JP4239974B2 - 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材 - Google Patents
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Description
前記半導体基板(11)の一面の露出部分または該半導体基板(11)の他面に、前記半導体素子が備える電極を構成するための金属膜(15)を形成する第3の工程と、前記補強部材(13)を前記半導体基板(11)から除去し、該半導体基板(11)をダイシングする第4の工程と、を含んでおり、前記接着部材(13、25)は、状態が前記第3の工程における処理温度よりも高い温度で変化する材料から構成されている、ことを特徴とする。
前記第3の工程は、前記リング状の補強部材(13)の開口を介して露出した前記半導体基板(11)の一面に、前記金属膜(15)を形成する、ようにしてもよい。
前記第1の工程では、用意した半導体基板(11)の他面に、第1のテープ部材(11)を有機系接着剤で貼り付け、該半導体基板(11)の一面に、薄く加工することにより、該半導体基板(11)を所定の厚さにまで薄くし、前記第2の工程では、前記半導体基板(11)を、ヒータを備えるステージ(24)上に固定し、該ステージ(24)上に固定された前記半導体基板(11)を加熱することにより、前記第1のテープ状補強部材(12)が有する線膨張係数と該半導体基板(11)が有する線膨張係数との差によって該半導体基板(11)に生じた反りを緩和する、ようにしてもよい。
前記リング状補強部材は、薄く加工された前記半導体素子の所定の厚みよりも大きな厚みを有するものであってもよい。
この実施の形態の、半導体素子の製造方法及びこれに用いるリング状補強部材について、図1A〜図1Gと図2を参照して説明する。
例えば、スズ42%、ビスマス58%から構成される合金の融点(液相温度)は138.5℃であり、鉛44.5%、ビスマス45.5%から構成される合金の融点(液相温度)は124℃、スズ60%、ビスマス40%から構成される合金の融点(液相温度)は170℃、インジウム52%、スズ48%から構成される合金の融点(液相温度)は117℃、インジウム50%、スズ50%から構成される合金の融点は127℃である。
この実施の形態では、補強リング13を、無機接着材層14の代わりにポリイミド系樹脂等から構成される耐熱性樹脂によって半導体基板11に固着する場合の半導体素子の製造方法について説明する。以下、この実施の形態の半導体素子の製造方法を図3A〜図3Gを参照して説明する。
補強リング13の固着後、金属膜を形成するための金属膜形成ユニットに半導体基板11を搬送する。搬送の際、半導体基板11には補強リング13が固着されているので、半導体基板11の強度は十分に確保され、割れや欠けの発生は抑制または防止される。
Claims (13)
- 複数の半導体素子が形成された半導体基板(11)を用意し、該半導体基板(11)を薄くする第1の工程と、
前記半導体基板(11)の一面に、該一面の一部を露出する補強部材(13)を接着部材によって固着させる第2の工程と、
前記半導体基板(11)の一面の露出部分または該半導体基板(11)の他面に、前記半導体素子が備える電極を構成するための金属膜(15)を形成する第3の工程と、
前記補強部材(13)を前記半導体基板(11)から除去し、該半導体基板(11)をダイシングする第4の工程と、
を含んでおり、
前記接着部材(13、25)は、状態が前記第3の工程における処理温度よりも高い温度で変化する材料から構成されている、
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記補強部材(13)は、中心に開口を有し、前記半導体基板(11)の外径と等しい外径を有するリング状の形状を有し、
前記第2の工程は、該半導体基板(11)の外周縁と該リング状の補強部材(13)の外周縁とを合わせて該半導体基板(11)の一面に該補強部材(13)を前記接着部材によって固着し、
前記第3の工程は、前記リング状の補強部材(13)の開口を介して露出した前記半導体基板(11)の一面に、前記金属膜(15)を形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記接着部材は、前記第3の工程における処理温度よりも高い融点を有する金属あるいは合金、または前記第3の工程における処理温度よりも高い融点あるいは軟化点を有する耐熱性樹脂から構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記耐熱性樹脂は、ポリイミド系樹脂である、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の工程では、
前記リング状の補強部材(13)の一面に前記接着部材の層(14、25)を形成し、
前記リング状の補強部材(13)の一面を前記半導体基板(11)の一面に重ね、加熱によって前記リング状の補強部材(13)と前記半導体基板(11)との間に介在する前記接着部材の層(14、25)を溶融させ、
冷却によって前記接着部材の層(14、25)を固化させることにより、前記リング状の補強部材(13)を前記半導体基板(11)に固着させる、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の工程では、
用意した前記半導体基板(11)の他面に、第1のテープ状補強部材(12)を有機系接着剤によって貼り付け、前記第1のテープ状補強部材(12)を貼り付けた状態で、該半導体基板(11)の一面に薄く加工をすることにより、該半導体基板(11)を所定の厚さにまで薄くし、
前記第2の工程では、
前記第1のテープ状補強部材(12)が前記半導体基板(11)の他面に貼り付けられた状態で、該半導体基板の一面に前記リング状の補強部材(13)を接着部材の層(14)によって固着させ、
前記第3の工程では、
該リング状の補強部材(13)が該半導体基板(11)に固着された状態で、該半導体基板(11)から第1のテープ状補強部材(12)を除去した後に、前記金属膜(15)を該リング状補強部材(13)の開口を介して該半導体基板(11)の一面に形成する、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記接着部材の層(14)は、前記第1のテープ状補強部材(12)が備える耐熱温度よりも低い融点を有することを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第4の工程では、前記半導体基板(11)の他面に第2のテープ状補強部材(18)を貼り付け、該半導体基板(11)の一面から前記リング状の補強部材(13)を除去し、該半導体基板(11)を各半導体素子を構成するチップ(22)にダイシングする、ことをさらに特徴とする請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記接着部材の層(14)は、前記第2のテープ状補強部材(18)の耐熱温度よりも低い融点を有し、
前記第2のテープ状補強部材(18)の耐熱温度よりも低い温度の加熱によって前記接着部材の層(14)を溶融することにより、前記リング状の補強部材(13)を前記半導体基板(11)から除去する、
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の工程では、
用意した半導体基板(11)の他面に、第1のテープ部材(12)を有機系接着剤で貼り付け、該半導体基板(11)の一面に、薄く加工することにより、該半導体基板(11)を所定の厚さにまで薄くし、
前記第2の工程では、
前記半導体基板(11)を、ヒータを備えるステージ(24)上に固定し、該ステージ(24)上に固定された前記半導体基板(11)を加熱することにより、前記第1のテープ状補強部材(12)が有する線膨張係数と該半導体基板(11)が有する線膨張係数との差によって該半導体基板(11)に生じた反りを緩和する、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の製造方法。 - 所定の厚みに薄く加工された半導体基板(11)上に金属膜を形成する金属膜形成工程を有する半導体素子の製造工程に用いられ、
中心に開口を有し、前記半導体基板(11)の外径と等しい外径を有するリング状の形状を有し、該半導体基板(11)の一面に接着部材によって固着されることにより、薄く加工することによって低下した該半導体基板(11)の強度を補い、
前記接着部材は、状態が前記金属膜形成工程における処理温度よりも高い温度で変化する材料から構成されている、
ことを特徴とするリング状補強部材。 - 薄く加工された前記半導体素子の所定の厚みよりも大きな厚みを有する、ことを特徴とする請求項11に記載のリング状補強部材。
- 前記半導体基板(11)と同一の材料から構成され、該半導体基板(11)と等しい線膨張係数を有する、ことを特徴とする請求項12に記載のリング状補強部材。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002183939 | 2002-06-25 | ||
JP2002183939 | 2002-06-25 | ||
JP2002319884 | 2002-11-01 | ||
JP2002319884 | 2002-11-01 | ||
PCT/JP2003/007975 WO2004001819A1 (ja) | 2002-06-25 | 2003-06-24 | 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004001819A1 JPWO2004001819A1 (ja) | 2005-10-27 |
JP4239974B2 true JP4239974B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=30002271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004530924A Expired - Lifetime JP4239974B2 (ja) | 2002-06-25 | 2003-06-24 | 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7148126B2 (ja) |
JP (1) | JP4239974B2 (ja) |
WO (1) | WO2004001819A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014112240A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055860A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4647228B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP4767702B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
US20070207592A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Lu James J | Wafer bonding of damascene-patterned metal/adhesive redistribution layers |
JP4806282B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-11-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの処理装置 |
US20080242052A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
JP5001074B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2012-08-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの搬送機構 |
JP4985513B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-07-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品の剥離方法及び剥離装置 |
KR101105981B1 (ko) * | 2009-04-28 | 2012-01-18 | 한양대학교 산학협력단 | 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
US8624358B2 (en) | 2009-06-04 | 2014-01-07 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Semiconductor substrate and semiconductor device |
JP5813289B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2015-11-17 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハの加工方法 |
JP2012156292A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Seiko Epson Corp | 基板の加工方法 |
TWI523263B (zh) * | 2011-02-01 | 2016-02-21 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體及其製造方法 |
JP5912656B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-04-27 | 信越ポリマー株式会社 | 半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法 |
JP5895676B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6385131B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
DE102015112648B4 (de) * | 2015-07-31 | 2021-02-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum bilden einer waferstruktur, verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements und einer waferstruktur |
DE102016112976A1 (de) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schichtstapel |
KR102525490B1 (ko) | 2017-10-24 | 2023-04-24 | 삼성전자주식회사 | 인쇄 회로 기판, 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
JP7424896B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-01-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3176542B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2001-06-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6342434B1 (en) * | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
JP2000012492A (ja) * | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Nippon Motorola Ltd | 半導体ウェハの研磨方法および半導体ウェハ構造体 |
JP3441382B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2003-09-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002100589A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置製造方法 |
-
2003
- 2003-06-24 US US10/518,131 patent/US7148126B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-24 JP JP2004530924A patent/JP4239974B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-06-24 WO PCT/JP2003/007975 patent/WO2004001819A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014112240A1 (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US9449823B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004001819A1 (ja) | 2003-12-31 |
US20050250295A1 (en) | 2005-11-10 |
US7148126B2 (en) | 2006-12-12 |
JPWO2004001819A1 (ja) | 2005-10-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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