JPH07307317A - 半導体ウェーハ研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 非接触で確実に精度よく定盤の形状変化を測
定しながら、研磨を行う半導体ウェーハ研磨装置および
その測定結果に基づいて、研磨中の定盤やブロックの状
態を制御し、非常に高精度のウェーハの研磨を行わせる
ことが可能な半導体ウェーハ研磨装置を提供する。 【構成】 半導体ウェーハの鏡面研磨装置において、定
盤９の半径方向中心より外周部にかけて、前記定盤上に
非接触で設けられた前記定盤９の変位を測定する渦電流
式変位センサ測定ヘッド６０を設けた半導体ウェーハ研
磨装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、バッチ研磨方
式の半導体ウェーハのミラーポリシャに好適な半導体ウ
ェーハの研磨制御装置にかかるものであり、特に、高平
坦度研磨を可能にする半導体ウェーハ研磨装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨
する装置としては、図９に示すように構成されたシリコ
ンウェーハポリッシャと称される研磨装置が用いられて
いる。この図に示してある研磨装置は標準的な構造のも
のである。

【０００３】加圧軸１には調心軸受け２が設けてあり、
この調心軸受け２には加圧ヘッド３が加圧軸１に対して
首振自在にかつ加圧軸１と共に回転自在に取り付けられ
ている。

【０００４】この加圧ヘッド３の下方には、図１０に示
したような半導体ウェーハとしてのシリコンウェーハ５
を複数枚（図では４枚）同時に装着可能なブロック４が
装着されている。この加圧ヘッド３に対向する側には、
その上面にポリエステル製などの研磨パッド６が張り付
けられた定盤９が設けられている。

【０００５】シリコンウェーハ５の研磨を行う場合に
は、シリカをアルカリ溶液に懸濁させた研磨液１７を定
盤９上に供給して、シリコンウェーハ５をワックスによ
って装着した状態のブロック４を定盤９に加圧し、定盤
９の回転と共に、加圧ヘッド３を回転させながらシリコ
ンウェーハ５を研磨パッド６に摺動させる。

【０００６】この研磨過程では、加圧力によるシリコン
ウェーハ５と研磨パッド６上に供給される研磨液１７と
の摩擦や化学反応により発生する研磨熱によって定盤９
やシリコンウェーハ５の温度が変化し、高平坦度でシリ
コンウェーハ５の研磨を行うことが困難であるという問
題がある。

【０００７】この温度の変化を抑制するために、研磨装
置には図にも示してあるような冷却機構が設けられてい
る。一般的な冷却機構では、定盤９に水冷ジャケット１
０を取り付け、一定温度の冷却水を供給系統１４を介し
て水冷部１１に供給し、この冷却部１１内の冷却水を排
水系統１５を介して排出する構造が採用されている。

【０００８】また、定盤９と水冷ジャケット１０は、回
転軸１６により回転するときの鉛直方向の振れ発生を防
止するため、架台１３上に取り付けたスラスト軸受け１
２などに搭載されている。さらに、加圧軸１からの加圧
力により定盤９の平面が変形することを防止するため、
および定盤９を均一に冷却するために、冷却ジャケット
１０には図１１に示すようなリブ１８が設けられ、定盤
９と水冷ジャケット１０とをボルト孔１９を介してボル
トで組み付ける構造としている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、定盤９
の変形を防止するためのリブ構造を有する従来の研磨装
置であっても、未だ次のような問題を有している。

【００１０】すなわち、冷却水の温度は、シリコンウェ
ーハ５の適正な研磨面品質と研磨生産性とを得るための
温度条件である約４０℃になるまで研磨熱で昇温される
ために、定盤９の表面温度は研磨開始から研磨終了まで
上昇し、この温度上昇に伴なって定盤９は熱変形するこ
とになる。

【００１１】この定板９の熱膨張による変形は、一般に
下面側に熱変形する。図１２はこの状態を誇張して示し
たものであり、図１３は、熱変形にともないシリコンウ
ェーハ５がブロック４の中心側に傾斜して研磨された状
態を示したものである。

【００１２】このような定盤９の変形は、研磨中に時々
刻々変化するものであるので、理想的には、できればこ
の定盤９の変形状況を非接触のセンサにより、操業中に
計測することが望ましい。非接触でこのような形状変化
を測定する装置としては、例えばレーザを利用したもの
があるが、定盤９上には研磨パッド６や研磨液などがあ
るために、レーザのように反射光を得て測定するものの
場合には定盤９の正確な形状変化を測定できない。定盤
９自体の正確な測定を行うとすれば操業を停止して、研
磨パッド６を剥がして測定する必要がある。また、定盤
９の形状を直接測定するのではなく、放射温度計により
研磨パッド６上の温度を測定したり、回収された研磨液
温度を測定するなどして、この温度変化から定盤９の形
状変化を予測する方法が考えられているが、研磨パッド
６や研磨液は断熱性のものであるため、測定結果に遅れ
が生じ、また、水蒸気などの外乱により温度検出精度自
体が低いこともあって、定盤９の形状として精度よく推
定することは困難である。

【００１３】そこで、従来はこのような研磨中における
定盤９の形状測定は行わず、図１４に示すような変形量
曲線から定盤９の各点における熱変形を予想して、定盤
９を室温状態ではこの変形曲線を基準レベルに対して線
対称な凹面形状になるように加工しておき、昇温状態で
ブロック４に定盤９の平面状態がマッチングするように
昇温時における研磨面の温度管理をすることで、シリコ
ンウェーハ５が傾斜して研磨されることを防止してい
る。

【００１４】ところが、この定盤９の直径は１〜１．５
ｍと非常に大きいことから定盤９をねらいとする凹面形
状に仕上げるためには、多くの加工時間を要し、熟練し
た加工操作も必要なことから、定盤９の加工作業がきわ
めて繁雑になるという問題がある。また、このような加
工によって理想的な形状のものができたとしても、研磨
装置は、その使用時には一定温度の冷却水のもとで研磨
と休止とが繰り返されるのであるから、定盤９はこの研
磨と休止に伴なって変位を繰り返すことになり、結局は
高平坦度の加工には限界を来すことになる。このため、
実際に研磨したウェーハに、研磨後の検査工程で異常が
発見された際に、異常研磨の原因として定盤の変形が推
定される場合に、定盤の形状を研磨パッド６を剥がし
て、ダイヤルゲージなどにより測定し、上記のように定
盤の加工をやり直すのが現状である。

【００１５】さらに、スラスト軸受け１２には水冷ジャ
ケット１０が当接しており、この水冷ジャケット１０を
定盤９に組み付けているボルト等の緩みや伸びなどによ
って定盤９の凹面形状が経年変化することがある。この
ため定盤９の凹面形状の管理と維持のためには、凹面形
状を測定したり、修理加工したりするための時間が必要
で研磨装置の休止時間が長くなり、ウェーハ研磨の作業
効率が低下してしまうという問題がある。

【００１６】また、前記マッチングに適した定盤９の研
磨面の温度は、研磨パッド６の性状（表面状態等）が研
磨バッチ回数順に変化することや、研磨バッチ間の時間
がばらつくことなどのために、２℃〜５℃程度変化す
る。所期の研磨温度が変化すると研磨温度および定盤９
の熱変形状態が大きく変化するために、温度管理のため
の研磨材液１７の温度や供給量の調整の他に研磨時間の
調整などが必要となる。このような数多くの操業条件の
変化は、ウェーハの研磨形状を悪化させる要因となっ
て、研磨量の不均一や傾斜の発生をもたらす。

【００１７】そこで、本発明は、このような従来の問題
点に鑑みてなされたものであり、第１の目的は、非接触
で確実に精度よく定盤の形状変化を測定しながら、研磨
を行う半導体ウェーハ研磨装置を提供することであり、
第２の目的は、その測定結果に基づいて、研磨中の定盤
やブロックの状態をリアルタイムで制御することによ
り、非常に高精度の半導体ウェーハの研磨を行わせるこ
とが可能な半導体ウェーハ研磨装置を提供することであ
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記諸目的を達成するた
めの本発明は、半導体ウェーハを保持するブロックと、
該ブロックの前記半導体ウェーハを保持した側に配置さ
れる定盤と、前記ブロックを前記定盤に対して加圧する
加圧機構と、前記ブロックと前記定盤とを相対的に摺動
させる摺動駆動機構と、前記定盤を冷却する冷却機構と
を備えた研磨装置において、前記定盤の半径方向中心よ
り外周部にかけて、前記定盤上に非接触で設けられた前
記定盤の変位を測定する渦電流式変位センサと、該渦電
流式変位センサの出力から、前記定盤の変形量を算出す
る算出手段と、を有することを特徴とする半導体ウェー
ハ研磨装置。

【００１９】また本発明は、前記加圧機構に、前記算出
手段により算出された前記定盤の変形量に合わせて、前
記ブロックの中央部のみを加圧するブロック中央部加圧
手段を有することを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置
である。

【００２０】さらに本発明は、前記冷却機構に、前記算
出手段により算出された前記定盤の変形量に合わせて異
なる温度の冷却水を前記冷却機構に供給する冷却水供給
手段を有することを特徴とする請求項１または請求項２
記載の半導体ウェーハ研磨装置である。

【００２１】

【作用】上述のように構成された本発明は、渦電流式変
位センサにより定盤の変位を半導体ウェーハ研磨中に測
定し、その出力値から定盤の変形量を算出手段によって
算出することで、リアルタイムで定盤の変形量を検知す
るものである。

【００２２】渦電流式変位センサは、交流を流したコイ
ルを金属の試験体（被測定物）、本発明においては定盤
に接近させ、定盤との間の距離によってコイルのインピ
ーダンスが変化することを利用して、定盤の変位を測定
するものである。このため、定盤との間に非磁性体であ
る研磨パッドや研磨液（シリカや水など）があっても、
これらに影響されることなく直接定盤の変位を測定する
ことが可能である。

【００２３】また、本発明の半導体ウェーハ研磨装置
は、半導体ウェーハを保持したブロックの加圧機構に、
ブロック中央部加圧手段を設けたことで、研磨中にブロ
ックを変形させることを可能とし、この中央部加圧手段
による加圧量を定盤の変形量によって制御し、定盤の変
形に合わせてブロックを変形させることで、高精度な半
導体ウェーハの研磨を行うものである。

【００２４】さらに、定盤の形状を、定盤に設けられて
いる冷却機構に供給する水温を、測定した変形量に合わ
せて制御することで、高精度な半導体ウェーハの研磨を
行うものである。定盤の変形は前記従来技術において説
明したように、摩擦や反応熱によるものであるので、そ
こで、変形量を渦電流式変位センサによって測定しなが
ら、その変形を補正するように冷却水の温度を変更す
る。すなわち、定盤の冷却状態を制御することにより、
定盤の変形を補正するものである。

【００２５】

【実施例】以下、添付した図面を参照して本発明を適用
した実施例を説明する。なお、同一機能の部材について
は同一の付号を付した。

【００２６】実施例１ 図１、図２は、本発明を適用した一実施例の半導体ウェ
ーハ研磨装置の概略構成図で、図１は定盤上の概略平面
図、図２は概略側面図である。

【００２７】この半導体ウェーハ研磨装置５０には、渦
電流式変位センサが設けられている測定ヘッド６０がア
ーム５５に支えられて、定盤９の中心部から外周にかけ
て３点設けられており、定盤の変位を測定する。測定さ
れた定盤９の変位出力は、図示しない算出手段であるコ
ンピュータに送られて、定盤９の変形量として算出され
る。これにより、研磨中に時々刻々変化する定盤９の変
形状態を検知、把握することができる。なお、その他の
構成は従来と同様であり、詳細については図示しないが
本体ボディー５１内部に格納されているモータや減速機
よりなる定盤駆動機構、定盤の冷却機構、本体上部５２
内にある加圧ヘッド３の加圧機構および回転機構、およ
び研磨液を定盤上へ供給する配管や研磨液供給機構、ま
た、これらを制御するための制御装置、などを有するも
のである。なお、定盤部分の冷却ジャケットや加工ヘッ
ド部分の構造については、従来と同様で、例えば図９に
示したものと同じ構造である。

【００２８】図３は、測定ヘッド部分を説明するための
図面で、渦電流式変位センサ６１が固定治具６３下端に
固定されており、この固定治具６３はマイクロメータ６
４によって測定面までの高さｈの微調整ができるように
スライダー６２に取り付けられており、スライダー６２
は、アーム５５にネジ止めされて、適宜測定位置の移動
が可能となっている。

【００２９】ここで、渦電流式変位センサによる変位の
測定と、定盤の変形量の算出について説明する。

【００３０】図４は、渦電流式変位センサによる定盤の
変位の測定したときの電流出力と、その測定点における
マイクロメータによる測定結果を表すグラフである。こ
のグラフから、各測定点における渦電流式変位センサに
よる電流出力を、まず、定盤の変位量として距離に換算
し変位データとする。

【００３１】次いで、この変位データから定盤の変形量
を求める。定盤は、従来技術で述べたように、非常に高
精度の加工が施されており、変形するといっても極端に
うねるように変形するものではなく、研磨中の摩擦熱や
反応熱によって定盤が熱膨張するとき、定盤上面とその
下の水冷ジャケット部分との温度差によって、定盤上面
部分が伸びるのに対し、ジャケット部分は膨脹しないた
めに、凸形に変形するか、または、研磨液やリンス液
（超純水など）を流した際に、定盤上面が冷やされて収
縮した場合に凹形に変形するのが一般的である。

【００３２】図５は、渦電流式変位センサ６１によって
測定された変位データを定盤の変形量として、曲率を算
出する場合の方法を説明するための図面である。図示す
る場合には定盤が凸形に変形した状態を示す。

【００３３】本実施例では、測定ヘッドを定盤半径上
に、外周近傍位置、中心から外周に至る半径の約半分の
位置および中心位置の３点で測定を行うようにし、それ
ぞれの測定位置からの変位データをＹ１（外周近傍位
置）、Ｙ２（半径の半分の位置），Ｙ３（中心位置）と
して、まず、下記（１）式により図示する距離Ｄを求め
る。 Ｄ＝（Ｙ１＋Ｙ３）／２−Ｙ２ …（１） 次に、定盤の変形による仮想中心位置φまでの半径ｒを
下記（２）式により求める。 ｒ＝（Ｌ² ＋Ｄ² ）／２Ｄ …（２） （なお、ｒ² ＝（ｒ−Ｄ）² ＋Ｌ² である。ただし、
式中Ｌはセンサ間の距離である。） 次に、曲率ρは、この半径ｒの逆数であるので、曲率ρ
は、下記（３）式のごとくなる。

【００３４】 ρ＝１／ｒ＝２Ｄ／（ｒ−Ｄ）² …（３） 図示する場合には、凸形に変形したものを示したが凹形
に変形した場合も同様に曲率として定盤の変形量を算出
することができる。なお、前記図４に示した渦電流式変
位センサからの電流出力値とその時の変位量および上記
算出は前記コンピュータにプログラムされて自動的に行
われる。

【００３５】図６は、本実施例１の装置において、シリ
コンウェーハを研磨しながら定盤の変位を測定したグラ
フである。測定位置は、定盤外周部近傍のＹ１および定
盤半径のほぼ半分の位置Ｙ２の２点である（図１参
照）。

【００３６】このグラフからわかるように、研磨が進む
につれて（研磨時間が進む）、次第に、定盤外周部近傍
のＹ１が下に下がってきており、さらに時間が経過する
とＹ２部分において定盤が上に上がってくる。これは、
初期状態において、定盤が凹形をしており、熱膨張によ
って平面状態となり、時間経過によりさらに熱膨張する
ことによりＹ２部分で定盤が膨らんで、全体としては凸
形状となってくることを示している。なお、このグラフ
は、初期状態における各センサの状態を変位０としてい
る。

【００３７】以上のように定盤の変位を測定して、変形
量を算出することにより、研磨中における定盤の変形量
を正確に知ることが可能となる。また、研磨中に定盤の
変位を測定することで、定盤の面ぶれや異常なども検出
することが可能となる。

【００３８】このように定盤の形状変化をリアルタイム
で検知することが可能となるので、この検知した定盤の
変形量に基づき、定盤の温度制御を行うことにより定盤
の変形を補正することができる。例えば、定盤温度が上
昇している最中、すなわち、定盤上面の温度が高くなっ
て、ジャケット部分との温度差によって変形している場
合には、冷却機構に供給する冷却水の温度を冷却水供給
手段により上昇させ、水冷ジャケット自体も熱膨張させ
ることにより定盤を平面に保つことができる。また、こ
れとは逆に、定盤上面の温度を下げるために研磨液の供
給量を増やすことによって、定盤を冷やすことで、変形
を補正することができる。従来であれば、このような定
盤の温度制御は、単に定盤温度を測定して、ある狙い目
温度に合わせて行っていたものであるが、本発明を適用
することにより、定盤が実際に変形した量に基づいて、
制御することが可能となる。

【００３９】また、定盤は、従来技術でも述べたよう
に、常温では凹形にそった形状となっており、これが研
磨熱によって膨脹した時点で平面となるように加工され
ているので、研磨休止中に定盤温度が下がると、凹形と
なり、次の研磨に移る際に定盤が平坦でなくなるので、
操業中は、研磨を行っていなくても定盤を予熱するので
あるが、従来は、単に温度管理によって、平面になる設
計温度（通常は３５〜４０℃）となるように、温水を定
盤上に供給していただけで、定盤が実際に平面になって
いるかどうかは確認されていなかった。本発明を適用し
た半導体ウェーハ研磨装置では、この予熱の際にも定盤
の変形量を測定することで、定盤が平面となったことを
確認しながら供給する温水の温度や量を制御し、予熱を
行うことで、より正確な定盤の平面度を確保し、高精度
のウェーハ研磨をすることができる。

【００４０】実施例２ 次に、本発明のよる他の実施例について説明する。

【００４１】この実施例は、加圧ヘッド３内部に、空気
加圧によるブロック中央部加圧手段を設け、研磨中ブロ
ックの形状を変化させることができるようにした半導体
ウェーハ研磨装置である。なお、その他の構造について
は前記実施例１と同様であり、定盤上にはその変位を測
定する渦電流式変位センサが設けられている。

【００４２】図７は、この半導体ウェーハ研磨装置の加
圧ヘッド部分の概略断面図であり、加工ヘッド３内部に
は、加圧室３１が設けられており、回転軸１内部を貫通
した配管３２によって空気が供給されて、ブロック４中
央部のみを加圧することによりブロック４を変形させる
ものである。

【００４３】これにより、研磨の初期状態では、定盤が
未だ暖まっていないので、図８に示すように定盤が凹形
にそっているので、この状態を渦電流式変位センサ６１
によって測定し、測定した定盤の凹形形状に合わせて、
加圧室３１内に空気を送りブロック４を変形させる。研
磨が始まると次第に定盤が熱膨張して、平面になってく
るが、このときにも渦電流式変位センサ６１による変位
の測定から定盤９の変形量を検知し、その変形量の変化
にともない加圧室３１内に送る空気の圧力を低下させる
ことで、ブロック４を平坦な状態に戻して行く（図７参
照）。したがって、研磨の初期状態から、高平坦度のウ
ェーハの研磨を行うことが可能となる。

【００４４】なお、実施例１、２においては、渦電流式
変位センサを定盤上に３点設置しているが、この測定点
については３点に限られることなく、さらに多くの測定
点を設けることで、より高精度の定盤の形状を把握する
ことが可能となる。また、一つの測定ヘッドを定盤半径
方向に移動させることによって、定盤の形状測定を行っ
てもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
ェーハ研磨装置は、研磨中にリアルタイムで定盤の形状
を測定、把握することができるので、定盤を平坦にする
ための温度制御を効率よく行うことができ、半導体ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上することができる。また、ウ
ェーハを保持しているブロックを定盤の変位に合せて変
形させることにより、研磨初期から高平坦度、高精度の
研磨を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明を適用した一実施例の半導体ウェーハ
研磨装置定盤上の概略平面図である。

【図２】 本発明を適用した一実施例の半導体ウェーハ
研磨装置の概略側面図である。

【図３】 本発明を適用した一実施例の半導体ウェーハ
研磨装置の測定ヘッド部分の拡大図である。

【図４】 渦電流式変位センサの電流出力とマイクロメ
ータの実測値を示すグラフである。

【図５】 定盤の変形量算出方法を説明するための図面
である。

【図６】 本発明を適用した一実施例の半導体ウェーハ
研磨装置による定盤の変位測定結果を示すグラフであ
る。

【図７】 本発明を適用した他の実施例による半導体ウ
ェーハ研磨装置の加圧ヘッド部分の拡大断面図である。

【図８】 本発明を適用した他の実施例による半導体ウ
ェーハ研磨装置の加圧ヘッド部分の研磨初期状態を示す
拡大断面図である。

【図９】 半導体ウェーハ研磨装置の加工ヘッドと定盤
の一部をしめす断面図である。

【図１０】 ブロック上に装着された半導体ウェーハの
配置状態を示す図である。

【図１１】 水冷ジャケット内の平面図である。

【図１２】 半導体ウェーハ研磨装置による研磨過程に
おいる定盤の熱変形状態を誇張して示す要部断面図であ
る。

【図１３】 図１２に示した状態の定盤上で研磨された
半導体ウェーハの断面を示す図である。

【図１４】 定盤の変形量を示す図面である。

【符号の説明】

１…加圧軸、 ３…加圧ヘッド、４…ブロック、
５…シリコンウェーハ、６…研磨パッド、 ９
…定盤、１０…水冷ジャケット、１１…水冷部、１２…
スラスト軸受け、１３…架台、１６…回転軸、 ３
１…圧力室、３２…空気配管、 ５０…半導体ウェー
ハ研磨装置、５５…アーム、 ６０…測定ヘッド、
６１…渦電流式変位センサ。

【手続補正書】

【提出日】平成６年８月３１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】この定盤９の熱膨張による変形は、一般に
下面側に熱変形する。図１２はこの状態を誇張して示し
たものであり、図１３は、熱変形にともないシリコンウ
ェーハ５がブロック４の中心側に傾斜して研磨された状
態を示したものである。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】さらに、スラスト軸受け１２には水冷ジャ
ケット１０が当接しており、この水冷ジャケット１０を
定盤９に組み付けているボルト等の緩みや伸びなどによ
って定盤９の凹面形状が経年変化することがある。この
ため定盤９の凹面形状の管理と維持のためには、凹面形
状を測定したり、修正加工したりするための時間が必要
で研磨装置の休止時間が長くなり、ウェーハ研磨の作業
効率が低下してしまうという問題がある。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】 半導体ウェーハ研磨装置の加工ヘッドと定盤
の一部を示す断面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 知明 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 柳川 眞一郎 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハを保持するブロックと、
   該ブロックの前記半導体ウェーハを保持した側に配置さ
   れる定盤と、前記ブロックを前記定盤に対して加圧する
   加圧機構と、前記ブロックと前記定盤とを相対的に摺動
   させる摺動駆動機構と、前記定盤を冷却する冷却機構と
   を備えた研磨装置において、 前記定盤の半径方向中心より外周部にかけて、前記定盤
   上に非接触で設けられた前記定盤の変位を測定する渦電
   流式変位センサと、 該渦電流式変位センサの出力から、前記定盤の変形量を
   算出する算出手段と、を有することを特徴とする半導体
   ウェーハ研磨装置。
2. 【請求項２】 前記加圧機構に、前記算出手段により算
   出された前記定盤の変形量に合わせて、前記ブロックの
   中央部のみを加圧するブロック中央部加圧手段を有する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ研磨装
   置。
3. 【請求項３】 前記冷却機構に、前記算出手段により算
   出された前記定盤の変形量に合わせて異なる温度の冷却
   水を前記冷却機構に供給する冷却水供給手段を有するこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体ウ
   ェーハ研磨装置。