CN109015115B - 研磨方法及研磨装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物，将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头，研磨头配置于研磨装置，通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布，并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面，其中在以支承板而支承该被研磨物之前，先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状，依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨被研磨物。

Description

研磨方法及研磨装置
技术领域
本发明涉及一种研磨方法及一种研磨装置。
背景技术
硅晶圆或化合物半导体晶圆等半导体晶圆，随着集成电路的微小化，不但平坦度规格逐渐紧缩，要求水平亦日益提升，以期获得更平整的形状。以将半导体晶圆研磨至平坦的手法而言，有通过黏着或模板法将半导体晶圆贴附而支承于支承板(研磨板)而研磨的方法。
如专利文献1所记载，此方法中使用一研磨装置，将贴附半导体晶圆的支承板安装至研磨头的下表面，往安装于研磨头的下表面的可挠式薄膜(或弹性膜)之间的密闭空间(气囊)供给压力流体，通过调整此压力让支承板全面均等地下压。此研磨装置的研磨头为在密闭空间未受压的场合，对研磨头的外周部施加全研磨压的结构。
参照图12至图14而对此研磨方法进行更具体的说明。如图12，为了研磨晶圆W的表面，首先将1片以上的晶圆W贴附至圆盘状的支承板108。接着如图13，将贴附晶圆W的支承板108装备至研磨头102。研磨头102与使研磨头102绕轴旋转的研磨轴杆103一同构成研磨轴104。使固定于支承板108的晶圆W接触贴于研磨台105上的研磨布106而被研磨。
在此时通过承载于支承板108上的研磨头102对该支承板108加压，并通过研磨台105的旋转运动以及研磨头102的旋转，让各晶圆W的与研磨布106的接触面分别被研磨。
使用如图13之往研磨头102与安装于下表面的可挠式薄膜107(或弹性膜)之间的密闭空间(气囊)供给压力流体并通过调整此压力让支承板108的全面均等地下压的装置的场合，此研磨头102为于密闭空间未受压时，对研磨头102的外周部施加全研磨压的结构。
实际研磨时，对密闭空间设定适当的加压，平均地研磨各晶圆W。众所周知的是，此密闭空间的压力一旦变动，往支承板108的推压分布跟着改变，而固定于支承板108的各晶圆W的研磨形状亦为之改变。具体而言，如图14所示，一旦密闭空间的压力小，推压分布则相对地转移至支承板108的外周部侧，一旦密闭空间的压力大，推压分布则转移至支承板108的中心部。按此推压分布，研磨后的晶圆形状会产生变化。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特公平7-41534号公报
发明内容
[发明所欲解决的问题]
然而，即便依据可挠式薄膜所形成的密闭空间(气囊)而使用适当地调整推压分布的研磨头进行研磨，仍有每片晶圆都发生平坦度(GBIR)参差的问题。其肇因于每片支承板各自的形状并非完全相同而具有些微的形状差，尽管针对支承板的平均的形状设定了适当的推压分布，却因该些微的形状差而让晶圆的平坦度产生参差。
有鉴于如同前述的问题，本发明的目的是提供能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。
[解决问题的技术手段]
为了达成上述目的，本发明提供一种研磨方法，以支承板而支承一被研磨物，将支承该被研磨物的该支承板予以装备至一研磨头，该研磨头配置于研磨装置，通过该研磨头将被该支承板所支承的该被研磨物以一指定的压力而推压至贴附于研磨台的一研磨布，并使相对运动，而借以研磨被研磨物的表面，其中在以该支承板而支承该被研磨物之前，先测量该支承板的支承该被研磨物的支承面的形状，依该测量完成的该支承面的形状，调整由该研磨头对于该支承板的推压分布，再研磨该被研磨物。
以此方式，预先测量支承板的形状，再依测量之形状调整对支承板的推压分布来进行研磨，便能够在不受每片支承板各自的形状差的影响下，控制晶圆的平坦度。因此，尤其能够提升各晶圆的平坦度且缩小每片晶圆的平坦度的参差。此外，亦能够适当地调整推压分布以使制品的输出质量(GBIR＝平坦度)成为所希望的值。
此时，由该研磨头对于该支承板的推压分布的调整，基于该支承面的形状测量结果，预先于多个支承板挑选出凸形状者及凹形状者，使用支承面的形状膨胀为凸的形状的该支承板之际，测量作为该支承板使用的多个该支承板的凸出量而算出凸出量的平均值，凸出量相较于该凸出量的平均值为大的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地增大，凸出量相较于该凸出量的平均值为小的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地减小，使用支承面的形状内陷为凹的形状的该支承板之际，测量作为该支承板使用的多个该支承板的凹陷量而算出凹陷量的平均值，凹陷量相较于该凹陷量的平均值为大的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地减小，凹陷量相较于该凹陷量的平均值为小的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地增大则佳。
如此预先将用于研磨的支承板挑选出凸形状或凹形状，依支承板的凸出量或凹陷量，按上述方式调整支承面的中心部与外周部的相对的推压，便能够抑制起因于每片支承板各自的形状差的每片晶圆的平坦度的参差的发生。
此外，该研磨头使用具有张设于推压该支承板的面的可挠式薄膜，通过控制往该可挠式薄膜的流体内压而调整往该支承板的推压分布为佳。
使用此研磨头的场合，通过控制往该可挠式薄膜的流体内压，便能够轻易地调整往该支承板的推压分布。
此外，该研磨装置的该研磨台具备多个研磨头的场合，依该测量出的支承面的形状将多个该支承板予以分类，并依该分类设定各研磨头的该推压分布，而依该分类将该支承板装备至已设定为指定的推压分布的指定的研磨头为佳。
若将支承板按相同程度的形状别加以分类，使相同程度的形状的支承板于研磨时必定以指定的研磨轴研磨，便能够确实地抑制起因于每片支承板各自的形状差的晶圆的平坦度参差的发生。
此外，为达成上述目的，本发明提供一种研磨装置，将具有装备已支承被研磨物的支承板的研磨头及已贴附用于研磨被研磨物的研磨布的研磨台，通过该研磨头，将支承于该支承板的该被研磨物，透过指定的压力推压至贴附于该研磨台的该研磨布并使相对运动，而借以研磨该被研磨物的表面，其中该研磨装置具有依该支承板的支承该被研磨物的支承面的形状，而调整由该研磨头对于该支承板的推压分布的功能。
因此，由于能够依支承板的支承面的形状来调整对支承板的推压分布而进行研磨，便成为能够在不受每片支承板各自的形状差的影响下，控制晶圆的平坦度。因此成为尤其能够提升各晶圆的平坦度且缩小每片晶圆的平坦度的参差。此外，亦成为能够适当地调整推压分布以使制品的输出质量(GBIR＝平坦度)成为所希望的值。
此外，该研磨头具有张设于推压该支承板的面的可挠式薄膜，通过控制往该可挠式薄膜的流体内压而能够调整往该支承板的推压分布为佳。
若为此研磨头，通过控制往该可挠式薄膜的流体内压，便能够轻易地调整往该支承板的推压分布。
此外，本发明的研磨装置具备一推压分布控制部，基于该支承板的支承面的各个形状的该推压分布与研磨后的该被研磨物的平坦度之间的相关关系，自动控制由该研磨头对于该支承板的推压分布为佳。
若能够通过推压分布控制部，自动控制依支承板的支承面形状的适当推压分布，操作员不必每次都要进行推压分布的设定作业，而能够成为更加提高生产性。
[对照现有技术的功效]
根据本发明的研磨方法及研磨装置，由于能够依支承板的支承面的形状来调整对支承板的推压分布而进行研磨，便能够抑制每片支承板各自的形状差而控制晶圆的平坦度。因此，尤其能够提升各晶圆的平坦度且缩小每片晶圆的平坦度的参差。此外，亦能够适当地调整推压分布以使制品的输出质量(GBIR＝平坦度)成为所希望的值。
附图说明
图1是表示本发明的研磨装置的一范例的示意图。
图2是表示本发明的研磨方法的一范例的流程图。
图3是表示本发明的研磨方法的其他的一范例的流程图。
图4是表示本发明的研磨方法中支承板的分类、排列化的一范例的示意图。
图5是表示实施例1中测量出之支承板的支承面的形状的分布的图。
图6是表示实施例1中调查出的气囊压与对支承板的推压分布的关系的图。
图7是表示实施例1中调查出的气囊压与晶圆面内所受的压力范围R的关系的图。
图8是表示实施例1中调查出的气囊压与GBIR(相对值)的关系的图。
图9是表示实施例2中调查出的气囊压与GBIR(相对值)的关系的图。
图10是表示实施例3中调查出的气囊压与GBIR(相对值)的关系的图。
图11是表示实施例4、比较例3中测量出之GBIR(相对值)的次数及累积次数的图。
图12是表示一般的支承板的一范例的示意图。
图13是表示一般的研磨装置的一范例的示意图。
图14是表示依气囊压力的支承板的推压分布的图。
具体实施方式
以下针对本发明的实施方式进行说明，然而本发明不限于此。
如上所述，由于每片支承板的形状并非完全相同而有些微的形状差，而有即便针对支承板的平均的形状设定了适当的推压分布，却会因这些微的形状差而让晶圆的平坦度产生参差的问题。换言之，本发明人发现了支承板形状的参差会影响晶圆的平坦度的参差的状况。
所以，本发明人为解决如此的问题而进行积极研究，结果找出预先测量支承板的支承面的形状，依该测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨被研磨物，便能控制晶圆的平坦度，进而完成本发明。
首先，针对本发明的研磨装置参照图1而说明。本发明的研磨装置1具有：装备已支承被研磨物(晶圆W)的支承板8的研磨头2及已贴附用于研磨晶圆W的研磨布6的研磨台5。研磨头2与使研磨头2绕轴旋转的研磨轴杆3一同构成研磨轴4。如此的本发明的研磨装置1，能够通过研磨头2，将支承于支承板8的晶圆W，透过指定的压力推压至贴附于研磨台5的研磨布6并使其相对运动，而借以研磨晶圆W的表面。
此外，本发明的研磨装置1具有依支承板8的支承被研磨物的支承面的形状而调整由研磨头2对于支承板8的推压分布的功能。若为如此，便能够依支承板8的支承面的形状，调整对于支承板8的推压分布而进行研磨，故能够在不受每片支承板各自的形状差的影响下，控制晶圆W的平坦度。因此尤其能够提升各晶圆的平坦度且缩小每片晶圆各自的平坦度的参差。此外，亦能够适当地调整推压分布以使制品的输出质量(GBIR＝平坦度)依目的成为所希望的值。
此外，研磨头2以气囊加压式为佳，且具有张设于推压该支承板8的面的可挠式薄膜7，能够通过控制往该可挠式薄膜7的流体内压(气囊压)而调整往支承板8的推压分布为佳。由于将流体内压施加于可挠式薄膜7会使可挠式薄膜7往支承板8的方向膨胀，故调整气囊内的流体内压便能够调整往支承板8的推压分布。若为如此，能够容易地调整往支承板的推压分布。
此外，本发明的研磨装置1为具备基于支承板8的支承面的每个形状各自的推压分布与研磨后的被研磨物(晶圆W)的平坦度之间的相关关系而自动控制由研磨头2对于支承板8的推压分布的一推压分布控制部9为佳。若能够通过推压分布控制部9自动控制依支承板8的支承面形状的适当推压分布，操作员不必每次都要进行推压分布的设定作业而能够高度精确地进行控制，且能够更加提高生产性。
接下来，以使用如同上述的研磨装置1的场合为例，说明本发明的研磨方法。本发明的研磨方法，以支承板8而支承一被研磨物(晶圆W)，将支承晶圆W的支承板8予以装备至一研磨头2，研磨头2配置于研磨装置1，通过该研磨头2将被支承板8所支承的晶圆W以一指定的压力而推压至贴附于研磨台5的一研磨布6，并使相对运动，而借以研磨晶圆W的表面的方法。另外，晶圆W的研磨结束后，能够从研磨头2取下支承板8，将贴附有下一个要研磨的晶圆的其他的支承板装备至研磨头2而进行下一次的研磨。此外，将1片以上的晶圆W平稳地固定至支承板8为佳，固定方法则有黏着法、模板法等。
接着，本发明的研磨方法中，以支承板8支承晶圆W之前，预先测量支承板8的支承晶圆W的支承面的形状，再依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头2对支承板8的推压分布，然后研磨晶圆W。如此依支承板8的支承面的形状来调整对支承板8的推压分布而进行研磨，便能够在不受每片支承板各自的形状差的影响下，控制晶圆的平坦度。尤其能够控制晶圆的平坦度为高。此外，依目的亦能够适当地调整推压分布以使制品的输出质量(GBIR＝平坦度)成为所希望的值。
此处针对推压分布的调整进行更具体的说明。本发明的研磨方法中，首先基于支承板8的支承面的形状测量结果，预先于多个支承板8挑选出凸形状者及凹形状者为佳。如此通过将用于研磨的支承板的形状先统一为凸或凹的其中一种，而方便管理研磨的适当的推压分布。
此处就选用凸形状者作为支承板8的场合，参照图2进行说明。首先，测量作为支承板8使用的多个支承板8的凸出量而算出凸出量的平均值。另外，在此可事先赋予各支承板能够辨识形状的信息。例如可将凸出量之类的信息事先记入支承板等。此外，通过推压分布控制部9依支承板8而自动控制推压分布的场合，亦能够事先将支承板8的辨识信息赋予支承板8，让研磨装置1于研磨时自动辨识支承板8的形状。
其次，如图2所示，能够在凸出量相较于算出的凸出量的平均值为大的支承板8装备于研磨头2的场合，使往支承面的外周部的推压相对于往支承面的中心部的推压而相对地增大，在凸出量相较于凸出量的平均值为小的支承板8装备于研磨头2的场合，使往支承面的外周部的推压相对于往支承面的中心部的推压相对地减小地设定。此外，针对凸出量位于平均值附近的具有平均的形状的支承板8的推压分布，能采用平均的推压分布。因此能够将晶圆W的面内的面压朝均一方向调整，而能够抑制每片晶圆各自的平坦度的参差。
另一方面，使用支承面的形状内陷为凹的形状作为支承板8之际，测量作为支承板8使用的多个支承板8的凹陷量而算出凹陷量的平均值，凹陷量相较于该凹陷量的平均值为大的支承板8装备于研磨头2的场合，使往支承面的外周部的推压相对于往支承面的中心部的推压而相对减小，凹陷量相较于凹陷量的平均值为小的支承板8装备于研磨头2的场合，使往支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地增大则佳。
因此能够将晶圆W的面内的面压朝均一方向调整，而能够抑制每片晶圆各自的平坦度的参差。另外，推压分布的调整，如上述般改变气囊压即可。此外，推压分布的调整，依据赋予支承板的辨识信息等，可透过操作员手动进行之外，也可以通过推压分布控制部9自动控制。
此外，研磨装置1具备多个研磨头2的场合，如图3的流程般，能够依测量出的支承面的形状将多个支承板8分类，并依分类而设定各研磨头2的推压分布，而依分类将支承板8装备至已设定为指定的推压分布的指定的研磨头2。例如，若总是将具有凸出量为平均值附近的平均的形状的支承板8装备至研磨轴A-1的研磨头，将凸出量较平均值为大的支承板8装备至研磨轴B-1的研磨头，将凸出量较平均值为小的支承板8装备至研磨轴C-1的研磨头等的话，不一定每次都要进行研磨头的推压分布的调整，故能够防止生产性的降低。
此外，存在多个研磨台5的研磨装置的场合，换言之，进行二段以上的晶圆W的研磨的场合，即便在第二段研磨使用的研磨台5中，亦能够依上述分类，将支承板8装备至已设定为指定的推压分布的指定的研磨头2。例如图3般，第一段研磨后，能够总是将具有凸出量为平均值附近的平均的形状的支承板8装备至研磨轴A-2的研磨头，将凸出量较平均值为大的支承板8装备至研磨轴B-2的研磨头，将凸出量较平均值为小的支承板8装备至研磨轴C-2的研磨头。
此外，支承板亦能够按相同程度的形状别加以分类、排序化，使相同程度的形状的支承板于研磨时必定以指定的研磨轴研磨。例如，将具有平均的形状的支承板分类为A群，将凸出量较平均值为大的支承板分类为B群，将凸出量较平均值为小的支承板分类为C群时，如图4所示，通过将支承板的顺序以A群的支承板、B群的支承板、C群的支承板依序重复排列，而总是让A群的支承板装备于研磨轴A-1、A-2、A-3，让B群的支承板装备于研磨轴B-1、B-2、B-3，让C群的支承板装备于研磨轴C-1、C-2、C-3。
此外，例如单晶硅晶圆的加工的场合，通常实施一次、二次、精加工研磨。本发明于一次研磨特别有效，但也可以适用于二次、精加工研磨。
此外，作为被研磨物，可使用晶圆整体由单晶硅构成的晶圆，或者至少被研磨面为单晶硅的晶圆(例如SOI晶圆)。除此之外，若为能够固定于支承板而研磨的晶圆，对于单晶硅以外的晶圆，亦能够采用本发明。
另外，本发明的研磨方法中，例如研磨浆的组成、温度、磨除量、研磨速度等的条件等并无特别限定。
〔实施例〕
以下表示实施例及比较例而对本发明进行更具体的说明，然而本发明并不限定于这些实施例。
(实施例1)
如以下般地进行了硅晶圆的研磨。此处以GBIR成为最小的条件进行了研磨。＜支承板的支承面的形状测量＞
首先，进行了使用的支承板的支承面的形状测量。准备了多个支承面为凸形状的圆盘状的支承板。对于形状测量，使用京瓷公司制造的形状测量器“NanoWay”，以支承板的基准点为标记，测量出X、Y直径方向的形状位移。测量数值以起点─终点补偿为0-0而算出形状位移量。当测量所有的支承板的凸出量完成时，如图5般，凸出量的分布几乎为常态分布。另外，图5中凸出量(板形状)以相对值表示，此处以凸出量的平均值为0.0，而取自该平均量的差。此外，算出支承板的凸出量的平均值，在实施例1中使用凸出量为平均值的支承板。
＜基本研磨条件、平坦度测量条件＞
以黏着法将多个直径200mm的研磨用晶圆贴附至1片支承板。
装置：单面研磨装置
研磨头：气囊加压式
支承板的凸出量：平均值
一次研磨布：不织布
研磨浆：碱性胶质氧化硅
磨除量：约5至10μm
研磨方法：一次+二次+三次(其中，仅一次研磨采用了本发明的研磨方法)
平坦度测量装置：KLA Tencor公司制造ADE9800
＜事前确认＞
调整研磨头的气囊压，并调查了对支承板的推压分布为如何地变化。另外，此时使用了凸出量较平均值小2.4μm的支承板。其结果如图6所示。如同由图6的表所知，得知了于此使用的研磨头，一旦气囊压加大，支承板的中心部的推压相对于外周部而相对变大。
此外，使用凸出量较平均值小2.4μm的支承板、凸出量较平均值小1.2μm的支承板以及凸出量较平均值大0.3μm的支承板而让气囊压摆荡在0至20kPa的范围之际，对贴附于板的晶圆面内所承受的压力范围R(压力max-压力min)调查，则为如图7般的结果。由图7可知，同一片支承板中，有气囊压一旦增加，压力范围R则变小的倾向(支承板的中心部的推压与外周部的推压的差会变小的倾向)，且有于某数值附近饱和的倾向。此外，尽管使用相同研磨头的相同气囊，压力范围R仍会依支承板的形状而不同。
此外，预先调查了在此研磨装置中使用凸出量为平均值的支承板时的GBIR与气囊压的相关关系。将其结果示于图8。图8以GBIR的最小值为基准的相对值来表示GBIR。由图8可知，气囊压为10kPa的情况下，GBIR为最小，换言之，平坦度为最高。
＜正式研磨＞
由于对实施例1中使用的支承板的支承面的形状而言，气囊压为10kPa的场合才能得到平坦度最高的晶圆，故以气囊压10kPa进行了硅晶圆的研磨。如此依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨硅晶圆。测量了研磨后的硅晶圆的GBIR，GBIR于相对值为1.0。
(实施例2)
实施例2中，将支承板变更为凸出量较平均值大0.7μm的支承板。
此外，预先调查了使用此支承板的场合的GBIR与气囊压的相关关系予以。将其结果示于图9。图9以实施例1中得到的晶圆的GBIR为基准(1.0)，用相对值表示GBIR。由图9可知，气囊压为7kPa的情况下，可缩小至与实施例1相同程度的GBIR。
＜正式研磨＞
如上述，由于对实施例2中使用的支承板的支承面的形状而言，得到与实施例1同等的平坦度最高的晶圆，是在气囊压为7kPa的场合，故以气囊压7kPa进行了硅晶圆的研磨。如此依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨硅晶圆。测量了研磨后的硅晶圆的GBIR，GBIR于相对值为1.0。
(比较例1)
虽然比较例1中，使用了与实施例2同样的凸出量的支承板，但并未依此凸出量进行对支承板的推压分布的调整。此时与过往同样地，无关乎支承板的支承面的形状，以对于平均的形状的支承板的最佳推压分布，换言之，此情况，于气囊压10kPa而研磨了硅晶圆。其结果，GBIR的相对值为1.5。
(实施例3)
实施例3中，将支承板变更为凸出量较平均值小0.6μm的支承板(较平均凹(-0.6μm))。
此外，预先调查了使用此支承板场合的GBIR与气囊压的相关关系。将其结果示于图10。图10是以实施例1中得到的晶圆的GBIR为基准(1.0)的相对值表示GBIR。由图10可知，气囊压为12kPa的情况下，可缩小至与实施例1相同程度的GBIR。
＜正式研磨＞
如上述，由于对实施例3中使用的支承板的支承面的形状而言，是在气囊压为12kPa的场合得到平坦度最高的晶圆，故以气囊压12kPa进行了硅晶圆的研磨。如此依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨硅晶圆。测量了研磨后的硅晶圆的GBIR，GBIR于相对值为1.1。
(比较例2)
虽然比较例2中，使用了与实施例3同样的凸出量的支承板，但并未依此凸出量进行对支承板的推压分布的调整。此时与过往同样地，无关乎支承板的支承面的形状，以对于平均的形状的支承板的最佳推压分布，换言之，此情况，于气囊压10kPa而研磨了硅晶圆。其结果，GBIR的相对值为1.4。
于表1表示汇整实施例1至3、比较例1、2中的实施结果。
【表1】
Figure BDA0001673813120000141
Figure BDA0001673813120000151
○ 为佳
△ 较○稍微差
实施例1至3中，由于依支承面的形状，调整了由研磨头对于支承板的推压分布，故能够选择最合适的推压分布并提升平坦度。此外，实施例1至3之间，几乎没有平坦度的参差。另一方面，比较例1、2成为了相比于实施例1至3GBIR增大，且相比于实施例1至3平坦性低劣的结果。
(实施例4)
依照本发明的研磨方法反复进行硅晶圆的研磨，测量研磨后的各晶圆的GBIR，算出GBIR的次数以及累积次数。结果示于图11、下述表2。图11及表2中所示为以比较例3的GBIR的值为基准的相对值。
(比较例3)
依照过往的研磨方法，无关乎支承板的支承面的形状，使气囊压为一定而反复进行硅晶圆的研磨，测量研磨后的各晶圆的GBIR，算出GBIR的次数以及累积次数。结果示于图11、下述表2。
【表2】
n Ave. σ Max
比较例3 19438 1.00 1.00 1.00
实施例4 18219 0.72 0.58 0.87
如图11及表2，GBIR的平均值(Ave.)及最大值(Max)方面，实施例4较比较例3为小，而平坦度方面，实施例4较比较例3为高。此外，GBIR的参差(σ)方面，实施例4亦较比较例3为少。
另外，本发明并不限于上述的实施型态。上述实施型态为举例说明，凡具有与本发明的申请专利范围所记载的技术思想及实质上同样构成而产生相同的功效者，不论为何物皆包含在本发明的技术范围内。
符号说明
1 研磨装置
2 研磨头
3 研磨轴杆
4 研磨轴
5 研磨台
6 研磨布
7 可挠式薄膜
8 支承板
9 推压分布控制部
102 研磨头
103 研磨轴杆
104 研磨轴
105 研磨台
106 研磨布
107 可挠式薄膜
108 支承板
W 研磨晶圆

Claims (3)

1.一种研磨方法，以支承板而支承被研磨物，将支承该被研磨物的该支承板予以装备至研磨头，该研磨头配置于研磨装置，通过该研磨头将被该支承板所支承的该被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布，并使相对运动，而借以研磨被研磨物的表面，
其中在以该支承板而支承该被研磨物之前，先测量该支承板的支承该被研磨物的支承面的形状，
依该测量完成的该支承面的形状，调整由该研磨头对于该支承板的推压分布，再研磨该被研磨物，其中
由该研磨头对于该支承板的推压分布的调整，基于该支承面的形状测量结果，预先于多个支承板挑选出凸形状者及凹形状者，
使用支承面的形状膨胀为凸的形状的该支承板之际，测量作为该支承板使用的多个该支承板的凸出量而算出凸出量的平均值，凸出量相较于该凸出量的平均值为大的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地增大，凸出量相较于该凸出量的平均值为小的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地减小，
使用支承面的形状内陷为凹的形状的该支承板之际，测量作为该支承板使用的多个该支承板的凹陷量而算出凹陷量的平均值，凹陷量相较于该凹陷量的平均值为大的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地减小，凹陷量相较于该凹陷量的平均值为小的该支承板装备于该研磨头的场合，使往该支承面的外周部的推压相对于该支承面的中心部的推压而相对地增大。
2.如权利要求1所述的研磨方法，其中使用具有张设于推压该支承板的面的可挠式薄膜的该研磨头，通过控制往该可挠式薄膜的流体内压而调整往该支承板的推压分布。
3.如权利要求1或2所述的研磨方法，其中该研磨装置的该研磨台具备多个研磨头的场合，依该测量出的支承面的形状将多个该支承板予以分类，并依该分类设定各研磨头的该推压分布，而依该分类将该支承板装备至已设定为指定的推压分布的指定的研磨头。
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