CN2694482Y - 微感测器的晶片结构 - Google Patents

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CN2694482Y CN 200420051119 CN200420051119U CN2694482Y CN 2694482 Y CN2694482 Y CN 2694482Y CN 200420051119 CN200420051119 CN 200420051119 CN 200420051119 U CN200420051119 U CN 200420051119U CN 2694482 Y CN2694482 Y CN 2694482Y
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李志成
邢泰刚
魏文杰
何鸿钧
邱瑞易
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Merry Electronics Co ltd Taichung Tw
Merry Electronics Co Ltd
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Merry Electronics Co ltd Taichung Tw
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本实用新型是一种微感测器的晶片结构，其包含有一第一晶片与一第二晶片，该第一晶片是具有一第一面，且该第一面的一侧设有一打线区域，该第二晶片则具有一第二面以对应该第一面进行接合，且该二晶片接合之后，该打线区域的一部或全部是裸露于外，有利于后续打线制程的进行。

Description

微感测器的晶片结构
技术领域
本实用新型是与晶片结构有关，特别是指一种微感测器的晶片结构，其是由二晶片对应接合所构成，且其打线区域外露，有利于后续打线制程的进行。
背景技术
一般现有的微感测器，以电容感测器为例，是可区分为单一晶片式感测器，以及由二晶片接合构成的晶片接合式电容感测器，单晶片电容感测器虽然体积较小，但是制程方法较为繁复，尺寸设计上的弹性也较小，而晶片接合式电容感测器则可大幅简化制程，并且提升设计的弹性以达到较佳的性能表现。
然而，请参阅图1与图2所示，晶片接合式电容感测器1在晶片接合的制程之后，往往将其打线区域2封闭于二晶片之间而造成后续打线制程进行的困难，为了将电气信号导出，通常必须利用蚀刻制程以制作一连通该打线区域2与外界的贯穿孔3，再形成一与该打线区域连接的沉积电极4，方能将电气信号有效地导出。
其中，若使用异方性蚀刻制程来制作该贯穿孔3，如图1所示，则必须较大的晶片面积，否则将影响晶片所能容纳的元件数，若要减少使用面积，则必须改用高深宽比的感应耦合电浆(Inductively CoupledPlasma，ICP)蚀刻或激光钻孔制程，如图2所示，但其制程成本过高，生产效率低，因此，该贯穿孔制程将导致制作成本的增加，且容易有缺陷发生。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种微感测器的晶片结构，其打线区域外露，有助于打线制程的进行，且不需占用额外的晶片面积。
本实用新型的次一目的在于提供一种微感测器的晶片结构，其制作程序简便，仅需在晶片接合制程前，或晶片接合制程后增加一切割制程，具有高生产效率。
因此，为达成本实用新型的目的，本实用新型是提供一种微感测器的晶片结构，其特征在于：其是包含有：
一第一晶片，是具有一第一面，且该第一面的一侧设有一打线区域；以及
一第二晶片，是具有一第二面，而可对应该第一面进行接合；
该第一晶片的长度小于第二晶片的长度或该第二晶片的长度小于第一晶片的长度；
该二晶片接合后，该打线区域的一部或全部裸露在外。
其中该打线区域是为一电极的表面。
其中该第二晶片是经过材料移除制程。
其中该第一晶片是主要包含有一基座，该第一面是为该基座的一侧面。
其中该第一面还设有一电极、二金属接点与复数个音孔。
其中该第二晶片是主要包含有一基座，该第二面是为该基座的一侧面。
其中该第二面还设有一电极、二金属接点与一振动膜。
由此，本实用新型第一晶片的打线区域外露，将可达到后续封装打线的便利，解决一般打线区域无法外露的问题。
附图说明
为了详细说明本实用新型的构造及特点所在，兹举以下的较佳实施例并配合图式说明如后，其中：
图1是一微感测器的结构示意图；
图2是另一微感测器的结构示意图；
图3是本实用新型一实施例晶片接合后的结构示意图：
图4是本实用新型一实施例切割完成的结构示意图；
图5是本实用新型的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图3与图4所示，本实用新型所提供一种微感测器10的晶片结构(本实施例是以微麦克风为例)，其是包含有一第一晶片20，以及一位于该第一晶片20下方的第二晶片30，其中：
该第一晶片20是包含有一基座21，且该基座21的一侧面是为一第一面22，该第一面22则设有一第一电极23、二金属接点24与若干音孔25，其中，该第一电极23的表面即为一打线区域231。
该第二晶片30是包含有一基座31，该基座31的一侧面则为一第二面32，而该第二面则设有一第二电极33、二金属接点34与一振动膜35。(由于该二晶片20、30的详细结构设计非本实用新型的重点，在此不予赘述。)
因此，该第一晶片20与该第二晶片30是可以其第一面22与第二面32对应进行接合，同时完成该第一电极23与该第二电极33，以及该等金属接点24、34的电气连接。
接合完成的结构如图3所示，可明显看出该第一晶片20的打线区域231是内藏于该二晶片20、30之间，势必不利于后续打线制程的进行，不仅制作上有困难，更容易导致缺陷的发生。
为解决此一问题，该第二晶片30对应该打线区域231的一侧是可进行硅基材的部分移除，移除后的晶片结构请参阅图4所示，由此，该打线区域231是显露于外，因而有助于后续打线制程的进行。
再请参阅图5所示，本实用新型另一较佳实施例微感测器40的晶片结构，其是同样包含有一第一晶片41与一第二晶片42，其中该第二晶片42靠近该第一晶片41打线区域43的一侧是经过部分切割，同样可使打线区域43外露，达成本实用新型的目的。
本实用新型微感测器的晶片结构，其打线区域外露，进而有利于后续制程的进行，制程上亦十分便捷。

Claims (7)

1.一种微感测器的晶片结构，其特征在于：其是包含有：
一第一晶片，是具有一第一面，且该第一面的一侧设有一打线区域；以及
一第二晶片，是具有一第二面，而可对应该第一面进行接合；
该第一晶片的长度小于第二晶片的长度或该第二晶片的长度小于第一晶片的长度；
该二晶片接合后，该打线区域的一部或全部裸露在外。
2.依据权利要求1所述的微感测器的晶片结构，其特征在于，其中该打线区域是为一电极的表面。
3.依据权利要求1所述的微戚测器的晶片结构，其特征在于，其中该第二晶片是经过材料移除制程。
4.依据权利要求1所述的微感测器的晶片结构，其特征在于，其中该第一晶片是主要包含有一基座，该第一面是为该基座的一侧面。
5.依据权利要求4所述的微感测器的晶片结构，其特征在于，其中该第一面还设有一电极、二金属接点与复数个音孔。
6.依据权利要求1所述的微感测器的晶片结构，其特征在于，其中该第二晶片是主要包含有一基座，该第二面是为该基座的一侧面。
7.依据权利要求6所述的微感测器的晶片结构，其特征在于，其中该第二面还设有一电极、二金属接点与一振动膜。
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Denomination of utility model: Wafer structure for micro sensing device

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License type: Exclusive license

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Contract record no.: 2013990000062

Denomination of utility model: Wafer structure for micro sensing device

Granted publication date: 20050420

License type: Exclusive License

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