JP2803805B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2803805B2 JP2803805B2 JP25248892A JP25248892A JP2803805B2 JP 2803805 B2 JP2803805 B2 JP 2803805B2 JP 25248892 A JP25248892 A JP 25248892A JP 25248892 A JP25248892 A JP 25248892A JP 2803805 B2 JP2803805 B2 JP 2803805B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーから分割
した半導体チップをリードフレームに接続させる方法に
特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
した半導体チップをリードフレームに接続させる方法に
特徴を有する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップをリードフレームに接続さ
せる方法に接着性樹脂を用いる方法がある。そして、こ
の接着性樹脂を使う方法として次の３種類がある。
せる方法に接着性樹脂を用いる方法がある。そして、こ
の接着性樹脂を使う方法として次の３種類がある。
【０００３】第一には、有機溶剤などで溶かした液状の
前記接着性樹脂を微細なノズルで、リードフレーム上の
半導体チップが搭載される部分に塗布した後、半導体チ
ップを置き、接着性樹脂を硬化させる方法である。
前記接着性樹脂を微細なノズルで、リードフレーム上の
半導体チップが搭載される部分に塗布した後、半導体チ
ップを置き、接着性樹脂を硬化させる方法である。
【０００４】第二には、有機溶剤を使わず半硬化状態の
フィルム状にした前記接着性樹脂を、搭載する半導体チ
ップの大きさに切断し、そのフィルムをリードフレーム
上に置き、その上に半導体チップを載せ、加熱すること
で接着性樹脂を溶融、硬化させ、接続させるものであ
る。
フィルム状にした前記接着性樹脂を、搭載する半導体チ
ップの大きさに切断し、そのフィルムをリードフレーム
上に置き、その上に半導体チップを載せ、加熱すること
で接着性樹脂を溶融、硬化させ、接続させるものであ
る。
【０００５】そして第三の方法として、半導体ウェハー
にフィルム状の接着性樹脂を貼り付け、その後に半導体
チップに切断する方法がある。以下、この第三の方法に
ついて図面を参照しながら説明する。図３は従来の半導
体装置の製造方法として、樹脂フィルムをウェハーに貼
付し、ダイシング後に突き上げピンにより突き上げてチ
ップ状態に分割している状態を示す断面図である。以
下、その動作について説明する。
にフィルム状の接着性樹脂を貼り付け、その後に半導体
チップに切断する方法がある。以下、この第三の方法に
ついて図面を参照しながら説明する。図３は従来の半導
体装置の製造方法として、樹脂フィルムをウェハーに貼
付し、ダイシング後に突き上げピンにより突き上げてチ
ップ状態に分割している状態を示す断面図である。以
下、その動作について説明する。
【０００６】まずダイシングによって半導体ウェハー１
に切込みを入れる前に、フィルム状の接着性樹脂２を半
導体ウェハー１裏面に貼り付ける。次に半導体チップ１
ａに切断する際に突き上げピン３で突き上げて同時に接
着性樹脂２をも切断する。そして吸着コレット４に半導
体チップ１ａを吸着し、前記半導体チップ１ａをリード
フレームに載せ、加熱し、接着性樹脂を溶融、硬化させ
るものである。
に切込みを入れる前に、フィルム状の接着性樹脂２を半
導体ウェハー１裏面に貼り付ける。次に半導体チップ１
ａに切断する際に突き上げピン３で突き上げて同時に接
着性樹脂２をも切断する。そして吸着コレット４に半導
体チップ１ａを吸着し、前記半導体チップ１ａをリード
フレームに載せ、加熱し、接着性樹脂を溶融、硬化させ
るものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法では以下のような課題がある。
来の方法では以下のような課題がある。
【０００８】従来の第一の方法である液状の接着性樹脂
をノズルでリードフレームに塗布する方法は、半導体チ
ップ裏面全面を濡らすには、ノズル形状など工夫が必要
であり、特に半導体チップの大きさが変わった場合、そ
れぞれにノズルを準備する方法がある。また、加熱硬化
する際、含まれている有機溶剤が気化蒸発し、その内部
に空洞を生じさせる場合がある。
をノズルでリードフレームに塗布する方法は、半導体チ
ップ裏面全面を濡らすには、ノズル形状など工夫が必要
であり、特に半導体チップの大きさが変わった場合、そ
れぞれにノズルを準備する方法がある。また、加熱硬化
する際、含まれている有機溶剤が気化蒸発し、その内部
に空洞を生じさせる場合がある。
【０００９】従来の第二の方法である半導体チップの大
きさに切断したフィルム状の接着性樹脂を、リードフレ
ーム上に載せる方法は、正確にその位置に載せることが
難しく、位置ずれを起こしやすい。
きさに切断したフィルム状の接着性樹脂を、リードフレ
ーム上に載せる方法は、正確にその位置に載せることが
難しく、位置ずれを起こしやすい。
【００１０】従来の第三の方法である半導体ウェハーに
フィルム状の接着性樹脂を貼り付け、その後に半導体チ
ップに切断する方法は、前記第二に示した方法の欠点を
補うもので、半導体チップ１ａと接着性樹脂２との位置
ずれの心配がない。また、フィルム状の接着性樹脂２に
は有機溶剤が含まれておらず、その内部に空洞が生じる
ことがない。ただしこの第三の方法は、フィルム状の接
着性樹脂２を貼り付けた半導体ウェハー１を分割して半
導体チップ１ａに切断する際、そのフィルム状の接着性
樹脂２まで切断する必要がある。接着性樹脂２まで切断
せず、半導体ウェハー１の途中までの切断で終わると、
以後の半導体チップ１ａに分割する際に、図３に示すよ
うに、個々の半導体チップ１ａに着くべき接着性樹脂２
が剥がれ、リードフレーム接続の際に密着性が確保でき
なくなる。または、一つの半導体チップ１ａに、隣接す
る半導体チップ１ａに接着されるべき接着性樹脂２の一
部が過剰に残ることがある。しかし、接着性樹脂２まで
切断すると、切断する刃（ダイシングブレード）にフィ
ルム状の接着性樹脂２が付着し、前記切断する刃が接着
性樹脂により目づまりを起こし作業性を著しく低下させ
るといった課題があった。
フィルム状の接着性樹脂を貼り付け、その後に半導体チ
ップに切断する方法は、前記第二に示した方法の欠点を
補うもので、半導体チップ１ａと接着性樹脂２との位置
ずれの心配がない。また、フィルム状の接着性樹脂２に
は有機溶剤が含まれておらず、その内部に空洞が生じる
ことがない。ただしこの第三の方法は、フィルム状の接
着性樹脂２を貼り付けた半導体ウェハー１を分割して半
導体チップ１ａに切断する際、そのフィルム状の接着性
樹脂２まで切断する必要がある。接着性樹脂２まで切断
せず、半導体ウェハー１の途中までの切断で終わると、
以後の半導体チップ１ａに分割する際に、図３に示すよ
うに、個々の半導体チップ１ａに着くべき接着性樹脂２
が剥がれ、リードフレーム接続の際に密着性が確保でき
なくなる。または、一つの半導体チップ１ａに、隣接す
る半導体チップ１ａに接着されるべき接着性樹脂２の一
部が過剰に残ることがある。しかし、接着性樹脂２まで
切断すると、切断する刃（ダイシングブレード）にフィ
ルム状の接着性樹脂２が付着し、前記切断する刃が接着
性樹脂により目づまりを起こし作業性を著しく低下させ
るといった課題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するもので、以下のような構成を有している。すなわ
ち、半導体ウェハーに対し垂直方向に配向するフィルム
状の配向性接着樹脂を前記半導体ウェハー裏面に貼付す
る工程と、半導体チップの大きさに従って前記半導体ウ
ェハーの途中まで切り込みを入れる工程と、半導体チッ
プ分割と同時に前記フィルム状の配向性接着樹脂を割っ
てチップ状態にする工程と、前記フィルム状の配向性接
着樹脂を有した半導体チップをリードフレームに接続す
る工程とを有することを特徴とする。
するもので、以下のような構成を有している。すなわ
ち、半導体ウェハーに対し垂直方向に配向するフィルム
状の配向性接着樹脂を前記半導体ウェハー裏面に貼付す
る工程と、半導体チップの大きさに従って前記半導体ウ
ェハーの途中まで切り込みを入れる工程と、半導体チッ
プ分割と同時に前記フィルム状の配向性接着樹脂を割っ
てチップ状態にする工程と、前記フィルム状の配向性接
着樹脂を有した半導体チップをリードフレームに接続す
る工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明は前記構成によって、半導体ウェハー裏
面に貼付したフィルム状の配向性接着樹脂によって、従
来のチップ分割方法を用いても、分割箇所から正確に配
向性接着樹脂が切断され、半導体チップ裏面全体に接着
性樹脂が確保されるため、前記半導体チップをリードフ
レームに接続する場合、完全な密着性を容易に確保でき
る。
面に貼付したフィルム状の配向性接着樹脂によって、従
来のチップ分割方法を用いても、分割箇所から正確に配
向性接着樹脂が切断され、半導体チップ裏面全体に接着
性樹脂が確保されるため、前記半導体チップをリードフ
レームに接続する場合、完全な密着性を容易に確保でき
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１、図２
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１４】図１は本実施例の一工程を示す断面図であ
る。図１は配向性接着樹脂５を半導体ウェハー１に貼り
つけ、個々の半導体チップ１ａに分割するためのダイシ
ングをしている状態を示している。前記配向性接着樹脂
５は、液晶ポリマーや熱可塑性樹脂のような材料を用い
ることで、簡単に半導体ウェハー１に対し垂直に配向す
る状態で貼りつけることができる。その後、個々の半導
体チップ１ａに分割するための切断は、ダイシングソー
６を用いて、半導体ウェハー１の表面から切り込みを入
れる。この時、切り込みの深さは、半導体ウェハー１の
途中までとし、切込みの深さはダイシングソー６により
半導体ウェハー１の切断中に半導体チップ１ａがバラバ
ラにならないように保持される深さである。決して配向
性接着樹脂５までは切込まない。半導体ウェハー１の厚
みが６００μｍ程度であれば、切込みの深さは５００μ
ｍ程度で、約９０％の切込みでよい。
る。図１は配向性接着樹脂５を半導体ウェハー１に貼り
つけ、個々の半導体チップ１ａに分割するためのダイシ
ングをしている状態を示している。前記配向性接着樹脂
５は、液晶ポリマーや熱可塑性樹脂のような材料を用い
ることで、簡単に半導体ウェハー１に対し垂直に配向す
る状態で貼りつけることができる。その後、個々の半導
体チップ１ａに分割するための切断は、ダイシングソー
６を用いて、半導体ウェハー１の表面から切り込みを入
れる。この時、切り込みの深さは、半導体ウェハー１の
途中までとし、切込みの深さはダイシングソー６により
半導体ウェハー１の切断中に半導体チップ１ａがバラバ
ラにならないように保持される深さである。決して配向
性接着樹脂５までは切込まない。半導体ウェハー１の厚
みが６００μｍ程度であれば、切込みの深さは５００μ
ｍ程度で、約９０％の切込みでよい。
【００１５】次に図２は本実施例の一工程を示す断面図
であり、図１の状態で切込みを入れた半導体ウェハー１
を個々の半導体チップ１ａに分割し外している状態を示
している。半導体ウェハー１の途中まで切込みを入れた
状態で、突き上げピン３で半導体チップ１ａを突き上げ
る。その際、半導体ウェハー１はチップ状態に分割され
る。同時に、半導体ウェハー１に接着している配向性接
着樹脂５は、その配向性から、半導体チップ１ａが分割
される部分から垂直に切断される。このため、各半導体
チップ１ａに対し、完全に接着剤が確保される。その
後、吸着コレット４に半導体チップ１ａを吸着し、搭載
するリードフレーム上で加熱溶融させ接着させる。
であり、図１の状態で切込みを入れた半導体ウェハー１
を個々の半導体チップ１ａに分割し外している状態を示
している。半導体ウェハー１の途中まで切込みを入れた
状態で、突き上げピン３で半導体チップ１ａを突き上げ
る。その際、半導体ウェハー１はチップ状態に分割され
る。同時に、半導体ウェハー１に接着している配向性接
着樹脂５は、その配向性から、半導体チップ１ａが分割
される部分から垂直に切断される。このため、各半導体
チップ１ａに対し、完全に接着剤が確保される。その
後、吸着コレット４に半導体チップ１ａを吸着し、搭載
するリードフレーム上で加熱溶融させ接着させる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップのリード
フレームへの接続において、全ての半導体チップの密着
性を向上させると同時に、製造時においても、従来と同
等のチップ分割方法が使えるため、実用上きわめて有効
である。
フレームへの接続において、全ての半導体チップの密着
性を向上させると同時に、製造時においても、従来と同
等のチップ分割方法が使えるため、実用上きわめて有効
である。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図
の一工程を示す断面図
【図２】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図
の一工程を示す断面図
【図３】従来の半導体装置の製造方法における樹脂フィ
ルムをウェハーに貼付し、チップ状態に分割している状
態を示す断面図
ルムをウェハーに貼付し、チップ状態に分割している状
態を示す断面図
１ 半導体ウェハー １ａ 半導体チップ ２ 接着性樹脂 ３ 突き上げピン ４ 吸着コレット ５ 配向性接着樹脂 ６ ダイシングソー
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハーに対し垂直方向に配向する
フィルム状の配向性接着樹脂を前記半導体ウェハー裏面
に貼付する工程と、半導体チップの大きさに従って前記
半導体ウェハーの途中まで切り込みを入れる工程と、半
導体チップ分割と同時に前記フィルム状の配向性接着樹
脂を割ってチップ状態にする工程と、前記フィルム状の
配向性接着樹脂を有した半導体チップをリードフレーム
に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25248892A JP2803805B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25248892A JP2803805B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104297A JPH06104297A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2803805B2 true JP2803805B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17238074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25248892A Expired - Fee Related JP2803805B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803805B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10432168B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-10-01 | General Electric Company | Systems and methods for quartz wafer bonding |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3825174B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2006-09-20 | 株式会社クラレ | 半導体回路装置を搭載したプリント回路装置 |
| JP4503429B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-07-14 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP25248892A patent/JP2803805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10432168B2 (en) | 2015-08-31 | 2019-10-01 | General Electric Company | Systems and methods for quartz wafer bonding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104297A (ja) | 1994-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |