JPH09165681A - 真空装置用ヒータプレート及びその製造方法 - Google Patents

真空装置用ヒータプレート及びその製造方法

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JPH09165681A
JPH09165681A JP7347398A JP34739895A JPH09165681A JP H09165681 A JPH09165681 A JP H09165681A JP 7347398 A JP7347398 A JP 7347398A JP 34739895 A JP34739895 A JP 34739895A JP H09165681 A JPH09165681 A JP H09165681A
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aluminum
plate
heater
rolled
heater plate
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JP7347398A
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Nobuyuki Sagusa
信之 佐草
Hiroshi Tsuchiya
洋 土屋
Miyoko Kato
三代子 加藤
Shigeyuki Nagashima
成行 長島
Norio Ozaki
寛夫 小崎
Hidenori Suwa
秀則 諏訪
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Ulvac Inc
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Abstract

(57)【要約】 [課題] 放出ガスが少なく、熱膨張係数が小さい真空
装置用ヒータプレートを提供すること。 [解決手段] シースヒータ11を埋め込んだアルミニ
ウム/コージエライト=70/30(重量比)からなる
厚さ18mmのアルミニウム・コージエライト複合体の
板材12の全面に対し厚さ1mmのアルミニウム圧延材
13を熱間等方加圧によって接合して被覆する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空装置内で基板の加熱
に使用されるヒータプレートに関するものである。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】高真空下に半導体デバイ
スを製造する真空装置において真空装置自体から放出さ
れるガスがあると、これを排気するために排気速度が一
層大きい真空ポンプを必要とするし、場合によっては半
導体デバイスの品質を低下させる。従って、真空装置に
使用する構造材料や部品は可及的にガスを放出しないも
のであることが望ましい。周知のように、スパッタリン
グ装置やプラズマCVD装置で基板上に薄膜を形成させ
る場合、エッチング装置によって基板上の薄膜をエッチ
ングする場合に、基板をヒータプレート上に載置して加
熱することが多いが、このヒータプレートにおいてガス
放出の問題があり、未だ十分には解決されていない。
【0003】従来使用されている基板加熱用のヒータプ
レートとして、図7に示すカーボンヒータプレート50
がある。図7のAはカーボンヒータプレート50の部分
破断平面図であり、図7のBは図7のAにおける[B]
−[B]線方向の断面図である。ニクロム線の周囲を絶
縁材の酸化マグネシウムで覆って外形5〜6mmφのス
テンレス・チューブ内に収容したシースヒータ51(周
縁部のシースヒータ51aと中心部のシースヒータ51
bとからなっている)を所定の巻図(配線形状)に従っ
て曲げ加工し、他方、巻図に従いそれぞれに溝加工した
上下の高純度カーボン板52、53で上述のシースヒー
タ51を挟んで製造されている。カーボンは熱伝導性が
あり耐熱性に優れていることから、このカーボンヒータ
プレート50は加熱レスポンスが良好であり熱変形し難
いという特性を有している。
【0004】しかし、カーボンは水を吸着しやすいの
で、カーボンヒータプレート50は高真空下に加熱され
ると大量のガスを放出するという欠陥がある。また、衝
撃に脆く壊れ易い。更には、カーボンヒータプレート5
0は真空装置内をプラズマ・ガスクリーニングする場合
やガスエッチングする場合に使用されるエッチング・ガ
ス、例えば3フッ化窒素(NF3 )に耐性がないので、
表面にアルミナ熔射膜を形成させることが行われるが、
この熔射膜は本質的に放出ガスが多い。また更には、高
純度カーボン板52、53に対するシースヒータ用の溝
加工は製造コストを高くしている。
【0005】他に、上記カーボンを鋳造アルミニウムで
置き換えたアルミニウム鋳込みヒータプレートがある。
巻図に従って曲げたシースヒータを鋳型内に中子状にセ
ットし、熔湯(熔融アルミニウム)を流し込んで一体的
鋳造した後、機械加工して所定の板状に仕上げたもので
ある。鋳造してるため、カーボンヒータプレートのよう
に上下の板が合わされたものではない。そして、成膜後
にNF3 ガスで真空装置内のクリーニングが行われるプ
ラズマCVD装置やNF3 ガスでガスエッチングが行わ
れるエッチング装置用のアルミニウム鋳込みヒータプレ
ートは表面を陽極酸化しアルマイト化して耐NF3 ガス
性を与え、可及的にガス放出の低いことが望まれるスパ
ッタ装置用のアルミニウム鋳込みヒータプレートは機械
加工、電解研磨によって表面を鏡面化することが行われ
る。鋳造されたアルミニウムはシースヒータと隙間なく
接触しているのでシースヒータとヒータプレート表面と
の温度差が小さく加熱レスポンスが良いほか製造コスト
も低い。
【0006】しかし、鋳造時に熔湯が酸化され緻密でな
い酸化層を生じ、かつ巣や多数のピンホールが形成され
て、これらが水分等の吸着サイトとなるのでアルミニウ
ム鋳込みヒータプレートは放出ガスが多い。また、アル
ミニウムは熱膨張係数が25.7×10-6/℃と大きい
ために加熱時にヒータプレート面が不均等に変形し易
く、ガラス基板を使用する場合に破損を招き易い。ま
た、アルミニウムの特性から、その連続使用最高温度は
300℃であり、加熱温度が限定される。また、耐NF
3 ガス性を与えるために形成させるアルマイトの熱膨張
係数は8.0×10-6/℃であり、アルミニウムとの差
が大きくヒートサイクルを受けることによってアルマイ
ト層にクラックを発生する。更には、鋳造されるアルミ
ニウムは金属組織の粒子径が大きく、機械加工、電解研
磨しても平坦度がでにくい。
【0007】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、真空下に加熱されても放出ガスが少な
い真空装置用ヒータプレート及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。また、加熱時に不均等な熱変形を
起こさず、更には鏡面化を含めて安定な表面処理が可能
な真空装置用ヒータプレートを提供することを目的とす
る。
【0008】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、シース
ヒータを埋め込んだアルミニウム・セラミックス複合体
の板材からなり、前記シースヒータの端子部以外の全面
がアルミニウム圧延材で被覆されていることを特徴とす
る真空装置用ヒータプレート、によって達成される。
【0009】
【作用】本発明の真空装置用ヒータプレートを埋め込ん
だアルミニウム・セラミックス複合体の板材の全表面が
アルミニウム圧延材で被覆されているので放出ガスが少
ない。また、アルミニウム・セラミックス複合体を使用
しているので熱膨張係数が小さく、かつ表面はアルミニ
ウム圧延材となっているので鏡面化を含め安定な表面処
理ができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の真空装置用ヒータプレートに
ついて、図面を参照して説明する。
【0011】(第1実施例)図1は第1実施例の真空装
置用ヒータプレート10を示し、図1のAは部分破断平
面図、図1のBは図1のAにおける[B]−[B]線方
向の断面図である。全体としてはシースヒータ11を埋
め込んだアルミニウム・コージエライト複合体の板材1
2の周囲をアルミニウム圧延材13で被覆して構成され
ている。なお、図1においてアルミニウム圧延材13は
実際の厚さより大きい比率で画かれている。このヒータ
プレート10は周辺部と中心部との温度を独立して調整
可能とするために、シースヒータ11は周辺部にシース
ヒータ11aと中心部にシースヒータ11bとして布設
され、それぞれの端子は底面中央部の引出し部材14を
経由して外部へ引き出されている。
【0012】このシースヒータ11が埋め込まれている
アルミニウム・コージエライト複合体の板材12はアル
ミニウム(A5052)とセラミックスのコージエライ
ト(2MgO・2Al23 ・5SiO2 )とが重量比
でアルミニウム/コージエライト=70/30の割合に
混合されたものである。なお、コージエライトの熱膨張
係数は1〜2×10-6/℃程度である。この複合体は温
度900℃の熔融状態にあるアルミニウムにコージエラ
イト粉末を添加し混合分散させたものを冷却することに
よって得られる。
【0013】図2はシースヒータ11を埋め込んだアル
ミニウム・コージエライト複合体の板材12を製造する
ための、いわゆる熔湯鍛造を行なうための鍛造装置21
の概略断面図である。鍛造容器22の底面にあらかじめ
作成したアルミニウム・コージエライト複合体の薄板1
2’を敷き、その上へ巻図に従って曲げ加工し端子を保
護したシースヒータ11を載置し、押圧用ピストン23
を備えた上蓋24を図示しない締結具によって緊締す
る。なお、この図2においては、シースヒータ11の引
出し部14を省略しており、かつ簡明化のためシースヒ
ータ11の配線密度を図1よりも簡略に示している。次
いで鍛造容器22を上蓋24と共に約500℃に加熱
し、図示しない湯口から上述のコージエライト粉末とア
ルミニウムとの温度約900℃の熔融混合物12”を流
し込み、ピストン23によって1000トン程度の力で
押圧する。この操作によって底面に敷いたアルミニウム
・コージエライト複合体の薄板12’と熔融混合物1
2”とが一体化すると共に、シースヒータ11の周囲も
隙間なく熔融混合物で覆われる。次いで押圧したまま冷
却した後、縦498mm×横598mm×厚さ18mm
の板状に仕上げることにより、図3に示すシースヒータ
11を埋め込んだアルミニウム・コージエライト複合体
の板材12が得られる。この複合体の板材12の熱膨張
係数は金属チタンと同等の8×10-6/℃であった。
【0014】次に、シースヒータ11を埋め込んだアル
ミニウム・コージエライト複合体の板材12をアルミニ
ウム(A5052)圧延材13で被覆するが、その被覆
はいわゆる熱間等方加圧法によって行なう。先ず、図4
に示すように、アルミニウム・コージエライト複合体の
板材12の両面側から2枚の角皿状アルミニウム圧延材
13’を被せ、当接面13s’を密接させたものを処理
体Sとして図5に示す熱間等方加圧装置31内に装填す
る。なお、角皿状アルミニウム圧延材13’の厚さは1
mmである。
【0015】図5は熱間等方加圧装置31の概略縦断面
図であり、水ジャケット36を備えた高圧円筒32の上
蓋33と下蓋34とを上下のプレスフレーム38、39
で挟み、高圧円筒32内のヒータ35で加熱すると共
に、アルゴン(Ar)ガスボンベ41に接続されたガス
圧縮機42から上蓋33を経由して高圧のアルゴン・ガ
スを導入するようになっており、真空ポンプ43が接続
されている。処理体Sは高圧円筒32内の台37上に置
かれ、一旦真空排気した後、500℃程度の温度に加熱
された高圧円筒32内へ圧力100kg/cm2 のアル
ゴン・ガスが導入され等方的に加圧される。約60分間
の加圧処理を行なうことにより、2枚の角皿状アルミニ
ウム圧延材13’の当接面13s’は一体化して連続し
たアルミニウム圧延材13となり、かつアルミニウム圧
延材13とアルミニウム・コージエライト複合体の板材
12とは緊密に接合される。冷却後に縦500mm×横
600mm×厚さ20mmの板状に仕上げて、図1に示
した真空装置用ヒータプレート10が得られる。図6は
接合部分の断面写真の複写図であるが、アルミニウム・
コージエライト複合体の板材12とアルミニウム圧延材
13との間は隙間が皆無に緊密に接合されている。この
真空装置用ヒータプレート10の熱膨張係数は9.5×
10-6/℃であった。
【0016】以上のようにして得られる真空装置用ヒー
タプレート10は、シースヒータ11とアルミニウム・
コージエライト複合体の板材12との間に隙間がなく、
かつアルミニウム・コージエライト複合体の板材12中
のアルミニウムとアルミニウム圧延材13とが一体化し
ているので、加熱レスポンスは従来例のアルミニウム鋳
込みヒータプレートと同様に良好である。また、カーボ
ンヒータプレートのような衝撃による欠損も起らず、コ
ージエライトの耐熱性によって補強されているので連続
400℃の加熱が可能である。
【0017】また、表面がアルミニウム圧延材13で形
成されているので、巣、ピンホールや緻密でない酸化層
を持たず水分を吸着し難いので、真空装置内での放出ガ
スは少ない。また、表面のアルミニウム圧延材13は金
属組織の粒子径が小さいため、機械加工、電解研磨など
によって鏡面を出し易い。
【0018】更に、表面を厚さの薄いアルミニウム圧延
材13で被覆しているので、全体としての熱膨張係数は
前述のように小さく加熱時にヒータプレート面は不均等
な変形を起こさず、ガラス基板を載置しても破損を生ず
ることはない。加えて、従来例のカーボン・ヒータプレ
ートの如く高純度カーボンを使用し、これに溝加工する
ような工程を必要としないので製造コストも低い。
【0019】(第2実施例)第1実施例で得た真空装置
用ヒータプレート10を用い、被覆しているアルミニウ
ム圧延材13の表面をアルゴン・ガス雰囲気下に機械加
工して、表面の微小な凹凸を無くし、水分等が吸着する
表面積を小さくする鏡面化を行なった。アルゴン・ガス
を使用するのは機械加工時の熱によって水分等の吸着サ
イトとなる緻密でない酸化層が生成することを抑制する
ためである。表面を鏡面化された真空装置用ヒータプレ
ートは放出ガスが一層少なくなっており、スパッタリン
グ装置内で使用するヒータプレートとして好適なもので
あった。
【0020】上記のアルゴン・ガス雰囲気下の機械加工
のほか、加工箇所にアルコール蒸気を発生させる機械加
工、または吸蔵されて後にガス放出の原因となる切削オ
イルを使用しない機械加工によって表面を鏡面化しても
同様な効果が得られる。
【0021】(第3実施例)第1実施例で得た真空装置
用ヒータプレート10を用い、被覆しているアルミニウ
ム圧延材13の表面を陽極酸化して緻密なアルマイト
(酸化アルミニウム)を形成させた。シースヒータ11
の端子を保護した真空装置用ヒータプレート10を20
%硫酸中に浸漬して陽極とし、別に浸漬した陰極板との
間に400Vの直流電圧を印加することにより、アルミ
ニウム圧延材13の表面にアルマイトが形成される。所
定の厚さのアルマイトが得られた後に取り出して水洗
し、500℃の熱風で乾燥した。アルマイトの熱膨張係
数は7〜8×10-6/℃であり、真空装置用ヒータプレ
ート10の熱膨張係数と近似しているためと思われる
が、真空装置内で使用してヒートサイクルを与えてもク
ラックを発生したり剥離したりすることはなかった。
【0022】表面をアルマイト化した真空装置用ヒータ
プレートは、プラズマ化されたNF3 ガスに対する耐触
性を有しているので、成膜後の装置内をNF3 ガスでク
リーニングするプラズマCVD装置や、基板上の薄膜を
NF3 ガスでエッチングするエッチング装置内で使用す
るヒータプレートとして好適である。上述の耐NF3
ス性はアルミニウム圧延材13の表面をフッ化アルミニ
ウム圧延材13の表面をフッ化アルミニウムとして(A
lF6 )としても得られる。
【0023】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0024】例えば、第1実施例においては、アルミニ
ウム・セラミックス複合体の板材12の作成に、セラミ
ックスとしてコージエライトを使用したが、これ以外の
各種セラミックスを使用し得る。中でも熱膨張係数が
0.5×10-6/℃と極めて小さい石英ガラス(SiO
2 )は高価であるが好ましい結果を与える。その他、チ
タン酸アルミニウム(Al23 ・TiO2 )、および
ユークリプトタイト(Li2 O・Al23 ・4SiO
2 )を含むリシヤ磁器も好ましいセラミックスである。
【0025】また、第1実施例においては、アルミニウ
ム・コージエライト複合体の板材12の作成に際し、ア
ルミニウム(A5052)、すなわちアルミニウム合金
を用いて熔融アルミニウムとしたが、これに代えて単体
であるアルミニウム(A1052)、または鋳造用アル
ミニウム(AC4C)も使用し得る。
【0026】また、第1実施例においては、アルミニウ
ム・コージエライト複合体の板材12においては、アル
ミニウム/コージエライト70/30の重量比率の混合
体を使用したが、アルミニウム30〜90重量%(以下
同じ)、セラミックス70〜10%の範囲で混合比率を
変え得る。特にセラミックス粉末の形状が球に近い程、
セラミックスの割合を大にし得る。しかし、セラミック
スの割合を70%以上大にするとセラミックス粉末を熔
融アルミニウムに添加し混合分散させる作業が困難にな
り、得られる複合体は脆性を持つようになるほか、熱伝
導性も低下する。一方、セラミックスの割合を10%よ
り小にすると熱膨張係数が大になることによる不都合を
生じる。
【0027】また、第1実施例においては、シースヒー
タ11を埋め込んだアルミニウム・コージエライト複合
体の板材12の作成に際して熔湯鍛造法を採用したが、
シースヒータ11をセットした鋳型内にセラミックス粉
末を添加し混合分散させた熔融アルミニウムを鋳込むこ
とによっても同等のアルミニウム・セラミックス複合体
の板材を作成することができ、この表面をアルミニウム
圧延材で被覆することによって同等の性能を有する真空
装置用ヒータプレートが得られる。
【0028】また、第1実施例においては、厚さ18m
mのアルミニウム・コージエライト複合体の板材12の
両面には、それぞれ厚さ1mmの角皿状アルミニウム圧
延材13’を接合して被覆したが、アルミニウム・セラ
ミックス複合体の板材の厚さを10として、これを被覆
するアルミニウム圧延材の片面の厚さの割合は0.2〜
1.0の範囲内とするのが好ましい。アルミニウム圧延
材の厚さの割合が0.2より小さいと被覆作業及びその
後の鏡面加工に困難を伴うし、厚さの割合を1以上とす
ると、ヒータプレートの熱膨張係数が大になることによ
る不都合を生じる。
【0029】また、第1実施例においては、アルミニウ
ム・コージエライト複合体の板材12を2枚の角皿状ア
ルミニウム圧延材13’の間に挟み込んで熱間等方加圧
することにより接合し被覆したが、角皿状以外のアルミ
ニウム圧延材を用いてもよいことは言うまでもない。例
えばアルミニウム・コージエライト複合体の板材12の
厚さ部分の4面に対応する枠状のアルミニウム圧延材
と、これを挟む上下両面の板状のアルミニウム圧延材と
を組み合わせて熱間等方加圧してもよい。
【0030】
【発明の効果】以上述べたように、請求項1による真空
装置用ヒータプレートによれば、真空装置内で使用した
時に放出ガスが少なく、加えて放出ガスを更に少なくす
る鏡面加工も容易である。従って排気速度の大きい真空
ポンプを使用せずとも所定の高真空度を維持することが
でき、製造する半導体デバイスの品質を低下させない。
また熱膨張率が小さく不均等な熱変形を生じないので載
置するガラス基板を破損させない。更には、従来例のア
ルミニウム鋳込みヒータプレートは連続300℃の加熱
が上限であったに対し、混合されているセラミックスに
よって耐熱性が向上し連続400℃の加熱が可能であ
る。
【0031】請求項6によるアルミニウム圧延材上のア
ルマイトはヒータプレートとは熱膨張率が近似している
ので、経時的なヒートサイクルによるクラックや剥離を
生じない。
【0032】請求項7による真空装置用ヒータプレート
の製造方法によれば、アルミニウム・セラミックス複合
体の板材を被覆するアルミニウム圧延材同士が一体化さ
れ、かつアルミニウム圧延材とアルミニウム・セラミッ
クス複合体の板材とが隙間なく緊密に接合される。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の真空装置用ヒータプレートを示
し、図1のAは部分破断平面図、図1のBは図1のAに
おける[B]−[B]線方向の断面図である。
【図2】熔湯鍛造装置の概略断面図である。
【図3】シースヒータを埋め込んだアルミニウム・コー
ジエライト複合体の板材の断面図である。
【図4】アルミニウム・コージエライト複合体の両面側
から2枚の角皿状アルミニウム圧延材を被せたものの断
面図である。
【図5】熱間等方加圧装置の概略断面図である。
【図6】アルミニウム・コージエライト複合体とアルミ
ニウム圧延材との接合部分の断面写真の複写図である。
【図7】従来例のカーボンヒータプレートを示し、図7
のAは部分破断平面図、図7のBは図7のAにおける
[B]−[B]線方向の断面図である。
【符号の説明】
10 第1実施例の真空装置用ヒータプレート 11 シースヒータ 12 アルミニウム・コージエライト複合体の板材 13 アルミニウム圧延材 21 熔湯鍛造装置 31 熱間等方加圧装置 32 高圧円筒 35 ヒータ 42 ガス圧縮機 50 従来例のカーボンヒータプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23F 4/00 C23F 4/00 Z C25D 11/04 C25D 11/04 E C25F 3/20 C25F 3/20 (72)発明者 長島 成行 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 小崎 寛夫 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 諏訪 秀則 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シースヒータを埋め込んだアルミニウム
    ・セラミックス複合体の板材からなり、前記シースヒー
    タの端子部以外の全面がアルミニウム圧延材で被覆され
    ていることを特徴とする真空装置用ヒータプレート。
  2. 【請求項2】 前記アルミニウム・セラミックス複合体
    がアルミニウム30〜90重量%、セラミックス70〜
    10重量%の混合物で形成されている請求項1に記載の
    真空装置用ヒータプレート。
  3. 【請求項3】 前記アルミニウム・セラミックス複合体
    の板材の厚さに対する前記アルミニウム圧延材の片面の
    厚さの割合が前記アルミニウム・セラミックスの複合体
    10に対して前記アルミニウム圧延材0.2〜1の範囲
    内にある請求項1または請求項2に記載の真空装置用ヒ
    ータプレート。
  4. 【請求項4】 前記セラミックスがコージエライトまた
    は石英ガラスである請求項1から請求項3までの何れか
    に記載の真空装置用ヒータプレート。
  5. 【請求項5】 前記アルミニウム圧延材の表面が機械加
    工、電解研磨などの手段によって鏡面化されている請求
    項1から請求項4までの何れかに記載の真空装置用ヒー
    タプレート。
  6. 【請求項6】 前記アルミニウム圧延材の表面が陽極酸
    化によってアルマイト化されている請求項1から請求項
    5までの何れかに記載の真空装置用ヒータプレート。
  7. 【請求項7】 シースヒータを埋め込んだアルミニウム
    ・セラミックス複合体の板材を作成し、次いで熱間等方
    加圧法によって前記アルミニウム・セラミックス複合体
    の板材の前記シースヒータの端子部以外の全面をアルミ
    ニウム圧延材で被覆することを特徴とする真空装置用ヒ
    ータプレートの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記アルミニウム・セラミックス複合体
    の板材の作成がセラミックス粉末を添加し混合分散させ
    た熔融アルミニウムを熔湯鍛造して行われる請求項7に
    記載の真空装置用ヒータプレートの製造方法。
JP7347398A 1995-12-14 1995-12-14 真空装置用ヒータプレート及びその製造方法 Pending JPH09165681A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000060658A1 (fr) * 1999-04-06 2000-10-12 Tokyo Electron Limited Electrode, etage de tranche, dispositif a plasma, et procede de fabrication d'une electrode et d'un etage de tranche
JP2001215025A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Ulvac Japan Ltd パネルヒータ
WO2001091166A1 (fr) * 2000-05-26 2001-11-29 Ibiden Co., Ltd. Dispositif de fabrication et de controle d'un semi-conducteur
JP2008297615A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構及び該基板載置機構を備えた基板処理装置
CN101956162A (zh) * 2010-10-08 2011-01-26 河北工业大学 一种加热台
KR101317221B1 (ko) * 2011-05-26 2013-10-15 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 재치대, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000060658A1 (fr) * 1999-04-06 2000-10-12 Tokyo Electron Limited Electrode, etage de tranche, dispositif a plasma, et procede de fabrication d'une electrode et d'un etage de tranche
US7337745B1 (en) 1999-04-06 2008-03-04 Tokyo Electron Limited Electrode, susceptor, plasma processing apparatus and method of making the electrode and the susceptor
JP2001215025A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Ulvac Japan Ltd パネルヒータ
WO2001091166A1 (fr) * 2000-05-26 2001-11-29 Ibiden Co., Ltd. Dispositif de fabrication et de controle d'un semi-conducteur
US7071551B2 (en) 2000-05-26 2006-07-04 Ibiden Co., Ltd. Device used to produce or examine semiconductors
JP2008297615A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構及び該基板載置機構を備えた基板処理装置
CN101956162A (zh) * 2010-10-08 2011-01-26 河北工业大学 一种加热台
KR101317221B1 (ko) * 2011-05-26 2013-10-15 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 재치대, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

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