JPH0595046A - センサー形成済基板のダイシング方法 - Google Patents
センサー形成済基板のダイシング方法Info
- Publication number
- JPH0595046A JPH0595046A JP25554591A JP25554591A JPH0595046A JP H0595046 A JPH0595046 A JP H0595046A JP 25554591 A JP25554591 A JP 25554591A JP 25554591 A JP25554591 A JP 25554591A JP H0595046 A JPH0595046 A JP H0595046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- sensor
- substrate
- resin
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Pressure Sensors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜センサー部分をダイヤフラム状に残した
ようなセンサー形成済基板を個別に切断する場合の問題
点、すなわち、薄膜センサー部分がダイシングソーによ
る切断中に破れる問題点を解決すること。 【構成】 基板除去部分３に保護用樹脂４を均一に塗布
し、その上面を平坦にする。次に、センサー形成面にダ
イシング用テープ５を貼り付ける。これをダイシングソ
ーにテープ５の面が下になるようにセットし、真空吸引
により固定する。後は、ＩＣやＬＳＩのダイシングと同
様、スクライブレーンとダイシングブレード６の平行調
整、ピッチ合わせを行ない、必要なスクライブレーンを
切断し、個別のセンサーチップにする。その後、ダイシ
ング用テープ５からセンサーチップ７を剥がし、保護用
樹脂４を溶解・除去して完成。
ようなセンサー形成済基板を個別に切断する場合の問題
点、すなわち、薄膜センサー部分がダイシングソーによ
る切断中に破れる問題点を解決すること。 【構成】 基板除去部分３に保護用樹脂４を均一に塗布
し、その上面を平坦にする。次に、センサー形成面にダ
イシング用テープ５を貼り付ける。これをダイシングソ
ーにテープ５の面が下になるようにセットし、真空吸引
により固定する。後は、ＩＣやＬＳＩのダイシングと同
様、スクライブレーンとダイシングブレード６の平行調
整、ピッチ合わせを行ない、必要なスクライブレーンを
切断し、個別のセンサーチップにする。その後、ダイシ
ング用テープ５からセンサーチップ７を剥がし、保護用
樹脂４を溶解・除去して完成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、センサー形成済基板の
ダイシング方法に関するものである。
ダイシング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン・ウエハー等の基板上に
多数形成されたＩＣあるいはＬＳＩを個別に切断するに
は、ディスコ社より販売されているダイシングソーを用
いている。切断に際しては、数十ミクロンの厚みのダイ
シングブレードを高速で回転させ、純水を吹き付けなが
ら切断していく。このとき、基板はダイシングステージ
に真空吸引により固定されている。
多数形成されたＩＣあるいはＬＳＩを個別に切断するに
は、ディスコ社より販売されているダイシングソーを用
いている。切断に際しては、数十ミクロンの厚みのダイ
シングブレードを高速で回転させ、純水を吹き付けなが
ら切断していく。このとき、基板はダイシングステージ
に真空吸引により固定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
ように、シリコン・ウエハー等の基板１上に、サーミス
ター等のセンサー２を薄膜で形成し、その後、基板の一
部３をエッチングにより除去し、薄膜センサー部分をダ
イヤフラム状に残したようなセンサー形成済基板を個別
に切断する場合、上述の如きＩＣやＬＳＩと同様の切断
方法では、薄膜センサー部分が真空吸引やブレードの冷
却、切屑の除去のために吹き付ける純水の圧力により破
れ、センサーとして機能しなくなるという問題があっ
た。
ように、シリコン・ウエハー等の基板１上に、サーミス
ター等のセンサー２を薄膜で形成し、その後、基板の一
部３をエッチングにより除去し、薄膜センサー部分をダ
イヤフラム状に残したようなセンサー形成済基板を個別
に切断する場合、上述の如きＩＣやＬＳＩと同様の切断
方法では、薄膜センサー部分が真空吸引やブレードの冷
却、切屑の除去のために吹き付ける純水の圧力により破
れ、センサーとして機能しなくなるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、薄膜センサー部分がダイ
シングソーによる切断中に破れることのないセンサー形
成済基板のダイシング方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、薄膜センサー部分がダイ
シングソーによる切断中に破れることのないセンサー形
成済基板のダイシング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、基板上にセンサーを薄膜により多数形成し、
その後、基板の一部を除去することにより前記薄膜セン
サー部分をダイヤフラム状に残したセンサー形成済基板
から個々のチップに切り離すセンサー形成済基板のダイ
シング方法において、前記基板除去部分に樹脂を塗布し
て上面を平坦とし、その平坦面側からダイシングブレー
ドにより切断し、最後に、前記樹脂を除去したことを特
徴とするものである。
本発明は、基板上にセンサーを薄膜により多数形成し、
その後、基板の一部を除去することにより前記薄膜セン
サー部分をダイヤフラム状に残したセンサー形成済基板
から個々のチップに切り離すセンサー形成済基板のダイ
シング方法において、前記基板除去部分に樹脂を塗布し
て上面を平坦とし、その平坦面側からダイシングブレー
ドにより切断し、最後に、前記樹脂を除去したことを特
徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、基板除去部分に樹脂を塗布し
たことにより、ダイヤフラム状の薄膜センサー部分は補
強される。従って、ダイシング時の真空吸引やブレード
の冷却、切屑の除去のために吹き付ける純水の圧力に対
して耐えられる。
たことにより、ダイヤフラム状の薄膜センサー部分は補
強される。従って、ダイシング時の真空吸引やブレード
の冷却、切屑の除去のために吹き付ける純水の圧力に対
して耐えられる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。なお、本実施例に係るセンサー形成済基板は、シリ
コン基板１上にサーミスター等のセンサー２が薄膜によ
り形成され、その基板の一部が除去されて薄膜センサー
部分がダイヤフラム状になっている。
る。なお、本実施例に係るセンサー形成済基板は、シリ
コン基板１上にサーミスター等のセンサー２が薄膜によ
り形成され、その基板の一部が除去されて薄膜センサー
部分がダイヤフラム状になっている。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、基板除去
部分にアピエゾンワックス、フォトレジスト等の保護用
樹脂４を均一に塗布し、その上面を平坦にする。次に、
図１（ｂ）に示すように、センサー形成面にダイシング
用テープ５を貼り付ける。これをダイシングソー（図示
せず）にテープ５の面が下になるようにセットし、真空
吸引により固定する。後は、ＩＣやＬＳＩのダイシング
と同様、スクライブレーンとダイシングブレード６の平
行調整、ピッチ合わせを行ない、必要なスクライブレー
ンを切断し、個別のセンサーチップにする（図１（ｃ）
参照）。
部分にアピエゾンワックス、フォトレジスト等の保護用
樹脂４を均一に塗布し、その上面を平坦にする。次に、
図１（ｂ）に示すように、センサー形成面にダイシング
用テープ５を貼り付ける。これをダイシングソー（図示
せず）にテープ５の面が下になるようにセットし、真空
吸引により固定する。後は、ＩＣやＬＳＩのダイシング
と同様、スクライブレーンとダイシングブレード６の平
行調整、ピッチ合わせを行ない、必要なスクライブレー
ンを切断し、個別のセンサーチップにする（図１（ｃ）
参照）。
【０００９】その後、ダイシング用テープ５からセンサ
ーチップ７を剥がし（図１（ｄ）参照）、前記保護用樹
脂４を溶解・除去して完成する（図１（ｅ）参照）。保
護用樹脂４の溶解は、アピエゾンワックスの場合はトリ
クロルエタンに浸漬すればよく、また、他のフォトレジ
スト等を用いる場合には、専用の剥離液が用意されてい
るので、それを用いればよい。
ーチップ７を剥がし（図１（ｄ）参照）、前記保護用樹
脂４を溶解・除去して完成する（図１（ｅ）参照）。保
護用樹脂４の溶解は、アピエゾンワックスの場合はトリ
クロルエタンに浸漬すればよく、また、他のフォトレジ
スト等を用いる場合には、専用の剥離液が用意されてい
るので、それを用いればよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明は上記のように、薄膜センサー部
分をダイヤフラム状に残したセンサー形成済基板のダイ
シング方法において、基板除去部分に樹脂を塗布して上
面を平坦とし、その平坦面側からダイシングブレードに
より切断したことにより、従来のＩＣやＬＳＩを切断し
ていたダイシングソーを用いても、薄膜センサー部分が
ダイシングソーによる切断中に破れることのないダイシ
ング方法を提供することができる。
分をダイヤフラム状に残したセンサー形成済基板のダイ
シング方法において、基板除去部分に樹脂を塗布して上
面を平坦とし、その平坦面側からダイシングブレードに
より切断したことにより、従来のＩＣやＬＳＩを切断し
ていたダイシングソーを用いても、薄膜センサー部分が
ダイシングソーによる切断中に破れることのないダイシ
ング方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明に係る薄膜センサーチップの形状を示す
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ センサー ３ 基板除去部分 ４ 樹脂 ５ ダイシング用テープ ６ ダイシングブレード ７ センサーチップ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】その後、ダイシング用テープ５からセンサ
ーチップ７を剥がし（図１（ｄ）参照）、前記保護用樹
脂４を溶解・除去して完成する（図１（ｅ）参照）。保
護用樹脂４の溶解は、アピエゾンワックスの場合はトリ
クロルエタンに浸漬すればよく、また、他のフォトレジ
スト等を用いる場合には、専用の剥離液が用意されてい
るので、それを用いればよい。なお、切断においては、
ダイシング用テープを保護用樹脂の面に貼り付け、この
面を吸引し、センサー形成側から切断しても、同様の効
果を得ることができる。
ーチップ７を剥がし（図１（ｄ）参照）、前記保護用樹
脂４を溶解・除去して完成する（図１（ｅ）参照）。保
護用樹脂４の溶解は、アピエゾンワックスの場合はトリ
クロルエタンに浸漬すればよく、また、他のフォトレジ
スト等を用いる場合には、専用の剥離液が用意されてい
るので、それを用いればよい。なお、切断においては、
ダイシング用テープを保護用樹脂の面に貼り付け、この
面を吸引し、センサー形成側から切断しても、同様の効
果を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にセンサーを薄膜により多数形成
し、その後、基板の一部を除去することにより前記薄膜
センサー部分をダイヤフラム状に残したセンサー形成済
基板から個々のチップに切り離す方法であって、前記基
板除去部分に樹脂を塗布して上面を平坦とし、その平坦
面側からダイシングブレードにより切断し、最後に、前
記樹脂を除去したことを特徴とするセンサー形成済基板
のダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25554591A JPH0595046A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | センサー形成済基板のダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25554591A JPH0595046A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | センサー形成済基板のダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595046A true JPH0595046A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17280217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25554591A Pending JPH0595046A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | センサー形成済基板のダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595046A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5851851A (en) * | 1994-03-07 | 1998-12-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor acceleration sensor |
| US6117347A (en) * | 1996-07-10 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Method of separating wafers into individual die |
| US6303471B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-10-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing semiconductor device having reinforcing member and method of manufacturing IC card using the device |
| WO2002075794A2 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-26 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate |
| JP2006202909A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25554591A patent/JPH0595046A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5851851A (en) * | 1994-03-07 | 1998-12-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor acceleration sensor |
| US6117347A (en) * | 1996-07-10 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Method of separating wafers into individual die |
| US6303471B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-10-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing semiconductor device having reinforcing member and method of manufacturing IC card using the device |
| WO2002075794A2 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-26 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate |
| WO2002075794A3 (en) * | 2001-03-15 | 2002-11-14 | Reflectivity Inc | A method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate |
| US6900072B2 (en) | 2001-03-15 | 2005-05-31 | Reflectivity, Inc. | Method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate |
| JP2006202909A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
| JP4578251B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
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