JP6312229B1 - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents

研磨方法及び研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6312229B1
JP6312229B1 JP2017115077A JP2017115077A JP6312229B1 JP 6312229 B1 JP6312229 B1 JP 6312229B1 JP 2017115077 A JP2017115077 A JP 2017115077A JP 2017115077 A JP2017115077 A JP 2017115077A JP 6312229 B1 JP6312229 B1 JP 6312229B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
holding plate
holding
pressure
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017115077A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019000917A (ja
Inventor
篤史 渡邉
篤史 渡邉
克也 横川
克也 横川
宏高 栗本
宏高 栗本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2017115077A priority Critical patent/JP6312229B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6312229B1 publication Critical patent/JP6312229B1/ja
Priority to TW107116217A priority patent/TWI763844B/zh
Priority to CN201810514993.2A priority patent/CN109015115B/zh
Priority to KR1020180065801A priority patent/KR102476609B1/ko
Publication of JP2019000917A publication Critical patent/JP2019000917A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/12Lapping plates for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】保持板毎の形状差に影響されることなく、ウェーハの平坦度を制御することができる研磨方法及び研磨装置を提供する。【解決手段】被研磨物を保持板で保持し、被研磨物を保持した保持板を研磨装置に配設された研磨ヘッドに装着し、研磨ヘッドによって、保持板に保持された被研磨物を、研磨テーブルに貼り付けられた研磨布に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、被研磨物の表面を研磨する方法であって、保持板で被研磨物を保持する前に、保持板の被研磨物を保持する保持面の形状を測定しておき、測定済の前記保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整してから、被研磨物を研磨することを特徴とする研磨方法。【選択図】 図1

Description

本発明は、研磨方法及び研磨装置に関する。
シリコンウェーハや化合物半導体ウェーハなどの半導体ウェーハは、集積回路の微細化に伴いフラットネス仕様がタイト化し、更に要求水準が上がっており、よりフラットな形状が求められている。半導体ウェーハを平坦に研磨する手段として、半導体ウェーハを保持板(研磨プレート)に、接着又はテンプレート法により貼り付けて保持して研磨する方法がある。
特許文献1に記載されているように、この方法では、半導体ウェーハを貼り付けた保持板を研磨ヘッドの下面に取り付け、研磨ヘッドの下面に取り付けられた可撓性薄膜(あるいは弾性膜)との間の密閉空間(エアーバッグ)に圧力流体を供給し、その圧力を調整することで保持板全面を均等に圧下する研磨装置が用いられている。この研磨装置の研磨ヘッドは、密閉空間に圧力がかかっていない場合は、研磨ヘッドの外周部に全研磨圧が加わる構造となっている。
この研磨方法を、図12〜14を参照して、より具体的に説明する。図12のように、ウェーハWの表面を研磨するために、まず、1枚以上のウェーハWを円盤状の保持板108に貼り付ける。次に、図13のように、ウェーハWを貼り付けた保持板108を研磨ヘッド102に装着する。研磨ヘッド102は研磨ヘッド102を軸周りに回転させる研磨シャフト103とともに研磨軸104を構成する。保持板108に固定されたウェーハWは研磨テーブル105上に貼られた研磨布106に接触させられ、研磨される。
その時、保持板108の上に載せられた研磨ヘッド102により、その保持板108を加圧しながら、研磨テーブル105の回転運動及び研磨ヘッド102の回転により、各ウェーハWの研磨布106との接触面がそれぞれ研磨される。
図13のような研磨ヘッド102と、下面に取り付けられた可撓性薄膜107(あるいは弾性膜)との間の密閉空間に圧力流体を供給し、その圧力を調整することで保持板108の全面を均等に圧下する装置を使用した場合、この研磨ヘッド102は、密閉空間に圧力がかかっていないときには、研磨ヘッド102の外周部に全研磨圧が加わる構造となっている。
実際の研磨時は、密閉空間を適切な加圧に設定し、各ウェーハWを均一に研磨する。この密閉空間の圧力が変動すると、保持板108への押圧分布が変化して保持板108に固定された各ウェーハWの研磨形状が変化することが知られている。具体的には、図14に示すように、密閉空間の圧力が小さいと保持板108の外周部側に押圧分布が相対的にシフトし、密閉空間の圧力が大きいと保持板108の中心部に押圧分布がシフトする。この押圧分布に従い、研磨後のウェーハ形状が変化する。
特公平7−41534号公報
ところが、可撓性薄膜による密閉空間(エアーバッグ)によって、適切に押圧分布が調整された研磨ヘッドを用いて研磨しても、ウェーハ毎に、平坦度(GBIR)にはバラツキが発生してしまうという問題があった。これは、保持板毎に、形状は全く同一ではなく、わずかに形状差があるので、保持板の平均的な形状に対する適切な押圧分布を設定しても、そのわずかな形状差により、ウェーハの平坦度にバラツキが生ずるためである。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、保持板毎の形状差に影響されることなく、ウェーハの平坦度を制御することができる研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、被研磨物を保持板で保持し、前記被研磨物を保持した前記保持板を研磨装置に配設された研磨ヘッドに装着し、該研磨ヘッドによって、前記保持板に保持された前記被研磨物を、研磨テーブルに貼り付けられた研磨布に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、被研磨物の表面を研磨する方法であって、前記保持板で前記被研磨物を保持する前に、前記保持板の前記被研磨物を保持する保持面の形状を測定しておき、前記測定済の前記保持面の形状に応じて、前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布を調整してから、前記被研磨物を研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。
このように、保持板の形状を予め測定しておき、測定した形状に応じて保持板に対する押圧分布を調整して、研磨を行うことで、保持板毎の形状差に影響されることなく、ウェーハの平坦度を制御することができる。これにより、特に、各ウェーハの平坦度を向上させることができ、かつ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを小さくすることができる。また、製品のアウトプット品質(GBIR=平坦度)が、所望の値となるように、適切に押圧分布を調整することもできる。
このとき、前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布の調整は、前記保持面の形状を測定した結果に基づいて、予め、複数の保持板を凸形状のものと凹形状のものとに選別しておき、前記保持板として保持面の形状が凸に膨らんだ形状のものを用いる際には、前記保持板として用いられる複数の前記保持板の凸量を測定して凸量の平均値を算出し、該凸量の平均値よりも凸量が大きい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくし、前記凸量の平均値よりも凸量が小さい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さくし、前記保持板として保持面の形状が凹にへこんだ形状のものを用いる際には、前記保持板として用いられる複数の前記保持板の凹量を測定して凹量の平均値を算出し、該凹量の平均値よりも凹量が大きい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さくし、前記凹量の平均値よりも凹量が小さい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくすることが好ましい。
このように、研磨に使用する保持板を凸形状又は凹形状に選別しておき、保持板の凸量又は凹量に応じて、保持面の中心部と外周部の相対的な押圧を上記のように調整すれば、保持板毎の形状差に起因するウェーハ毎の平坦度のバラツキの発生を抑制することができる。
また、前記研磨ヘッドとして、前記保持板を押圧する面に張設された可撓性薄膜を有するものを用い、前記可撓性薄膜への流体内圧を制御することによって前記保持板への押圧分布を調整することが好ましい。
このような研磨ヘッドを用いる場合、可撓性薄膜への流体内圧を制御することで、容易に保持板への押圧分布を調整できる。
また、前記研磨装置の前記研磨テーブルが複数の研磨ヘッドを持つ場合は、複数の前記保持板を前記測定された保持面の形状に応じて分類し、該分類に応じて各研磨ヘッドの前記押圧分布を設定し、前記分類に応じて前記保持板を所定の押圧分布に設定された所定の研磨ヘッドに装着することが好ましい。
保持板を同程度の形状毎に分類し、同程度の形状の保持板は研磨時に必ず指定の研磨軸で研磨されるようにすれば、保持板毎の形状差に起因するウェーハの平坦度のバラツキの発生を確実に制御することができる。
また、上記目的を達成するために、本発明は、被研磨物を保持した保持板を装着する研磨ヘッドと、被研磨物を研磨するための研磨布を貼り付けられた研磨テーブルとを具備し、前記研磨ヘッドによって、前記保持板に保持された前記被研磨物を、前記研磨テーブルに貼り付けられた前記研磨布に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、前記被研磨物の表面を研磨する研磨装置であって、前記保持板の前記被研磨物を保持する保持面の形状に応じて、前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布を調整する機能を有するものであることを特徴とする研磨装置を提供する。
このようなものであれば、保持板の保持面の形状に応じて保持板に対する押圧分布を調整して、研磨を行うことができるため、保持板毎の形状差に影響されることなくウェーハの平坦度を制御することができるものとなる。これにより、特に、各ウェーハの平坦度を向上させることができ、かつ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを小さくすることができるものとなる。また、製品のアウトプット品質(GBIR=平坦度)が、所望の値となるように、適切に押圧分布を調整することもできるものとなる。
また、前記研磨ヘッドが、前記保持板を押圧する面に張設された可撓性薄膜を有し、前記可撓性薄膜への流体内圧を制御することによって前記保持板への押圧分布を調整できるものであることが好ましい。
このような研磨ヘッドであれば、可撓性薄膜への流体内圧を制御することで、容易に保持板への押圧分布を調整できるものとなる。
また、本発明の研磨装置は、前記保持板の保持面の形状毎の前記押圧分布と研磨後の前記被研磨物の平坦度との相関関係に基づいて、前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布を自動で制御できる押圧分布制御部を具備するものであることが好ましい。
押圧分布制御部によって保持板の保持面の形状に応じた適切な押圧分布を自動で制御できるものであれば、作業者が毎回押圧分布の設定作業を行う必要がなくなり、生産性をより高めることができるものとなる。
本発明の研磨方法及び研磨装置であれば、保持板の保持面の形状に応じて保持板に対する押圧分布を調整して、研磨を行うことができるため、保持板毎の形状差の影響を抑制して、ウェーハの平坦度を制御することができる。これにより、特に、各ウェーハの平坦度を向上させることができ、かつ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを小さくすることができる。また、製品のアウトプット品質(GBIR=平坦度)が、所望の値となるように、適切に押圧分布を調整することもできる。
本発明の研磨装置の一例を示した概略図である。 本発明の研磨方法の一例を示したフロー図である。 本発明の研磨方法の他の一例を示したフロー図である。 本発明の研磨方法における保持板の分類・順序化の一例を示した概略図である。 実施例1で測定した保持板の保持面の形状の分布を示したグラフである。 実施例1で調べたエアーバッグ圧と保持板に対する押圧分布の関係を示したグラフである。 実施例1で調べたエアーバッグ圧とウェーハ面内にかかった圧力範囲Rの関係を示したグラフである。 実施例1で調べたエアーバッグ圧とGBIR(相対値)の関係を示したグラフである。 実施例2で調べたエアーバッグ圧とGBIR(相対値)の関係を示したグラフである。 実施例3で調べたエアーバッグ圧とGBIR(相対値)の関係を示したグラフである。 実施例4、比較例3で測定したGBIR(相対値)の度数及び累積度数を示したグラフである。 一般的な保持板の一例を示した概略図である。 一般的な研磨装置の一例を示した概略図である。 エアーバッグ圧力に応じた保持板の押圧分布を示す図である。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記のように、保持板毎に、その形状は全く同一ではなく、わずかに形状差があるので、保持板の平均的な形状に対して適切な押圧分布を設定しても、そのわずかな形状差により、ウェーハの平坦度にバラツキが生じてしまうという問題があった。即ち、本発明者は、保持板形状のバラツキが、ウェーハの平坦度のバラツキに影響していることを見出した。
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、保持板の保持面の形状を予め測定しておき、該測定済の保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整してから、被研磨物を研磨することで、ウェーハの平坦度を制御できることに想到し、本発明を完成させた。
まず、本発明の研磨装置について図1を参照して説明する。本発明の研磨装置1は、被研磨物(ウェーハW)を保持した保持板8を装着する研磨ヘッド2と、ウェーハWを研磨するための研磨布6を貼り付けられた研磨テーブル5を具備する。研磨ヘッド2は研磨ヘッド2を軸周りに回転させる研磨シャフト3とともに研磨軸4を構成している。このような本発明の研磨装置1は、研磨ヘッド2によって、保持板8に保持されたウェーハWを、研磨テーブル5に貼り付けられた研磨布6に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、ウェーハWの表面を研磨することができる。
また、本発明の研磨装置1は、保持板8の被研磨物を保持する保持面の形状に応じて、研磨ヘッド2による保持板8に対する押圧分布を調整する機能を有するものである。このようなものであれば、保持板8の保持面の形状に応じて保持板8に対する押圧分布を調整して、研磨を行うことができるため、保持板毎の形状差に影響されることなくウェーハWの平坦度を制御することができる。これにより、特に、各ウェーハの平坦度を向上することができ、かつ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを小さくすることができる。また、製品のアウトプット品質(GBIR=平坦度)が、目的に応じて所望の値となるように、適切に押圧分布を調整することもできる。
また、研磨ヘッド2はエアーバッグ加圧式のものであることが好ましく、保持板8を押圧する面に張設された可撓性薄膜7を有し、可撓性薄膜7への流体内圧(エアーバッグ圧)を制御することによって保持板8への押圧分布を調整できるものであることが好ましい。流体内圧を可撓性薄膜7に加えることで、可撓性薄膜7が保持板8の方向へ膨らむため、エアーバッグ内の流体内圧を調整することで、保持板8への押圧分布を調整できる。このようなものであれば、容易に保持板への押圧分布を調整できる。
また、本発明の研磨装置1は、保持板8の保持面の形状毎の押圧分布と研磨後の被研磨物(ウェーハW)の平坦度との相関関係に基づいて、研磨ヘッド2による保持板8に対する押圧分布を自動で制御できる押圧分布制御部9を具備するものであることが好ましい。押圧分布制御部9によって保持板8の保持面の形状に応じた適切な押圧分布を自動で制御できるものであれば、作業者が毎回押圧分布の設定作業を行う必要がなくなり高精度で制御できるとともに、生産性をより高めることができる。
続いて、上記のような研磨装置1を使用した場合を例に、本発明の研磨方法を説明する。本発明の研磨方法は、被研磨物(ウェーハW)を保持板8で保持し、ウェーハWを保持した保持板8を研磨装置1に配設された研磨ヘッド2に装着し、該研磨ヘッド2によって、保持板8に保持されたウェーハWを、研磨テーブル5に貼り付けられた研磨布6に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、ウェーハWの表面を研磨する方法である。なお、ウェーハWの研磨が終了した後には、研磨ヘッド2から保持板8を取り外して、次に研磨するウェーハを貼り付けた別の保持板を研磨ヘッド2に装着して、次の研磨を行うことができる。また、ウェーハWは保持板8に1枚以上をバランス良く固定することが好ましく、固定方法は、接着法、テンプレート法などがある。
そして、本発明の研磨方法では、保持板8でウェーハWを保持する前に、予め、保持板8のウェーハWを保持する保持面の形状を測定しておき、測定済の保持面の形状に応じて、研磨ヘッド2による保持板8に対する押圧分布を調整してから、ウェーハWを研磨する。このように、保持板8の保持面の形状に応じて保持板8に対する押圧分布を調整して、研磨を行うことで、保持板毎の形状差に影響されることなくウェーハの平坦度を制御することができる。特に、ウェーハの平坦度を高く制御することができる。また、目的に応じて、製品のアウトプット品質(GBIR=平坦度)が、所望の値となるように、適切に押圧分布を調整することもできる。
ここで、押圧分布の調整についてより具体的に説明する。本発明の研磨方法では、まず、保持板8の保持面の形状を測定した結果に基づいて、予め、複数の保持板8を凸形状のものと凹形状のものとに選別しておくことが好ましい。このように、研磨に用いる保持板の形状を凸か凹のいずれか一方に統一しておくことで、研磨における適切な押圧分布を管理しやすい。
ここでは、保持板8として凸形状のものを選別して用いた場合を、図2を参照しながら説明する。まず、保持板8として用いられる複数の保持板8の凸量を測定して凸量の平均値を算出しておく。なお、ここで、各保持板に形状が識別できる情報を付与しておくことができる。例えば、保持板に凸量などの情報を記入しておくなどすることができる。また、押圧分布制御部9で保持板8に応じて押圧分布を自動で制御する場合には、保持板8に保持板8の識別情報を付与しておき、研磨装置1が研磨時に自動的に保持板8の形状を識別できるようにすることもできる。
次に、図2のように、算出した凸量の平均値よりも凸量が大きい保持板8を研磨ヘッド2に装着した場合は、保持面の外周部への押圧を保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくし、凸量の平均値よりも凸量が小さい保持板8を研磨ヘッド2に装着した場合は、保持面の外周部への押圧を保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さく設定できる。また、凸量が平均値付近の平均的な形状を有する保持板8に対する押圧分布は、平均的な押圧分布とすることができる。これによって、ウェーハWの面内の面圧を均一方向に調整することができ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを抑制できる。
一方で、保持板8として保持面の形状が凹にへこんだ形状のものを用いる際には、保持板8として用いられる複数の保持板8の凹量を測定して凹量の平均値を算出し、該凹量の平均値よりも凹量が大きい保持板8を研磨ヘッド2に装着した場合は、保持面の外周部への押圧を保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さくし、凹量の平均値よりも凹量が小さい保持板8を研磨ヘッド2に装着した場合は、保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくすることが好ましい。
これによって、ウェーハWの面内の面圧を均一方向に調整することができ、ウェーハ毎の平坦度のばらつきを抑制できる。なお、押圧分布の調整は、上記の通りエアバッグ圧を変更することで行えばよい。また、押圧分布の調整は、保持板に付与した識別情報などから作業者が手動で行ってもよいし、押圧分布制御部9で自動制御してもよい。
また、研磨装置1が複数の研磨ヘッド2を持つ場合は、図3のフローのように、複数の保持板8を測定された保持面の形状に応じて分類し、分類に応じて各研磨ヘッド2の押圧分布を設定し、分類に応じて保持板8を所定の押圧分布に設定された所定の研磨ヘッド2に装着することができる。例えば、常に、凸量が平均値付近の平均的な形状を有する保持板8は研磨軸A−1の研磨ヘッドに装着し、凸量が平均値より大きい保持板8は研磨軸B−1の研磨ヘッドに装着し、凸量が平均値より小さい保持板8は研磨軸C−1の研磨ヘッドに装着するなどすれば、研磨ヘッドの押圧分布の調整を必ずしも毎回行わなくてもよいため、生産性の低下を防止できる。
また、研磨テーブル5が複数存在する研磨装置の場合、即ち、ウェーハWの研磨を二段以上で行う場合、二段目の研磨で用いる研磨テーブル5においても、上記分類に応じて保持板8を所定の押圧分布に設定された所定の研磨ヘッド2に装着することができる。例えば、図3のように、一段目の研磨後に、常に、凸量が平均値付近の平均的な形状を有する保持板8は研磨軸A−2の研磨ヘッドに装着し、凸量が平均値より大きい保持板8は研磨軸B−2の研磨ヘッドに装着し、凸量が平均値より小さい保持板8は研磨軸C−2の研磨ヘッドに装着することができる。
また、保持板を同程度の形状毎に分類・順序化し、同程度の形状の保持板は研磨する時に必ず指定の研磨軸で研磨されるようにすることもできる。例えば、平均的な形状を有する保持板をA群、凸量が平均値より大きい保持板をB群、凸量が平均値より小さい保持板をC群と分類した時に、図4のように、保持板の順序をA群の保持板、B群の保持板、C群の保持板の順に繰り返して並べることで、常に、A群の保持板は研磨軸A−1、A−2、A−3に、B群の保持板は研磨軸B−1、B−2、B−3に、C群の保持板は研磨軸C−1、C−2、C−3に装着される。
また、例えば、シリコン単結晶ウェーハの加工の場合、通常、1次、2次、仕上げ研磨を実施する。本発明は、1次研磨で特に有効であるが、2次、仕上げ研磨に適用してもよい。
また、被研磨物としては、ウェーハ全体がシリコン単結晶からなるウェーハや、少なくとも被研磨面がシリコン単結晶であるウェーハ(例えば、SOIウェーハ)を用いることができる。その他にも、保持板に固定して研磨可能なウェーハであればシリコン単結晶以外のウェーハにも本発明は適用できる。
なお、本発明の研磨方法では、例えば、研磨スラリーの組成、温度、研磨代、研磨速度等の条件などは特に限定されない。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
以下のようにシリコンウェーハの研磨を行った。ここでは、GBIRが最小となるような条件で研磨を行った。
<保持板の保持面の形状測定>
まず、使用する保持板の保持面の形状測定を行った。保持板としては、保持面が凸形状の円盤状のものを複数用意した。形状測定には、京セラ社製 形状測定器「ナノウェイ」を用いて、保持板の基準点を目印にX、Y直径方向に形状変位を測定した。測定数値は、始点−終点を0−0に補正して形状変位量を算出した。すべての保持板の凸量を測定したところ、図5のように、凸量の分布はほぼ正規分布となった。なお、図5では凸量(プレート形状)は相対値で示しており、ここでは、凸量の平均値を0.0とし、該平均値からの差をとっている。また、保持板の凸量の平均値を算出し、実施例1では凸量が平均値の保持板を用いた。
<基本研磨条件、平坦度測定条件>
1枚の保持板に、接着法で直径200mmの研磨用ウェーハを複数枚貼り付けた。
装置:片面研磨装置
研磨ヘッド:エアーバッグ加圧式
保持板の凸量:平均値
1次研磨布:不織布
研磨スラリー:アルカリ性コロイダルシリカ
研磨代:およそ5〜10μm
研磨方法:1次+2次+3次(このうち、1次研磨のみ本発明の研磨方法を適用した)
平坦度測定装置:KLAテンコール社製 ADE9800
<事前確認>
研磨ヘッドのエアーバッグ圧を調整し、保持板に対する押圧分布がどのように変化するかを調べた。なお、この時、保持板は、凸量が平均値より2.4μm小さいものを用いた。その結果を図6に示す。図6のグラフから分かるように、ここで用いた研磨ヘッドでは、エアーバッグ圧を大きくすると、保持板の中心部の押圧が外周部に対して相対的に大きくなることがわかった。
また、凸量が平均値より2.4μm小さい保持板、凸量が平均値より1.2μm小さい保持板、及び凸量が平均値より0.3μm大きい保持板を用いて、エアーバッグ圧を0〜20kPaの範囲に振った際に、プレートに貼り付けられたウェーハ面内にかかった圧力範囲R(圧力max−圧力min)を調べたところ図7のような結果となった。図7より、同一の保持板では、エアーバッグ圧が増すと圧力範囲Rは小さくなる傾向(保持板の中心部の押圧と外周部の押し圧の差が小さくなる傾向)があり、ある数値付近で飽和する傾向にあることが分かる。また、同じ研磨ヘッドの同じエアーバッグを用いても、保持板の形状によって、圧力範囲Rは異なることが分かる。
また、予め、この研磨装置で、凸量が平均値の保持板を用いた場合のGBIRとエアーバッグ圧の相関関係を調査しておいた。その結果を図8に示す。図8では、GBIRを、GBIRの最小値を基準とした相対値で示している。図8から分かるように、エアーバッグ圧を10kPaとすることで、GBIRを最も小さく、即ち、平坦度を最も高くできることが分かる。
<本研磨>
実施例1で用いた保持板の保持面の形状に対し、最も平坦度の高いウェーハが得られるのはエアーバッグ圧を10kPaとした場合であるため、エアーバッグ圧を10kPaとしてシリコンウェーハの研磨を行った。このように、測定済の保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整してから、シリコンウェーハを研磨した。研磨後のシリコンウェーハのGBIRを測定したところ、GBIRは相対値で1.0であった。
(実施例2)
実施例2では、保持板を、凸量が平均値より0.7μm大きい保持板に変えた。
また、このような保持板を用いた場合のGBIRとエアーバッグ圧の相関関係を調査しておいた。その結果を図9に示す。図9は、GBIRを、実施例1で得られたウェーハのGBIRを基準(1.0)とした相対値で示している。図9から分かるように、エアーバッグ圧を7kPaとすることで、実施例1と同程度GBIRを小さくできることが分かる。
<本研磨>
上記の通り、実施例2で用いた保持板の保持面の形状に対し、実施例1と同等で、最も平坦度の高いウェーハが得られるのはエアーバッグ圧を7kPaとした場合であるため、エアーバッグ圧を7kPaとしてシリコンウェーハの研磨を行った。このように、測定済の保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整してから、シリコンウェーハを研磨した。研磨後のシリコンウェーハのGBIRを測定したところ、GBIRは相対値で1.0であった。
(比較例1)
比較例1では、実施例2と同様の凸量の保持板を用いたが、この凸量に応じた保持板に対する押圧分布の調整は行わなかった。この時は、従来と同様に、保持板の保持面の形状に関係なく、平均的な形状の保持板に対する最適な押圧分布で、すなわち、この場合、エアーバッグ圧10kPaでシリコンウェーハを研磨した。その結果、GBIRの相対値は1.5となった。
(実施例3)
実施例3では、保持板を、凸量が平均値より0.6μm小さい(平均より凹(−0.6μm))保持板に変えた。
また、このような保持板を用いた場合のGBIRとエアーバッグ圧の相関関係を調査しておいた。その結果を図10に示す。図10は、GBIRを、実施例1で得られたウェーハのGBIRを基準(1.0)とした相対値で示している。図10から分かるように、エアーバッグ圧を12kPaとすることで、実施例1と同程度にGBIRを小さくできることが分かる。
<本研磨>
上記の通り、実施例3で用いた保持板の保持面の形状に対し、最も平坦度の高いウェーハが得られるのはエアーバッグ圧を12kPaとした場合であるため、エアーバッグ圧を12kPaとしてシリコンウェーハの研磨を行った。このように、測定済の保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整してから、シリコンウェーハを研磨した。研磨後のシリコンウェーハの平坦度を測定したところ、GBIRは相対値で1.1であった。
(比較例2)
比較例2では、実施例3と同様の凸量の保持板を用いたが、この凸量に応じた保持板に対する押圧分布の調整は行わなかった。この時は、従来と同様に、保持板の保持面の形状に関係なく、平均的な形状の保持板に対して最適な押圧分布で、すなわち、この場合、エアーバッグ圧10kPaでシリコンウェーハを研磨した。その結果、GBIRの相対値は1.4となった。
表1に、実施例1〜3、比較例1、2における実施結果をまとめたもの示す。
Figure 0006312229
実施例1〜3では、保持面の形状に応じて、研磨ヘッドによる保持板に対する押圧分布を調整したため、最適な押圧分布を選択することができ、平坦性を向上させることができた。また、実施例1〜3の間で、平坦性のばらつきがほぼ無い。その一方で、比較例1、2では実施例1〜3に比べてGBIRが増大し、実施例1〜3に比べて平坦性が劣る結果となった。
(実施例4)
本発明の研磨方法に従ってシリコンウェーハの研磨を繰り返し行い、研磨後の各ウェーハのGBIRを測定し、GBIRの度数及び累積度数を算出した。結果を図11、下記表2に示す。図11及び表2には比較例3のGBIRの値を基準とした相対値を示す。
(比較例3)
従来の研磨方法に従って、保持板の保持面の形状に関わらずエアーバッグ圧を一定にしてシリコンウェーハの研磨を繰り返し行い、研磨後の各ウェーハのGBIRを測定し、GBIRの度数及び累積度数を算出した。結果を図11、下記表2に示す。
Figure 0006312229
図11及び表2のように、GBIRの平均値(Ave.)及び最大値(Max)は実施例4の方が比較例3よりも小さく、実施例4の方が比較例3よりも平坦度が高い。また、GBIRのバラツキ(σ)も実施例4の方が比較例3よりも少ない。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…研磨装置、 2…研磨ヘッド、 3…研磨シャフト、
4…研磨軸、 5…研磨テーブル、 6…研磨布、
7…可撓性薄膜、 8…保持板、 9…押圧分布制御部、
W…ウェーハ。

Claims (3)

  1. 被研磨物を保持板で保持し、前記被研磨物を保持した前記保持板を研磨装置に配設された研磨ヘッドに装着し、該研磨ヘッドによって、前記保持板に保持された前記被研磨物を、研磨テーブルに貼り付けられた研磨布に所定の圧力で押し付けて相対運動させることにより、被研磨物の表面を研磨する方法であって、
    前記保持板で前記被研磨物を保持する前に、前記保持板の前記被研磨物を保持する保持面の形状を測定しておき、
    前記測定済の前記保持面の形状に応じて、前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布を調整してから、前記被研磨物を研磨する方法であり、
    前記研磨ヘッドによる前記保持板に対する押圧分布の調整は、前記保持面の形状を測定した結果に基づいて、予め、複数の保持板を凸形状のものと凹形状のものとに選別しておき、
    前記保持板として保持面の形状が凸に膨らんだ形状のものを用いる際には、前記保持板として用いられる複数の前記保持板の凸量を測定して凸量の平均値を算出し、該凸量の平均値よりも凸量が大きい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくし、前記凸量の平均値よりも凸量が小さい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さくし、
    前記保持板として保持面の形状が凹にへこんだ形状のものを用いる際には、前記保持板として用いられる複数の前記保持板の凹量を測定して凹量の平均値を算出し、該凹量の平均値よりも凹量が大きい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に小さくし、前記凹量の平均値よりも凹量が小さい前記保持板を前記研磨ヘッドに装着した場合は、前記保持面の外周部への押圧を前記保持面の中心部の押圧に対して相対的に大きくすることを特徴とする研磨方法。
  2. 前記研磨ヘッドとして、前記保持板を押圧する面に張設された可撓性薄膜を有するものを用い、前記可撓性薄膜への流体内圧を制御することによって前記保持板への押圧分布を調整することを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
  3. 前記研磨装置の前記研磨テーブルが複数の研磨ヘッドを持つ場合は、複数の前記保持板を前記測定された保持面の形状に応じて分類し、該分類に応じて各研磨ヘッドの前記押圧分布を設定し、前記分類に応じて前記保持板を所定の押圧分布に設定された所定の研磨ヘッドに装着することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨方法。
JP2017115077A 2017-06-12 2017-06-12 研磨方法及び研磨装置 Active JP6312229B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017115077A JP6312229B1 (ja) 2017-06-12 2017-06-12 研磨方法及び研磨装置
TW107116217A TWI763844B (zh) 2017-06-12 2018-05-14 研磨方法及研磨裝置
CN201810514993.2A CN109015115B (zh) 2017-06-12 2018-05-25 研磨方法及研磨装置
KR1020180065801A KR102476609B1 (ko) 2017-06-12 2018-06-08 연마방법 및 연마장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017115077A JP6312229B1 (ja) 2017-06-12 2017-06-12 研磨方法及び研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6312229B1 true JP6312229B1 (ja) 2018-04-18
JP2019000917A JP2019000917A (ja) 2019-01-10

Family

ID=61968269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017115077A Active JP6312229B1 (ja) 2017-06-12 2017-06-12 研磨方法及び研磨装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6312229B1 (ja)
KR (1) KR102476609B1 (ja)
CN (1) CN109015115B (ja)
TW (1) TWI763844B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7363978B1 (ja) * 2022-07-04 2023-10-18 株式会社Sumco ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09193003A (ja) * 1996-01-16 1997-07-29 Nippon Steel Corp 研磨装置
WO2000045993A1 (fr) * 1999-02-02 2000-08-10 Ebara Corporation Dispositif de maintien et de polissage de plaquette
JP2002222784A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Toshiba Mach Co Ltd 平面研磨方法及び平面研磨装置
JP2004239718A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd バッキングパッドの形状測定方法及び被加工物の研磨方法、並びにバッキングパッドの形状測定装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4313284A (en) * 1980-03-27 1982-02-02 Monsanto Company Apparatus for improving flatness of polished wafers
JP2535943B2 (ja) * 1987-08-31 1996-09-18 大同特殊鋼株式会社 自動車トンネルの排ガス除塵装置
JP2560611B2 (ja) 1993-07-26 1996-12-04 日本電気株式会社 保護膜およびその製造方法
JPH0740231A (ja) * 1993-07-30 1995-02-10 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
JPH07307317A (ja) * 1994-05-16 1995-11-21 Nippon Steel Corp 半導体ウェーハ研磨装置
JPH07314327A (ja) * 1994-05-20 1995-12-05 Sony Corp ウエハ研磨装置およびその方法
TW353203B (en) * 1995-04-10 1999-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for holding substrate to be polished
JPH1058315A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Sony Corp 研磨装置及び研磨方法
WO2000056502A1 (fr) * 1999-03-19 2000-09-28 Fujitsu Limited Machine de rodage, procede de rodage et procede de fabrication de tete magnetique
EP1614505B1 (en) * 2000-01-31 2008-11-26 Shin-Etsu Handotai Company Limited Polishing method
JP2003260644A (ja) * 2002-03-07 2003-09-16 Asahi Glass Co Ltd 板状体の加工方法および加工装置
WO2004087371A1 (ja) * 2003-03-31 2004-10-14 Fujitsu Limited 加工方法及び装置
JP2005332982A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5001877B2 (ja) * 2008-02-26 2012-08-15 株式会社ディスコ 板状物搬送装置および板状物搬送方法
JP2010056366A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Showa Denko Kk ウェーハの研削装置及び半導体発光素子の製造方法
JP2013004928A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨ヘッド、研磨装置及びワークの研磨方法
JP2014053356A (ja) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5870960B2 (ja) * 2013-05-16 2016-03-01 信越半導体株式会社 ワークの研磨装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09193003A (ja) * 1996-01-16 1997-07-29 Nippon Steel Corp 研磨装置
WO2000045993A1 (fr) * 1999-02-02 2000-08-10 Ebara Corporation Dispositif de maintien et de polissage de plaquette
JP2002222784A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Toshiba Mach Co Ltd 平面研磨方法及び平面研磨装置
JP2004239718A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd バッキングパッドの形状測定方法及び被加工物の研磨方法、並びにバッキングパッドの形状測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180135412A (ko) 2018-12-20
JP2019000917A (ja) 2019-01-10
CN109015115B (zh) 2021-08-31
KR102476609B1 (ko) 2022-12-12
CN109015115A (zh) 2018-12-18
TW201902618A (zh) 2019-01-16
TWI763844B (zh) 2022-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5454513B2 (ja) 研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法及びワークの研磨方法
KR100818683B1 (ko) 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법
JP5995825B2 (ja) 少なくとも1つのウエハを研磨する方法
US10646976B2 (en) Method for producing substrate
US20140101925A1 (en) Polishing head, polishing apparatus, and method for polishing workpiece
JP6491812B2 (ja) メンブレン、研磨ヘッド、ワークの研磨装置及び研磨方法、並びに、シリコンウェーハ
JP3924641B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP6312229B1 (ja) 研磨方法及び研磨装置
TWI673138B (zh) 晶圓的研磨方法
WO2009110180A1 (ja) テンプレートの製造方法およびこのテンプレートを用いた研磨方法
US6878302B1 (en) Method of polishing wafers
TWI634967B (zh) 兩面研磨裝置及方法
JP2002166357A (ja) ウェーハ研磨加工方法
JP6593318B2 (ja) キャリアプレートの厚み調整方法
JP2021082696A (ja) ウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ
TW587969B (en) Wafer polishing method and wafer polishing device
TWI637812B (zh) 晶圓之兩面研磨方法
WO2022137934A1 (ja) キャリアプレートの研磨方法、キャリアプレートおよび半導体ウェーハの研磨方法
JP2007061975A (ja) 研磨装置及び研磨方法
TW202406674A (zh) 晶圓的單面拋光方法、晶圓的製造方法、及晶圓的單面拋光裝置
JP2009202325A (ja) 研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法
JPH10294299A (ja) 半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6312229

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250