JPH10294299A - 半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置 - Google Patents
半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置Info
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- JPH10294299A JPH10294299A JP2984098A JP2984098A JPH10294299A JP H10294299 A JPH10294299 A JP H10294299A JP 2984098 A JP2984098 A JP 2984098A JP 2984098 A JP2984098 A JP 2984098A JP H10294299 A JPH10294299 A JP H10294299A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸着等の矯正力を取り除いた状態で少なくと
も片面が真に平坦である半導体ウェハおよびその製造方
法ならびにその製造装置を提供する。 【解決手段】 スライスドウェハ１をラッピング装置３
の上下の押圧盤３１、３２により挟持する。ラッピング
当初は僅かに押圧盤が半導体ウェハに当たる程度の圧力
で開始する。ラッピングが進むに従って徐々にその荷重
を増加させる。凹凸１１をわずかずつ除去する。
も片面が真に平坦である半導体ウェハおよびその製造方
法ならびにその製造装置を提供する。 【解決手段】 スライスドウェハ１をラッピング装置３
の上下の押圧盤３１、３２により挟持する。ラッピング
当初は僅かに押圧盤が半導体ウェハに当たる程度の圧力
で開始する。ラッピングが進むに従って徐々にその荷重
を増加させる。凹凸１１をわずかずつ除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、高平坦度の半導体ウェ
ハおよびその製造方法ならびにその製造装置に関するも
のである。
ハおよびその製造方法ならびにその製造装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ここで便宜上、従来の平坦度測定方法に
ついて説明する。従来、半導体ウェハの平坦度の測定に
おいては、光干渉型の測定装置などを使用したＰ−Ｖ値
といったラフネスや、静電容量型の測定装置を使用した
ＴＴＶやＬＴＶといった片面毎の厚さムラや凹凸の測定
がなされていた。これらの測定においては、片面全面を
真空式チャック等により吸着して固定する、或いは片面
の一部を吸着して固定し、吸着されている面を仮想平面
として、それぞれの厚さまたは凹凸を測定していた。
ついて説明する。従来、半導体ウェハの平坦度の測定に
おいては、光干渉型の測定装置などを使用したＰ−Ｖ値
といったラフネスや、静電容量型の測定装置を使用した
ＴＴＶやＬＴＶといった片面毎の厚さムラや凹凸の測定
がなされていた。これらの測定においては、片面全面を
真空式チャック等により吸着して固定する、或いは片面
の一部を吸着して固定し、吸着されている面を仮想平面
として、それぞれの厚さまたは凹凸を測定していた。
【０００３】また、従来の半導体ウェハは、その平坦度
を高めるために様々な新しい技術が導入され、例えば半
導体ウェハを上下から挟圧して表裏両面を同時に研磨す
る両面研磨装置があり、これによるとかなり平坦度の高
い半導体ウェハを得ることができる。この両面研磨装置
においては、図７（ａ）に示すように挟圧される前の半
導体ウェハ１０に凹凸１１があったとしても、この凹凸
１１は図７（ｂ）に示すように挟圧されることによりあ
る程度矯正されて、図７（ｃ）に示すように研磨される
ことにより一見平坦な状態に仕上がる。ところが、研磨
を終了して挟圧が取り除かれると、図７（ｄ）に示すよ
うに半導体ウェハ１０の表裏両面に再び凹凸１１が現わ
れることになる。すなわち、部分々々の厚さは均一であ
っても、表裏面にはそれぞれ凹凸１１があり、この表裏
面の凹凸１１が互いに同調した形状となる。
を高めるために様々な新しい技術が導入され、例えば半
導体ウェハを上下から挟圧して表裏両面を同時に研磨す
る両面研磨装置があり、これによるとかなり平坦度の高
い半導体ウェハを得ることができる。この両面研磨装置
においては、図７（ａ）に示すように挟圧される前の半
導体ウェハ１０に凹凸１１があったとしても、この凹凸
１１は図７（ｂ）に示すように挟圧されることによりあ
る程度矯正されて、図７（ｃ）に示すように研磨される
ことにより一見平坦な状態に仕上がる。ところが、研磨
を終了して挟圧が取り除かれると、図７（ｄ）に示すよ
うに半導体ウェハ１０の表裏両面に再び凹凸１１が現わ
れることになる。すなわち、部分々々の厚さは均一であ
っても、表裏面にはそれぞれ凹凸１１があり、この表裏
面の凹凸１１が互いに同調した形状となる。
【０００４】図６（ａ）に示すような半導体ウェハ１０
のＴＴＶやＬＴＶを測定する際は、図６（ｂ）に示すよ
うに半導体ウェハ１０の片面を真空式チャック９により
吸着して静電容量型の測定装置６により測定される。と
ころが、上記したようにこの半導体ウェハ１０の厚さは
均一であるため、その測定値は一見図６（ｃ）に示すよ
うな平坦な半導体ウェハ１０であるかのように表示され
る。
のＴＴＶやＬＴＶを測定する際は、図６（ｂ）に示すよ
うに半導体ウェハ１０の片面を真空式チャック９により
吸着して静電容量型の測定装置６により測定される。と
ころが、上記したようにこの半導体ウェハ１０の厚さは
均一であるため、その測定値は一見図６（ｃ）に示すよ
うな平坦な半導体ウェハ１０であるかのように表示され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、測定値
としてのＴＴＶやＬＴＶが見かけ上は平坦であっても、
その表裏面には凹凸が存在する。したがって、このよう
な半導体ウェハをデバイス加工すると、この凹凸の影響
が加工後のデバイスに現れかねないという問題がある。
としてのＴＴＶやＬＴＶが見かけ上は平坦であっても、
その表裏面には凹凸が存在する。したがって、このよう
な半導体ウェハをデバイス加工すると、この凹凸の影響
が加工後のデバイスに現れかねないという問題がある。
【０００６】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、吸着等の矯正力を取り除いた状態で少なくとも片面
が真に平坦である半導体ウェハおよびその製造方法なら
びにその製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、吸着等の矯正力を取り除いた状態で少なくとも片面
が真に平坦である半導体ウェハおよびその製造方法なら
びにその製造装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、研
磨されて得られる半導体ウェハにおいて、研磨を終了
し、研磨荷重をかけた状態、または研磨のための保持を
行っている状態と同様の条件下で計測された半導体ウェ
ハの表（おもて）面および／または裏面の平坦度と、研
磨荷重を取り除いた状態、または研磨のための保持を外
した状態で計測された前記半導体ウェハの表（おもて）
面および／または裏面の平坦度とが、略同一であるよう
にしたものである。
磨されて得られる半導体ウェハにおいて、研磨を終了
し、研磨荷重をかけた状態、または研磨のための保持を
行っている状態と同様の条件下で計測された半導体ウェ
ハの表（おもて）面および／または裏面の平坦度と、研
磨荷重を取り除いた状態、または研磨のための保持を外
した状態で計測された前記半導体ウェハの表（おもて）
面および／または裏面の平坦度とが、略同一であるよう
にしたものである。
【０００８】また、保持後の半導体ウェハの表（おも
て）面および／または裏面の凹凸状態を、保持前の半導
体ウェハのそれに一致させた状態で半導体ウェハを保持
し、その状態においてラッピングまたは研磨するように
したものである。
て）面および／または裏面の凹凸状態を、保持前の半導
体ウェハのそれに一致させた状態で半導体ウェハを保持
し、その状態においてラッピングまたは研磨するように
したものである。
【０００９】さらに、半導体ウェハを上下から加圧して
平坦化するラッピング方法において、ラッピング荷重ま
たは摩擦係数を多段階的に増加させながらラッピング
し、各一段階のラッピング時間が少なくとも１分である
ようにしたものである。
平坦化するラッピング方法において、ラッピング荷重ま
たは摩擦係数を多段階的に増加させながらラッピング
し、各一段階のラッピング時間が少なくとも１分である
ようにしたものである。
【００１０】また、半導体ウェハを上下から加圧してそ
の表裏両面を同時に研磨する研磨方法において、研磨荷
重または摩擦係数を多段階的に増加させながら研磨し、
各一段階の研磨時間を少なくとも１分に設定して研磨す
るようにしたものである。
の表裏両面を同時に研磨する研磨方法において、研磨荷
重または摩擦係数を多段階的に増加させながら研磨し、
各一段階の研磨時間を少なくとも１分に設定して研磨す
るようにしたものである。
【００１１】さらに、半導体ウェハを保持具の載置面に
貼付して研磨する半導体ウェハの研磨方法において、貼
付後の前記半導体ウェハの形状が、貼付する前の半導体
ウェハの形状に一致するように半導体ウェハを貼付して
研磨するようにしたものである。
貼付して研磨する半導体ウェハの研磨方法において、貼
付後の前記半導体ウェハの形状が、貼付する前の半導体
ウェハの形状に一致するように半導体ウェハを貼付して
研磨するようにしたものである。
【００１２】また、半導体ウェハの片面を保持して研磨
する研磨装置において、前記半導体ウェハを保持装置に
載置する際に、保持装置の載置面が研磨する前の前記半
導体ウェハの凹凸に倣うように設けられ、研磨する際に
は前記載置面が前記凹凸に倣った状態で前記半導体ウェ
ハを固着するようにしたものである。
する研磨装置において、前記半導体ウェハを保持装置に
載置する際に、保持装置の載置面が研磨する前の前記半
導体ウェハの凹凸に倣うように設けられ、研磨する際に
は前記載置面が前記凹凸に倣った状態で前記半導体ウェ
ハを固着するようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】従来の製造方法で製造された半導
体ウェハは、その加工において加圧により変形した状態
で加工される可能性があり、また平坦度の測定方法は半
導体ウェハを吸着などにより保持するか、或いは一部を
吸着して保持し、吸着された側の面を仮想平面として測
定するため、測定値で判断すると平坦な半導体ウェハで
あっても、上記したように真に平坦な半導体ウェハとは
言えなかった。
体ウェハは、その加工において加圧により変形した状態
で加工される可能性があり、また平坦度の測定方法は半
導体ウェハを吸着などにより保持するか、或いは一部を
吸着して保持し、吸着された側の面を仮想平面として測
定するため、測定値で判断すると平坦な半導体ウェハで
あっても、上記したように真に平坦な半導体ウェハとは
言えなかった。
【００１４】そこで、本発明においては、吸着などの矯
正力を受けない状態で測定された半導体ウェハであって
も、平坦度の高い値を得ることができる半導体ウェハと
その製造方法ならびにその製造装置に関するものであ
る。すなわち、研磨を終了し、研磨荷重をかけた状態、
または研磨のための保持を行っている状態と同様の条件
下で計測された半導体ウェハの表（おもて）面および／
または裏面の平坦度と、研磨荷重を取り除いた状態、ま
たは研磨のための保持を外した状態で計測された前記半
導体ウェハの表（おもて）面および／または裏面の平坦
度とが、略同一である真に平坦な半導体ウェハを製造す
るためのものである。
正力を受けない状態で測定された半導体ウェハであって
も、平坦度の高い値を得ることができる半導体ウェハと
その製造方法ならびにその製造装置に関するものであ
る。すなわち、研磨を終了し、研磨荷重をかけた状態、
または研磨のための保持を行っている状態と同様の条件
下で計測された半導体ウェハの表（おもて）面および／
または裏面の平坦度と、研磨荷重を取り除いた状態、ま
たは研磨のための保持を外した状態で計測された前記半
導体ウェハの表（おもて）面および／または裏面の平坦
度とが、略同一である真に平坦な半導体ウェハを製造す
るためのものである。
【００１５】本発明における半導体ウェハの製造方法で
は、従来の加工工程で与えていた挟圧や吸着と言った圧
力による矯正力を与えない状態で加工することにより、
切断されたウェハが固有する形状を圧力変形させずにラ
ッピングまたは研磨による加工をするものである。すな
わち、ラッピングまたは研磨のために半導体ウェハを保
持した際、保持後の半導体ウェハの表（おもて）面また
は裏面の凹凸状態が、保持する前の状態に一致すること
になる。
は、従来の加工工程で与えていた挟圧や吸着と言った圧
力による矯正力を与えない状態で加工することにより、
切断されたウェハが固有する形状を圧力変形させずにラ
ッピングまたは研磨による加工をするものである。すな
わち、ラッピングまたは研磨のために半導体ウェハを保
持した際、保持後の半導体ウェハの表（おもて）面また
は裏面の凹凸状態が、保持する前の状態に一致すること
になる。
【００１６】この圧力による矯正力を与えない状態で加
工する方法としては、ラッピングまたは両面研磨におけ
る挟圧荷重を当初非常に低い値に設定して加工を開始
し、加工が進むに従って、挟圧荷重を段階的に増加させ
ることにより、その加工取代を徐々に増加させるもので
ある。次段階への荷重増加はそれぞれ２０g/cm2 以下と
することが望ましい。これは、２０g/cm2 より大きくす
ると、テンプレートまたはキャリア内での半導体ウェハ
の自転速度が遅くなり、その結果平坦度が悪化するため
である。
工する方法としては、ラッピングまたは両面研磨におけ
る挟圧荷重を当初非常に低い値に設定して加工を開始
し、加工が進むに従って、挟圧荷重を段階的に増加させ
ることにより、その加工取代を徐々に増加させるもので
ある。次段階への荷重増加はそれぞれ２０g/cm2 以下と
することが望ましい。これは、２０g/cm2 より大きくす
ると、テンプレートまたはキャリア内での半導体ウェハ
の自転速度が遅くなり、その結果平坦度が悪化するため
である。
【００１７】また、半導体ウェハを貼付ブロック等に貼
付してその片面を研磨する場合においては、半導体ウェ
ハを貼付ブロック上に載置して貼付する際に、半導体ウ
ェハ固有の凹凸に倣った状態で接着剤が固まるようにし
て研磨するものである。
付してその片面を研磨する場合においては、半導体ウェ
ハを貼付ブロック上に載置して貼付する際に、半導体ウ
ェハ固有の凹凸に倣った状態で接着剤が固まるようにし
て研磨するものである。
【００１８】さらに、研磨装置として従来は枚葉式の研
磨では半導体ウェハを保持装置の真空チャックなどで吸
着していたのが、これでは吸着側が上記した矯正力を受
けるため、この保持装置の載置面が研磨する前の半導体
ウェハの凹凸に倣うように設けられ、研磨する際には載
置面が半導体ウェハの凹凸に倣った状態で半導体ウェハ
を固着するように設けられた研磨装置によって研磨する
と、その片面が真に平坦な半導体ウェハを得られる。
磨では半導体ウェハを保持装置の真空チャックなどで吸
着していたのが、これでは吸着側が上記した矯正力を受
けるため、この保持装置の載置面が研磨する前の半導体
ウェハの凹凸に倣うように設けられ、研磨する際には載
置面が半導体ウェハの凹凸に倣った状態で半導体ウェハ
を固着するように設けられた研磨装置によって研磨する
と、その片面が真に平坦な半導体ウェハを得られる。
【００１９】このような製造方法により得られた半導体
ウェハは、次に示す方法により測定すれば真に平坦であ
ることがわかる。すなわち、図５（ａ）に示すように、
半導体ウェハ１０ａの周縁部に近接した位置にそれぞれ
絶対基準点となるＡ点およびＢ点を定め、センサー６
ａ、６ｂにより、各センサーから半導体ウェハ１０ａの
表裏面までの距離を測定する。尚、この半導体ウェハ１
０ａは真に平坦ではなく、その表裏面に凹凸を有するも
のである。図５（ｂ）に示すように、測定された距離を
それぞれ解析し、Ａ点およびＢ点を基準とした半導体ウ
ェハ１０ａの表裏面の変位量ΔＡおよびΔＢを示すこと
により、この半導体ウェハ１０ａの形状が図５（ｃ）に
示すような形状であることを特定できる。
ウェハは、次に示す方法により測定すれば真に平坦であ
ることがわかる。すなわち、図５（ａ）に示すように、
半導体ウェハ１０ａの周縁部に近接した位置にそれぞれ
絶対基準点となるＡ点およびＢ点を定め、センサー６
ａ、６ｂにより、各センサーから半導体ウェハ１０ａの
表裏面までの距離を測定する。尚、この半導体ウェハ１
０ａは真に平坦ではなく、その表裏面に凹凸を有するも
のである。図５（ｂ）に示すように、測定された距離を
それぞれ解析し、Ａ点およびＢ点を基準とした半導体ウ
ェハ１０ａの表裏面の変位量ΔＡおよびΔＢを示すこと
により、この半導体ウェハ１０ａの形状が図５（ｃ）に
示すような形状であることを特定できる。
【００２０】尚、図５（ｄ）に示すように、半導体ウェ
ハ１０ａの厚みの各中心位置（Ｃ−Ｃ線）を図５（ｂ）
に示されたデータから解析し、これにより無負荷、無重
力下でウェハが持っている真の形状を知ることができ
る。
ハ１０ａの厚みの各中心位置（Ｃ−Ｃ線）を図５（ｂ）
に示されたデータから解析し、これにより無負荷、無重
力下でウェハが持っている真の形状を知ることができ
る。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は実施例１の製造方法を示す模式図、図２は実施例
１のラッピングにおける荷重の変化を示すグラフであ
る。
明する。 実施例１ 図１は実施例１の製造方法を示す模式図、図２は実施例
１のラッピングにおける荷重の変化を示すグラフであ
る。
【００２２】従来ラッピングにおいては、１００g/cm2
程度の荷重を一度にかけてラッピングしていたが、これ
によると切断後の半導体ウェハに矯正力が加わる可能性
があるため、次に示すように多段階に荷重を増加させ
る。
程度の荷重を一度にかけてラッピングしていたが、これ
によると切断後の半導体ウェハに矯正力が加わる可能性
があるため、次に示すように多段階に荷重を増加させ
る。
【００２３】すなわち、図２に示すように、ラッピング
当初は僅かに押圧盤が半導体ウェハに当たる程度の圧力
で開始し、ラッピングが進むに従って徐々にその荷重を
増加させる。これにより押圧盤の圧力による半導体ウェ
ハの変形を防止できる。
当初は僅かに押圧盤が半導体ウェハに当たる程度の圧力
で開始し、ラッピングが進むに従って徐々にその荷重を
増加させる。これにより押圧盤の圧力による半導体ウェ
ハの変形を防止できる。
【００２４】このラッピング方法を模式図により示すと
次のようになる。図１（ａ）に示すように、スライスド
ウェハ１には切断工程で作られた固有の凹凸１１が表裏
両面にある。これをラッピング装置３の上下の押圧盤３
１、３２により挟持するが、この際上記したようにスラ
イスドウェハ１が矯正されて変形しないような加圧がな
されるため、そのままの形状を保った状態でラッピング
が開始される。スライスドウェハ１はこの状態で変形は
しないものの、押圧盤３１、３２とスライスドウェハ１
の間に砥粒（図示せず）が存在するため、凹凸１１がわ
ずかずつ除去される。
次のようになる。図１（ａ）に示すように、スライスド
ウェハ１には切断工程で作られた固有の凹凸１１が表裏
両面にある。これをラッピング装置３の上下の押圧盤３
１、３２により挟持するが、この際上記したようにスラ
イスドウェハ１が矯正されて変形しないような加圧がな
されるため、そのままの形状を保った状態でラッピング
が開始される。スライスドウェハ１はこの状態で変形は
しないものの、押圧盤３１、３２とスライスドウェハ１
の間に砥粒（図示せず）が存在するため、凹凸１１がわ
ずかずつ除去される。
【００２５】図１（ｂ）に示すように、凹凸１１がわず
かに除去された時点で荷重を緩いレートで増加させる。
これによりラッピングの取代が増加し、さらに凹凸１１
が除去される。
かに除去された時点で荷重を緩いレートで増加させる。
これによりラッピングの取代が増加し、さらに凹凸１１
が除去される。
【００２６】図１（ｃ）に示すように、ラッピング荷重
を増加させるに従い、凹凸１１はなくなり、図１（ｄ）
に示すような平滑面を有するラップドウェハ２が得られ
る。
を増加させるに従い、凹凸１１はなくなり、図１（ｄ）
に示すような平滑面を有するラップドウェハ２が得られ
る。
【００２７】本実施例１のラッピングにおいては、最初
のラッピング荷重を６g/cm2 とし、少なくとも各一段の
ラッピング時間を９０秒とし、各段間のラッピング荷重
の増加は２０g/cm2 以下とする。また、ラッピング開始
からメイン荷重が負荷される６００秒間の平均ラッピン
グ荷重の増加レートは、9.5g/cm2/ 分となり、平均ラッ
ピング荷重の増加レートを１０g/cm2/分以下の緩いレー
トとしている。
のラッピング荷重を６g/cm2 とし、少なくとも各一段の
ラッピング時間を９０秒とし、各段間のラッピング荷重
の増加は２０g/cm2 以下とする。また、ラッピング開始
からメイン荷重が負荷される６００秒間の平均ラッピン
グ荷重の増加レートは、9.5g/cm2/ 分となり、平均ラッ
ピング荷重の増加レートを１０g/cm2/分以下の緩いレー
トとしている。
【００２８】また、ラッピング荷重の増加方法はこの段
々式に限らず、連続的な増加でしかもそのレートを１０
g/cm2/分以下とした方法でも、同様のラップドウェハが
得られる。
々式に限らず、連続的な増加でしかもそのレートを１０
g/cm2/分以下とした方法でも、同様のラップドウェハが
得られる。
【００２９】実施例２ 上記実施例１はラッピングに係る実施例であったが、ウ
ェハを上下から挟持して加工する点においては、両面研
磨も同様であるため、この両面研磨においても研磨荷重
を変化させることにより平坦なポリッシュドウェハを得
られる。
ェハを上下から挟持して加工する点においては、両面研
磨も同様であるため、この両面研磨においても研磨荷重
を変化させることにより平坦なポリッシュドウェハを得
られる。
【００３０】また、両面研磨においては、研磨荷重の変
化に替わり、研磨クロスにかかる摩擦力を指標として研
磨装置を設定する方法がある。すなわち、研磨摩擦があ
る一定値以下になったときに、研磨荷重を増加させ、且
つ研磨荷重を増加させた際の研磨圧がある一定値以上に
ならないようにすることにより平坦なポリッシュドウェ
ハを得ることができる。
化に替わり、研磨クロスにかかる摩擦力を指標として研
磨装置を設定する方法がある。すなわち、研磨摩擦があ
る一定値以下になったときに、研磨荷重を増加させ、且
つ研磨荷重を増加させた際の研磨圧がある一定値以上に
ならないようにすることにより平坦なポリッシュドウェ
ハを得ることができる。
【００３１】実施例３ 図３は実施例３の製造方法を示す模式図である。本実施
例３においては、片面を研磨する研磨方法において真に
平坦な半導体ウェハを製造する方法を示す模式図であ
る。
例３においては、片面を研磨する研磨方法において真に
平坦な半導体ウェハを製造する方法を示す模式図であ
る。
【００３２】図３（ａ）に示すように、本実施例におい
ては半導体ウェハ１ａを接着剤４により貼付ブロック５
に接着して研磨する方法において、半導体ウェハ１ａを
貼付ブロック５上に載置する際、異物や気泡が混入しな
いようにすると共に、押圧により矯正されないようにす
る。また、接着剤４としては即乾性のものを使用するこ
とにより、この接着剤４の表面が半導体ウェハ１ａの裏
面の形状に倣った状態で固まる。
ては半導体ウェハ１ａを接着剤４により貼付ブロック５
に接着して研磨する方法において、半導体ウェハ１ａを
貼付ブロック５上に載置する際、異物や気泡が混入しな
いようにすると共に、押圧により矯正されないようにす
る。また、接着剤４としては即乾性のものを使用するこ
とにより、この接着剤４の表面が半導体ウェハ１ａの裏
面の形状に倣った状態で固まる。
【００３３】また、接着剤４としては粘性の低いものを
使用し、半導体ウェハ１ａの載置は従来と同様のスタン
プ（図示せず）により押圧され、接着面から気泡が取り
除かれる。接着剤４の粘性が低いため、半導体ウェハ１
ａはもとの形状に戻りやすく、且つ接着剤４は半導体ウ
ェハ１ａの形状が戻った後に固まるようにその温度等が
制御されている。
使用し、半導体ウェハ１ａの載置は従来と同様のスタン
プ（図示せず）により押圧され、接着面から気泡が取り
除かれる。接着剤４の粘性が低いため、半導体ウェハ１
ａはもとの形状に戻りやすく、且つ接着剤４は半導体ウ
ェハ１ａの形状が戻った後に固まるようにその温度等が
制御されている。
【００３４】図３（ｂ）に示すように、この貼付ブロッ
ク５上に貼付された半導体ウェハ１ａの表面を研磨する
ことにより、図３（ｃ）に示すような少なくとも片面が
真に平坦なポリッシュドウェハ２ａを得られる。
ク５上に貼付された半導体ウェハ１ａの表面を研磨する
ことにより、図３（ｃ）に示すような少なくとも片面が
真に平坦なポリッシュドウェハ２ａを得られる。
【００３５】尚、本実施例の研磨においては、研磨クロ
スを押圧するための荷重を前記実施例１と同様に段階的
または連続的に増加させることにより、研磨される表面
をより平坦に仕上げることができる。
スを押圧するための荷重を前記実施例１と同様に段階的
または連続的に増加させることにより、研磨される表面
をより平坦に仕上げることができる。
【００３６】実施例４ 図４は実施例４の製造装置を示す模式図である。上記実
施例３は接着剤の固着により半導体ウェハを保持して、
その片面が真に平坦な半導体ウェハになる研磨方法を示
していたが、本実施例４においては、同様に半導体ウェ
ハの片面を研磨する研磨装置を示すものであり、実施例
３の接着剤の固着に替わり、半導体ウェハを保持装置に
より保持するものである。すなわち、この保持装置は、
研磨する前の凹凸に倣った状態で半導体ウェハを保持す
ることができるように設けたものである。
施例３は接着剤の固着により半導体ウェハを保持して、
その片面が真に平坦な半導体ウェハになる研磨方法を示
していたが、本実施例４においては、同様に半導体ウェ
ハの片面を研磨する研磨装置を示すものであり、実施例
３の接着剤の固着に替わり、半導体ウェハを保持装置に
より保持するものである。すなわち、この保持装置は、
研磨する前の凹凸に倣った状態で半導体ウェハを保持す
ることができるように設けたものである。
【００３７】図４（ａ）に示すように、本実施例４にお
いては保持装置７により半導体ウェハ１ｂを保持して研
磨するものであり、保持装置７は先端に吸着面を有し、
隙間無く立設された複数の保持ピン７１と、これらを保
持する保持台７２から構成されている。
いては保持装置７により半導体ウェハ１ｂを保持して研
磨するものであり、保持装置７は先端に吸着面を有し、
隙間無く立設された複数の保持ピン７１と、これらを保
持する保持台７２から構成されている。
【００３８】図４（ｂ）に示すように、それぞれの保持
ピン７１は半導体ウェハ１ｂを載置した際に、半導体ウ
ェハ１ｂ裏面の形状に沿って昇降するように設けられ、
しかも、この半導体ウェハ１ｂ裏面にそれぞれの保持ピ
ン７１の先端が吸着した後にその位置で昇降が停止し、
半導体ウェハ１ｂはその形状を変形させることなく保持
装置７により保持される。
ピン７１は半導体ウェハ１ｂを載置した際に、半導体ウ
ェハ１ｂ裏面の形状に沿って昇降するように設けられ、
しかも、この半導体ウェハ１ｂ裏面にそれぞれの保持ピ
ン７１の先端が吸着した後にその位置で昇降が停止し、
半導体ウェハ１ｂはその形状を変形させることなく保持
装置７により保持される。
【００３９】図４（ｃ）に示すように、保持装置７によ
り保持された半導体ウェハ１ｂの表（おもて）面を研磨
クロス７３により研磨するが、この際、研磨クロス７３
の荷重を前記実施例１と同様に段階的または連続的に増
加させて研磨することにより、図４（ｄ）に示すように
その片面が真に平坦なポリッシュドウェハ２ｂを得るこ
とができる。
り保持された半導体ウェハ１ｂの表（おもて）面を研磨
クロス７３により研磨するが、この際、研磨クロス７３
の荷重を前記実施例１と同様に段階的または連続的に増
加させて研磨することにより、図４（ｄ）に示すように
その片面が真に平坦なポリッシュドウェハ２ｂを得るこ
とができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
片面または両面が真に平坦である半導体ウェハを製造で
き、この真に平坦な半導体ウェハにおいては、研磨を終
了し、研磨荷重をかけた状態、または研磨のための保持
を行っている状態と同様の条件下で計測された半導体ウ
ェハの表（おもて）面および／または裏面の平坦度と、
研磨荷重を取り除いた状態、または研磨のための保持を
外した状態で計測された前記半導体ウェハの表（おも
て）面および／または裏面の平坦度とが、略同一であ
る。したがって、この真に平坦な半導体ウェハを使用す
ることにより、デバイス工程におけるチルト制御の必要
性が極減され、さらに高品質なデバイスを効率よく製造
できるようになるという優れた効果がある。
片面または両面が真に平坦である半導体ウェハを製造で
き、この真に平坦な半導体ウェハにおいては、研磨を終
了し、研磨荷重をかけた状態、または研磨のための保持
を行っている状態と同様の条件下で計測された半導体ウ
ェハの表（おもて）面および／または裏面の平坦度と、
研磨荷重を取り除いた状態、または研磨のための保持を
外した状態で計測された前記半導体ウェハの表（おも
て）面および／または裏面の平坦度とが、略同一であ
る。したがって、この真に平坦な半導体ウェハを使用す
ることにより、デバイス工程におけるチルト制御の必要
性が極減され、さらに高品質なデバイスを効率よく製造
できるようになるという優れた効果がある。
【図１】実施例１の製造方法を示す模式図である。
【図２】実施例１のラッピングにおける荷重の変化を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】実施例３の製造方法を示す模式図である。
【図４】実施例４の製造装置を示す模式図である。
【図５】半導体ウェハの平坦度測定方法を示す模式図で
ある。
ある。
【図６】従来の平坦度測定方法を示す模式図である。
【図７】従来の製造方法を示す模式図である。
１‥‥‥スライスドウェハ １１‥‥凹凸 １ａ‥‥半導体ウェハ １ｂ‥‥半導体ウェハ １０‥‥半導体ウェハ １０ａ‥半導体ウェハ １１‥‥凹凸 ２‥‥‥ラップドウェハ ２ａ‥‥ポリッシュドウェハ ２ｂ‥‥ポリッシュドウェハ ３‥‥‥ラッピング装置 ３１‥‥押圧盤 ３２‥‥押圧盤 ４‥‥‥接着剤 ５‥‥‥貼付プレート ６‥‥‥測定装置 ６ａ‥‥センサー ６ｂ‥‥センサー ７‥‥‥保持装置 ７１‥‥保持ピン ７２‥‥保持台 ７３‥‥研磨クロス ９‥‥‥真空式チャック
Claims (8)
- 【請求項１】 研磨されて得られる半導体ウェハにおい
て、研磨を終了し、研磨荷重をかけた状態、または研磨
のための保持を行っている状態と同様の条件下で計測さ
れた半導体ウェハの表（おもて）面および／または裏面
の平坦度と、研磨荷重を取り除いた状態、または研磨の
ための保持を外した状態で計測された前記半導体ウェハ
の表（おもて）面および／または裏面の平坦度とが、略
同一であることを特徴とする半導体ウェハ。 - 【請求項２】 保持後の半導体ウェハの表（おもて）面
および／または裏面の凹凸状態を、保持前の半導体ウェ
ハのそれに一致させた状態で半導体ウェハを保持し、そ
の保持状態を維持してラッピングまたは研磨することを
特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項３】 半導体ウェハを上下から加圧して平坦化
するラッピング方法において、ラッピング荷重または摩
擦係数を多段階的に増加させながらラッピングし、各一
段階のラッピング時間が少なくとも１分であることを特
徴とする半導体ウェハのラッピング方法。 - 【請求項４】 次段階へのラッピング荷重の増加が２０
g/cm2 以下であることを特徴とする請求項３記載の半導
体ウェハのラッピング方法。 - 【請求項５】 半導体ウェハを上下から加圧してその表
裏両面を同時に研磨する研磨方法において、研磨荷重ま
たは摩擦係数を多段階的に増加させながら研磨し、各一
段階の研磨時間を少なくとも１分に設定して研磨するこ
とを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項６】 次段階への研磨荷重の増加が２０g/cm2
以下であることを特徴とする請求項５記載の半導体ウェ
ハの研磨方法。 - 【請求項７】 半導体ウェハを保持具の載置面に貼付し
て研磨する半導体ウェハの研磨方法において、貼付後の
前記半導体ウェハの形状が、貼付する前の半導体ウェハ
の形状に一致するように半導体ウェハを貼付して研磨す
ることを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項８】 半導体ウェハの片面を保持して研磨する
研磨装置において、前記半導体ウェハを保持装置に載置
する際に、保持装置の載置面が研磨する前の前記半導体
ウェハの凹凸に倣うように設けられ、研磨する際には前
記載置面が前記凹凸に倣った状態で前記半導体ウェハを
固着するように設けた半導体ウェハの研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2984098A JPH10294299A (ja) | 1997-02-18 | 1998-02-12 | 半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3368997 | 1997-02-18 | ||
| JP9-33689 | 1997-02-18 | ||
| JP2984098A JPH10294299A (ja) | 1997-02-18 | 1998-02-12 | 半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294299A true JPH10294299A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=26368096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2984098A Pending JPH10294299A (ja) | 1997-02-18 | 1998-02-12 | 半導体ウェハおよびその製造方法ならびに製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294299A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10159832A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6648735B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-11-18 | Fujikoshi Machinery Corp. | Method of abrading both faces of work piece |
-
1998
- 1998-02-12 JP JP2984098A patent/JPH10294299A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6648735B2 (en) | 2000-11-15 | 2003-11-18 | Fujikoshi Machinery Corp. | Method of abrading both faces of work piece |
| DE10159832A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
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