JP2005353707A - 半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に集積回路を形成した半導体基板をチップに加工するに際し、表面の集積回路を形成していない部分を除去して集積回路部を凸設し、この凸部に係合する凹部に吸引用の貫通孔を配設した治具と前記凸型半導体基板を嵌合させ、次いで凸部以外の半導体基板を裏面から除去しチップ化する。このチップの転写位置に接着剤層を形成した他の基板に治具を位置合わせして選択転写する。
【選択図】図4
Description
さらに、微小なもので、400μm×400μm×50μmといったタグチップ(ICチップ)も使用され始めている。
これら微小チップの加工方法は、直径8インチ、厚さ0.7mmといった単結晶シリコン基板に集積回路などのデバイスを形成した後、研磨、切断されて、チップ化されている。
通常、単結晶シリコン基板に回路形成し、次いでダイシング後、粘着テープに固定され、単結晶シリコン基板の裏面を研磨してチップ化している。すなわち、加工されたチップは、粘着テープ上に固定された状態で仕上がる。
この粘着テープからのチップの剥離は、裏面からピンで押し上げ、チップをピックアップする方法が採用されたり、粘着テープ自身に粘着力を変化する特性を持たせ、特定条件(熱、光など)を粘着テープに与えることで、チップを剥離させる方法(自己剥離機能)が採用されている。
また、特開平8−250454号公報には3つの実施例が開示されているが、いずれも半導体ウェハに粘着シートを貼り付ける工程が含まれている。
また、通常、1枚の結晶シリコン基板から数10万個のチップを加工できるが、一旦ばらばらになった数10万個のチップを再配列しなおすことは、生産効率を悪化させている。
また、結晶シリコン基板をドライエッチングする場合、エッチングの面内均一性が問題となる場合がある。これは、主にドライエッチング装置のガス流路や電極といった装置に起因する問題である。特に、本発明のようなダイシング基板の裏面全面エッチングによるチップ加工の場合では、エッチング量が多いため、面内の不均一が顕著となる。このように面内不均一の状態で、ドライエッチングをすると、加工したチップ形状が不均一になるという問題が生じる。
本願発明は、上記の問題点を克服した半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法を提供することである。
上記方法によれば、粘着テープを用いないために、まず、粘着テープの貼付及び剥離工程を省くことができ生産が効率的に行うことができる。また、粘着テープを使用することによって生じる欠点であるチップが剥離しない、チップが剥離するが規則的配列を保持できないといった問題が生じない。なお、本願発明では、複数のチップ間の規則的配列は、治具によって保持される。また、治具には真空吸引用貫通孔が配設されているため、吸引のオン・オフによって半導体チップの保持と分離の制御は容易となる。
この請求項2記載の方法では、請求項1記載の方法によって加工される微小チップの均一性を良くすることができる。すなわち、半導体基板として、SOI基板を使用することで、凸型半導体基板の裏面エッチングの際に、酸化シリコン層がエッチングストッパーとして機能し、凸型半導体基板裏面の全面を均一にエッチングして
寸法が均一なチップを得ることが可能となる。
この請求項3記載の方法では、規則的配列で、かつ、分離容易な状態で加工した微小チップを、転写される側の基板(チップ転写先基板)の微小チップ転写位置に形成された接着剤層に貼りつけて転写するため、微小チップの選択転写が容易となる。特に、治具側の微小チップ保持方法が真空吸引であるため、チップ転写先基板の接着剤層の接着力よりも保持力を小さく設定することにより、確実にチップ転写先基板に、微小チップを転写することができる。
また、請求項2の発明では、SOI基板をドライエッチングでのストッパーとして使用するために、均一な形状の微小チップを加工することが可能となる。
請求項3の発明では、微小チップは、容易に脱着可能な状態で治具にはめ込まれているため、チップ転写先基板の微小チップ転写位置に接着層を形成し、型枠基板を位置合わせすることで、容易に微小チップを転写することが可能となる。
本発明で使用する治具1の構造を図1に示す。治具1には、微小チップ5を吸引固定するための真空吸着する貫通孔3が穿設され、その表面には、凸型基板20の凸部11と整合する凹部2が加工されている。微小チップ5を吸引する場合は、この治具1の裏面から、真空引きを行なう。
SOI基板を図2に示す。SOI基板10は、酸化シリコン層8上に結晶シリコン層6を形成したものである。SOI基板10の表面には、電子素子を形成しておく。この電子素子は、本例のように、液晶ディスプレイ用画素制御基板を形成する場合は、トランジスタなどの画素制御素子7を形成しておく。この電子素子は、通常の半導体製造プロセスで形成できる。
図3に示すようにSOI基板10表面の集積回路を形成していない部分を除去して集積回路部を凸設させて凸型の基板とする。(以下凸型基板20と呼ぶ。)この溝加工は、ブレードダイシング、レーザーダイシング、あるいはフォトリソグラフィーとエッチングを組み合わせたフォトエッチングのいずれかによって行なうことができる。また、この溝加工は、SOI基板10の酸化シリコン層8までおこなう。
図4に示すように、上記の凸型基板20を裏返して治具1にはめ込む。これは、治具の微小チップがはまり込む凹部2に凸型基板20の凸部11を整合させる。この凸型基板20をはめ込んだ状態で、治具1の真空チャックで真空吸引し、凸型基板20を治具に仮固定する。
次に、凸型基板20の裏面エッチングを行ない、チップ化を行う。先述の治具1にはめ込んだ凸型基板20をドライエッチング装置に設置し、凸型基板裏面のドライエッチングを行なう。この状態を図5に示す。結晶シリコンをエッチングする場合は、SF6、CF4といったガスを使用することでエッチングは可能である。
この基板裏面のエッチングでは、SOI基板の酸化シリコン層8がストッパーとなり、エッチングが終端するため、基板の裏全面を均一にエッチングすることができる。
凸型基板20の裏面エッチング後の状態を図6に示す。裏面エッチング後、治具1に規制された配列状態で微小チップ5に加工される。微小チップ5は、治具の貫通孔3にて吸引されて固定し、その状態でドライエッチング装置から取り出し、搬送する。
図7に示すようにチップ転写先基板12の微小チップが配置される場所に接着剤層13を形成する。また、本例ではチップ転写先基板12は透明有機基板14、もしくは透明有機膜のラミネート基板である。
加工した微小チップ5とチップ転写先基板12とを位置合わせして、微小チップ5をチップ転写先基板12に転写する。治具1の微小チップ5は真空吸着しているため、この吸引力の強弱を設定すれば、接着剤層13へ容易に転写することができる。
図9に示すように、チップ転写先基板12に転写した微小チップ5をホットプレスして、埋め込む。
画素制御素子7(微小チップ)に透明電極16及び配線15の形成をおこない、画素制御基板22を完成させる。
Claims (3)
- 表面に集積回路を形成した半導体基板の分断方法であって、基板表面の集積回路を形成していない部分を除去して集積回路部を凸設し、この凸部に係合する凹部に吸引用の貫通孔を配設した治具と、前記凸型半導体基板を嵌合させ、次いで凸部以外の半導体基板を裏面から除去して半導体チップを製造することを特徴とする半導体基板の分断方法。
- 半導体基板が絶縁酸化膜上にシンリコン結晶膜を形成したSOI基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の分断方法。
- 半導体チップを他の基板に転写する選択転写方法において、絶縁酸化膜上にシンリコン結晶膜を形成して集積回路を形成したSOI基板の表面を、集積回路を形成していない部分を除去して集積回路部を凸設させ、次いでこの凸部に係合する凹部に吸引用の貫通孔を配設した治具と、上記凸型SOI基板を嵌合させ、その後凸部以外のSOI基板を裏面からエッチングで除去してチップに分断し、治具の貫通孔から負圧でチップを把持し、このチップの転写位置に接着剤層を形成した他の基板へ、治具を位置合わせして転写することを特徴とする半導体チップの選択転写方法。
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