JPH0616527B2 - 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト - Google Patents

半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト

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JPH0616527B2
JPH0616527B2 JP14008783A JP14008783A JPH0616527B2 JP H0616527 B2 JPH0616527 B2 JP H0616527B2 JP 14008783 A JP14008783 A JP 14008783A JP 14008783 A JP14008783 A JP 14008783A JP H0616527 B2 JPH0616527 B2 JP H0616527B2
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JP
Japan
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adhesive
wafer
adhesive sheet
sheet
dicing
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JP14008783A
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明広 柳
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 この発明は複数の半導体素子を格子状配列で形成した半
導体ウエーハを半導体素子毎に細分割するに際してダイ
シング時に半導体ウエーハを接着する半導体ウエーハダ
イシング用接着シートに関する。
ロ 従来技術 半導体ウエーハ(以下単にウエーハと称す)を複数の半
導体素子(以下単に素子と称す)毎に細分割するダイシ
ング方法にはウエーハをダイシング用チヤツクテーブル
上に固定してウエーハ上の各素子間をウエーハ厚さの1/
3〜1/2まで切削した後、このウエーハを接着シートに貼
り付けてゴムローラ等を押し当てしてブレーキングする
方法や、ウエーハを接着シートに貼り付けてからウエー
ハ上の各素子間をウエーハ厚さの、1/3〜1/2まで切削し
て後、接着シートを放射状に伸展させてウエーハを各素
子毎に分割する方法がある。このような各ダイシング方
法はウエーハを各素子毎に細分割する時に分割された素
子が分割時の機械的シヨツクで接着シートから外れて飛
散したり、隣接するもの同士が不都合にも重なつてしま
い、素子を真空吸着コレツト等で吸着して放熱板等の基
板に固着マウントする際に吸着ミスやマウント不良等を
招くことがあつた。そこで最近はウエーハを接着シート
に貼り付けたままでウエーハを裏面まで完全に切り裂く
完全カツト方式のダイシング方法が推奨される傾向にあ
る。
即ち、完全カツト方式のダイジングは例えば第1図乃至
第3図に示すように1枚のウエーハ(1)を接着シート(2)
上に貼り付け、接着シート(2)を円形ステージ(3)上に載
せて周辺部をステージ(3)の周面上に弾性リング(4)で固
定しておいて、ウエーハ(1)の各素子間を高速回転する
円板形のブレード(5)で順次完全カツトする方法であ
る。この場合ブレード(5)とステージ(3)の間隔gは接着
シート(2)の厚さtより小さくて(t−g)は約20μ
m程度に設定し、ブレード(5)をステージ(3)に対して相
対移動させ、ブレード(5)は第3図に示すようにウエー
ハ(1)を完全切込みするとともに接着シート(2)を約20
μmの深さまで切込みしている。このような完全カツト
方式によると切込み完了の時点でウエーハ(1)は完全に
各素子毎に分割されるので、接着シート(2)を伸展させ
る際に素子が外れたり重なる等のトラブルは発生しない
が、接着シート(2)は、次の問題があつた。
従来の接着シート(2)はポリ塩化ビニール等のフレキシ
ブルなシート(2a)上に通常の接着剤(2b)を等厚に被着し
たもので、接着剤(2b)上にウエーハ(1)が押圧されて接
着される。このウエーハ(1)をブレード(5)で完全カツト
する際、ブレード(5)は、当然、接着剤(2b)をも順次カ
ツトしていく。この時接着剤(2b)には粘性があるため、
カツト進行に伴つてブレード(5)の刃先に接着剤(2b)が
付着してブレード(5)の切れ味が劣化し、ブレード(5)に
加わる負荷が増してブレード(5)が破損することがあつ
た。またウエーハ(1)の切削層が接着剤(2b)に混つて飛
散せず残り、これがブレード(5)を不都合にも研摩する
作用をしてブレード(5)の破損を速めブレードの寿命を
短くする要因になつていた。
また接着剤(2b)の粘性でウエーハカツト時に素子に外力
が加わると素子が横ずれを起してしまい素子にクラツク
が入ることがあつた。また切削層が接着剤に混つて素子
上に付着してダイシング時の寸法精度を悪くしていた。
また特に素子が0.5mm角以下と微小なものにおいては
接着テープ(2)との接着面積が小さくて接着力が弱く、
そのため上記横ずれが目立つて発生し易く、且つカツテ
イング時の機械的シヨツクで接着テープ(2)から剥れる
確率が高く危険であつた。
ハ 発明の目的 本発明は上記完全カツト方式でダイシングする時の問題
点に鑑み、これを解決し得る接着シートを提供すること
を目的とする。
ニ 発明の構成 本発明は完全カツト方式のウエーハダイシング用接着シ
ートに有効なもので、紫外線透過性シートに紫外線硬化
性の樹脂系接着剤を被着したことを特徴とする。この接
着シートを使つたウエーハダイシングは前記接着シート
の接着剤上にウエーハを貼り付ける工程、前記接着剤に
紫外線照射して接着剤を硬化させる工程、前記接着剤が
完全硬化した状態でウエーハをブレードで完全切込みす
る工程で行えばよい。このように本発明の接着シートの
接着剤を紫外線硬化させてダイシングを行うと、ブレー
ドで硬化接着剤を切削した屑は粉状態で飛散し、ブレー
ドやウエーハに付着する恐れが無くなる。また、接着剤
の硬化によりウエーハの各素子は接着シートに強固に固
着されるので切込み時に横ずれを起す危険も無くなる。
従つて、本発明の接着シートを使用することにより上記
完全カツト方式のウエーハダイシング上の各問題点が難
無く解決され得る。
ホ 実施例 第4図乃至第6図にて本発明の接着シート(6)を使つた
完全カツト方式ウエーハダイシングの実施例を説明す
る。接着シート(6)はポリ塩化ビニール等の紫外線透過
性シート(6a)の片面に紫外線照射にて硬化する樹脂系接
着剤(6b)を等厚に被着形成したもので、先ず第4図に示
すように硬化前の接着剤(6b)の中央部上に1枚のウエー
ハ(1)を貼り付ける。またシート固定用のリング(7)をシ
ート周辺部上の接着剤(6b)に貼り付ける。而して後、第
5図に示すように接着シート(6)をウエーハ(1)を下にし
て紫外線灯(8)の下方に配置してシート(6a)を通し接着
剤(6b)の全面に紫外線(9)を照射し、接着剤(6b)を硬化
させる。これによりウエーハ(1)とリング(7)は接着シー
ト(6)に強固に接着一体化される。次に第6図に示すよ
うに接着シート(6)をシート(6a)を下にしてダイシング
用チヤツクテーブル(10)上に載せて固定する。チヤツク
テーブル(10)は上面周辺部が少し低く、この周辺部上に
接着シート(6)の周辺部をリング(7)で押圧して固定す
る。その後チヤツクテーブル(10)とブレード(5)を相対
移動させてウエーハ(1)の各素子間をブレード(5)で順次
完全切込みする。この完全カツト時、ブレード(5)は接
着剤(6b)をも切込んでいくが、接着剤(6b)は粘性の無い
完全硬化の状態にあるので接着剤(6b)の切削屑はウエー
ハ(1)の切削屑と共に粉状となつて飛散し、従つてブレ
ード(5)やウエーハ(1)に切削屑が付着して残ることや、
切削屑がブレード(5)を研磨する不都合が無くなり、ブ
レード(5)の寿命が長くなる。またウエーハ(1)の固着強
度が大きいため、素子の横ずれなどがほぼ皆無となつて
カツテイング時に素子にクラツクが入る等の事故が無く
なり、歩留りが向上する。
尚、接着シート(6)は、上記実施例に限らず、場合によ
つては、両面に紫外線硬化性樹脂を被着してもよい。
ヘ 発明の効果 以上説明したように、本発明の接着シートを使用すれば
ウエーハダイシング時のブレード破損、歩留り低下の各
問題点が難無く解決され、特に完全カツト方式のウエー
ハダイシングにおいてその実施効果は極めて大である。
また、本発明の接着シートは接着剤が硬化しているので
シートより素子を真空吸着コレット等で吸着してマウン
トする際、シートの裏より針状の治具でつき上げると簡
単にはがれて吸着しそこなうというトラブルもなくな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の接着シートを使つたウエーハ
ダイシング装置の平面図及びA−A線に沿う断面図、第
3図は第2図のB−B線に沿う部分拡大断面図、第4図
乃至第6図は本発明の接着シートを使つたウエーハダイ
シング方法の一例を説明するための各工程での断面図で
ある。 (1)……半導体ウエーハ、(6)……接着シート、(6a)……
紫外線透過性シート、(6b)……紫外線硬化性接着剤、
(9)……紫外線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ダイシング時半導体ウェーハの裏面に貼り
    付けて前記半導体ウェーハ及びそれを分割ダイシングし
    た素子を保持するシートであって、紫外線透過性シート
    に紫外線硬化性樹脂系接着剤を被着形成したことを特徴
    とする半導体ウェーハダイシング用接着シート。
JP14008783A 1983-07-29 1983-07-29 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト Expired - Lifetime JPH0616527B2 (ja)

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JP14008783A JPH0616527B2 (ja) 1983-07-29 1983-07-29 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト

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JPS6031918A JPS6031918A (ja) 1985-02-18
JPH0616527B2 true JPH0616527B2 (ja) 1994-03-02

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