TW202401675A - 指紋識別裝置的製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 217
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 95
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Images
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Abstract
本發明提供一種指紋識別裝置的製造方法，在薄膜電晶體 (TFT) 基板的基本製程上形成相對應的元件結構後，選擇可剝離膠貼靠在指紋辨識裝置的偵測活動區，再選擇封裝材，在上下對接的薄膜電晶體基板的基板層外緣接著，同時將兩可剝離膠對位貼合，形成指紋識別裝置的堆疊結構。再將該堆疊結構進行薄化製程後，置入鹼液中，將該封裝材解離，以及將可剝離膠撕除，即可將上下接合的薄膜電晶體 (TFT) 基板完整分離，無需進行切割製程分離。
Description
本發明屬於優化製程技術領域，特別是涉及一種指紋識別裝置及其製造方法。
一般而言，薄膜電晶體(TFT)基板在進行指紋識別雙板玻璃減薄時，為維持整體單元間距, 需使用耐酸的密封膠接著，在指紋識別裝置四周邊緣進行塗佈，使其呈現封閉狀。
同時，為維持整體單元間距以及保護面內的指紋識別裝置表面不被刮傷，需使用保護膜貼附面內的指紋識別裝置活動偵測區。
也就是，上下相對的兩板薄膜電晶體(TFT)基板採用耐酸的密封膠接著，中間的指紋識別裝置表面貼附保護膜作為支撐層以及保護層。
當兩薄膜電晶體(TFT)基板的玻璃層進行薄化製程結束後，需將雙板進行切割分離而取得較小尺寸的複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
但是，由於密封膠為屬於低模量屬性，為了將相疊的兩薄膜電晶體(TFT)基板進行分離，需使用刀輪切裂 ( Scribe Break，SBK) 或雷射切割方式分離，而將密封膠部分切掉會造成在整體分離後的薄膜電晶體(TFT)基板的玻璃層尺寸變小。
又，當進行刀輪切裂 (SBK) 切割方式時，玻璃層邊緣塗密封膠的節點處，切割容易破片且外觀品質差；當進行雷射切割方式時，雷射切割時會產生熱效應以及切割時會產生粉塵。因此，以習知技術進行指紋識別製程時，尚有需要進行優化或改良的空間與技術。
本發明之一目的在於解決當進行切割時，會產生熱效應以及產生粉塵的問題。
本發明之另一目的在於維持薄膜電晶體(TFT) 基板的外觀尺寸完整，邊緣無切割造成破片或破碎的風險，以及薄膜電晶體 (TFT) 強度不會衰變。除可改善習知缺陷外，提升成品的良率，同時，可達到簡化製作流程。
為達到上述目的，本發明提供一種指紋識別裝置的堆疊結構，以利進行一種指紋識別裝置的製造方法，該堆疊結構包括有一第一薄膜電晶體基板、一第一可剝離膠、一第二薄膜電晶體基板、一第二可剝離膠以及一封裝材。
該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區。
該第一可剝離膠貼靠於該第一偵測活動區，且該第一可剝離膠具有一第一厚度。
該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區。
該第二可剝離膠貼靠於該第二偵測活動區，且該第二可剝離膠具有一第二厚度。
該封裝材位於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞塗佈，該封裝材具有一寬度以及一第三厚度。
其中，該第一可剝離膠之一側與該第二可剝離膠之一側相互貼靠，使得該封裝材位於該第二基板上，且該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞。
進一步地，該第一可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，該第一可剝離膠為聚氯乙烯類 (PVC) 材質，且該第一可剝離膠需耐鹼液且不侵蝕該第一薄膜電晶體基板，用於保護該第一偵測活動區。
進一步地，該第二可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，該第二可剝離膠為聚氯乙烯類 (PVC) 材質，且該第二可剝離膠需耐鹼液且不侵蝕該第二薄膜電晶體基板，用於保護該第二偵測活動區。
進一步地，該封裝材為鹼解離型的封裝材，其材質為亞克力樹脂類或丙烯酸酯類，該封裝材為紫外光固化膠、可耐氫氟酸以及硫酸侵蝕。
進一步地，該第一厚度以及該第二厚度皆為40至50微米(um)之間。
進一步地，該寬度為3至4毫米(mm)之間，以及該第三厚度為180至200微米(um)之間。
另外，本發明提供一種指紋識別裝置的製造方法，包括有以下步驟：
a. 提供一第一薄膜電晶體基板、一第一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板以及一第二可剝離膠，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區，該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區。
b. 將該第一可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該第一可剝離膠之一側貼靠於該第一偵測活動區，同時，將該第二可剝離膠塗佈於該第二偵測活動區，使得該第二可剝離膠之一側貼靠於該第二偵測活動區。
c. 將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞。
d. 將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使得該第一可剝離膠與該第二可剝離膠相互貼靠，同時該封裝材之另一端位於該第二基板上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成指紋識別裝置的一堆疊結構。
e. 對該堆疊結構進行進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度。
f. 將進行減薄工藝後的該堆疊結構置入一鹼液中，於80°C的該鹼液中，對該封裝材進行超聲波振盪作業並且剝除後，將薄化後帶有第一可剝離膠的第一薄膜電晶體基板以及薄化後帶有第二可剝離膠的第二薄膜電晶體基板以手動或輔助治具進行分離，使得第一可剝離膠以及第二可剝離膠分別從第一薄膜電晶體基板以及第二薄膜電晶體基板移除。
g. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出。
h. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
i. 將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
進一步地，該第一可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，且該第一可剝離膠需耐鹼液且不侵蝕該第一薄膜電晶體基板, 用於保護該第一偵測活動區，以及進行分離時，可手動或輔助治具將該第一可剝離膠撕除且無殘膠。
進一步地，該第二可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，且該第二可剝離膠需耐鹼液且不侵蝕該第二薄膜電晶體基板, 用於保護該第二偵測活動區，以及進行分離時可手動或輔助治具將該第二可剝離膠撕除且無殘膠。
進一步地，當該指紋識別裝置在10%氫氧化鉀 (KOH) 的該鹼液中，以超聲波振盪50至70分鐘(min)之間，可將該封裝材進行分離。
上述中，該鹼液的溫度介於70度至90度之間。
從本發明更進一步提出另一種指紋識別裝置的製造方法，包括以下步驟：
S1. 提供一第一薄膜電晶體基板、一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區，該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區。
S2. 將該可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該可剝離膠貼靠於該第一偵測活動區。
S3. 將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞。
S4. 將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使得該可剝離膠配置於該第一感光元件及該第二感光元件之間，同時該封裝材之另一端位於該第二基板上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成指紋識別裝置的一堆疊結構。
S5. 對該堆疊結構進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度。
S6. 將進行減薄工藝後的該堆疊結構置入一鹼液中，於 80°C 的該鹼液中，對該封裝材進行超聲波振盪作業並且剝除後，將該可剝離膠、第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板進行分離，使得該可剝離膠從該第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板移除。S7. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出；
S8. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板；
S9. 將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
綜上所述，本發明指紋識別裝置的製造方法，藉由完成該指紋識別裝置的堆疊結構後，進行薄化製程，再將該堆疊結構置入鹼液中，將該封裝材進行解離，以及將可剝離膠撕除，最後完成將上下接合的薄膜電晶體 (TFT) 基板完整分離，且無需進行切割製程分離。
因此，經由上述，可知本發明指紋識別裝置的製造方法的優點為：
1. 整體結構，藉由該封裝材以及該可剝離膠，維持單元間距的均勻與穩固。
2. 達到流程減化，整個製程中無需進行習知的切割流程，可將疊合的薄膜電晶體基板進行分離。
3. 達到成品的外觀尺寸完整，避免切割後成品邊緣造成破片或碎裂。
4. 當後期流程進行切割時，避免產生粉塵或產生熱效應的風險，且薄膜電晶體強度不會衰變，可提升良率。
為達成上述目的及功效，本發明所採用之技術手段及構造，茲繪圖就本創作較佳實施例詳加說明其特徵與功能如下，俾利完全了解，但須注意的是，所述內容不構成本發明的限定。另外，本說明書中，使用“～”表示之數值範圍係指將“～”前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 又，在本說明書中階段性記載之數值範圍中，以某個數值範圍記載之上限值或下限值可置換為其他階段之記載的數值範圍的上限值或下限值。又，本說明書中所記載之數值範圍中，某個數值範圍中所記載之上限值或下限值可置換為實施例所示之值。又，本說明書中的“步驟”這一術語不僅為獨立的步驟，即使在無法與其他步驟明確地區別之情況下，只要可達成該步驟的所期望的目的，則亦包含於本術語中。此外，儘管用語「步驟」及/或「方塊」在本文或圖式中可用於暗指所採用的方法的不同要素，然而除非明確陳述個別步驟的次序且除明確陳述個別步驟的次序以外，該些用語不應被解釋為暗示在本文中所揭露的各種步驟中或各種步驟之間的任何特定次序。
請參閱圖1以及圖2A，本發明提供一種指紋識別裝置的堆疊結構 1 ，以利進行一種指紋識別裝置的製造方法，該堆疊結構 1，包括有一第一薄膜電晶體基板 2、一第一可剝離膠 3、一第二薄膜電晶體基板 4、一第二可剝離膠 5 以及一封裝材 6。
該第一薄膜電晶體基板 2 包括有一第一基板 21 以及一第一感測元件 22，該第一感測元件 22 之一側貼靠於該第一基板 21，該第一感測元件 22 之另一側具有一第一偵測活動區 221。
該第一可剝離膠 3 貼靠於該第一偵測活動區 221，該第一可剝離膠 3 具有一第一厚度 T1。於本實施例中，該第一可剝離膠 3 為加熱後固化成型之膠體，且該第一可剝離膠 3 為聚氯乙烯類 (PVC) 材質，藉由該第一厚度 T1，使得該第一可剝離膠 3 可保護該第一偵測活動區 221，避免受到損傷。於較佳的一實施例中，該第一厚度 T1 為40至50微米(um)之間。
該第二薄膜電晶體基板 4 包括有一第二基板 41 以及一第二感測元件 42，該第二感測元件 42 之一側貼靠於該第二基板 41，該第二感測元件 42 之另一側具有一第二偵測活動區 421。須加以說明的是，這裡所指的第一偵測活動區 221 或第二偵測活動區 421 是指第一感測元件 22 或第二感測元件42 的感測區域，此外，第一感測元件 22 及第二感測元件 42 可以是光學式感測元件，例如是光電二極體或者是超聲波感測元件等，本發明並不加以侷限。
該第二可剝離膠 5 貼靠於該第二偵測活動區 421，該第二可剝離膠 5 具有一第二厚度 T2。於本實施例中，該第二可剝離膠 5 為加熱後固化成型之膠體，且該第二可剝離膠 5 為聚氯乙烯類 (PVC) 材質。藉由該第二厚度 T2，使得該第二可剝離膠 5 可保護該第二偵測活動區 421，避免受到損傷。於較佳的 一實施例中，該第二厚度 T2 為40至50微米(um)之間。
該封裝材 6 位於該第一基板 21 上，且該封裝材 6 沿該第一基板 21 之外緣圍繞塗佈，該封裝材 6 具有一寬度 W 以及一第三厚度 T3，藉由該寬度 W 以及該第三厚度 T3，保持整體單元間距的均勻。於本實施例中，該封裝材 6 為鹼封裝材，其材質為亞克力樹脂類或丙烯酸酯類，該封裝材 6 為紫外光固化膠、可耐氫氟酸以及硫酸等侵蝕。於較佳的 一實施例中，該寬度 W 為3至4毫米(mm)之間，以及該第三厚度 T3 為180至200微米(um)之間。此外，第一厚度 T1、第二厚度 T2 分別小於第三厚度 T3，併此敘明。
其中，該第一可剝離膠 3 與該第二可剝離膠 5 相互貼靠，使得該封裝材 6 位於該第二基板 41 上，該封裝材 6 沿該第二基板 41 之外緣圍繞。
煩請參考圖2B，圖2B 給出另一種堆疊結構的剖面示意圖，與圖2A 最大的區別在於，圖2B 僅有一層可剝離膠 7，在這一個可行的實施例中，該可剝離膠 7 配置於第一感測元件 22 與該第二感測元件 42 之間。此外，在任一可行的釋例性實施例中，也可以採用可分解的材料製成。
請附加參閱3至圖5，此外，本發明亦提供了一種指紋識別裝置的製造方法，包括有以下步驟：
a. 提供一第一薄膜電晶體基板、一第一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板以及一第二可剝離膠，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板之一側，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區；該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板之一側，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區。
b. 將該第一可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該第一可剝離膠之一側貼靠於該第一偵測活動區，同時，將該第二可剝離膠塗佈於該第二偵測活動區，使得該第二可剝離膠之一側貼靠於該第二偵測活動區。
於此步驟中，該第一可剝離膠 3 以及該第二可剝離膠 5 分別亦可以網印的方式進行處理，用來取代習知技術中保護膜的位置，該些可剝離膠 (3, 5)較保護膜材質硬挺，不會塌陷，更可達到整體的單元間距的均勻穩固。
c. 將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞。於此步驟中，以該封裝材 6 可防止液體侵蝕或滲入至該第一感測元件 22。
d. 將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使得該第一可剝離膠之另一側與該第二可剝離膠之另一側相互貼靠，同時該封裝材之另一端位於該第二基板之該側上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成一指紋識別裝置的堆疊結構。
e. 將該指紋識別裝置的堆疊結構進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度。
需要說明的是，該第四厚度以及該第五厚度可為相同的厚度或是不相同的厚度，可依照製作需求進行減薄工藝。於較佳的實施例中，第四厚度以及該第五厚度為90±20微米(um)。
f. 將進行減薄工藝後的該指紋識別裝置的堆疊結構，置入一鹼液中，於80°C的該鹼液中，以超聲波進行震盪作業，將該封裝材進行振盪並且剝除後，將薄化後帶有第一可剝離膠的第一薄膜電晶體基板以及薄化後帶有第二可剝離膠的第二薄膜電晶體基板，以手動或輔助的加工治具 (如：機械手臂或雙向真空吸引設備等) 進行分離，使得該第一可剝離膠以及該第二可剝離膠分別從該第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板上移除。
g. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出。
h. 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
i. 將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
另外，煩請附加參閱7及圖8，需要說明的是，從上述可以延伸出另一種指紋識別裝置的製造方法，包括以下步驟：
S1：提供一第一薄膜電晶體基板、一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區，該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區；
S2：將該可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該可剝離膠貼靠於該第一偵測活動區；
S3：將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞；
S4：將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使該可剝離膠配置於該第一感光元件及該第二感光元件之間，同時該封裝材之另一端位於該第二基板上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成指紋識別裝置的一堆疊結構；
S5：對該堆疊結構進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度；
S6：在本提案上述的任一實施例中，包含將進行減薄工藝後的該堆疊結構置入一鹼液中，於80°C 的該鹼液中，對該封裝材進行超聲波振盪作業並且剝除後，將該可剝離膠、第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板進行分離，使得該可剝離膠從該第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板移除。
S7：將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出；
S8：將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板；
S9：將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
此外，該第一厚度 T1、該第二厚度 T2 分別小於該第三厚度 T3，且所述的第四厚度與第五厚度均小於所述的第一厚度 T1 及第二厚度 T2，併此敘明。
需要另外說明的是，該第一可剝離膠 3 以及該第二可剝離膠 5 皆為加熱後固化成型之一膠體，且該膠體需耐鹼液且不侵蝕底材 (該第一薄膜電晶體基板 2、該第二薄膜電晶體基板 4 )，分別用於保護該些偵測活動區 (221, 421)，以及該膠體 (3, 5) 進行分離時，可以手動或輔助治具將該膠體 (3, 5) 撕除且無殘膠。
煩請同時參閱圖6，藉由上述提供的方法，將該堆疊結構 1，進行置入於 10% 氫氧化鉀 (KOH) 的該鹼液中，於80°C 的該鹼液中，以超聲波進行振盪，發現位於外圍的該封裝材 6 於10%氫氧化鉀 (KOH) 的該鹼液中，以超聲波振盪50~70分鐘(mins)，可將進行減薄工藝後，疊合的該第一薄膜電晶體基板 2 以及該第一薄膜電晶體基板 4 可完整分離且無殘膠。
此外，上述中，較佳的是預計進行振盪兩分鐘時，黏合強度有下降可以鬆動，而進行一分鐘的分離作業 (以手動或輔助治具將該膠體 (3, 5) 撕除且無殘膠)，取出之後進行一分鐘的清洗，最終可以控制在5分鐘完成剝除。
於整個測試過程中，該第一活動偵測區 221 以及該第二活動偵測區 421 內之焊墊確認無腐蝕現象，說明該可剝離膠 (3, 5) 與該感測元件 (22, 42) 之間氣密性與耐鹼性都是足夠的。
綜上所述，本發明指紋識別裝置及方法的優點為：
1. 整體結構，藉由該封裝材以及該可剝離膠，維持單元間距的均勻與穩固。
2. 達到流程減化，整個製程中無需進行習知的切割流程，可將疊合的薄膜電晶體基板進行分離。
3. 達到成品的外觀尺寸完整，避免切割後成品邊緣造成破片或碎裂。
4. 當後期流程進行切割時，避免產生粉塵或產生熱效應的風險，且薄膜電晶體強度不會衰變，提升良率。
透過上述之詳細說明，即可充分顯示本發明之目的及功效上均具有實施之進步性，極具產業之利用性價值，完全符合發明專利要件，爰依法提出申請。唯以上所述僅為本發明較佳的實施例，並非因此限制本發明的實施方式及保護範圍，對於本領域技術人員而言，應當能夠意識到凡運用本發明說明書及圖示內容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發明的保護範圍內。
1:堆疊結構
2:第一薄膜電晶體基板
21:第一基板
22:第一感測元件
221:第一偵測活動區
3:第一可剝離膠
4:第二薄膜電晶體基板
41:第二基板
42:第二感測元件
421:第二偵測活動區
5:第二可剝離膠
6:封裝材
7:可剝離膠
T1:第一厚度
T2:第二厚度
T3:第三厚度
W:寬度
a~i:步驟
S1~S9:步驟
圖1是本發明堆疊結構的簡易立體分解圖。
圖2A是本發明堆疊結構的剖面示意圖。
圖2B是本發明另一種堆疊結構的剖面示意圖
圖3是本發明指紋識別裝置的製造方法的步驟流程圖。
圖4是接續圖3之步驟流程圖。
圖5是本發明指紋識別裝置的製造方法之簡易式製程示意圖。
圖6是本發明封裝材之超聲波振盪時間與黏合強度折線圖。
圖7是本發明另一種指紋識別裝置的製造方法的步驟流程圖。
圖8是接續圖7之步驟流程圖。
1:堆疊結構
2:第一薄膜電晶體基板
21:第一基板
22:第一感測元件
221:第一偵測活動區
3:第一可剝離膠
4:第二薄膜電晶體基板
41:第二基板
42:第二感測元件
421:第二偵測活動區
5:第二可剝離膠
6:封裝材
Claims (10)
- 一種指紋識別裝置的製造方法，包括以下步驟： 提供一第一薄膜電晶體基板、一第一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板以及一第二可剝離膠，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區，該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區； 將該第一可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該第一可剝離膠貼靠於該第一偵測活動區，同時，將該第二可剝離膠塗佈於該第二偵測活動區，使得該第二可剝離膠貼靠於該第二偵測活動區； 將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞； 將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使得該第一可剝離膠與該第二可剝離膠相互貼靠，同時該封裝材之另一端位於該第二基板上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成指紋識別裝置的一堆疊結構； 對該堆疊結構進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度； 將進行減薄工藝後的該堆疊結構置入一鹼液中，於80°C的該鹼液中，對該封裝材進行超聲波振盪作業並且剝除後，將薄化後帶有第一可剝離膠的第一薄膜電晶體基板以及薄化後帶有第二可剝離膠的第二薄膜電晶體基板以手動或輔助治具進行分離，使得第一可剝離膠以及第二可剝離膠分別從第一薄膜電晶體基板以及第二薄膜電晶體基板移除； 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出； 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板； 將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該第一可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，且該第一可剝離膠為聚氯乙烯(PVC) 類材質，該膠體耐鹼液且不侵蝕該第一薄膜電晶體基板，用於保護該第一偵測活動區。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該第二可剝離膠為加熱後固化成型之膠體，且該第二可剝離膠為聚氯乙烯(PVC) 類材質，該膠體耐鹼液且不侵蝕該第二薄膜電晶體基板，用於保護該第二偵測活動區。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，當該指紋識別裝置的堆疊結構在10%氫氧化鉀 (KOH) 的該鹼液中，以超聲波振盪50至70分鐘(min)之間，可將該封裝材進行分離。
- 如請求項4所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該鹼液的溫度介於70度至90度之間。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該封裝材為鹼解離型的封裝材，其材質為亞克力樹脂類或丙烯酸酯類，該封裝材為紫外光固化膠、可耐氫氟酸以及硫酸侵蝕。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該第一可剝離膠具有一第一厚度，以及該第二可剝離膠具有一第二厚度，該第一厚度以及該第二厚度皆為40至50微米(um)之間。
- 如請求項1所述指紋識別裝置的製造方法，其中，該封裝材具有一寬度以及一第三厚度，該寬度為3至4毫米(mm)之間，以及該第三厚度為180至200微米(um)之間。
- 一種指紋識別裝置的製造方法，包括以下步驟： 提供一第一薄膜電晶體基板、一可剝離膠、一封裝材、一第二薄膜電晶體基板，該第一薄膜電晶體基板包括有一第一基板以及一第一感測元件，該第一感測元件之一側貼靠於該第一基板，該第一感測元件之另一側具有一第一偵測活動區，該第二薄膜電晶體基板包括有一第二基板以及一第二感測元件，該第二感測元件之一側貼靠於該第二基板，該第二感測元件之另一側具有一第二偵測活動區； 將該可剝離膠塗佈於該第一偵測活動區，使得該可剝離膠貼靠於該第一偵測活動區； 將該封裝材塗佈於該第一基板上，且該封裝材沿該第一基板之外緣圍繞； 將該第二薄膜電晶體基板設置於該第一薄膜電晶體基板上，使得該可剝離膠配置於該第一感光元件及該第二感光元件之間，同時該封裝材之另一端位於該第二基板上，該封裝材沿該第二基板之外緣圍繞，形成指紋識別裝置的一堆疊結構； 對該堆疊結構進行減薄工藝，將該第一基板進行蝕刻作業後達到一第四厚度，以及將該第二基板進行蝕刻作業後達到一第五厚度； 將進行減薄工藝後的該堆疊結構置入一鹼液中，於80°C 的該鹼液中，對該封裝材進行超聲波振盪作業並且剝除後，將該可剝離膠、第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板進行分離，使得該可剝離膠從該第一薄膜電晶體基板以及該第二薄膜電晶體基板移除； 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板以及進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板取出； 將進行減薄工藝後的該第一薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板； 將進行減薄工藝後的該第二薄膜電晶體基板進行切割，取得複數個具有指紋辨識的薄膜電晶體基板。
- 如請求項9所述指紋識別裝置的製造方法，其中，當該指紋識別裝置的堆疊結構在10%氫氧化鉀 (KOH) 的該鹼液中，以超聲波振盪50至70分鐘(min)之間，可將該封裝材進行分離，且該鹼液的溫度介於70度至90度之間。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210718749.4A CN115100698A (zh) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | 指纹识别装置的制造方法 |
| CN202210718749.4 | 2022-06-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202401675A true TW202401675A (zh) | 2024-01-01 |
| TWI839765B TWI839765B (zh) | 2024-04-21 |
Family
ID=
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115100698A (zh) | 2022-09-23 |
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