DE10111761A1 - Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats - Google Patents

Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats

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Matthias Goldbach
Martin Franosch
Volker Lehmann
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Abstract

Es wird ein Grundkörper (21) bereitgestellt, auf dem ein erster Dichtungsring (23) und ein zweiter Dichtungsring (24) angeordnet sind. Auf den Dichtungsringen wird ein Substrat (1) angeordnet, so daß ein Hohlraum (25) zwischen dem ersten Dichtungsring (23), dem zweiten Dichtungsring (24), dem Grundkörper (21) und dem Substrat (1) gebildet wird. In den Hohlraum (25) ist eine Ätzsubstanz zum Freiätzen einer auf das Substrat (1) aufgebrachten leitfähigen Schicht einleitbar. Ist eine auf der Substratrückseite aufgebrachte leitfähige Schicht (5) freigelegt, so kann in den Hohlraum (25) ein Elektrolyt eingefüllt werden, der die leitfähige Schicht (5) und somit die Substratrückseite kontaktiert.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersub­ strats.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden Verfah­ rensschritte verwendet, die eine elektrische Kontaktierung zu dem zu bearbeitenden Substrat erfordern. Dies ist zum Bei­ spiel bei elektrischen beziehungsweise elektrochemischen Pro­ zeßschritten der Fall. Um sehr viele gleichartige Bauelemente parallel auf einem Halbleitersubstrat herstellen zu können, ist es erforderlich, daß das Substrat durch den Prozeßschritt gleichmäßig bearbeitet wird. Dies erfordert Kontaktierungs­ verfahren, die einen bezüglich des Substrats möglichst homo­ genen elektrischen Kontakt herstellen. Falls kein homogener elektrischer Kontakt gewährleistet ist, so ergibt sich eine Variation des elektrischen Potentials über das Substrat, was sich in einer inhomogenen Prozeßführung bemerkbar machen kann und eine gleichmäßige Durchführung des Prozeßschrittes ver­ hindert. Die Schwankung führt zu einer ungleichmäßigen galva­ nischen Abscheidung bei einem negativen Substratpotential und zu einer ungleichmäßigen anodischen Auflösung bei einem posi­ tiven Substratpotential.
Bei der anodischen Auflösung des Substrats bilden sich zum Beispiel bei geeignet gewählter Dotierung und Elektrolytzu­ sammensetzung bei einem niedrigen anodischen Potential Poren aus und bei einem hohen anodischen Potential elektropolierte Flächen. Dies stellt eine gravierende Abhängigkeit der gebil­ deten Halbleiterbauelemente von dem anliegenden Potential dar und kann die Bildung funktionierender Halbleiterbauelemente verhindern.
Die Bildung von Poren in Silizium ist zum Beispiel für die Herstellung von Grabenkondensatoren interessant, da durch die Porenbildung eine erhebliche Oberflächenvergrößerung und eine damit verbundene Kapazitätsvergrößerung realisiert werden kann. Als Poren sind sogenannte Mesoporen mit einem Poren­ durchmesser im Bereich von 2 bis 10 Nanometern (nm) besonders geeignet. Da - wie bereits oben erwähnt - die Bildung von Po­ ren von dem elektrischen Potential abhängt, ist es von großer Bedeutung, dieses Potential möglichst gleichmäßig über das Substrat verteilt an das Substrat anzulegen.
Ein bekanntes Verfahren, einen gleichmäßigen ganzflächigen rückseitigen Kontakt zu einem Halbleitersubstrat herzustel­ len, ist zum Beispiel in dem Patent US 5,209,833 gezeigt. Da­ bei wird ein Elektrolytkontakt zu der Substratrückseite her­ gestellt, der eine sehr geringe Schwankung des Kontaktwider­ stands zwischen Substrat und Elektrolyt gewährleistet.
Das Verfahren zur Bildung eines ganzflächigen Elektrolyt-Rück­ seitenkontakts ist allerdings prozeßtechnisch aufwendig.
Es ist die Aufgabe der Erfindung eine Anordnung und ein Ver­ fahren zur gleichmäßigen Kontaktierung eines Halbleitersub­ strats anzugeben.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Anordnung zur Kontaktie­ rung eines Halbleitersubstrats mit:
  • - einem Grundkörper, der eine Grundkörperoberfläche aufweist, auf der ein erster Dichtungsring und ein zweiter Dichtungs­ ring angeordnet sind, wobei der erste Dichtungsring kleiner ist als der zweite Dichtungsring und der erste Dichtungs­ ring vollständig innerhalb des von dem zweiten Dichtungs­ ring umschlossenen Gebiets der Grundkörperoberfläche ange­ ordnet ist;
  • - wobei ein Halbleitersubstrat auf dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring angeordnet werden kann;
  • - wobei in dem Grundkörper, ausgehend von der Grundkörper­ oberfläche, zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zwei­ ten Dichtungsring eine erste Öffnung und eine zweite Öff­ nung angeordnet sind; und
  • - wobei ein Kontaktdraht freiliegend an der Grundkörperober­ fläche des Grundkörpers zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring angeordnet ist.
Die erfindungsgemäße Anordnung umfaßt somit zwei Dichtungs­ ringe in einem Grundkörper. Das Substrat kann beispielsweise auf die Dichtungsringe aufgebracht werden und die Substra­ trückseite kann in dem Kreisring zwischen den beiden Dich­ tungsringen von einem Isolator freigeätzt werden, wodurch beispielsweise eine leitfähige Schicht, die auf der Rückseite des Substrats aufgebracht ist, freigelegt wird. Anschließend kann die freigelegte leitfähige Schicht zwischen den beiden Dichtungsringen mit einem Elektrolyten kontaktiert werden. Als Kontakt für den Elektrolyten dient dabei der Kontakt­ draht, der in dem ringförmigen Streifen zwischen dem ersten und dem zweiten Dichtungsring angeordnet ist. Die leitfähige Schicht in dem Substrat ermöglicht es, daß der über den Elek­ trolytkontakt eingeprägte Strom gleichmäßig über die Substra­ trückseite verteilt wird und von der Substratrückseite zu der Substratvorderseite fließen kann.
Es ist vorgesehen, daß das Substrat, das eine erste Hauptflä­ che und eine zweite Hauptfläche umfaßt, auf dem ersten Dich­ tungsring und dem zweiten Dichtungsring angeordnet ist.
Weiterhin ist vorgesehen, daß auf der ersten Hauptfläche eine leitfähige Schicht angeordnet ist, die eine Oberfläche auf­ weist. Die leitfähige Schicht dient dazu, einen Strom gleich­ mäßig über die Substratrückseite zu verteilen.
Weiterhin ist vorgesehen, daß auf der leitfähigen Schicht ei­ ne erste Isolationsschicht angeordnet ist, die in dem Bereich zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring entfernt ist. Das Entfernen der Isolationsschicht zwi­ schen dem ersten und dem zweiten Dichtungsring hat den Vor­ teil, daß ein elektrischer Kontakt zwischen dem ersten Dich­ tungsring und dem zweiten Dichtungsring zu der leitfähigen Schicht und somit zu der Substratrückseite gebildet werden kann.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß von dem ersten Dichtungsring, dem zweiten Dichtungs­ ring, dem Grundkörper und dem Substrat ein Hohlraum begrenzt ist. Der Hohlraum weist den Vorteil auf, daß in ihn bei­ spielsweise eine Ätzsubstanz einleitbar ist, mittels derer die Isolationsschicht von der leitfähigen Schicht entfernt werden kann. Weiterhin weist der Hohlraum den Vorteil auf, daß ein Elektrolyt in den Hohlraum einleitbar ist, mittels dem ein elektrischer Kontakt zwischen dem Kontaktdraht und der leitfähigen Schicht ausbildbar ist.
Vorteilhaft ist dabei, den zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring eingeschlossenen Bereich der Substratoberfläche ringförmig am Waferrand auszubilden, da dort üblicherweise die Dicke einer Isolationsschicht geringer ist als im Zentrum der Rückseite des Wafers. Die am Rand dün­ ner ausgebildete Isolatorschicht weist den Vorteil auf, daß sie im Randbereich schneller von der leitfähigen Schicht ent­ fernt werden kann. Weiterhin kann die Ätzzeit zum Freilegen der leitfähigen Schicht dadurch verkürzt werden, daß speziel­ le Halteklammern bei einer Nitrid- oder einer Polysiliziumab­ scheidung verwendet werden, die eine Abscheidung in dem Be­ reich zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dich­ tungsring reduzieren.
Bezüglich des Verfahrens wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats mit den Schritten:
  • - Bereitstellen eines Grundkörpers, der eine Grundkörperober­ fläche aufweist, auf der ein erster Dichtungsring und ein zweiter Dichtungsring angeordnet sind, wobei der erste Dichtungsring kleiner ist als der zweite Dichtungsring und der erste Dichtungsring vollständig innerhalb des von dem zweiten Dichtungsring umschlossenen Gebiets der Grundkör­ peroberfläche angeordnet ist;
  • - wobei in dem Grundkörper, ausgehend von der Grundkörper­ oberfläche, zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zwei­ ten Dichtungsring eine erste Öffnung und eine zweite Öff­ nung angeordnet sind und
  • - wobei ein Kontaktdraht freiliegend an der Grundkörperober­ fläche des Grundkörpers zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring angeordnet ist;
  • - Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche umfaßt, wobei eine leitfähige Schicht auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist;
  • - Anordnen des ersten Substrats mit der ersten Hauptfläche auf dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring,
  • - wobei ein Hohlraum gebildet wird, der von dem ersten Dich­ tungsring, dem zweiten Dichtungsring, dem Grundkörper und dem Substrat begrenzt wird;
  • - Einleiten eines Elektrolyten durch die erste Öffnung in den Hohlraum, wobei eine elektrische Verbindung zwischen der leitfähigen Schicht und dem Kontaktdraht gebildet wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren bildet einen elektrischen Kon­ takt zu der Rückseite eines Halbleiterwafers. Der elektrische Kontakt wird dabei in dem Hohlraum gebildet, welcher ringför­ mig an der Substratrückseite verläuft. Vorteilhaft ist dabei, daß die naßchemische Behandlung auf den Bereich des Hohlraums beschränkt ist, wodurch die aufwendige Handhabung des Halb­ leiterwafers bei einer ganzflächigen Rückseitenpräparation vermieden werden kann. Durch die leitfähige Schicht wird der in die Substratrückseite eingeprägte Strom gleichmäßig über die Substratrückseite verteilt und ein homogener Stromfluß von der Substratrückseite zur Substratvorderseite ist ermög­ licht.
Ein Verfahrensschritt sieht vor, daß auf der leitfähigen Schicht eine Isolationsschicht angeordnet ist und in den Hohlraum eine Ätzsubstanz eingeleitet wird, welche die Isola­ tionsschicht von der leitfähigen Schicht entfernt. Das Freiätzen der leitfähigen Schicht findet vorzugsweise in dem Hohlraum statt, wodurch die leitfähige Schicht zur elektri­ schen Kontaktierung freigelegt wird.
Ein weiterer Verfahrensschritt sieht vor, daß zwischen dem Substrat und der leitfähigen Schicht eine Barrierenschicht gebildet wird. Die Barrierenschicht dient beispielsweise da­ zu, eine Verunreinigung des Substrats durch Materialien, die in der leitfähigen Schicht angeordnet sind, zu verhindern. Dazu kann die Barrierenschicht beispielsweise eine Diffusi­ onsbarrierenwirkung aufweisen. Weiterhin ist vorgesehen, daß die Barrierenschicht leitfähig ist.
Ein weiterer Verfahrensschritt sieht vor, daß die Isolations­ schicht Siliziumnitrid oder Siliziumoxid umfaßt und mit einem Ätzmittel geätzt wird, das Flußsäure oder Salpetersäure um­ faßt, wodurch die leitfähige Schicht freigelegt wird.
Ein weiterer Verfahrensschritt sieht vor, daß die Isolations­ schicht mittels eines Trockenätzprozesses entfernt wird, der eine auf das Substrat aufgebracht Ätzmaske verwendet.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Ge­ genstand der jeweiligen Unteransprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispie­ len und Figuren näher erläutert.
In den Figuren zeigen:
Fig. 1 die Draufsicht auf einen Grundkörper mit Dichtungs­ ringen der zur Aufnahme eines Halbleitersubstrats geeignet ist;
Fig. 2 einen Schnitt durch den in Fig. 1 dargestellten Grundkörper entlang der Schnittlinie II;
Fig. 3 einen Schnitt durch den in Fig. 1 dargestellten Grundkörper entlang der Schnittlinie III;
Fig. 4 ein Substrat mit einer auf der Substratrückseite aufgebrachten leitfähigen Schicht.
In Fig. 1 ist ein Grundkörper 21 dargestellt, der eine Grundkörperoberfläche 22 aufweist. Auf der Grundkörperober­ fläche 22 ist ein erster Dichtungsring 23 und ein zweiter Dichtungsring 24 angeordnet. Der erste Dichtungsring 23 ist kleiner ausgebildet als der zweite Dichtungsring 24 und der erste Dichtungsring 23 ist vollständig innerhalb des von dem zweiten Dichtungsring 24 umschlossenen Gebiets 30 der Grund­ körperoberfläche 22 angeordnet. Weiterhin ist zwischen dem ersten Dichtungsring 23 und dem zweiten Dichtungsring 24 eine erste Öffnung 26 und eine zweite Öffnung 27 angeordnet. Die erste Öffnung 26 ist beispielsweise mit einem Einlaß 35 ver­ bunden, durch den Gase und Flüssigkeiten in den Bereich zwi­ schen dem ersten Dichtungsring 23 und dem zweiten Dichtungs­ ring 24 einleitbar sind. Die zweite Öffnung 27 ist beispiels­ weise mit einem Auslaß 36 verbunden, durch den Flüssigkeiten und Gase aus dem Zwischenraum zwischen dem ersten Dichtungs­ ring 23 und dem zweiten Dichtungsring 24 entfernbar sind. Wird beispielsweise ein Halbleitersubstrat 1 auf den ersten Dichtungsring 23 und den zweiten Dichtungsring 24 aufge­ bracht, so entsteht ein Hohlraum 25, der von dem ersten Dich­ tungsring 23, dem zweiten Dichtungsring 24, der Grundkörper­ oberfläche 22 und dem Halbleitersubstrat 1 begrenzt wird. In den Hohlraum 25 sind beispielsweise Gase und Flüssigkeiten durch die erste Öffnung 26 und die zweite Öffnung 27 einleit­ bar und ausleitbar. Zusätzlich ist ein dritter Dichtungsring 31 dargestellt, der größer ist als der erste Dichtungsring 23 und der zweite Dichtungsring 24.
In Fig. 2 ist ein Schnittbild entlang der Schnittlinie II dargestellt. Der Grundkörper 21 weist die Grundkörperoberflä­ che 22 auf, auf der der erste Dichtungsring 23 und der zweite Dichtungsring 24 angeordnet sind. Auf dem ersten Dichtungs­ ring 23 und dem zweiten Dichtungsring 24 ist ein Halbleiter­ substrat 1 angeordnet, das eine erste Hauptfläche 2 und eine zweite Hauptfläche 3 aufweist. Die erste Hauptfläche 2 ist dem Grundkörper 21 zugewandt und liegt auf dem ersten und dem zweiten Dichtungsring (23, 24) auf. In dem Grundkörper 21 ist die erste Öffnung 26 und die zweite Öffnung 27 zwischen dem ersten Dichtungsring 23 und dem zweiten Dichtungsring 24 an­ geordnet. Die erste Öffnung 26 ist mit dem Einlaß 35 verbun­ den und die zweite Öffnung 27 ist mit dem Auslaß 36 verbun­ den. Auf dem Grundkörper 21 ist ein dritter Dichtungsring 31 angeordnet und auf der zweiten Hauptfläche 3 des Substrats 1 ist ein vierter Dichtungsring 32 angeordnet. Auf den dritten Dichtungsring 31 und den vierten Dichtungsring 32 ist ein Ätzbecher 34 aufgebracht. In den Ätzbecher 34 ist eine Flüs­ sigkeit einleitbar, welche die zweite Hauptfläche 3 des Sub­ strats 1 benetzen kann und mittels einer Gegenelektrode 33 elektrisch kontaktierbar ist. In dem Hohlraum 25, zwischen dem ersten Dichtungsring 23 und dem zweiten Dichtungsring 24, ist auf der Grundkörperoberfläche 22 des Grundkörpers 21 ein Kontaktdraht 28 angeordnet. Zusätzlich ist ein Lager (37) vorgesehen, auf dem das Substrat (1) ruhen kann, wenn eine Prozeßflüssigkeit in den Ätzbecher (34) eingefüllt wird.
In Fig. 3 ist ein Schnittbild entlang der Schnittlinie III aus Fig. 1 dargestellt. Die in Fig. 3 dargestellte Anord­ nung unterscheidet sich von Fig. 2 dahingehend, daß die er­ ste Öffnung 26 und der Einlaß 35 sowie die zweite Öffnung 27 und der Auslaß 36 nicht entlang der Schnittlinie III angeord­ net sind.
In Fig. 4 ist ein Substrat 1 dargestellt, das eine erste Hauptfläche 2 und eine zweite Hauptfläche 3 aufweist. Beispielsweise wird die erste Hauptfläche 2 als Substratrücksei­ te und die zweite Hauptfläche 3 als Substratvorderseite be­ zeichnet, in der beispielsweise elektrische Bauelemente wie Transistoren, Kapazitäten und Widerstände gebildet werden. Auf der ersten Hauptfläche 2 ist eine Barrierenschicht 4 an­ geordnet. Auf der Barrierenschicht 4 ist eine leitfähige Schicht 5 angeordnet. Auf der leitfähigen Schicht 5 ist eine erste Isolationsschicht 6, auf der ersten Isolationsschicht 6 ist eine zweite Isolationsschicht 7 und auf der zweiten Iso­ lationsschicht 7 ist eine weitere Schicht 8 mit einer Ober­ fläche 9 angeordnet. Weitere Ausgestaltungen der in Fig. 4 dargestellten Anordnung sind zum Beispiel auch ohne die Bar­ rierenschicht 4 und ohne den Isolationsschichtstapel beste­ hend aus den Schichten 6, 7 und 8 möglich. Ebenso können ein­ zelne oder mehrere der Schichten 4, 6, 7 und 8 angeordnet sein.
Nachfolgend wird anhand von Fig. 2 ein Verfahren zur Rück­ seitenkontaktierung eines Substrats 1 beschrieben. Das Sub­ strat 1 wird auf den ersten Dichtungsring 23 und den zweiten Dichtungsring 24 aufgelegt, wobei die Oberfläche 9 dem Grund­ körper 21 zugewandt ist. Auf der ersten Hauptfläche 2 des Substrats 1 ist die leitfähige Schicht 5 angeordnet. Ist bei­ spielsweise auf der leitfähigen Schicht 5 eine Isolations­ schicht angeordnet, so wird zunächst ein Ätzmittel in den Einlaß 35 eingelassen, welches durch die Öffnung 26 in den Hohlraum 25 gelangt und einen kreisförmigen Bereich der leit­ fähigen Schicht 5 von der Isolationsschicht 6 befreit. Das Ätzmittel fließt dabei durch den Hohlraum 25 zu der zweiten Öffnung 27 und durch den Auslaß 36. Ist die leitfähige Schicht 5 in dem ringförmigen Bereich zwischen dem ersten Dichtungsring und dem zweiten Dichtungsring freigelegt, so wird ein Elektrolyt durch den Einlaß 35 und die erste Öffnung 26 in den Hohlraum 25 eingeleitet, wodurch ein elektrischer Kontakt zwischen der leitfähigen Schicht 5 und dem Kontakt­ draht 28 gebildet wird. Über den Kontaktdraht 28 ist nun ein Strom durch den Elektrolyten in die leitfähige Schicht 5 einprägbar, der sich aufgrund der guten Leitfähigkeit der leit­ fähigen Schicht 5 gleichmäßig über die Substratrückseite ver­ teilt und gleichmäßig durch das Substrat 1 hindurch zu der Vorderseite des Substrats 1 fließen kann. Ist beispielsweise eine leitfähige Flüssigkeit in den Ätzbecher 34 eingeleitet, so fließt der elektrische Strom weiter von der zweiten Hauptfläche 3 durch die leitfähige Flüssigkeit zu der Gegene­ lektrode 33.
Nach dem Freiätzen der leitfähigen Schicht in dem ringförmi­ gen Hohlraum 25 kann der Hohlraum 25 beispielsweise mit deio­ nisiertem Wasser gereinigt und gespült werden, bevor der Elektrolyt eingefüllt wird. Nach Abschluß der elektrochemi­ schen Prozessierung der zweiten Hauptfläche 3 kann der Elek­ trolyt aus dem Hohlraum 25 entfernt werden, eine nachfolgende Spülung mit deionisiertem Wasser durchgeführt werden und an­ schließend eine Trocknung mit Stickstoff durchgeführt werden.
Die leitfähige Schicht 5 kann beispielsweise aus Metallen oder Siliziden gebildet werden. Als Metall ist beispielsweise Wolfram, als Silizid ist beispielsweise Wolframsilizid geeig­ net. Ebenso ist es möglich, die leitfähige Schicht aus Wolf­ ramnitrid zu bilden. Die Barrierenschicht 4 kann beispiels­ weise ebenfalls aus Wolframnitrid gebildet werden.
Bezugszeichenliste
1
Substrat
2
erste Hauptfläche
3
zweite Hauptfläche
4
Barrierenschicht
5
leitfähige Schicht
6
erste Isolationsschicht
7
zweite Isolationsschicht
8
weitere Schicht
9
Oberfläche
21
Grundkörper
22
Grundkörperoberfläche
23
erster Dichtungsring
24
zweiter Dichtungsring
25
Hohlraum
26
erste Öffnung
27
zweite Öffnung
28
Kontaktdraht
29
Elektrolyt
30
umschlossenes Gebiet
31
dritter Dichtungsring
32
vierter Dichtungsring
33
Gegenelektrode
34
Ätzbecher
35
Einlaß
36
Auslaß
37
Lager

Claims (10)

1. Anordnung zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats mit:
einem Grundkörper (21), der eine Grundkörperoberfläche (22) aufweist, auf der ein erster Dichtungsring (23) und ein zweiter Dichtungsring (24) angeordnet sind, wobei der erste Dichtungsring (23) kleiner ist als der zweite Dichtungsring (24) und der erste Dichtungsring (23) vollständig innerhalb des von dem zweiten Dichtungsring (24) umschlossenen Ge­ biets (30) der Grundkörperoberfläche (22) angeordnet ist;
wobei ein Halbleitersubstrat (1) auf dem ersten Dichtungs­ ring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) angeordnet werden kann;
wobei in dem Grundkörper (21), ausgehend von der Grundkör­ peroberfläche (22), zwischen dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) eine erste Öffnung (26) und eine zweite Öffnung (27) angeordnet sind; und
wobei ein Kontaktdraht (28) freiliegend an der Grundkörper­ oberfläche 22 des Grundkörpers (21) zwischen dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) ange­ ordnet ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (1), das eine erste Hauptfläche (2) und eine zweite Hauptfläche (3) umfaßt, auf dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) angeordnet ist.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der ersten Hauptfläche (2) eine leitfähige Schicht (5) angeordnet ist, die eine Oberfläche (9) aufweist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf der leitfähigen Schicht (5) eine erste Isolationsschicht (6) angeordnet ist, die in dem Bereich zwischen dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) ent­ fernt ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß von dem ersten Dichtungsring (23), dem zweiten Dichtungsring (24), der Grundkörperoberfläche (22) und dem Substrat (1) ein Hohlraum (25) begrenzt ist.
6. Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats mit den Schritten:
  • - Bereitstellen eines Grundkörpers (21), der eine Grundkör­ peroberfläche (22) aufweist, auf der ein erster Dichtungs­ ring (23) und ein zweiter Dichtungsring (24) angeordnet sind, wobei der erste Dichtungsring (23) kleiner ist als der zweite Dichtungsring (24) und der erste Dichtungsring (23) vollständig innerhalb des von dem zweiten Dichtungs­ ring (24) umschlossenen Gebiets (30) der Grundkörperober­ fläche (22) angeordnet ist,
    wobei in dem Grundkörper (21), ausgehend von der Grundkör­ peroberfläche (22), zwischen dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) eine erste Öffnung (26) und eine zweite Öffnung (27) angeordnet sind und
    wobei ein Kontaktdraht (28) freiliegend an der Grundkörper­ oberfläche (22) des Grundkörpers (21) zwischen dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24) ange­ ordnet ist;
  • - Bereitstellen eines Substrats (1), das eine erste Hauptflä­ che (2) und eine zweite Hauptfläche (3) umfaßt, wobei eine leitfähige Schicht (5) auf der ersten Hauptfläche (2) ange­ ordnet ist;
  • - Anordnen des ersten Substrats (1) mit der ersten Hauptflä­ che (2) auf dem ersten Dichtungsring (23) und dem zweiten Dichtungsring (24),
    wobei ein Hohlraum (25) gebildet wird, der von dem ersten Dichtungsring (23), dem zweiten Dichtungsring (24), der Grundkörperoberfläche (22) und dem Substrat (1) begrenzt wird;
  • - Einleiten eines Elektrolyten durch die erste Öffnung (26) in den Hohlraum (25), wobei eine elektrische Verbindung zwischen der leitfähigen Schicht (5) und dem Kontaktdraht (28) gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der leitfähigen Schicht (5) eine Isolationsschicht (6) angeordnet ist und in den Hohlraum (25) eine Ätzsubstanz ein­ geleitet wird, welche die Isolationsschicht (6) von der leit­ fähigen Schicht (5) entfernt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Substrat (1) und der leitfähigen Schicht (5) ei­ ne Barrierenschicht (4) gebildet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht (6) Siliziumnitrid oder Siliziumoxid umfaßt und mit einem Ätzmittel geätzt wird, das Flußsäure oder Salpetersäure umfaßt, wobei die leitfähige Schicht (5) freigelegt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht (6) mittels eines Trockenätzprozesses entfernt wird, der eine auf das Substrat (1) aufgebrachte Ätzmaske verwendet.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10143936A1 (de) 2001-09-07 2003-01-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung eines SOI-Substrats, vertikaler Transistor und Speicherzelle mit vertikalem Transistor
KR20130061513A (ko) * 2011-12-01 2013-06-11 삼성전자주식회사 에칭용 지그 및 이를 포함하는 화학적 리프트 오프 장비
US10361097B2 (en) 2012-12-31 2019-07-23 Globalwafers Co., Ltd. Apparatus for stressing semiconductor substrates
FR3125356A1 (fr) 2021-07-19 2023-01-20 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Dispositif et procédé de collecte d’éléments contaminants sur une plaque de matériau semi-conducteur

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4003472A1 (de) * 1989-09-22 1991-04-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen aetzen von siliziumplatten
WO1992002948A1 (de) * 1990-08-02 1992-02-20 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum einseitigen ätzen einer halbleiterscheibe
DE19728962A1 (de) * 1997-06-30 1999-01-07 Siemens Ag Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400387B1 (de) 1989-05-31 1996-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum grossflächigen elektrischen Kontaktieren eines Halbleiterkristallkörpers mit Hilfe von Elektrolyten
US5071510A (en) 1989-09-22 1991-12-10 Robert Bosch Gmbh Process for anisotropic etching of silicon plates
JPH06120204A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Toppan Printing Co Ltd バックエッチング装置
SE512515C2 (sv) * 1995-06-27 2000-03-27 Toolex Alpha Ab Anordning för elektroplätering av skivelement med användning av en sluten slinga av en elektriskt ledande kropp
JPH11154662A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Seiko Instruments Inc 半導体製造装置
US6251235B1 (en) * 1999-03-30 2001-06-26 Nutool, Inc. Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate
US6444027B1 (en) * 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
US6579408B1 (en) * 2002-04-22 2003-06-17 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for etching wafer backside

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4003472A1 (de) * 1989-09-22 1991-04-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen aetzen von siliziumplatten
WO1992002948A1 (de) * 1990-08-02 1992-02-20 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum einseitigen ätzen einer halbleiterscheibe
DE19728962A1 (de) * 1997-06-30 1999-01-07 Siemens Ag Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 06-120 204 A. In: Patent Abstracts of Japan *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1368821A1 (de) 2003-12-10
US20040104402A1 (en) 2004-06-03
US6863769B2 (en) 2005-03-08
WO2002073663A1 (de) 2002-09-19
TW550708B (en) 2003-09-01

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