CN115100698A - 指纹识别装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种指纹识别装置的制造方法，在薄膜晶体管(TFT)基板的基本制程上形成相对应的组件结构后，选择可剥离胶贴靠在指纹辨识装置的侦测活动区，再选择封装材，在上下对接的薄膜晶体管基板的基板层外缘接着，同时将两可剥离胶对位贴合，形成指纹识别装置的堆栈结构。再将该堆栈结构进行薄化制程后，置入碱液中，将该封装材解离，以及将可剥离胶撕除，即可将上下接合的薄膜晶体管(TFT)基板完整分离，无需进行切割制程分离。
Description
技术领域
本发明属于优化制程技术领域，特别是涉及一种指纹识别装置的制造方法。
背景技术
一般而言，薄膜晶体管(TFT)基板在进行指纹识别双板玻璃减薄时，为维持整体单元间距,需使用耐酸的密封胶接着，在指纹识别装置四周边缘进行涂布，使其呈现封闭状。
同时，为维持整体单元间距以及保护面内的指纹识别装置表面不被刮伤，需使用保护膜贴附面内的指纹识别装置活动侦测区。
也就是，上下相对的两板薄膜晶体管(TFT)基板采用耐酸的密封胶接着，中间的指纹识别装置表面贴附保护膜作为支撑层以及保护层。
当两薄膜晶体管(TFT)基板的玻璃层进行薄化制程结束后，需将双板进行切割分离而取得较小尺寸的复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
但是，由于密封胶为属于低模量属性，为了将相迭的两薄膜晶体管(TFT)基板进行分离，需使用刀轮切裂(Scribe Break，SBK)或雷射切割方式分离，而将密封胶部分切掉会造成在整体分离后的薄膜晶体管(TFT)基板的玻璃层尺寸变小。
又，当进行刀轮切裂(SBK)切割方式时，玻璃层边缘涂密封胶的节点处，切割容易破片且外观质量差；当进行雷射切割方式时，雷射切割时会产生热效应以及切割时会产生粉尘。因此，以习知技术进行指纹识别制程时，尚有需要进行优化或改良的空间与技术。
发明内容
本发明之一目的在于解决当进行切割时，会产生热效应以及产生粉尘的问题。
本发明之另一目的在于维持薄膜晶体管(TFT)基板的外观尺寸完整，边缘无切割造成破片或破碎的风险，以及薄膜晶体管(TFT)强度不会衰变。除可改善习知缺陷外，提升成品的良率，同时，可达到简化制作流程。
为达到上述目的，本发明提供一种指纹识别装置的堆栈结构，以利进行一种指纹识别装置的制造方法，该堆栈结构包括有一第一薄膜晶体管基板、一第一可剥离胶、一第二薄膜晶体管基板、一第二可剥离胶以及一封装材。
该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区。
该第一可剥离胶贴靠于该第一侦测活动区，且该第一可剥离胶具有一第一厚度。
该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
该第二可剥离胶贴靠于该第二侦测活动区，且该第二可剥离胶具有一第二厚度。
该封装材位于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕涂布，该封装材具有一宽度以及一第三厚度。
其中，该第一可剥离胶之一侧与该第二可剥离胶之一侧相互贴靠，使得该封装材位于该第二基板上，且该封装材沿该第二基板之外缘围绕。
进一步地，该第一可剥离胶为加热后固化成型之胶体，该第一可剥离胶为聚氯乙烯类(PVC)材质，且该第一可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第一薄膜晶体管基板，用于保护该第一侦测活动区。
进一步地，该第二可剥离胶为加热后固化成型之胶体，该第二可剥离胶为聚氯乙烯类(PVC)材质，且该第二可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第二薄膜晶体管基板，用于保护该第二侦测活动区。
进一步地，该封装材为碱解离型的封装材，其材质为亚克力树脂类或丙烯酸酯类，该封装材为紫外光固化胶、可耐氢氟酸以及硫酸侵蚀。
进一步地，该第一厚度以及该第二厚度皆为40至50微米(um)之间。
进一步地，该宽度为3至4毫米(mm)之间，以及该第三厚度为180至200微米(um)之间。
另外，本发明提供一种指纹识别装置的制造方法，包括有以下步骤：
a.提供一第一薄膜晶体管基板、一第一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板以及一第二可剥离胶，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区，该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
b.将该第一可剥离胶涂布于该第一侦测活动区，使得该第一可剥离胶之一侧贴靠于该第一侦测活动区，同时，将该第二可剥离胶涂布于该第二侦测活动区，使得该第二可剥离胶之一侧贴靠于该第二侦测活动区。
c.将该封装材涂布于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕。
d.将该第二薄膜晶体管基板设置于该第一薄膜晶体管基板上，使得该第一可剥离胶与该第二可剥离胶相互贴靠，同时该封装材之另一端位于该第二基板上，该封装材沿该第二基板之外缘围绕，形成指纹识别装置的一堆栈结构。
e.对该堆栈结构进行进行减薄工艺，将该第一基板进行蚀刻作业后达到一第四厚度，以及将该第二基板进行蚀刻作业后达到一第五厚度。
f.将进行减薄工艺后的该堆栈结构置入一碱液中，于80℃的该碱液中，对该封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板以手动或辅助治具进行分离，使得第一可剥离胶以及第二可剥离胶分别从第一薄膜晶体管基板以及第二薄膜晶体管基板移除。
g.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板取出。
h.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
i.将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
进一步地，该第一可剥离胶为加热后固化成型之胶体，且该第一可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第一薄膜晶体管基板,用于保护该第一侦测活动区，以及进行分离时，可手动或辅助治具将该第一可剥离胶撕除且无残胶。
进一步地，该第二可剥离胶为加热后固化成型之胶体，且该第二可剥离胶需耐碱液且不侵蚀该第二薄膜晶体管基板,用于保护该第二侦测活动区，以及进行分离时可手动或辅助治具将该第二可剥离胶撕除且无残胶。
进一步地，当该指纹识别装置在10％氢氧化钾(KOH)的该碱液中，以超声波振荡50至70分钟(min)之间，可将该封装材进行分离。
上述中，该碱液的温度介于70度至90度之间。
从本发明更进一步提出另一种指纹识别装置的制造方法，包括以下步骤：
S1.提供一第一薄膜晶体管基板、一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区，该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
S2.将该可剥离胶涂布于该第一侦测活动区，使得该可剥离胶贴靠于该第一侦测活动区。
S3.将该封装材涂布于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕。
S4.将该第二薄膜晶体管基板设置于该第一薄膜晶体管基板上，使得该可剥离胶配置于该第一感光组件及该第二感光组件之间，同时该封装材之另一端位于该第二基板上，该封装材沿该第二基板之外缘围绕，形成指纹识别装置的一堆栈结构。
S5.对该堆栈结构进行减薄工艺，将该第一基板进行蚀刻作业后达到一第四厚度，以及将该第二基板进行蚀刻作业后达到一第五厚度。
S6.将进行减薄工艺后的该堆栈结构置入一碱液中，于80℃的该碱液中，对该封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将该可剥离胶、第一薄膜晶体管基板以及该第二薄膜晶体管基板进行分离，使得该可剥离胶从该第一薄膜晶体管基板以及该第二薄膜晶体管基板移除。S7.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板取出；
S8.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板；
S9.将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
综上所述，本发明指纹识别装置的制造方法，藉由完成该指纹识别装置的堆栈结构后，进行薄化制程，再将该堆栈结构置入碱液中，将该封装材进行解离，以及将可剥离胶撕除，最后完成将上下接合的薄膜晶体管(TFT)基板完整分离，且无需进行切割制程分离。
因此，经由上述，可知本发明指纹识别装置的制造方法的优点为：
1.整体结构，藉由该封装材以及该可剥离胶，维持单元间距的均匀与稳固。
2.达到流程减化，整个制程中无需进行习知的切割流程，可将迭合的薄膜晶体管基板进行分离。
3.达到成品的外观尺寸完整，避免切割后成品边缘造成破片或碎裂。
4.当后期流程进行切割时，避免产生粉尘或产生热效应的风险，且薄膜晶体管强度不会衰变，可提升良率。
附图说明
图1是本发明堆栈结构的简易立体分解图。
图2A是本发明堆栈结构的剖面示意图。
图2B是本发明另一种堆栈结构的剖面示意图
图3是本发明指纹识别装置的制造方法的步骤流程图。
图4是接续图3之步骤流程图。
图5是本发明指纹识别装置的制造方法之简易式制程示意图。
图6是本发明封装材之超声波振荡时间与黏合强度折线图。
图7是本发明另一种指纹识别装置的制造方法的步骤流程图。
图8是接续图7之步骤流程图。
附图标记为：
1：堆栈结构
2：第一薄膜晶体管基板
21：第一基板
22：第一感测组件
221：第一侦测活动区
3：第一可剥离胶
4：第二薄膜晶体管基板
41：第二基板
42：第二感测组件
421：第二侦测活动区
5：第二可剥离胶
6：封装材
7：可剥离胶
T1：第一厚度
T2：第二厚度
T3：第三厚度
W：宽度
a～i：步骤
S1～S9：步骤
具体实施方式
为达成上述目的及功效，本发明所采用之技术手段及构造，兹绘图就本创作较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解，但须注意的是，所述内容不构成本发明的限定。另外，本说明书中，使用“～”表示之数值范围系指将“～”前后所记载之数值作为下限值及上限值而包含之范围。又，在本说明书中阶段性记载之数值范围中，以某个数值范围记载之上限值或下限值可置换为其他阶段之记载的数值范围的上限值或下限值。又，本说明书中所记载之数值范围中，某个数值范围中所记载之上限值或下限值可置换为实施例所示之值。又，本说明书中的“步骤”这一术语不仅为独立的步骤，即使在无法与其他步骤明确地区别之情况下，只要可达成该步骤的所期望的目的，则亦包含于本术语中。此外，尽管用语「步骤」及/或「方块」在本文或附图中可用于暗指所采用的方法的不同要素，然而除非明确陈述个别步骤的次序且除明确陈述个别步骤的次序以外，该些用语不应被解释为暗示在本文中所揭露的各种步骤中或各种步骤之间的任何特定次序。
请参阅图1以及图2A，本发明提供一种指纹识别装置的堆栈结构1，以利进行一种指纹识别装置的制造方法，该堆栈结构1，包括有一第一薄膜晶体管基板2、一第一可剥离胶3、一第二薄膜晶体管基板4、一第二可剥离胶5以及一封装材6。
该第一薄膜晶体管基板2包括有一第一基板21以及一第一感测组件22，该第一感测组件22之一侧贴靠于该第一基板21，该第一感测组件22之另一侧具有一第一侦测活动区221。
该第一可剥离胶3贴靠于该第一侦测活动区221，该第一可剥离胶3具有一第一厚度T1。于本实施例中，该第一可剥离胶3为加热后固化成型之胶体，且该第一可剥离胶3为聚氯乙烯类(PVC)材质，藉由该第一厚度T1，使得该第一可剥离胶3可保护该第一侦测活动区221，避免受到损伤。于较佳的一实施例中，该第一厚度T1为40至50微米(um)之间。
该第二薄膜晶体管基板4包括有一第二基板41以及一第二感测组件42，该第二感测组件42之一侧贴靠于该第二基板41，该第二感测组件42之另一侧具有一第二侦测活动区421。须加以说明的是，这里所指的第一侦测活动区221或第二侦测活动区421是指第一感测组件22或第二感测组件42的感测区域，此外，第一感测组件22及第二感测组件42可以是光学式感测组件，例如是光电二极管或者是超声波感测组件等，本发明并不加以局限。
该第二可剥离胶5贴靠于该第二侦测活动区421，该第二可剥离胶5具有一第二厚度T2。于本实施例中，该第二可剥离胶5为加热后固化成型之胶体，且该第二可剥离胶5为聚氯乙烯类(PVC)材质。藉由该第二厚度T2，使得该第二可剥离胶5可保护该第二侦测活动区421，避免受到损伤。于较佳的一实施例中，该第二厚度T2为40至50微米(um)之间。
该封装材6位于该第一基板21上，且该封装材6沿该第一基板21之外缘围绕涂布，该封装材6具有一宽度W以及一第三厚度T3，藉由该宽度W以及该第三厚度T3，保持整体单元间距的均匀。于本实施例中，该封装材6为碱封装材，其材质为亚克力树脂类或丙烯酸酯类，该封装材6为紫外光固化胶、可耐氢氟酸以及硫酸等侵蚀。于较佳的一实施例中，该宽度W为3至4毫米(mm)之间，以及该第三厚度T3为180至200微米(um)之间。此外，第一厚度T1、第二厚度T2分别小于第三厚度T3，并此叙明。
其中，该第一可剥离胶3与该第二可剥离胶5相互贴靠，使得该封装材6位于该第二基板41上，该封装材6沿该第二基板41之外缘围绕。
烦请参考图2B，图2B给出另一种堆栈结构的剖面示意图，与图2A最大的区别在于，图2B仅有一层可剥离胶7，在这一个可行的实施例中，该可剥离胶7配置于第一感测组件22与该第二感测组件42之间。此外，在任一可行的释例性实施例中，也可以采用可分解的材料制成。
请附加参阅图3至图5，此外，本发明亦提供了一种指纹识别装置的制造方法，包括有以下步骤：
a.提供一第一薄膜晶体管基板、一第一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板以及一第二可剥离胶，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板之一侧，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区；该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板之一侧，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区。
b.将该第一可剥离胶涂布于该第一侦测活动区，使得该第一可剥离胶之一侧贴靠于该第一侦测活动区，同时，将该第二可剥离胶涂布于该第二侦测活动区，使得该第二可剥离胶之一侧贴靠于该第二侦测活动区。
于此步骤中，该第一可剥离胶3以及该第二可剥离胶5分别亦可以网印的方式进行处理，用来取代习知技术中保护膜的位置，该些可剥离胶(3,5)较保护膜材质硬挺，不会塌陷，更可达到整体的单元间距的均匀稳固。
c.将该封装材涂布于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕。于此步骤中，以该封装材6可防止液体侵蚀或渗入至该第一感测组件22。
d.将该第二薄膜晶体管基板设置于该第一薄膜晶体管基板上，使得该第一可剥离胶之另一侧与该第二可剥离胶之另一侧相互贴靠，同时该封装材之另一端位于该第二基板之该侧上，该封装材沿该第二基板之外缘围绕，形成一指纹识别装置的堆栈结构。
e.将该指纹识别装置的堆栈结构进行减薄工艺，将该第一基板进行蚀刻作业后达到一第四厚度，以及将该第二基板进行蚀刻作业后达到一第五厚度。
需要说明的是，该第四厚度以及该第五厚度可为相同的厚度或是不相同的厚度，可依照制作需求进行减薄工艺。于较佳的实施例中，第四厚度以及该第五厚度为90±20微米(um)。
f.将进行减薄工艺后的该指纹识别装置的堆栈结构，置入一碱液中，于80℃的该碱液中，以超声波进行震荡作业，将该封装材进行振荡并且剥除后，将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板，以手动或辅助的加工治具(如：机械手臂或双向真空吸引设备等)进行分离，使得该第一可剥离胶以及该第二可剥离胶分别从该第一薄膜晶体管基板以及该第二薄膜晶体管基板上移除。
g.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板取出。
h.将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
i.将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
另外，烦请附加参阅图7及图8，需要说明的是，从上述可以延伸出另一种指纹识别装置的制造方法，包括以下步骤：
S1：提供一第一薄膜晶体管基板、一可剥离胶、一封装材、一第二薄膜晶体管基板，该第一薄膜晶体管基板包括有一第一基板以及一第一感测组件，该第一感测组件之一侧贴靠于该第一基板，该第一感测组件之另一侧具有一第一侦测活动区，该第二薄膜晶体管基板包括有一第二基板以及一第二感测组件，该第二感测组件之一侧贴靠于该第二基板，该第二感测组件之另一侧具有一第二侦测活动区；
S2：将该可剥离胶涂布于该第一侦测活动区，使得该可剥离胶贴靠于该第一侦测活动区；
S3：将该封装材涂布于该第一基板上，且该封装材沿该第一基板之外缘围绕；
S4：将该第二薄膜晶体管基板设置于该第一薄膜晶体管基板上，使该可剥离胶配置于该第一感光组件及该第二感光组件之间，同时该封装材之另一端位于该第二基板上，该封装材沿该第二基板之外缘围绕，形成指纹识别装置的一堆栈结构；
S5：对该堆栈结构进行减薄工艺，将该第一基板进行蚀刻作业后达到一第四厚度，以及将该第二基板进行蚀刻作业后达到一第五厚度；
S6：在本提案上述的任一实施例中，包含将进行减薄工艺后的该堆栈结构置入一碱液中，于80℃的该碱液中，对该封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将该可剥离胶、第一薄膜晶体管基板以及该第二薄膜晶体管基板进行分离，使得该可剥离胶从该第一薄膜晶体管基板以及该第二薄膜晶体管基板移除。
S7：将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板取出；
S8：将进行减薄工艺后的该第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板；
S9：将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
此外，该第一厚度T1、该第二厚度T2分别小于该第三厚度T3，且所述的第四厚度与第五厚度均小于所述的第一厚度T1及第二厚度T2，并此叙明。
需要另外说明的是，该第一可剥离胶3以及该第二可剥离胶5皆为加热后固化成型之一胶体，且该胶体需耐碱液且不侵蚀底材(该第一薄膜晶体管基板2、该第二薄膜晶体管基板4)，分别用于保护该些侦测活动区(221,421)，以及该胶体(3,5)进行分离时，可以手动或辅助治具将该胶体(3,5)撕除且无残胶。
烦请同时参阅图6，藉由上述提供的方法，将该堆栈结构1，进行置入于10％氢氧化钾(KOH)的该碱液中，于80℃的该碱液中，以超声波进行振荡，发现位于外围的该封装材6于10％氢氧化钾(KOH)的该碱液中，以超声波振荡50～70分钟(mins)，可将进行减薄工艺后，迭合的该第一薄膜晶体管基板2以及该第一薄膜晶体管基板4可完整分离且无残胶。
此外，上述中，较佳的是预计进行振荡两分钟时，黏合强度有下降可以松动，而进行一分钟的分离作业(以手动或辅助治具将该胶体(3,5)撕除且无残胶)，取出之后进行一分钟的清洗，最终可以控制在5分钟完成剥除。
于整个测试过程中，该第一活动侦测区221以及该第二活动侦测区421内之焊垫确认无腐蚀现象，说明该可剥离胶(3,5)与该感测组件(22,42)之间气密性与耐碱性都是足够的。
综上所述，本发明指纹识别装置及方法的优点为：
1.整体结构，藉由该封装材以及该可剥离胶，维持单元间距的均匀与稳固。
2.达到流程减化，整个制程中无需进行习知的切割流程，可将迭合的薄膜晶体管基板进行分离。
3.达到成品的外观尺寸完整，避免切割后成品边缘造成破片或碎裂。
4.当后期流程进行切割时，避免产生粉尘或产生热效应的风险，且薄膜晶体管强度不会衰变，提升良率。
透过上述之详细说明，即可充分显示本发明之目的及功效上均具有实施之进步性，极具产业之利用性价值，完全符合发明专利要件，爰依法提出申请。唯以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一薄膜晶体管基板、第一可剥离胶、封装材、第二薄膜晶体管基板以及第二可剥离胶，所述第一薄膜晶体管基板包括有第一基板以及第一感测组件，所述第一感测组件的一侧贴靠于所述第一基板，所述第一感测组件的另一侧具有第一侦测活动区，所述第二薄膜晶体管基板包括有第二基板以及第二感测组件，该第二感测组件的一侧贴靠于所述第二基板，所述第二感测组件的另一侧具有第二侦测活动区；
将所述第一可剥离胶涂布于所述第一侦测活动区，使得所述第一可剥离胶贴靠于所述第一侦测活动区，同时，将所述第二可剥离胶涂布于所述第二侦测活动区，使得所述第二可剥离胶贴靠于所述第二侦测活动区；
将所述封装材涂布于所述第一基板上，且所述封装材沿所述第一基板的外缘围绕；
将所述第二薄膜晶体管基板设置于所述第一薄膜晶体管基板上，使得所述第一可剥离胶与所述第二可剥离胶相互贴靠，同时所述封装材的另一端位于所述第二基板上，所述封装材沿所述第二基板的外缘围绕，形成指纹识别装置的堆栈结构；
对所述堆栈结构进行减薄工艺，将所述第一基板进行蚀刻作业后达到第四厚度，以及将所述第二基板进行蚀刻作业后达到第五厚度；
将进行减薄工艺后的所述堆栈结构置入碱液中，于80℃的所述碱液中，对所述封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将薄化后带有第一可剥离胶的第一薄膜晶体管基板以及薄化后带有第二可剥离胶的第二薄膜晶体管基板以手动或辅助治具进行分离，使得第一可剥离胶以及第二可剥离胶分别从第一薄膜晶体管基板以及第二薄膜晶体管基板移除；
将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的所述第二薄膜晶体管基板取出；
将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板；
将进行减薄工艺后的该第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
2.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述第一可剥离胶为加热后固化成型的胶体，且所述第一可剥离胶为聚氯乙烯类材质，所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第一薄膜晶体管基板，用于保护所述第一侦测活动区。
3.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述第二可剥离胶为加热后固化成型的胶体，且所述第二可剥离胶为聚氯乙烯类材质，所述胶体耐碱液且不侵蚀所述第二薄膜晶体管基板，用于保护所述第二侦测活动区。
4.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，当所述指纹识别装置的堆栈结构在10％氢氧化钾的所述碱液中，以超声波振荡50至70分钟之间，可将所述封装材进行分离。
5.如权利要求4所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述碱液的温度介于70度至90度之间。
6.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述封装材为碱解离型的封装材，其材质为亚克力树脂类或丙烯酸酯类，所述封装材为紫外光固化胶、可耐氢氟酸以及硫酸侵蚀。
7.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述第一可剥离胶具有第一厚度，以及所述第二可剥离胶具有第二厚度，所述第一厚度以及所述第二厚度皆为40至50微米之间。
8.如权利要求1所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述封装材具有宽度以及第三厚度，所述宽度为3至4毫米之间，以及所述第三厚度为180至200微米之间。
9.一种指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一薄膜晶体管基板、可剥离胶、封装材、第二薄膜晶体管基板，所述第一薄膜晶体管基板包括有第一基板以及第一感测组件，所述第一感测组件的一侧贴靠于所述第一基板，所述第一感测组件的另一侧具有第一侦测活动区，所述第二薄膜晶体管基板包括有第二基板以及第二感测组件，所述第二感测组件的一侧贴靠于该第二基板，所述第二感测组件的另一侧具有第二侦测活动区；
将所述可剥离胶涂布于所述第一侦测活动区，使得所述可剥离胶贴靠于所述第一侦测活动区；
将所述封装材涂布于所述第一基板上，且所述封装材沿所述第一基板的外缘围绕；
将所述第二薄膜晶体管基板设置于所述第一薄膜晶体管基板上，使得所述可剥离胶配置于所述第一感光组件及所述第二感光组件之间，同时所述封装材的另一端位于所述第二基板上，所述封装材沿所述第二基板的外缘围绕，形成指纹识别装置的堆栈结构；
对所述堆栈结构进行减薄工艺，将所述第一基板进行蚀刻作业后达到第四厚度，以及将所述第二基板进行蚀刻作业后达到第五厚度；
将进行减薄工艺后的所述堆栈结构置入碱液中，于80℃的该碱液中，对所述封装材进行超声波振荡作业并且剥除后，将所述可剥离胶、第一薄膜晶体管基板以及所述第二薄膜晶体管基板进行分离，使得所述可剥离胶从所述第一薄膜晶体管基板以及所述第二薄膜晶体管基板移除；
将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板以及进行减薄工艺后的所述第二薄膜晶体管基板取出；
将进行减薄工艺后的所述第一薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板；
将进行减薄工艺后的所述第二薄膜晶体管基板进行切割，取得复数个具有指纹辨识的薄膜晶体管基板。
10.如权利要求9所述指纹识别装置的制造方法，其特征在于，当所述指纹识别装置的堆栈结构在10％氢氧化钾的所述碱液中，以超声波振荡50至70分钟之间，可将所述封装材进行分离，且所述碱液的温度介于70度至90度之间。
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