JP2005332982A5

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Publication number: JP2005332982A5
Application number: JP2004150048A
Authority: JP
Filing date: 2004-05-20
Publication date: 2007-07-05

Claims

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
（ｃ）テープと、前記テープの外周に貼り付けられた枠体とを有する治具を準備する工程、
（ｄ）前記治具のテープに前記半導体ウエハの主面を貼り付ける工程、
（ｅ）前記治具のテープに前記半導体ウエハの主面を貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削する工程、
（ｆ）前記治具のテープに前記半導体ウエハの主面を貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを分割する工程に搬送する工程。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程に先立って、前記テープに貼り付けられた前記半導体ウエハの厚さを測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｇ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｇ２）前記（ｇ１）工程の後、前記半導体ウエハの裏面から前記切断領域に切断刃を当てて前記半導体ウエハを切断する工程。
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ１）工程においては、赤外線カメラを用いて前記半導体ウエハの裏面から前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｇ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｇ２）前記（ｇ１）工程によって得られた切断領域のパターンデータを用いて、前記半導体ウエハの裏面から切断領域にレーザを照射し、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程、
（ｇ３）前記テープを引き伸ばすことにより、前記半導体ウエハを切断する工程。
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｇ１）工程においては、赤外線カメラを用いて前記半導体ウエハの裏面から前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ｇ１）前記半導体ウエハの主面の切断領域を認識する工程、
（ｇ２）前記半導体ウエハの裏面にダイアタッチ層を形成する工程、
（ｇ３）前記（ｇ１）工程の後、前記半導体ウエハの切断領域の前記ダイアタッチ層に第１切断刃を当てて切断する工程、
（ｇ４）前記（ｇ１）工程によって得られた切断領域のパターンデータを用いて、前記半導体ウエハの裏面から切断領域に前記第１切断刃よりもその幅が狭い第２切断刃を当てて前記半導体ウエハを切断する工程。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハを分割した後、前記テープを前記半導体ウエハの主面が貼り付けられた面とは反対の裏面側から吸引し、前記テープの主面と前記半導体チップの主面との接触状態を面接触から点接触に変えた状態で、前記半導体チップを取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
（ｈ）前記半導体ウエハを分割することで前記半導体チップを取り出した後、搬送トレイの粘着テープに貼り付ける工程、
（ｉ）前記半導体チップを前記搬送トレイの粘着テープに貼り付けた状態で所望の場所に搬送する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは紫外線を照射すると粘着性が低下する特性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは着脱自在の状態で前記搬送トレイに貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記搬送トレイの粘着テープは透明であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハを分割することで前記半導体チップを取り出した後、所望の基板に実装する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程後の半導体ウエハの厚さが１００μｍまたは１００μｍより薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記治具の枠体は、前記テープの主面に形成された接着層を介して貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの主面は、前記テープの主面に形成された接着層を介して貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記(ｅ)工程の後に、前記半導体ウエハを研磨する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記研磨する工程は、研磨パッドを用いて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記研磨する工程は、エッチング法により行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。