼付する工
程と、前記第２のフレームに貼付され、前記半導体チッ
プを貼付した前記ＵＶテープを加熱する工程と、前記Ｕ
Ｖテープに紫外線を照射する工程とを含むよう構成する
。
の改良に関し、 分離された半導体チップの背面と側面との交線上に生じ
たカケが、半導体チップ搬送時に他の半導体チップの表
面に落下するのを防止することが可能な半導体装置の製
造方法の提供を目的とし、ダイシング用の第１のフレー
ムに貼付したＵＶテープに半導体ウェーハを貼付し、該
半導体ウェーハに形成されている半導体チップを個々の
半導体チップに分割する半導体チップ分割工程において
、分割した前記半導体チップを、前記ダイシング用の第
１のフレームに貼付したＵＶテープから、第２のフレー
ムに貼付したＵＶテープの表面に移し替えて貼付する工
程と、前記第２のフレームに貼付され、前記半導体チッ
プを貼付した前記ＵＶテープを加熱する工程と、前記Ｕ
Ｖテープに紫外線を照射する工程とを含むよう構成する
。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に半導体ウ
ェーハに形成した半導体チップを分割する工程の改良に
関するものである。
ェーハに形成した半導体チップを分割する工程の改良に
関するものである。
半導体ウェーハに形成した半導体チップを個々の半導体
チップに分割する工程においては、半導体ウェーハをＵ
Ｖテープに貼付し、半導体ウェーハの全厚みを分離させ
るフルカットダイシングにより分離させているが、この
際ＵＶテープに貼付した半導体ウェーハの背面とダイシ
ング溝の壁面との交線、即ち、分離された半導体チップ
の背面と側面との交線上にクランク或いはカケが生して
いる。
チップに分割する工程においては、半導体ウェーハをＵ
Ｖテープに貼付し、半導体ウェーハの全厚みを分離させ
るフルカットダイシングにより分離させているが、この
際ＵＶテープに貼付した半導体ウェーハの背面とダイシ
ング溝の壁面との交線、即ち、分離された半導体チップ
の背面と側面との交線上にクランク或いはカケが生して
いる。
以上のような状況から、半導体ウェーハを個々の半導体
チップに分割するグイシング工程において生したカケが
、半導体チップに不安定な状態で付着し、このカケが半
導体チップを搬送する際に半導体チップから分離し、他
の半導体チップの表面に落下する等の障害が発生するの
を防止することが可能な半導体装置の製造方法が要望さ
れている。
チップに分割するグイシング工程において生したカケが
、半導体チップに不安定な状態で付着し、このカケが半
導体チップを搬送する際に半導体チップから分離し、他
の半導体チップの表面に落下する等の障害が発生するの
を防止することが可能な半導体装置の製造方法が要望さ
れている。
従来の半導体装置の製造方法を背面にチタン層。
ニッケル層、銀層を積層して形成した半導体つ工−ハの
場合について詳細に説明する。
場合について詳細に説明する。
まず第２図（ａｌ及び（ｂ）に示すように、ダイシング
用フレーム１１にＵＶテープ１２を貼付し、このＵＶチ
ー１１２の表面に半導体ウェーハ１３を貼付し、このダ
イシング用フレーム１１を図示しないダイシング装置の
テーブルに搭載し、極めて薄いダイヤモンドカッターを
用いて半導体ウェーハ１３の全厚みを分離するフルカッ
トダイシングにより第２図（Ｃ１に示すようにダイシン
グ溝１４ｄを形成して半導体ウェーハ１３を個々の半導
体チップ１４に分割する。
用フレーム１１にＵＶテープ１２を貼付し、このＵＶチ
ー１１２の表面に半導体ウェーハ１３を貼付し、このダ
イシング用フレーム１１を図示しないダイシング装置の
テーブルに搭載し、極めて薄いダイヤモンドカッターを
用いて半導体ウェーハ１３の全厚みを分離するフルカッ
トダイシングにより第２図（Ｃ１に示すようにダイシン
グ溝１４ｄを形成して半導体ウェーハ１３を個々の半導
体チップ１４に分割する。
つぎにこのＵＶテープ１２に紫外線を照射してＵＶテー
プ１２を硬化させた後、個々の半導体チップ１４をエア
ピンセントを用いてチンブトレイに移し替えている。
プ１２を硬化させた後、個々の半導体チップ１４をエア
ピンセントを用いてチンブトレイに移し替えている。
以上説明した従来の半導体装置の製造方法においては、
半導体チップをダイヤモンドカッターを用いるフルカッ
トダイシングによって分割するので、第３図に示すよう
に分離された半導体チップ１４の背面と側面との交線上
にクランク或いはカケ１４ｅが生し、このカケ１４ｅが
半導体チップに不安定な状態で付着し、半導体装置の組
立工程において半導体チップをチンブトレイから半導体
装置の容器に搬送する際に、半導体チップから分離して
他の半導体チップの表面に落下する等の障害が発生する
という問題点があった。
半導体チップをダイヤモンドカッターを用いるフルカッ
トダイシングによって分割するので、第３図に示すよう
に分離された半導体チップ１４の背面と側面との交線上
にクランク或いはカケ１４ｅが生し、このカケ１４ｅが
半導体チップに不安定な状態で付着し、半導体装置の組
立工程において半導体チップをチンブトレイから半導体
装置の容器に搬送する際に、半導体チップから分離して
他の半導体チップの表面に落下する等の障害が発生する
という問題点があった。
本発明は以上のような状況から、分離された半導体チッ
プの背面と側面との交線上に生じたカケが、半導体チッ
プ搬送時に他の半導体チップの表面に落下するのを防止
することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的と
したものである。
プの背面と側面との交線上に生じたカケが、半導体チッ
プ搬送時に他の半導体チップの表面に落下するのを防止
することが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的と
したものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシング用の第１
のフレームに貼付したＵＶテープに半導体ウェーハを貼
付し、この半導体ウェーハに形成されている半導体チッ
プを個々の半導体チップに分割する半導体チップ分割工
程において、分割したこの半導体チップを、このダイシ
ング用の第１のフレームに貼付したＵＶテープから、別
の第２のフレームに貼付したＵＶテープの表面に移し替
えて貼付する工程と、この第２のフレームに貼付され、
この半導体チップを貼付したこのＵＶテープを加熱する
工程と、このＵＶテープに紫外線を照射する工程とを含
むよう構成する。
のフレームに貼付したＵＶテープに半導体ウェーハを貼
付し、この半導体ウェーハに形成されている半導体チッ
プを個々の半導体チップに分割する半導体チップ分割工
程において、分割したこの半導体チップを、このダイシ
ング用の第１のフレームに貼付したＵＶテープから、別
の第２のフレームに貼付したＵＶテープの表面に移し替
えて貼付する工程と、この第２のフレームに貼付され、
この半導体チップを貼付したこのＵＶテープを加熱する
工程と、このＵＶテープに紫外線を照射する工程とを含
むよう構成する。
即ち本発明においては、ダイヤモンド力・７ターを用い
るフルカットダイシングによって分割され分離された半
導体チップを、別のフレームに貼付したＵＶテープの表
面に移し替え、整列してこのＵＶテープに貼付し、この
ＵＶテープを加熱して付着力を強化し、その後紫外線を
照射してＵＶテープを硬化させておき、次の組立工程に
おいて更にこのＵＶテープから半導体チップを半導体装
置の容器に移し替えるので、半導体チップに生している
カケをこのＵＶテープに付着させて半導体チップと分離
することができ、ｉＭ送時ム二カケが半導体チップから
分離して他の半導体チップの表面に落下するのを防止す
ることが可能となる。
るフルカットダイシングによって分割され分離された半
導体チップを、別のフレームに貼付したＵＶテープの表
面に移し替え、整列してこのＵＶテープに貼付し、この
ＵＶテープを加熱して付着力を強化し、その後紫外線を
照射してＵＶテープを硬化させておき、次の組立工程に
おいて更にこのＵＶテープから半導体チップを半導体装
置の容器に移し替えるので、半導体チップに生している
カケをこのＵＶテープに付着させて半導体チップと分離
することができ、ｉＭ送時ム二カケが半導体チップから
分離して他の半導体チップの表面に落下するのを防止す
ることが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例を背面にチタン
層、ニッケル層、銀層を積層して形成した半導体ウェー
ハの場合について詳細に説明する。
層、ニッケル層、銀層を積層して形成した半導体ウェー
ハの場合について詳細に説明する。
まず第１図（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング
用フレーム１に古河型ニー社製のＵＣシリーズのＵＶテ
ープ２を貼付し、このＵＶテープ２の表面に半導体ウェ
ーハ３を貼付し、全厚みを分離するフルカットダイシン
グにより第１図（Ｃ）に示すように半導体ウェーハ３を
個々の半導体チップ４に分割し、このＵＶテープ２に紫
外線を照射してＵＶテープ２を硬化させるまでの工程は
従来と同様である。
用フレーム１に古河型ニー社製のＵＣシリーズのＵＶテ
ープ２を貼付し、このＵＶテープ２の表面に半導体ウェ
ーハ３を貼付し、全厚みを分離するフルカットダイシン
グにより第１図（Ｃ）に示すように半導体ウェーハ３を
個々の半導体チップ４に分割し、このＵＶテープ２に紫
外線を照射してＵＶテープ２を硬化させるまでの工程は
従来と同様である。
つぎに本実施例では図示しないエアビンセントを用いて
半導体チップ４をＵＶテープ２からはがして移し替え、
図示しないＸＹステージに搭載した第１図ｆｄ） ４こ
示すようなフレーム５に貼付したＵＶテープ６の表面に
整列して貼付する。
半導体チップ４をＵＶテープ２からはがして移し替え、
図示しないＸＹステージに搭載した第１図ｆｄ） ４こ
示すようなフレーム５に貼付したＵＶテープ６の表面に
整列して貼付する。
ついでこのフレーム５に貼付され、この半導体チップ４
を貼付したこのＵＶテープ６を７５℃で１０分間加熱し
て付着力を強化する。
を貼付したこのＵＶテープ６を７５℃で１０分間加熱し
て付着力を強化する。
最後にこのＵＶテープ６に紫外線を照射してＵＶテープ
６を硬化させて、半導体チップ４をはがし次の組立工程
に送り、半導体装置の容器に搭載する。
６を硬化させて、半導体チップ４をはがし次の組立工程
に送り、半導体装置の容器に搭載する。
このように半導体チップ４を分割する際に用いたＵＶテ
ープ２から半導体チップ４を移し替え、別のフレーム５
に貼付したＵＶテープ６の表面に整列して貼付するので
、このフレーム５を用いる半導体装置の組立工程におい
て、このＵＶチー１６から半導体チップ４を半導体装置
の容器に移し替える際に、半導体チップ４に付着してい
るカケをこのＵＶテープ６に付着させて半導体チップ４
と分離することが可能となり、半導体チップ４を搬送す
る際に他の半導体チップの表面にカケが落下するのを防
止することが可能となる。
ープ２から半導体チップ４を移し替え、別のフレーム５
に貼付したＵＶテープ６の表面に整列して貼付するので
、このフレーム５を用いる半導体装置の組立工程におい
て、このＵＶチー１６から半導体チップ４を半導体装置
の容器に移し替える際に、半導体チップ４に付着してい
るカケをこのＵＶテープ６に付着させて半導体チップ４
と分離することが可能となり、半導体チップ４を搬送す
る際に他の半導体チップの表面にカケが落下するのを防
止することが可能となる。
本実施例により半導体チップ４を別のＵＶテープ６に移
し替えて貼付けた後に、このＵＶテープ６から半導体チ
ップ４を取り外した場合には、不安定なカケはＵＶテー
プ６に付着して残り、９個の半導体チップ４の３６辺に
付着してともに搬送されたカケの数は８３個であり、従
来のチップトレイに移し替えてこのチップトレイから取
り出した場合には、９個の半導体チップ４の３６辺に付
着してともに躍送されたカケの数が２１２個であったの
と比較すると、約６１％のカケがＵＶテープ６により取
り除かれていることが判明した。
し替えて貼付けた後に、このＵＶテープ６から半導体チ
ップ４を取り外した場合には、不安定なカケはＵＶテー
プ６に付着して残り、９個の半導体チップ４の３６辺に
付着してともに搬送されたカケの数は８３個であり、従
来のチップトレイに移し替えてこのチップトレイから取
り出した場合には、９個の半導体チップ４の３６辺に付
着してともに躍送されたカケの数が２１２個であったの
と比較すると、約６１％のカケがＵＶテープ６により取
り除かれていることが判明した。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
容易に実施することが可能な半導体チップの移し替えを
行うことにより、半導体チップ分割の際に生したカケに
よる障害を防止することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装
置の製造方法の提供が可能となる。
容易に実施することが可能な半導体チップの移し替えを
行うことにより、半導体チップ分割の際に生したカケに
よる障害を防止することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装
置の製造方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例を説明する図、第２図は
従来の半導体装置の製造方法を説明する図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
る側断面図、 である。 図において、 １はダイシング用フレーム、２はＵＶテープ、３は半導
体ウェーハ、４は半導体チップ、４ａはチタン層、
４ｂはニッケル層、４Ｃはｉ艮層、 ４ｄは
ダイシング溝、５はフレーム、 ６はＵＶテープ
、を示す。 Ａ ｉａｌ 平 面 図 〜） Ａ−Ａ断面図 本発明による一実施例を説明する間 第 】 図〔その１） （Ｃ１ Ｂ−Ｂ断面拡大図 （ｄ＋ フレーム（４）に貼付したＵＶテーフ（５）に半４体チ
ップ（３ａ）を整列して貼付５た状態を示す平面図本発
明による一実施例を説明する間 第 図 （その２） Ｃ ＋ａ＋平面図 Ｃ断面図 従来の半・４体１置の製造方法を説明する妙蔦 ２ 図
（その１） （Ｃ１ Ｄ−Ｄ断面拡大図 従来の半導体装置の製造方法を説明する間第 図 （その２） 従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明する側断面
間第 図
従来の半導体装置の製造方法を説明する図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
る側断面図、 である。 図において、 １はダイシング用フレーム、２はＵＶテープ、３は半導
体ウェーハ、４は半導体チップ、４ａはチタン層、
４ｂはニッケル層、４Ｃはｉ艮層、 ４ｄは
ダイシング溝、５はフレーム、 ６はＵＶテープ
、を示す。 Ａ ｉａｌ 平 面 図 〜） Ａ−Ａ断面図 本発明による一実施例を説明する間 第 】 図〔その１） （Ｃ１ Ｂ−Ｂ断面拡大図 （ｄ＋ フレーム（４）に貼付したＵＶテーフ（５）に半４体チ
ップ（３ａ）を整列して貼付５た状態を示す平面図本発
明による一実施例を説明する間 第 図 （その２） Ｃ ＋ａ＋平面図 Ｃ断面図 従来の半・４体１置の製造方法を説明する妙蔦 ２ 図
（その１） （Ｃ１ Ｄ−Ｄ断面拡大図 従来の半導体装置の製造方法を説明する間第 図 （その２） 従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明する側断面
間第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ダイシング用の第１のフレーム（１）に貼付したＵＶ
テープ（２）に半導体ウェーハ（３）を貼付し、該半導
体ウェーハ（３）に形成されている半導体チップ（４）
を個々の半導体チップ（４）に分割する半導体チップ分
割工程において、 分割した前記半導体チップ（４）を、前記ダイシング用
の第１のフレーム（１）に貼付したＵＶテープ（２）か
ら、第２のフレーム（５）に貼付したＵＶテープ（６）
の表面に移し替えて貼付する工程と、前記第２のフレー
ム（５）に貼付され、前記半導体チップ（４）を貼付し
た前記ＵＶテープ（６）を加熱する工程と、 前記ＵＶテープ（６）に紫外線を照射する工程と、を含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317104A JPH03177050A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317104A JPH03177050A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177050A true JPH03177050A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18084487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317104A Pending JPH03177050A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177050A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195809A3 (en) * | 2000-08-31 | 2003-12-17 | LINTEC Corporation | Process for producing semiconductor device |
| JP2015130417A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 日東電工株式会社 | フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| CN110676219A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-10 | 江苏汇成光电有限公司 | 一种应对真空异常的晶圆切割处理方法 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1317104A patent/JPH03177050A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195809A3 (en) * | 2000-08-31 | 2003-12-17 | LINTEC Corporation | Process for producing semiconductor device |
| KR100805520B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2008-02-20 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2015130417A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 日東電工株式会社 | フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
| CN110676219A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-10 | 江苏汇成光电有限公司 | 一种应对真空异常的晶圆切割处理方法 |
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