JP2001085359A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2001085359A JP2001085359A JP26200699A JP26200699A JP2001085359A JP 2001085359 A JP2001085359 A JP 2001085359A JP 26200699 A JP26200699 A JP 26200699A JP 26200699 A JP26200699 A JP 26200699A JP 2001085359 A JP2001085359 A JP 2001085359A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシングにより発生する樹脂残滓のため
に、外観不良や電気的接触不良を生じることのない半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 １枚のプリント基板２２に搭載された複
数の半導体装置３２が一括してモールディングされた
後、ダイシングにより１個ずつの半導体装置３２に分割
される。半導体装置３２は、樹脂残滓が付着したプリン
ト基板２２の側が処理台３８に配置される。処理台３８
には粘着テープ４０が取付けられており、半導体装置３
２が粘着テープ４０に当接すると、樹脂残滓が粘着テー
プ４０に転写して粘着され、半導体装置３２から剥離さ
れる。
に、外観不良や電気的接触不良を生じることのない半導
体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 １枚のプリント基板２２に搭載された複
数の半導体装置３２が一括してモールディングされた
後、ダイシングにより１個ずつの半導体装置３２に分割
される。半導体装置３２は、樹脂残滓が付着したプリン
ト基板２２の側が処理台３８に配置される。処理台３８
には粘着テープ４０が取付けられており、半導体装置３
２が粘着テープ４０に当接すると、樹脂残滓が粘着テー
プ４０に転写して粘着され、半導体装置３２から剥離さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多数のチップを一
括してモールディングした後、ダイシングを行う半導体
装置の製造方法に関する。
括してモールディングした後、ダイシングを行う半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの実装性の向上等を
目的として、パッケージの小型化が図られており、その
一種のパッケージ構造としてＣＳＰ（chip size pack
age ）が提案されている。このＣＳＰには多様な内部構
造を有するものがあるが、いずれの場合も基本的には、
実装端子が設けられた複数のチップ（半導体装置）を一
括してモールディングを行った後、ダイシングを行って
製造される構成とされており、これにより、生産能率を
高めることができる。
目的として、パッケージの小型化が図られており、その
一種のパッケージ構造としてＣＳＰ（chip size pack
age ）が提案されている。このＣＳＰには多様な内部構
造を有するものがあるが、いずれの場合も基本的には、
実装端子が設けられた複数のチップ（半導体装置）を一
括してモールディングを行った後、ダイシングを行って
製造される構成とされており、これにより、生産能率を
高めることができる。
【０００３】このときのダイシング方式としては、一般
にダイシングソー方式が採用される。このダイシングソ
ー方式は、ウエット法あるいはドライ法があるが、いず
れの場合もブレード（切削刃）を高速回転させながら、
ダイシング処理を行うものである。
にダイシングソー方式が採用される。このダイシングソ
ー方式は、ウエット法あるいはドライ法があるが、いず
れの場合もブレード（切削刃）を高速回転させながら、
ダイシング処理を行うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たチップを一括してモールドする半導体装置の製造方法
において実施されるダイシング処理は、モールディング
された樹脂を切断する特殊性を有している。このため、
ダイシングの際に樹脂残滓が発生し、パッケージの特に
ダイシング位置近傍にこびりついてしまう。この樹脂残
滓が半導体装置の周辺に付着したままの状態であると、
外観上好ましくない。また、樹脂残滓が端子等に付着す
ると、電気的接触不良の原因となるおそれもある。
たチップを一括してモールドする半導体装置の製造方法
において実施されるダイシング処理は、モールディング
された樹脂を切断する特殊性を有している。このため、
ダイシングの際に樹脂残滓が発生し、パッケージの特に
ダイシング位置近傍にこびりついてしまう。この樹脂残
滓が半導体装置の周辺に付着したままの状態であると、
外観上好ましくない。また、樹脂残滓が端子等に付着す
ると、電気的接触不良の原因となるおそれもある。
【０００５】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、ダイシングにより発生する樹脂残滓のために、
外観不良や電気的接触不良を生じることのない半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
であり、ダイシングにより発生する樹脂残滓のために、
外観不良や電気的接触不良を生じることのない半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、実装端子を有する基板に配設された複数
の半導体素子に対し、該実装端子を露出させた状態で一
括してモールディングして樹脂パッケージを形成した
後、ダイシングを行って個別化する工程を有する半導体
装置の製造方法において、ダイシングにより発生した樹
脂残滓を粘着テープに付着させて除去する工程を設けた
ことを特徴とし（請求項１に係る発明）、また、本発明
に係る半導体装置の製造方法は、実装端子を露出させた
状態でモールディングされているウエハをダイシングに
より個別化する工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、ダイシングにより発生した樹脂残滓を粘着テープ
に付着させて除去する工程を設けたことを特徴とする
（請求項２に係る発明）。
の製造方法は、実装端子を有する基板に配設された複数
の半導体素子に対し、該実装端子を露出させた状態で一
括してモールディングして樹脂パッケージを形成した
後、ダイシングを行って個別化する工程を有する半導体
装置の製造方法において、ダイシングにより発生した樹
脂残滓を粘着テープに付着させて除去する工程を設けた
ことを特徴とし（請求項１に係る発明）、また、本発明
に係る半導体装置の製造方法は、実装端子を露出させた
状態でモールディングされているウエハをダイシングに
より個別化する工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、ダイシングにより発生した樹脂残滓を粘着テープ
に付着させて除去する工程を設けたことを特徴とする
（請求項２に係る発明）。
【０００７】ここで、樹脂残滓とは、ダイシング時に発
生する樹脂の切削屑（切削かす）等がブレードとの摩擦
熱により一部軟化溶融してパッケージのダイシング位置
近傍にこびりついたものをいう。これにより、簡易な方
法で確実に樹脂残滓が除去され、ダイシングにより発生
する樹脂残滓が半導体装置に付着したままの状態となる
ことがなく、したがって外観不良を生じることがない。
また、樹脂残滓が端子等に付着して電気的接触不良の原
因となるおそれが解消される。
生する樹脂の切削屑（切削かす）等がブレードとの摩擦
熱により一部軟化溶融してパッケージのダイシング位置
近傍にこびりついたものをいう。これにより、簡易な方
法で確実に樹脂残滓が除去され、ダイシングにより発生
する樹脂残滓が半導体装置に付着したままの状態となる
ことがなく、したがって外観不良を生じることがない。
また、樹脂残滓が端子等に付着して電気的接触不良の原
因となるおそれが解消される。
【０００８】この場合、前記粘着テープとしてＵＶテー
プを用い、該ＵＶテープに樹脂残滓を付着させた後、Ｕ
ＶテープをＵＶ硬化させる処理を含むと（請求項３に係
る発明）、ＵＶテープの粘着剤が固化することにより、
半導体装置をＵＶテープから引き離すときにＵＶテープ
に樹脂残滓を確実に残存、保持させることができ、ま
た、ＵＶテープの粘着性が失われるため、樹脂残滓を除
去した後の半導体装置をＵＶテープから容易に剥離する
ことができる。さらに、ＵＶ硬化の過程においてＵＶテ
ープが収縮することにより、半導体装置に付着した樹脂
残滓を引き剥がしあるいは擦り取る力も作用するため、
除去を確実に行うことができる。
プを用い、該ＵＶテープに樹脂残滓を付着させた後、Ｕ
ＶテープをＵＶ硬化させる処理を含むと（請求項３に係
る発明）、ＵＶテープの粘着剤が固化することにより、
半導体装置をＵＶテープから引き離すときにＵＶテープ
に樹脂残滓を確実に残存、保持させることができ、ま
た、ＵＶテープの粘着性が失われるため、樹脂残滓を除
去した後の半導体装置をＵＶテープから容易に剥離する
ことができる。さらに、ＵＶ硬化の過程においてＵＶテ
ープが収縮することにより、半導体装置に付着した樹脂
残滓を引き剥がしあるいは擦り取る力も作用するため、
除去を確実に行うことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例とい
う。）について、ＣＳＰ（chip size package ）タイ
プの半導体装置を例にとって、図を参照して、以下に説
明する。まず、実装端子を有する基板に配設された複数
の半導体チップ（半導体素子）に対し、実装端子を露出
させた状態で一括してモールディングして樹脂パッケー
ジを形成した後、ダイシングを行って分割（個別化）す
る工程について説明する。
法の好適な実施の形態（以下、本実施の形態例とい
う。）について、ＣＳＰ（chip size package ）タイ
プの半導体装置を例にとって、図を参照して、以下に説
明する。まず、実装端子を有する基板に配設された複数
の半導体チップ（半導体素子）に対し、実装端子を露出
させた状態で一括してモールディングして樹脂パッケー
ジを形成した後、ダイシングを行って分割（個別化）す
る工程について説明する。
【００１０】不純物導入、パターン形成および薄膜形成
の一連の過程からなるウエハプロセスが完了すると、ウ
エハ内に多数形成された半導体チップ（以下、単にチッ
プという。）を１個ずつ分割する通常のダイシングが以
下の手順で行われる。図１に示すように、ウエハ１０を
粘着テープ１２に貼り、これをフレームリング１４に固
定した状態で図示しないダイシング装置に取付ける。そ
して、例えば、ダイシングソー方式により、純水１６を
かけながら、ダイヤモンド粉末をメタルホイールの先端
に燒結したブレード１８を、例えば、５０００ｒｐｍ〜
６００００ｒｐｍの回転速度で高速回転させることによ
りウエハ１０を切断する。
の一連の過程からなるウエハプロセスが完了すると、ウ
エハ内に多数形成された半導体チップ（以下、単にチッ
プという。）を１個ずつ分割する通常のダイシングが以
下の手順で行われる。図１に示すように、ウエハ１０を
粘着テープ１２に貼り、これをフレームリング１４に固
定した状態で図示しないダイシング装置に取付ける。そ
して、例えば、ダイシングソー方式により、純水１６を
かけながら、ダイヤモンド粉末をメタルホイールの先端
に燒結したブレード１８を、例えば、５０００ｒｐｍ〜
６００００ｒｐｍの回転速度で高速回転させることによ
りウエハ１０を切断する。
【００１１】ついで、図２に示すように、分割された複
数のチップ２０を、１枚のプリント基板（基板）２２に
搭載し、さらに、プリント基板２２の裏面に実装端子と
なるはんだバンプ（はんだボール）２４を設ける。この
場合、複数のチップ２０はプリント基板２２上に近接し
て配設され、１個のチップ２０に対応するプリント基板
２２の寸法は１個のチップ２０の寸法とほぼ同一とされ
ている。ここで、プリント基板２２に代えてＴＡＢテー
プ等を用いてもよい。
数のチップ２０を、１枚のプリント基板（基板）２２に
搭載し、さらに、プリント基板２２の裏面に実装端子と
なるはんだバンプ（はんだボール）２４を設ける。この
場合、複数のチップ２０はプリント基板２２上に近接し
て配設され、１個のチップ２０に対応するプリント基板
２２の寸法は１個のチップ２０の寸法とほぼ同一とされ
ている。ここで、プリント基板２２に代えてＴＡＢテー
プ等を用いてもよい。
【００１２】ついで、図３に示すように、複数のチップ
２０を一括してモールディングする。モールディングは
定法により行い、例えば、モールド用の樹脂としてエポ
キシ系の複合材料を用いて、モールド部２６を形成す
る。ついで、図４に示すように、モールディングされた
複数のチップ２０に対して、ダイシングを行って１個ず
つのチップ２０（半導体装置３２）に分割する。すなわ
ち、ダイシングソーを用い、例えば、５０００ｒｐｍ〜
６００００ｒｐｍの回転速度でブレード２８を高速回転
させながらダイシングを行う。このとき、純水をかけな
がら行ってもよく（ウエット法）、また、純水をかける
ことなく行ってもよい（ドライ法）。切削方向について
は、図４（ａ）に示すように、チップ２０をモールド部
２６の側から切削してもよく、また、これとは逆に、図
４（ｂ）に示すように、モールド部２６を下にして粘着
テープ３０に貼り、ダイシングフレーム３２によって固
定した状態で、プリント基板２２の側から切削してもよ
い。これにより、図５に示すように、モールディングさ
れたチップ２０は１個ずつ分割され、半導体装置３２と
される。
２０を一括してモールディングする。モールディングは
定法により行い、例えば、モールド用の樹脂としてエポ
キシ系の複合材料を用いて、モールド部２６を形成す
る。ついで、図４に示すように、モールディングされた
複数のチップ２０に対して、ダイシングを行って１個ず
つのチップ２０（半導体装置３２）に分割する。すなわ
ち、ダイシングソーを用い、例えば、５０００ｒｐｍ〜
６００００ｒｐｍの回転速度でブレード２８を高速回転
させながらダイシングを行う。このとき、純水をかけな
がら行ってもよく（ウエット法）、また、純水をかける
ことなく行ってもよい（ドライ法）。切削方向について
は、図４（ａ）に示すように、チップ２０をモールド部
２６の側から切削してもよく、また、これとは逆に、図
４（ｂ）に示すように、モールド部２６を下にして粘着
テープ３０に貼り、ダイシングフレーム３２によって固
定した状態で、プリント基板２２の側から切削してもよ
い。これにより、図５に示すように、モールディングさ
れたチップ２０は１個ずつ分割され、半導体装置３２と
される。
【００１３】このダイシングの際、切削された樹脂残滓
（樹脂屑）が切削時のブレード１８との摩擦熱によって
一部軟化溶融する等によってチップ２０にこびりつくよ
うに付着し、残存する状態が発生する。この樹脂残滓
は、図４（ａ）のダイシングの場合は、プリント基板２
２のはんだバンプ２４の形成された側の面の端部（図５
中強調して示すＡ部）にはんだバンプ２４を囲うように
して付着し（図５の裏面図参照）、一方、図４（ｂ）の
ダイシングの場合は、モールド部２６の上面の端部（図
５中強調して示すＢ部）に付着する。なお、前者の場合
は、プリント基板２２の切削屑が樹脂残滓に混入する。
（樹脂屑）が切削時のブレード１８との摩擦熱によって
一部軟化溶融する等によってチップ２０にこびりつくよ
うに付着し、残存する状態が発生する。この樹脂残滓
は、図４（ａ）のダイシングの場合は、プリント基板２
２のはんだバンプ２４の形成された側の面の端部（図５
中強調して示すＡ部）にはんだバンプ２４を囲うように
して付着し（図５の裏面図参照）、一方、図４（ｂ）の
ダイシングの場合は、モールド部２６の上面の端部（図
５中強調して示すＢ部）に付着する。なお、前者の場合
は、プリント基板２２の切削屑が樹脂残滓に混入する。
【００１４】つぎに、本発明に係る上記ダイシングによ
り発生した樹脂残滓を除去する工程について、２つの方
法を説明する。まず、第１の方法は、図６に示すよう
に、図４（ａ）のダイシングにより分割された複数の半
導体装置３２を所定の個数一括して樹脂残滓を除去処理
するために、吸着装置３４により半導体装置３２をモー
ルド部２６の側から真空吸引、吸着して、除去処理設備
に搬送する。
り発生した樹脂残滓を除去する工程について、２つの方
法を説明する。まず、第１の方法は、図６に示すよう
に、図４（ａ）のダイシングにより分割された複数の半
導体装置３２を所定の個数一括して樹脂残滓を除去処理
するために、吸着装置３４により半導体装置３２をモー
ルド部２６の側から真空吸引、吸着して、除去処理設備
に搬送する。
【００１５】そして、図７に示すように、除去処理設備
には、半導体装置３２の寸法よりわずかに小さい寸法の
複数の凹部３６が所定の間隔で表面３８ａに形成された
処理台３８が設けられており、処理台３８の表面３８ａ
には粘着テープ４０が粘着面を図７中上方に向けて取付
けられている。搬送された半導体装置３２は、吸着装置
３４の真空吸引が停止されて吸着が解除され、はんだバ
ンプ２４を下方に向けて、プリント基板２２の端部２２
ａが凹部３６の頂端部３６ａに支えられるように配置さ
れる。この場合、吸着装置３４を加圧状態として、半導
体装置３２を粘着テープ４０に押しつけるようにしても
よい。ここで、処理台３８に凹部３６を形成したのは、
プリント基板２２から突設されたはんだバンプ２４が処
理台３８の表面３８ａに当接して処理の支障となること
を避けるためである。また、この場合、粘着テープ４０
は、図７に示すように、凹部３６を含め処理台３８の表
面３８ａの全面に設けてもよく、また、プリント基板２
２の端部２２ａに対応する凹部３６の頂端部３６ａにの
み設けてもよい。
には、半導体装置３２の寸法よりわずかに小さい寸法の
複数の凹部３６が所定の間隔で表面３８ａに形成された
処理台３８が設けられており、処理台３８の表面３８ａ
には粘着テープ４０が粘着面を図７中上方に向けて取付
けられている。搬送された半導体装置３２は、吸着装置
３４の真空吸引が停止されて吸着が解除され、はんだバ
ンプ２４を下方に向けて、プリント基板２２の端部２２
ａが凹部３６の頂端部３６ａに支えられるように配置さ
れる。この場合、吸着装置３４を加圧状態として、半導
体装置３２を粘着テープ４０に押しつけるようにしても
よい。ここで、処理台３８に凹部３６を形成したのは、
プリント基板２２から突設されたはんだバンプ２４が処
理台３８の表面３８ａに当接して処理の支障となること
を避けるためである。また、この場合、粘着テープ４０
は、図７に示すように、凹部３６を含め処理台３８の表
面３８ａの全面に設けてもよく、また、プリント基板２
２の端部２２ａに対応する凹部３６の頂端部３６ａにの
み設けてもよい。
【００１６】半導体装置３２が粘着テープ４０に当接す
ると、プリント基板２２の端部２２ａに付着した樹脂残
滓が粘着テープ４０に転写して粘着され、半導体装置３
２から剥離される。なお、樹脂残滓が除去された半導体
装置３２は再び吸着装置３４により吸着され、次工程に
搬送される。上記第１の樹脂残滓除去方法によれば、ダ
イシングにより発生する樹脂残滓が半導体装置３２に付
着したままの状態となることがなく、したがって外観不
良を生じることがない。また、樹脂残滓が端子等の電気
的接触不良の原因となるおそれが解消される。なお、本
実施例のように半導体装置３２とほぼ同一寸法に外周面
を全てダイシングする場合は、半導体装置３２の1 個当
たりの樹脂残滓の発生量が多くなるため、本発明の効果
を特に好適に得ることができる。
ると、プリント基板２２の端部２２ａに付着した樹脂残
滓が粘着テープ４０に転写して粘着され、半導体装置３
２から剥離される。なお、樹脂残滓が除去された半導体
装置３２は再び吸着装置３４により吸着され、次工程に
搬送される。上記第１の樹脂残滓除去方法によれば、ダ
イシングにより発生する樹脂残滓が半導体装置３２に付
着したままの状態となることがなく、したがって外観不
良を生じることがない。また、樹脂残滓が端子等の電気
的接触不良の原因となるおそれが解消される。なお、本
実施例のように半導体装置３２とほぼ同一寸法に外周面
を全てダイシングする場合は、半導体装置３２の1 個当
たりの樹脂残滓の発生量が多くなるため、本発明の効果
を特に好適に得ることができる。
【００１７】つぎに、第２の方法は、図４（ｂ）のダイ
シングにより分割された複数の半導体装置３２を所定の
個数一括して樹脂残滓を除去処理するものであり、図８
に示すように、はんだバンプ２４の設けられた側から半
導体装置３２を角錐コレット４２で吸着して、処理台４
４まで搬送する。なお、この場合、１個の半導体装置３
２を個別に処理する形態を例示している。処理台４４は
ガラス製であり、平滑な表面４４ａにＵＶテープ４６が
粘着面を上方に向けて取付けられている。
シングにより分割された複数の半導体装置３２を所定の
個数一括して樹脂残滓を除去処理するものであり、図８
に示すように、はんだバンプ２４の設けられた側から半
導体装置３２を角錐コレット４２で吸着して、処理台４
４まで搬送する。なお、この場合、１個の半導体装置３
２を個別に処理する形態を例示している。処理台４４は
ガラス製であり、平滑な表面４４ａにＵＶテープ４６が
粘着面を上方に向けて取付けられている。
【００１８】図８左側に示すように、半導体装置３２の
モールド部２６の上面（図８では下方に位置する。）が
ＵＶテープ４６に当接すると、モールド部に付着した樹
脂残滓が粘着テープに転写して粘着される。ついで、図
８右側に示すように、処理台４４の下方からＵＶ線（紫
外線）４８を照射すると、ＵＶテープ４６が収縮しなが
ら固化するため、樹脂残滓が半導体装置３２から擦り取
られるように剥離するとともに、半導体装置３２をＵＶ
テープ４６から引き離すときに樹脂残滓が半導体装置３
２に再付着することなく、確実にＵＶテープ４６に残存
し、保持される。そして、半導体装置３２をＵＶテープ
４６から引き離すことにより、半導体装置３２から樹脂
残滓が確実に剥離される。このとき、ＵＶテープ４６の
粘着性が失われているため、半導体装置３２とＵＶテー
プ４６とが容易に分離される。なお、接着後硬化される
タイプの接着テープであれば、ＵＶテープ４６に限るこ
となく適用できる。
モールド部２６の上面（図８では下方に位置する。）が
ＵＶテープ４６に当接すると、モールド部に付着した樹
脂残滓が粘着テープに転写して粘着される。ついで、図
８右側に示すように、処理台４４の下方からＵＶ線（紫
外線）４８を照射すると、ＵＶテープ４６が収縮しなが
ら固化するため、樹脂残滓が半導体装置３２から擦り取
られるように剥離するとともに、半導体装置３２をＵＶ
テープ４６から引き離すときに樹脂残滓が半導体装置３
２に再付着することなく、確実にＵＶテープ４６に残存
し、保持される。そして、半導体装置３２をＵＶテープ
４６から引き離すことにより、半導体装置３２から樹脂
残滓が確実に剥離される。このとき、ＵＶテープ４６の
粘着性が失われているため、半導体装置３２とＵＶテー
プ４６とが容易に分離される。なお、接着後硬化される
タイプの接着テープであれば、ＵＶテープ４６に限るこ
となく適用できる。
【００１９】なお、上記の実施の形態例にかかわらず、
図４（ａ）、（ｂ）に示したダイシング方法と図７、図
8 に示した樹脂残滓除去方法とは、適宜自由に選択して
組み合わせることができる。また、半導体装置３２から
樹脂残滓を除去する手段として上記粘着テープを用いる
方法に代えて、グラインダーで研磨することにより樹脂
残滓を除去してもよく、さらにまた、例えば、オゾンを
用いてアッシングすることにより樹脂残滓を揮発除去し
てもよく、またさらに、炭酸水を噴射して樹脂残滓をイ
オン化して遊離させた状態で吹き飛ばして除去してもよ
い。
図４（ａ）、（ｂ）に示したダイシング方法と図７、図
8 に示した樹脂残滓除去方法とは、適宜自由に選択して
組み合わせることができる。また、半導体装置３２から
樹脂残滓を除去する手段として上記粘着テープを用いる
方法に代えて、グラインダーで研磨することにより樹脂
残滓を除去してもよく、さらにまた、例えば、オゾンを
用いてアッシングすることにより樹脂残滓を揮発除去し
てもよく、またさらに、炭酸水を噴射して樹脂残滓をイ
オン化して遊離させた状態で吹き飛ばして除去してもよ
い。
【００２０】ところで、本出願人は、先に、金型を用い
てウエハレベルでモールディングした後、半導体素子に
個別化する半導体装置の製造方法等を提案しているが
（特開平１０−７９３６２号公報）、この場合において
も、本発明を好適に適用することができる。すなわち、
上記半導体装置の製造方法は、例えば、バンプが配設さ
れた複数の半導体素子が形成された基板を金型のキャビ
ティ内に装着し、続いてバンプの配設位置に樹脂を供給
してバンプを封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、
樹脂層に覆われたバンプの少なくとも先端部を樹脂層よ
り露出させる突起電極露出工程と、基板を樹脂層と共に
切断して個々の半導体素子に分離する分離工程を具備す
るものであり、この分離工程、すなわち、ダイシング工
程において発生する樹脂残滓を除去する方法として、本
発明を適用することにより、本発明の効果を好適に奏す
ることができる。
てウエハレベルでモールディングした後、半導体素子に
個別化する半導体装置の製造方法等を提案しているが
（特開平１０−７９３６２号公報）、この場合において
も、本発明を好適に適用することができる。すなわち、
上記半導体装置の製造方法は、例えば、バンプが配設さ
れた複数の半導体素子が形成された基板を金型のキャビ
ティ内に装着し、続いてバンプの配設位置に樹脂を供給
してバンプを封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、
樹脂層に覆われたバンプの少なくとも先端部を樹脂層よ
り露出させる突起電極露出工程と、基板を樹脂層と共に
切断して個々の半導体素子に分離する分離工程を具備す
るものであり、この分離工程、すなわち、ダイシング工
程において発生する樹脂残滓を除去する方法として、本
発明を適用することにより、本発明の効果を好適に奏す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１または２に係る半導体装置の製
造方法によれば、簡易な方法で確実に樹脂残滓が除去さ
れ、ダイシングにより発生する樹脂残滓が半導体装置に
付着したままの状態となることがなく、したがって外観
不良を生じることがない。また、樹脂残滓が端子等に付
着して電気的接触不良の原因となるおそれが解消され
る。
造方法によれば、簡易な方法で確実に樹脂残滓が除去さ
れ、ダイシングにより発生する樹脂残滓が半導体装置に
付着したままの状態となることがなく、したがって外観
不良を生じることがない。また、樹脂残滓が端子等に付
着して電気的接触不良の原因となるおそれが解消され
る。
【００２２】また、請求項３に係る発明によれば、粘着
テープとしてＵＶテープを用いると、ＵＶテープの粘着
剤が固化することにより、ＵＶテープに樹脂残滓を確実
に付着、保持させることができ、また、ＵＶテープの粘
着性が失われるため、樹脂残滓を除去した後の半導体装
置をＵＶテープから容易に剥離することができる。さら
に、ＵＶ硬化の過程においてＵＶテープが収縮すること
により、半導体装置に付着した樹脂残滓を引き剥がしあ
るいは擦り取る力も作用するため、樹脂残滓を確実に除
去できる。
テープとしてＵＶテープを用いると、ＵＶテープの粘着
剤が固化することにより、ＵＶテープに樹脂残滓を確実
に付着、保持させることができ、また、ＵＶテープの粘
着性が失われるため、樹脂残滓を除去した後の半導体装
置をＵＶテープから容易に剥離することができる。さら
に、ＵＶ硬化の過程においてＵＶテープが収縮すること
により、半導体装置に付着した樹脂残滓を引き剥がしあ
るいは擦り取る力も作用するため、樹脂残滓を確実に除
去できる。
【図１】本実施の形態例に係る半導体装置の製造方法に
おいて、ウエハを通常のダイシングによりチップ単位に
分割する工程を説明するためのものであり、（ａ）は斜
視図であり、（ｂ）は断面図である。
おいて、ウエハを通常のダイシングによりチップ単位に
分割する工程を説明するためのものであり、（ａ）は斜
視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２】本実施の形態例に係る半導体装置の製造方法に
おいて、分割された複数のチップを１枚のプリント基板
に搭載する工程を示す図である。
おいて、分割された複数のチップを１枚のプリント基板
に搭載する工程を示す図である。
【図３】本実施の形態例に係る半導体装置の製造方法に
おいて、複数のチップを一括してモールディングする工
程を示す図である。
おいて、複数のチップを一括してモールディングする工
程を示す図である。
【図４】本実施の形態例に係る半導体装置の製造方法に
おいて、複数のチップを一括してモールディングしたも
のをダイシングして半導体装置単位に分割する工程を説
明するためのものであり、（ａ）はモールド部の側から
ダイシングする状態を示す図であり、（ｂ）はプリント
基板の側からダイシングする状態を示す図である。
おいて、複数のチップを一括してモールディングしたも
のをダイシングして半導体装置単位に分割する工程を説
明するためのものであり、（ａ）はモールド部の側から
ダイシングする状態を示す図であり、（ｂ）はプリント
基板の側からダイシングする状態を示す図である。
【図５】分割された複数の半導体装置を示す図である。
【図６】第１の樹脂残滓除去方法において、複数の半導
体装置を一括して吸着して搬送する状態を示す図であ
る。
体装置を一括して吸着して搬送する状態を示す図であ
る。
【図７】第１の樹脂残滓除去方法において、粘着テープ
により樹脂残滓を除去する状態を示す図である。
により樹脂残滓を除去する状態を示す図である。
【図８】第２の樹脂残滓除去方法において、ＵＶテープ
により樹脂残滓を除去する状態を示す図である。
により樹脂残滓を除去する状態を示す図である。
１０ ウエハ １２、３０、４０ 粘着テープ １８、２８ ブレード ２０ チップ ２２ プリント基板 ２４ はんだバンプ ２６ モールド部 ３２ 半導体装置 ３４ 吸着装置 ３８、４４ 処理台 ４２ 角錐コレット ４６ ＵＶテープ
Claims (3)
- 【請求項１】 実装端子を有する基板に配設された複数
の半導体素子に対し、該実装端子を露出させた状態で一
括してモールディングして樹脂パッケージを形成した
後、ダイシングを行って個別化する工程を有する半導体
装置の製造方法において、 ダイシングにより発生した樹脂残滓を粘着テープに付着
させて除去する工程を設けたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 実装端子を露出させた状態でモールディ
ングされているウエハをダイシングにより個別化する工
程を有する半導体装置の製造方法において、 ダイシングにより発生した樹脂残滓を粘着テープに付着
させて除去する工程を設けたことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 前記粘着テープとしてＵＶテープを用
い、該ＵＶテープに樹脂残滓を付着させた後、ＵＶテー
プをＵＶ硬化させる処理を含むことを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26200699A JP2001085359A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26200699A JP2001085359A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085359A true JP2001085359A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17369713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26200699A Withdrawn JP2001085359A (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085359A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005584A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007242882A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2012238707A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Azbil Corp | 半導体チップの製造方法及びウェハのダイシング方法 |
| JP2013165277A (ja) * | 2013-03-22 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017028160A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26200699A patent/JP2001085359A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005584A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007242882A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| JP2012238707A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Azbil Corp | 半導体チップの製造方法及びウェハのダイシング方法 |
| JP2013165277A (ja) * | 2013-03-22 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061205 |