JP2002118081A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、
   個片化された各々の半導体チップを熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかを含み、ダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着する工程と、
   前記個片化された各々の半導体チップが接着された接着剤フィルムにおける接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、
   上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の領域を、有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれかを用いた化学的エッチングにより除去する工程とを具備する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記接着剤フィルムは、本質的に熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかから成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記接着剤フィルムは、ガラスビーズ、ポリマー、及び銀フィラーのいずれかで形成されたスペーサーを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記ダイシングテープから前記半導体チップを引き剥がす工程と、前記引き剥がした半導体チップの接着剤フィルム面側を、金属フレームもしくは有機基板上にマウントする工程とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。