JP5122854B2 - デバイスの研削方法 - Google Patents
デバイスの研削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5122854B2 JP5122854B2 JP2007105461A JP2007105461A JP5122854B2 JP 5122854 B2 JP5122854 B2 JP 5122854B2 JP 2007105461 A JP2007105461 A JP 2007105461A JP 2007105461 A JP2007105461 A JP 2007105461A JP 5122854 B2 JP5122854 B2 JP 5122854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- devices
- chuck table
- thickness
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/977—Thinning or removal of substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Description
該チャックテーブル上に該保護部材を介して保持された複数のデバイスにおける所定のデバイスが回転する回転軌跡の直上に非接触式の厚み計測器の計測部を位置付け、該非接触式の厚み計測器によって回転する所定のデバイスが所定回転する毎に所定のデバイスの厚みを計測しつつ研削手段によって該複数のデバイスの裏面を研削し、該非接触式の厚み計測器によって計測された所定のデバイスの厚みが所定の厚みに達したとき、研削手段による研削を終了する、
ことを特徴とするデバイスの研削方法が提供される。
図1には、本発明によるデバイスの研削方法を実施するための研削装置1の斜視図が示されている。図1に示す研削装置1は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
図2に示す非接触式の厚み計測器8は、上記カバー部材72に配設された筒状の計測ケース81を具備している、この筒状の計測ケース81は、垂直に立設され下端に開口811aを備えた支持部811と、支持部811の上端から水平の伸びる該水平部812と、該水平部812の端部から下方に延び下端に開口813aを備えた計測部813とからなっており、支持部811が上記カバー部材72に回動可能に支持されている。なお、支持部811は、図示しない回動駆動手段によって回動せしめられるように構成されている。従って、筒状の計測ケース81は、図示しない回動駆動手段によって支持部811を回動することにより、計測部813が支持部811を中心として揺動せしめられる。
図3には、複数のデバイス10が保護部材11の表面に貼着された斜視図が示されている。このデバイス10は、例えば厚みが700μmのシリコンウエーハの表面に形成された複数のデバイスを切断することによって製作され、テスターによって品質検査された結果同一の等級に選定されたものである。このような複数のデバイス10は、回路等が形成された表面を保護部材11の上面に貼着する(デバイス支持工程)。従って、複数のデバイス10は、裏面101が上側となる。
複数のデバイス10を保持したチャックテーブル71は、上述したように300rpmの回転速度で回転しているので、1秒間に5回転することになる。従って、所定の回転軌跡に沿って回転する所定のデバイス10aは、1秒間に5回非接触式の非接触式の厚み計測器8の筒状の計測ケース81を構成する計測部813の直下を通過することになる。そこで、制御手段9は、非接触式の厚み計測器8を構成する超音波発振手段85および反射波受信手段87を作動し、超音波発振手段85から1秒間に1回パルス超音波を発振する。従って、制御手段9は、チャックテーブル71が5回転する毎に1回反射波受信手段87によって受信した受信信号を読み込むことになる。
3:研削ユニット
31:移動基台
4:スピンドルユニット
41:スピンドルハウジング
42:回転スピンドル
43: サーボモータ
44: ホイールマウント
5:研削ホイール
51:砥石基台
52:研削砥石
6:研削ユニット送り機構
64:パルスモータ
7:チャックテーブル機構
71:チャックテーブル
8:非接触式の厚み計測器
81:筒状の計測ケース
82:超音波送波器
83:反射波受波器
85:超音波発振手段
87:反射波受信手段
88:流体供給手段
9:制御手段
10:デバイス
11:保護部材
Claims (1)
- ウエーハが個々のデバイスに分割された複数のデバイスの表面を上面に貼着して支持した保護部材の下面を研削装置のチャックテーブル上に保持し、該チャックテーブルを回転しつつ該チャックテーブル上に該保護部材を介して保持された複数のデバイスの裏面を研削手段によって研削して複数のデバイスを所定の厚みに形成するデバイスの研削方法であって、
該チャックテーブル上に該保護部材を介して保持された複数のデバイスにおける所定のデバイスが回転する回転軌跡の直上に非接触式の厚み計測器の計測部を位置付け、該非接触式の厚み計測器によって回転する所定のデバイスが所定回転する毎に所定のデバイスの厚みを計測しつつ研削手段によって該複数のデバイスの裏面を研削し、該非接触式の厚み計測器によって計測された所定のデバイスの厚みが所定の厚みに達したとき、研削手段による研削を終了する、
ことを特徴とするデバイスの研削方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007105461A JP5122854B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | デバイスの研削方法 |
US12/078,733 US7713106B2 (en) | 2007-04-13 | 2008-04-03 | Device grinding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007105461A JP5122854B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | デバイスの研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008263096A JP2008263096A (ja) | 2008-10-30 |
JP5122854B2 true JP5122854B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=39854146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007105461A Active JP5122854B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | デバイスの研削方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7713106B2 (ja) |
JP (1) | JP5122854B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009010019B4 (de) * | 2009-02-21 | 2012-05-31 | Jos. Schneider Optische Werke Gmbh | Verfahren zum berührungslosen Messen der Topographie |
JP6261967B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2018-01-17 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6295146B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-03-14 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP6388545B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2018-09-12 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
JP6765926B2 (ja) * | 2016-10-07 | 2020-10-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6707292B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-06-10 | 株式会社ディスコ | 積層チップの製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08170911A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Shibayama Kikai Kk | 半導体チップの計測方法及び研削方法 |
JPH10199951A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの研磨面位置測定装置 |
JP3303963B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2002-07-22 | 株式会社東京精密 | ウェーハの厚み加工量測定装置 |
US6301009B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-10-09 | Zygo Corporation | In-situ metrology system and method |
JP4615095B2 (ja) | 2000-06-08 | 2011-01-19 | 株式会社ディスコ | チップの研削方法 |
JP3832198B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2006-10-11 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハの研磨終点検出方法ならびにその装置 |
JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
TWI241674B (en) * | 2001-11-30 | 2005-10-11 | Disco Corp | Manufacturing method of semiconductor chip |
JP4451111B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
JP2005332982A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340718A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨パッド及び化学機械研磨装置 |
JP2006038744A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 厚み計測器及び研削装置 |
-
2007
- 2007-04-13 JP JP2007105461A patent/JP5122854B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-03 US US12/078,733 patent/US7713106B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7713106B2 (en) | 2010-05-11 |
JP2008263096A (ja) | 2008-10-30 |
US20080254715A1 (en) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5122854B2 (ja) | デバイスの研削方法 | |
US8592717B2 (en) | Method of dividing a workpiece having an uneven surface | |
US7462094B2 (en) | Wafer grinding method | |
JP2009050944A (ja) | 基板の厚さ測定方法および基板の加工装置 | |
US10714353B2 (en) | Planarization method | |
US10755946B2 (en) | Method for producing a wafer from a hexagonal single crystal ingot by applying a laser beam to form a first production history, an exfoliation layer, and a second production history | |
JP2009113149A (ja) | 研削装置 | |
KR102234882B1 (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
US20120088354A1 (en) | Workpiece dividing method | |
JP2010199227A (ja) | 研削装置 | |
CN107520976B (zh) | 切削方法和切削装置 | |
JP2008124292A (ja) | 加工装置のウエーハ位置調整治具 | |
KR20160125303A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR102546465B1 (ko) | 절삭 장치 및 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
WO2007099787A1 (ja) | ウェーハ加工方法 | |
JP2011224758A (ja) | 研磨方法 | |
JP5917850B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US11400563B2 (en) | Processing method for disk-shaped workpiece | |
CN101325178B (zh) | 切削装置 | |
JP2007199013A (ja) | 厚さ計測装置および研削装置 | |
JP5139769B2 (ja) | 研削装置 | |
JP5731806B2 (ja) | 研削装置 | |
JP5133046B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP2014008538A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121025 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5122854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |