JP4767702B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents

Description

本発明は、分割されて多数の半導体チップに個片化される半導体ウエーハ（以下、「ウエーハ」と略称する）の分割方法に係り、特に、外周縁にリング状の補強部を形成したウエーハを円滑に分割する方法に関する。

表面に半導体デバイスを形成したウェーハを薄化する方法として、ウェーハのデバイス形成領域に相当する裏面のみを必要な厚さに加工し、外周縁にデバイス形成領域よりも厚くしたリング状の補強部を残す方法が知られている（例えば特許文献１，２）。このようなウエーハは、補強部によって強度と剛性が向上しているため、ハンドリングや各種処理を行う際に破損し難い。このため、上記のようなウエーハは、特に、裏面にスパッタリングや蒸着といった方法によって金などの金属膜を付与することで電極や放熱手段を設ける場合に適している。また、補強部の無い従来のウエーハでは、強度と剛性を補うために表面に保護テープを貼着することがあったが、保護テープは耐熱性が不充分であるため、スパッタリング等を行う際の温度を低く設定する必要があり、そのためにスパッタリングに長時間を要していたが、そのような問題も解決される。

特開２００４−２８１５５１号公報（要約書） 特開２００５−１２３４２５公報（要約書）

ところで、裏面に金属膜が設けられた補強部を有するウェーハを個片化する方法には、
表面から切断する方法と裏面から切断する方法の２通りがある。前者の方法では、補強部をリング状に切除し、ウエーハの裏面を吸着して表面に現れるストリート等の切断予定ラインに沿って切断（ダイシング）する。なお、ダイシング後に補強部を切除することも行われる。また、後者の方法では、補強部の裏面側を研削してその部分の金属膜を除去し、そこから赤外線カメラで表面のストリートを透過撮影して切断予定ラインを認識し、ウェーハの裏面からダイシングする。

しかしながら、補強部をリング状に切除するためには専用の切断装置とリング状の不要部分を取り除く機構などが必要となり、設備コストが割高となる。また、補強部の裏面を金属膜を研削するには、金属研削に適した目詰まりのし難い粗粒径の研削砥石を使用し、しかも、その研削面から赤外線カメラで透視するための相応の鏡面仕上げ研削が必要となり、２工程以上の研削手段が必要となる。さらに、補強部の表面側に必ずしもストリートが存在しているとは限らないので、補強部の裏面側を研削してもアライメントができないこともあり得る。したがって、本発明は、補強部を備えるとともに裏面に金属膜が設けられたウエーハを裏面側から簡単かつ円滑に分割する方法を提供することを目的としている。

本発明は、表面に、複数のデバイスが第１の方向のストリートと第２の方向のストリートによって区画されて形成されたデバイス領域と、このデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、ウェーハの表面を吸着して裏面側からウエーハを透視し、第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに対応するウェーハの裏面の外周余剰領域にストリート認識溝を形成するストリート認識溝形成工程と、該ストリート認識溝形成工程の後に、ストリート認識溝を外周余剰領域に残すようにしてデバイス領域に対応する裏面を研削して外周余剰領域にリング状の補強部を形成する凹状加工工程と、該凹状加工工程に次いでウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、ウェーハの表面を吸着してストリート認識溝をウェーハの裏面から検出し、ストリート認識溝の位置に基づいて第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿ってウエーハを切断するウェーハ切断工程とを備え、該ウェーハ切断工程は、ウェーハの裏面からデバイス領域に至らない深さで補強部を第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿って切削する第１の切削工程と、第１の切削工程で使用した切断ブレードよりも薄いブレードを使用して第１の切削工程で形成された補強部の溝に沿ってウェーハを完全に切断し個々のデバイスに分割する第２の切削工程とを備えたことを特徴としている。

本発明では、ウエーハの裏面側からストリートを透視して補強部にストリート認識溝を形成し、ストリート認識溝の位置に基づいて第１、第２の方向のストリートに沿ってウエーハを切断するから、補強部の裏面側を研削してその部分の金属膜を除去するといった工程を必要としない。したがって、ウエーハの分割工程が極めて簡略化され、しかもどのようなウエーハにも対応可能である。なお、ストリート認識溝は、第１の方向と第２の方向に少なくとも１つ形成すればよい。また、場合によってはストリートを鮮明に視認できないことがある。そのような場合には、デバイスの隅部等に設けられた特徴的なパターン（アライメントマーク）からストリートを想定し、アライメントマークを基準にしてストリート認識溝を形成することができる。したがって、本発明の「ストリート」は、アライメントマークを含む概念である。

本発明では、ストリート認識溝形成工程の後に凹状加工工程を行うが、この場合において、ストリート認識溝形成工程と凹状加工工程との間に、ウエーハの裏面全体を研削する薄化工程を設けることがあるので、そのような場合には、ストリート認識溝を深く形成して、凹状加工工程を行った後にストリート認識溝が補強部に残っているようにする必要がある。

本発明のウエーハ切断工程では、上記のように第１の切削工程と第２の切削工程に分けてウエーハを切断する。すなわち、デバイス領域よりも厚さが厚い補強部を切断するために、第１の切削工程で補強部に予め溝を形成しておく。このような態様では、補強部の切削を迅速に行うことができるとともに、ブレードの消耗を抑制することができる。また、デバイス領域の切削をより薄いブレードで行うことができるので、ストリートの幅を狭くして得られる半導体デバイスの数を多くすることができる。

上記のような態様では、第１の切削工程が全て終了した後に第２の切削工程を行うことができる。また、回転する２つの切断ブレードを有する切削加工装置を用いることにより、第１の切削工程および第２の切削工程を２つの切断ブレードで行うこともできる。

本発明によれば、補強部の裏面側を研削してその部分の金属膜を除去するといった工程を必要としないから、ウエーハの分割工程が極めて簡略化され、しかもどのようなウエーハにも対応可能である等の効果が得られる。

以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１（ａ），（ｂ）は、本実施形態の基板である円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称）１の斜視図および側面図をそれぞれ示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、厚さは６００〜７００μｍ程度のものである。ウエーハ１の表面には格子状の第１、第２のストリート（ストリート）２ａ，２ｂによって多数の矩形状の半導体チップ３が区画されており、これら半導体チップ３の表面にはＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。

ウエーハ１の側面には、Ｖ字状をなすオリエンテーションノッチ４が形成され、表面には保護シール５が貼着されている。ウエーハ１は裏面側が研削されて目的厚さ（例えば５０〜１００μｍ程度）に薄化された後、ストリート２に沿って切断、分割され、多数の半導体チップ３に個片化される。図２は、半導体チップ３に個片化するための切削加工装置である。以下、切削加工装置１０について説明する。

［２］切削加工装置
切削加工装置１０は略直方体状の基台１１を有し、この基台１１の水平な上面には位置決め機構２０が設けられ、さらに、位置決め機構２０の周囲には時計回りにカセット３０、切削機構４０、洗浄ユニット５０が配列されている。ウエーハ１は、複数がカセット３０に収容された状態で基台１１上の所定位置に設置される。

カセット３０から１枚のウエーハ１が取り出され、そのウエーハ１は位置決め機構２０を経由して切削機構４０に移され、この切削機構４０によってウエーハ１が切削加工される。この後、ウエーハ１は位置決め機構２０を経由して洗浄ユニット５０に移され、この洗浄ユニット５０で洗浄される。洗浄されたウエーハ１はもう一度位置決め機構２０を経由してカセット３０に戻される。基台１１上には、このようにウエーハ１を移送する移送ロボットが設けられている（図示略）。以下に、ウエーハ１の移送順にしたがってカセット３０、位置決め機構２０、切削機構４０、洗浄ユニット５０を説明する。

Ａ．カセット
カセット３０は持ち運びが可能で、複数のウエーハ１を積層して収容するもので、基台１１上の所定のカセット設置部に着脱可能にセットされる。カセット３０は、互いに離間した一対の平行なケース３１を有しており、これらケース３１の内側の互いの対向面に、ラック３２が上下方向に複数段設けられている。これらラック３２に、表面を上に向けた水平な姿勢のウエーハ１がスライド可能に挿入されるようになっている。カセット３０は、基台１１上のカセット設置部に、ウエーハ１のスライド方向がＹ方向と平行になるようにしてセットされる。カセット３０内のウエーハ１は、上記移送ロボットによって位置決め機構２０に移送される。

Ｂ．位置決め機構
位置決め機構２０は、Ｙ方向に延びる一対の平行なガイドバー２１が、互いに近付いたり離れたりするようにリンクしながらＹ方向に直交するＸ方向に移動するように構成されている。ウエーハ１は、ガイドバー２１の間の基台１１上に載置され、近付き合うガイドバー２１に挟まれることにより、切削機構４０、洗浄ユニット５０およびカセット３０への中継位置が定められる。

Ｃ．切削機構
切削機構４０は、矩形状のテーブルベース４１上に回転自在に設けられた円盤状のチャックテーブル４２と、このチャックテーブル４２の上方に配設された切削ユニット４５とを備えている。テーブルベース４１は、基台１１上に図示せぬガイドレールを介してＸ方向に移動自在に設けられ、図示せぬ往復駆動機構によって往復移動させられる。チャックテーブル４２は、上面が水平で、Ｚ方向（鉛直方向）を軸線として回転自在にテーブルベース４１に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって時計方向または反時計方向に回転させられる。

チャックテーブル４２は周知の真空チャック式であって、表裏面に通じる多数の細かな吸引孔を有し、裏面側には図示せぬ真空装置の空気吸引口が配されている。ウエーハ１は真空装置を運転した状態からチャックテーブル４２の上面に載置されて吸着、保持される。テーブルベース４１の移動方向の両端部には、テーブルベース４１の移動路を塞いで塵埃等が侵入することを防ぐ蛇腹状のカバー４３が伸縮自在に設けられている。

切削ユニット４５は、軸方向がＹ方向と平行な状態に保持された円筒状のスピンドル４６と、このスピンドル４６の一端部に装着された切断ブレード４７とを備えている。図３に示すように、切断ブレード４７は、傘状のハブ８１の周縁に固着されたいわゆるハブブレードである。ハブ８１は、スピンドル４６内に収容された図示せぬモータによって回転駆動される回転軸８２の先端に、挟持金具８３によって固定されている。切断ブレード４７の回転方向は一方向であり、また、回転軸８２はスピンドル４６内に同軸的に収容されている。そのスピンドル４６は、基台１１上に設けられた図示せぬフレームに、軸方向がＹ方向と平行な状態を保持したままで、Ｙ方向に往復移動し、かつＺ方向に上下動するように支持されている。そのフレームには、スピンドル４６をそれらの方向に移動させる図示せぬ駆動機構が設けられている。

スピンドル４６の切断ブレード４７が装着された側の端部には、ブレードカバー４８が取り付けられている。このブレードカバー４８には、切削時の潤滑、冷却、清浄化等のための切削水をウエーハ１に供給する切削水ノズル４９Ａ，４９Ｂが取り付けられている。また、ブレードカバー４８の側部には、切削水ノズル４９Ｂに隣接して赤外線カメラ４４が取り付けられている。赤外線カメラ４４は、裏面を上に向けてチャックテーブル４２に吸着されたウエーハ１に赤外線を照射し、ウエーハ１の表面に印刷されたストリート（ストリート）で反射した赤外線を撮影する。

上記構成の切削機構４０によれば、チャックテーブル４２上にウエーハ１が吸着、保持され、そのウエーハ１に対し高速回転させた切断ブレード４７を切り込むことによってウエーハ１が切削される。切断ブレード４７のＹ方向の切り込み位置はスピンドル４６をＹ方向に移動させることにより調整され、切削深さはスピンドル４６をＺ方向に移動させることにより調整される。

Ｄ．洗浄ユニット
洗浄ユニット５０は、上記切削機構４０のチャックテーブル４２と同様の真空チャック式のチャックテーブル５１と、このチャックテーブル５１の周囲に配設された洗浄水ノズルおよびエアノズル（いずれも図示略）とを備えている。チャックテーブル５１は、水平な上面にウエーハ１を吸着、保持し、図示せぬ回転駆動機構によって高速で回転させられる。チャックテーブル５１上に保持されて高速回転させられるウエーハ１に対して、洗浄水ノズルから洗浄水が噴射され、これによってウエーハ１は洗浄される。そして、チャックテーブル５１の回転を続行するとともに洗浄水の噴射を停止することにより洗浄水はスピンアウトし、さらにエアノズルからウエーハ１に空気が噴射されることにより、洗浄されたウエーハ１が乾燥処理される。

［３］研削加工装置
ウエーハ１には、研削加工が施されて薄化されるが、その過程において外周縁にリング状の補強部を形成する凹状加工が施される。図５は凹状加工が施されたウエーハ１を示す図である。凹状加工により、ウエーハ１のデバイス領域１ａが研削され、ウエーハ１の外周縁にデバイス領域よりも肉厚の補強部１ｂが形成される。図４はそのような凹状加工を行う研削装置を示す図である。図４において符号６０は研削加工装置の研削ユニットである。研削ユニット６０は、昇降可能でかつ横方向にも移動可能に構成されている。研削ユニット６０は、円筒状のスピンドル６１の回転軸にホイールマウント６３を介して、多数のチップ状の砥石６４を保持する研削ホイール６５が取り付けられたものである。なお、図において符号６６はスピンドル６１の回転軸を回転させるモータである。

ここで、研削ユニット６０の砥石６４の回転直径は、ウエーハ１のデバイス領域１ａを未研削部を生じることなく研削するために、ウエーハ１の直径のほぼ半分とされている。また、研削ユニット６０は横方向へ移動可能であるから、図４（ｂ）に示す位置から補強部１ｂの幅だけ横へ移動させることにより、ウエーハ１の裏面の全面研削を行うこともできる。符号５４はチャックテーブルであり、ウエーハ１を吸着する。なお、図４に示すものとは別の研削装置でウエーハ１の全体の厚さを減じてから、上記研削ユニット６０で凹状加工のみを行うこともできる。

［４］ウエーハの分割加工
次に、ウエーハ１を個々のデバイスに分割する手順について、ストリート認識溝形成工程、凹状加工工程、金属膜被覆工程、およびウェーハ切断工程の順に説明する。

１．ストリート認識溝形成工程
まずはじめに、切削装置１０において、上記の移送ロボットによってカセット３０内の１枚のウエーハ１が、位置決め機構２０における２つのガイドバー２１の間に裏面を上に向けた状態で水平に置かれる。そして、２つのガイドバー２１が互いに近付く方向にリンクして移動し、両ガイドバー２１がウエーハ１に当接して挟んだ時点で移動を停止する。これによってウエーハ１は切削機構４０のチャックテーブル４２への移送開始位置に位置決めされる。

チャックテーブル４２は予め吸着運転されており、ウエーハ１はそのチャックテーブル４２上に移送ロボットによって移され、吸着、保持される。次いで、チャックテーブル４２が回転し、ウエーハ１のオリエンテーションノッチ４を接触式センサなどの適宜の手段で検出することにより、オリエンテーションノッチ４が完全にＸ方向を向くようにして停止させる。次に、テーブルベース４１がＸ方向に移動させられるとともにスピンドル４６がＹ方向に適宜移動させられ、ウエーハ１が赤外線カメラ４４の下方で停止させられる。その状態で、赤外線カメラ４４がウエーハ１を撮影する。図７は赤外線カメラ４４による撮影画像を示すものである。この図に示すように、赤外線カメラ４４によってウエーハ１の表面に現れている第１、第２ストリート２ａ，２ｂが透視撮影される。その撮影画像は解析され、第１ストリート２ａのうち最もウエーハ１の中心寄りのものが選定され、その中心線とオリエンテーションノッチ４のと距離が測定される。同様に、第２ストリート２ｂのうち最もウエーハ１の中心寄りのものが選定され、その中心線とオリエンテーションノッチ４との距離が測定される。これにより、第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂの加工位置が把握される。

次いで、チャックテーブル４２とスピンドル４６とがそれぞれＹ方向およびＸ方向へ移動させられ、切断ブレード４７がウエーハ１の第１ストリート認識溝７ａの加工位置の直上に位置付けされる。このように切断ブレード４７が加工位置に定められたら高速回転させ、切断ブレード４７を下降させてウエーハ１に所定深さ切り込ませる。その状態でチャックテーブル４２をＸ方向に移動させ、第１ストリート認識溝７ａを切削する。次いで、チャックテーブルを９０°回転させ、上記と同様にして第２ストリート認識溝７ｂを切削する。図６はウエーハ１に第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂを形成した状態を示すものである。なお、切断ブレード４７の厚さと切り込み深さは、ウエーハ１の裏面に金属膜を被覆した後に、第１ストリート認識溝７ａを赤外線カメラ４４が識別できる程度であれば良い。

次に、第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂが形成されたウエーハ１は、移送ロボットによって再び位置決め機構２０に移され、ここで洗浄ユニット４５のチャックテーブル５１への移送開始位置が定められてから、移送ロボットによって洗浄ユニット４５のチャックテーブル５１上に移される。ウエーハ１はチャックテーブル５１上に吸着、保持され、次いでチャックテーブル５１を高速で回転させながら、回転するウエーハ１に対して洗浄水ノズルから洗浄水が所定時間噴射される。これにより、ウエーハ１の表面や形成した溝４に存在していた水はスピンアウトし、水とともに切削屑や塵埃などが除去されてウエーハ１が洗浄される。

引き続きチャックテーブル５１を回転させながら、エアノズルからウエーハ１に空気が噴射され、これによってウエーハ１が乾燥処理される。このようにして洗浄されたウエーハ１は、移送ロボットによって洗浄ユニット５０から位置決め機構２０を経由してカセット３０内に収容され、次の裏面研削による凹状加工工程に移される。

２．凹状加工工程
凹状加工工程では、図４に示すように、ウエーハ１の表面を、真空チャック式のチャックテーブル５４上に吸着、保持し、そのウエーハ１の表面に対して、高速回転させた研削ホイール６５の砥石６４を押圧することによって、ウエーハ１の裏面のデバイス領域１ａのみが研削される。この凹状加工工程により、デバイス領域１ａは、最終的な厚さとされる。図７は、凹状加工工程を施したウエーハ１を示す図である。この図に示すように、ウエーハ１の補強部１ｂには、前記ストリート認識溝形成工程による第１、第２ストリート認識溝７ａ、７ｂが残されている。

３．金属膜被覆工程
凹状加工工程が施されたウエーハ１は、スパッタリング装置に搬入され、そこで、裏面全体に適宜な金属膜が被覆される。この金属膜は、電極や放熱手段として使用される。スパッタリングに際して、ウエーハ１の表面に貼着された保護テープ５は剥離されるので、所定の高温でのスパッタリングを行うことができる。

４．ウェーハ切断工程
金属膜が被覆されたウエーハ１は、表面に保護テープ５が貼着されてカセット３０に収容され、再度切削加工装置１０に運ばれる。ウエーハ１の保護リブ１ｂには研削加工が施されていないので、そこには第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂが残されている。そして、切削加工装置１０は、第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂを切削位置の基準として、ウエーハ１を個々の半導体チップ３に個片化する切断を行う。このウエーハ切断工程では、先ず、厚さの厚い切断ブレードを用いてウエーハ１の補強部１ｂを切削する補強部切削工程を行い、次いで、厚さの薄い切断ブレードを用いて表面に至る切削を行うデバイス領域切削工程を行う。

４−１．補強部切削工程
前述のストリート認識溝形成工程と同様にしてウエーハ１を切削加工装置１０のチャックテーブル４２に吸着させると、チャックテーブル４２および切削ユニット４５のスピンドル４６がそれぞれＸ方向およびＹ方向へ移動し、切断ブレード４７をウエーハ１の加工位置の直上に位置させる。なお、切削加工装置１０の制御装置には、第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂの位置が記憶されており、切削加工装置１０は、例えばオリエンテーションノッチ４の位置を検出することで上記のような位置決めを行うことができる。

まず、切断ブレード４７により、第１ストリート認識溝７ａの切削を行う。この場合の切断ブレード４７の厚さは、例えば２００〜３００μｍである。また、切断ブレード４７の切り込み深さは、切断ブレード４７がウエーハ１のデバイス領域１ａに接触しない深さとされる。第１ストリート認識溝７ａの切削を行ったら、チャックテーブル４２またはスピンドル４６を移動させて隣接する第１ストリート２ａの切削を行う。そして、全ての第１ストリート２ａの切削が終了したら、チャックテーブル４２を９０°回転させ、第２ストリート認識溝７ｂの切削を行い、隣接する第２ストリート２ｂの切削を行う行う。このようにしてウエーハ１の補強部１ｂを切削することにより、図８に示すように、補強部１ｂに、第１、第２ストリート２ａ，２ｂと重複する加工溝８ａ，８ｂが形成される。

４−２．デバイス領域切削工程
次に、切断ブレード４７を厚さが例えば２０〜３０μｍのものに取り替えてデバイス領域１ａの切削を行う。この切削加工では、切断ブレード４７が保護シール５に達するような切り込み深さとする。そして、図９（ｂ）に示すように、補強部切削工程で切削した加工溝８ａ（８ｂ）よりも幅が狭く、かつ深い加工溝９ａ（９ｂ）を形成する。そして、第１、第２ストリート２ａ，２ｂの全てに対してこの切削加工を行うことにより、ウエーハ１は、個々の半導体チップ３に分割される。

上記のようなウエーハの分割方法では、赤外線カメラ４４によりウエーハ１の裏面側から第１、第２ストリート２ａ，２ｂを透視して補強部１ｂに第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂを形成し、第１、第２ストリート認識溝７ａ，７ｂの位置に基づいて第１、第２ストリート２ａ，２ｂに沿ってウエーハ１を切断するから、補強部１ｂの裏面側を研削してその部分の金属膜を除去するといった工程を必要としない。したがって、ウエーハ１の分割工程が極めて簡略化され、しかもどのようなウエーハ１にも対応可能である。

特に、上記実施形態では、ウエーハ１の切断工程を厚い切断ブレード４７を用いる補強部切削工程と薄い切断ブレード４７を用いるデバイス領域切削工程とに分けて行うから、補強部１ｂの切断を迅速に行うことができるとともに、切断ブレード４７の消耗を抑制することができるという利点がある。

前記実施形態では、補強部切削工程が終了した後にデバイス領域切削工程を行っているが、これら２つの切削工程を一連の工程で行うことができる。図１０は、そのような切削加工を行うことができる切削装置１０’を示すものである。図１０示す切削加工装置は、２つの切削ユニット４５ａ，４５ｂを設けている点でのみ図２に示すものと異なっている。

切削ユニット４５ａには、厚さが２００〜３００μｍの切断ブレード４７が装着され、切削ユニット４５ｂには、厚さが２０〜３０μの切断ブレード４７が装着される。切削ユニット４５ａの切断ブレード４７の切り込み深さは、デバイス領域１ａに達しない深さとされ、切削ユニット４５ｂの切り込み深さは、保護シール５に達する深さとされている。そして、切削ユニット４５ａの切断ブレード４７により、図９ａに示す加工溝８ａ（８ｂ）を形成した後そのままチャックテーブル４２を送り続けることにより、切削ユニット４５ｂの切断ブレード４７により、加工溝９ａ（９ｂ）が引き続き形成される。このような態様では、チャックテーブル４２の１回の送りで２つの加工溝８ａ（８ｂ），９ａ（９ｂ）を形成することができるので、加工効率が高い。

本発明の実施形態において加工するウエーハを示すもので、（ａ）は斜視 図、（ｂ）は側面図である。 本発明の実施形態において使用する切削加工装置の斜視図である。 実施形態で使用する切削加工装置の切断ブレードを示す断面図である。 実施形態で使用する研削加工装置を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。 凹状加工を行ったウエーハを示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側断面図である。 ストリート認識溝を加工したウエーハを示すであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。 凹状加工を行ったウエーハを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。 補強部切削工程を行ったウエーハを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。 デバイス領域切削工程を行ったウエーハを示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。 本発明の実施形態の変更例において使用する切削加工装置の斜視図である。

符号の説明

１…ウエーハ、１ａ…デバイス領域、１ｂ…補強部、
２ａ，２ｂ…ストリート、３…半導体チップ（デバイス）、
５…保護シール、７ａ，７ｂ…ストリート認識溝、
８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂ…加工溝、１０…切削加工装置、４４…赤外線カメラ、
４５…切削ユニット、４７…切断ブレード。

Claims (3)

1. 表面に、複数のデバイスが第１の方向のストリートと第２の方向のストリートによって区画されて形成されたデバイス領域と、このデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
   ウェーハの表面を吸着して裏面側からウエーハを透視し、前記第１の方向のストリートと前記第２の方向のストリートに対応するウェーハの裏面の前記外周余剰領域にストリート認識溝を形成するストリート認識溝形成工程と、
   該ストリート認識溝形成工程の後に、前記ストリート認識溝を前記外周余剰領域に残すようにして前記デバイス領域に対応する裏面を研削して前記外周余剰領域にリング状の補強部を形成する凹状加工工程と、
   該凹状加工工程に次いでウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
   ウェーハの表面を吸着して前記ストリート認識溝をウェーハの裏面から検出し、前記ストリート認識溝の位置に基づいて前記第１の方向のストリートと前記第２の方向のストリートに沿ってウエーハを切断するウェーハ切断工程とを備え、
   該ウェーハ切断工程は、ウェーハの裏面から前記デバイス領域に至らない深さで前記補強部を前記第１の方向のストリートと前記第２の方向のストリートに沿って切削する第１の切削工程と、前記第１の切削工程で使用した切断ブレードよりも薄いブレードを使用して前記第１の切削工程で形成された補強部の溝に沿ってウェーハを完全に切断し個々のデバイスに分割する第２の切削工程とを備えたことを特徴とするウェーハの分割方法。
2. 前記第１の切削工程が全て終了した後に前記第２の切削工程を行うことを特徴とする請求項１に記載のウエーハの分割方法。
3. 回転する２つの切断ブレードを有する切削加工装置を用い、前記第１の切削工程および前記第２の切削工程を前記２つの切断ブレードで行うことを特徴とする請求項２に記載のウエーハの分割方法。

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