JP4199820B2 - レーザー加工装置及びレーザー加工方法 - Google Patents
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Description
このプロセスにおいて、マイクロレンズアレイを使用してレーザービームを多数に分岐させ、被加工面に集光することにより、被加工物に多数の穿孔を行う多数点一括加工(以下、「マイクロレンズ方式」という)が知られている。
この技術において、加工ムラを減少させるために、固定型の均一照明光学系として、図24で示すような、フライアイインテグレータによるビームホモジナイザなどが広く使用されている。
特許文献1には、アパーチャの投影加工において、アパーチャへの照射ビームを移動ミラーによって走査することにより、単一穴の加工底面の深さを均一化させる技術が記載されている。
また、被加工物上では、レーザーのエネルギー分布が図27に示すような山型の形状となるため、図28に示すように、照射エネルギーが大きいと、加工穴径が大きくなる。一方、エキシマレーザーの場合、図29で示すようなビームプロファイルを有するが、レーザーそのものにムラがあり、照射レーザーにムラがあると、均一な加工に影響を及ぼすことになる。このように、レーザービームには、エネルギー分布にムラがあり、そのムラは経時的に変化することが知られている。
また、効率的に加工を行うために、レーザーの照射エネルギーを大きく保ち、このとき加工径を均一化するために、照射レーザーにムラが発生しないようにする必要がある。
さらに、これらの均一化技術をマイクロレンズ方式に適用するには以下の問題がある。
さらに、高価であること、光学調整が複雑であること、一方向に傾斜したエネルギー分布の改善ができない、等の不都合がある。
図25は、ビームホモジナイザの場合、入射するレーザービームが一方向に傾斜したエネルギー分布を持つ場合、エネルギー分布を均一化できないことを示す説明図である。
したがって、マイクロレンズ方式では、加工径を小さくすることができない。
また、加工に用いるレーザー強度を、ミラー上で幅の狭いビームとするには、ミラー上で非常に大きいエネルギー密度となり、ミラーがダメージを受けるため現実的ではない。
このように、加工領域内だけで照射ビームを重ね合わせながら走査して加工する場合、加工領域の端部はビームの照射回数または時間が少なくなる。そのため、加工径が中心部に比べて小さくなり、高い精度で穿孔加工を行うことが困難である。
また、引用文献4には、具体的なビーム走査の装置構成について開示されていない。
本発明の他の目的は、初期および経時的に不均一なビーム品質を持つレーザービームに対しても、加工径と加工形状を均一とするレーザー加工装置及びレーザー加工方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、効率的に穿孔加工を行うことが可能なレーザー加工装置及びレーザー加工方法を提供することにある。
また、被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工装置において、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段と相対的に移動させながら、前記被加工領域内及び領域外で、前記集光あるいは結像手段がレーザービーム内の異なった領域からの照射を受け、かつ前記多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工する、ことにより解決される。
なお、ここでいう被加工部分とは、レーザービームの集光あるいは結像により加工される1加工点、若しくは、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段と相対的に移動させることにより加工される連続的な1加工形状をいうものとする。
また、ユニットを2次元方向に重ね合わせながら走査させるように構成されているので、レーザービームの強度分布に2次元的な分布があったとしても、均一な加工を行うことが可能となる。このように、本発明のレーザー加工装置によれば、多数の被加工部分に均一且つ任意の形状の加工を行うことが可能となる。
前記レーザービームの前記集光あるいは結像手段に対する加工中の相対的な移動は、2次元または3次元である。
また、2つのビームエキスパンダの少なくとも1つにズーム機構を備えており、集光あるいは結像手段に入射するレーザービームの発散角が変化した場合は、このズーム機構により前記発散角を簡便に揃えることが可能である。
ズーム機構に自動ズーム調整機構を備えた構成とすると更に良い。
なお、被加工部分は真円形状に関して述べているが、前記発散角をズームビームエキスパンダを用いて調整することにより、楕円形状とすることも可能である。
モニターには、レーザービーム方向に対し垂直面内で直交する2軸に沿ってレーザービームの発散角を測定する機構が備えられており、測定値に基づいてビームエキスパンダを調整して、レーザービームの発散角を一定の割合にすることが可能である。
前記レーザービームの発散角の変化は前記モニター装置により検出することが可能であり、前記モニター装置とエキスパンダの自動ズーム機構を連動させることにより、前記レーザービームの発散角を自動調整することが可能である。
さらに前記課題は、本発明のレーザー加工方法によれば、被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工方法であって、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物に前記集光あるいは結像手段とを移動する第一の工程と、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段とを相対的に移動させながら、前記被加工領域内及び領域外で、多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工する第二の工程を有すること、により解決される。
さらに、前記集光あるいは結像手段及び被加工物の前記配置手段を相対的に移動する機構を備えることにより、被加工部分を任意の形状に加工することが可能となる。
11 レーザー光源
12 アッテネータ
13 スリット
14a,14b 部分反射ミラー
15 エネルギーモニタ
16 シャッター
17 ビームエキスパンダ
17a ズーム機構
17b〜17f シリンドリカルレンズ
18 ミラー
20 ビームプロファイラ
30 マイクロレンズアレイ
31 マイクロレンズ
40 ワーク調整手段
41 ステージ
42 回転テーブル
43 XYZステージ
50 ミラースキャンユニット
51 第1のミラー
52 第2のミラー
60 ダイバージェンスモニタ
61 円形スリット
62 レンズ
63 2次元センサ
B ビーム領域
H 孔
R レンズ領域
SC スキャン範囲
S レーザー加工装置
U ユニット
W 被加工物
本実施形態のレーザー加工装置は、加工径均一化機構を有する多点一括レーザー加工を行うように構成されている。本明細書において「加工」とは、穿孔加工が主であるが、アニール、エッチング、ドーピング、成膜なども含む意味で用いている。
本実施形態のレーザー加工装置Sは、図1に示すように、レーザー装置10と、ビームプロファイラ20と、集光手段としてのマイクロレンズアレイ30と、被加工物Wの配置手段であるワーク調整手段40等を備えて構成されている。そして、ワーク調整手段40上に配置されたマイクロレンズアレイ30と、被加工物WからユニットUが構成される。
本例では、図2に示すズーム機構17aを備えており、レーザービームの発散角(ビームダイバージェンスとも言う)をレーザービーム方向に対し垂直面内の直交する2軸に沿って調整可能とされている。ズーム機構17aは、シリンドリカルレンズ17b,17c,17dを備え、このシリンドリカルレンズ17cと17dの間の距離は、図2(a)に示す状態から、図2(b)に示す状態へ連続的にズーム倍率の調整が可能に構成されている。ズーム倍率を変更する際、成形されるレーザービームの主光線が平行光を維持するように、シリンドリカルレンズ17cと17dの位置を連動して変化させる。ズーム機構17aは公知の技術を用いるもので、例えば、各レンズ間の距離を調節するものである。
その補正として、本例のレーザー加工装置Sは、レーザービーム方向に対し垂直面内の直交する2軸に沿ってビームサイズを独立に変更するビームエキスパンダを備え、ビーム拡大倍率を2方向で独立に変えることが可能とされている。これにより、集光あるいは結像手段に入射するレーザービームの発散角をレーザービーム方向に対し垂直面内の直交する2軸に沿って等しくすることにより、加工形状を真円にすることができる。
また、レーザービームの発散角が経時的に変化した場合でも、ズーム機構の調整により、集光あるいは結像手段に入射するレーザービームの発散角をレーザービーム方向に対し垂直面内の直交する2軸に沿って等しくすることにより、加工形状を真円にすることができる。
また、さらに光軸の調整を可能とするために、ビームエキスパンダ17のホルダには、位置・角度調整機構を備えていると好ましい。位置・角度調整機構としては、例えば、上市されている位置・角度調整を備えたレンズホルダを用いることが可能である。
なお、強度分布を変える強度分布光学部品などを備えてもよい。
被加工物Wがステージ41上に配置されると、不図示の制御部は、ステージ41を水平方向に移動させ、照射レンズ系の光軸位置に来るようにする。そして、制御部により、レーザー光源を制御し、レーザービームを照射させる。
また、本例のステージ41には、被加工物Wを把持できるように、吸着ステージとしている。なおステージは加工時の貫通したビームでダメージを受けない材質、例えばステンレス、アルミなどを使用している。
好ましくは、照射ビーム領域と、マイクロレンズアレイ30のサイズの倍の長さと、を加算した距離以上のストロークを持つものが良い。
ステージ41は、走り精度、すなわちステージ移動時の角度ブレが小さいものを使用すると良い。
先ず、不図示のスイッチを投入しスタートすると、装置全体が通電し、予め、被加工物Wに対する加工径などのデータを制御部へ指示するが、この後で、シャッター16を閉めた状態で、レーザー光源11が発振する(ステップS1)。次に、エネルギーモニタ15でエネルギーを測定する(ステップS2)。次に、ステップS2で測定したエネルギーに基づいて、被加工物Wの加工に適切なエネルギーとなるように、アッテネータ12の透過率を調整する(ステップS3)。ここで、一定時間内でエネルギー変動が少なく、発振が安定であることを確認する。
そして、シャッター16を開け(ステップS5)、マイクロレンズアレイ30と被加工物WからなるユニットUの走査を開始する(ステップS6)。
このとき、ステージ41をX,Y方向に移動(揺動)させ、ユニットUを照射ビーム領域を通過させて穿孔加工を行う。
図5に示すように、ビーム領域Bは固定されており、このビーム領域Bを、マイクロレンズアレイ30及び被加工物WからなるユニットUが通過する。
図5では、穿孔加工の状況を明確に示すために、マイクロレンズアレイ30の構成要素であるマイクロレンズ31を図示している。
本例では、図5(e)に示すように、ビーム領域Bがマイクロレンズ31上を完全に通り過ぎるまで走査が行われる。
図6(a)に示すように、はじめは、レンズ領域Rはビーム領域Bの外側に位置している。
次いでステージ41を移動させる。これにより、図6(b)〜(e)に示すように、ビーム領域Bをレンズ領域Rが通過する。
図6に示すように、ビーム領域Bがマイクロレンズ31上を完全に通り過ぎるまで走査が行われる。
ユニットUの走査は、マイクロレンズアレイ30のパターンが1次元配列でない限り、図示されているような2次元のパターンで走査が行われる。
これは、エキシマレーザーなどのビーム強度分布は、厳密な均一径加工を実施する上では、2次元的な分布があるためである。
このようにして、2次元方向に重ね合わせながら被加工物Wへの走査を行うことで、被加工物W上に多数点が均一に一括穿孔される。
ステップS7での加工が終了した時点で、ユニットUは照射ビーム位置から外れている位置で停止する(ステップS8)。その後に、シャッター16を閉め(ステップS9)、被加工物Wを取り外す(ステップS10)。
最後に、レーザー光源11の発振を停止する(ステップS11)。
以上のようにして被加工物Wの加工を行う。
図8(a)は固定加工による加工径(すなわち「走査なし」)を示すものであり、図8(b)は加工領域内のみをビーム走査する加工方法による加工径(すなわち「レンズ領域のみ走査」)を示すものであり、図8(c)は本例のレーザー加工方法による加工径(すなわち「完全走査」)の結果をそれぞれ示すものである。
一方、本例のレーザー加工方法、すなわち「完全走査」によれば、図8(c)に示されるように、被加工物Wのどの位置においても一定の加工径で穿孔を行うことが可能であることがわかる。
これは、本例のレーザー加工方法では、ビーム領域Bがマイクロレンズ31上を完全に通り過ぎるまで走査するので、被加工物Wのどの箇所においても、加工時間が一定になり、被加工物Wのどの箇所においても同一の条件で加工を行うことができるためである。
また、図7で示したように、2次元のパターンで走査するので、レーザービームの強度分布が2次元的になっていても、照射が重ね合わせて行われるので、均一な穿孔加工を行うことが可能となるものである。
図11に示すワーク調整手段40は、被加工物Wとマイクロレンズアレイ30およびその保持機構(ワーク調整手段など)の相対位置を変更可能なステージを備える。すなわち、図11に示すように、XY方向に移動可能なステージ41上に、さらにXYZ方向に移動可能なステージ43を備えている。
ステージ41は2軸のリニアステージなどで構成し、ステージ43は3軸のリニアステージなどで構成する。各ステージ41,43をモーションコントローラにより制御を行い、動作パラメータの設定などは、不図示のPCによって行なう。ステージ43のコントローラは円弧補間機能をもつことが望ましい。モーションコントローラは、例えばDelta Tau Systems社製UMACJ−Turboなど、公知のコントローラを用いることができる。
図11に示すワーク調整手段40によれば、被加工領域加工後に前記相対位置を変更し、新たな被加工領域を加工することにより、多数の加工部分を任意の間隔で加工することが可能となる。
これにより、広範囲な被加工領域の加工や、被加工部分の狭い間隔の加工が可能となる。
このようにして被加工領域1の加工が終了後、XY方向に移動可能なステージ41を用いて、被加工物Wに対してマイクロレンズアレイ30を被加工領域2へ移動し、被加工物Wとマイクロレンズアレイ30の相対位置を固定し、被加工領域2の加工を実施する。
以上の工程を繰り返すことにより、広範囲な被加工領域の加工を実施する。
マイクロレンズの配置パターンが異なるマイクロレンズアレイ30の領域に切り替えることにより、複数の加工パターンで加工が可能となる。
本例のマイクロレンズアレイ30を使用して加工を行う場合、先ず、図10(a)に示すように、パターン1の部分での穿孔加工が行われる。
次いで、図10(b)に示すように、パターン1の部分でなされた被加工部分の間に、パターン2の部分での穿孔加工が行われる。
パターン2の部分を構成するマイクロレンズ31は、パターン1の部分を構成するマイクロレンズ31よりも小径であるため、パターン2の部分により形成される孔は、パターン1の部分により形成される孔よりも小さくなる。
このようにして、被加工物Wに、複数の配列パターンで穿孔加工を行うことができる。
図13乃至図17は、被加工物とマイクロレンズアレイとの相対移動加工を示すもので、図13は線状加工の例の説明図、図14及び図15は円形加工の例の説明図、図16はザグリ加工の例の説明図、図17はテーパ加工の例の説明図である。
また、図14は、被加工物Wとマイクロレンズアレイ30およびその保持機構を相対的に円形に移動させながら加工を行う例であり、図15は、そのときのビーム焦点と加工穴の図を示している。つまり、図15で示すように、被加工物Wとマイクロレンズアレイ30およびその保持機構(ワーク調整手段40)を相対移動ながら、ビーム焦点を円形(白抜き矢印のように)に移動させるものである。
これにより、マイクロレンズの焦点径より大きい任意の加工径を持つ円形加工が可能となり、焦点径が異なるマイクロレンズに交換をすることなしに、加工径の異なるパターンの加工が可能となる。
各実施例において、前記実施例と同様部材・同様配置等には、同一符号を付してその説明を省略する。
<実施例2>
図18及び図19は、第2実施例に係るレーザー加工装置Sを示すものである。第2実施例に係るレーザー加工装置Sは、実施例1と同様の構成において、被加工物Wのワーク調整手段40として、ステージ41に回転テーブル42を装備した構成とされている。
図20及び図21は、第3実施例に係るレーザー加工装置Sを示すものである。第3実施例に係るレーザー加工装置Sは、実施例1の構成において、ミラー18とビームプロファイラ20以外の構成は同様であり、さらにミラースキャンユニット50を備えている。ミラースキャンユニット50の構成を図21に示す。ミラースキャンユニット50は、第1のミラー51と第2のミラー52を備えている。
それぞれを連動して駆動させることにより、マイクロレンズ31上を2次元的に走査することが可能となる。
但し、移動ミラーでは、ステージ移動時の機械的な角度変動が、ミラー反射により光学的角度変動が2倍と大きくなる。
或いは、ミラーを少なくとも一つ備えた構成とし、ステージ41との組み合わせで、ユニットUへの2次元的な走査を行うようにしても良い。
図22及び図23は、第4実施例に係るレーザー加工装置Sを示すものである。第4実施例に係るレーザー加工装置Sは、実施例1と同様の構成において、レーザービームの発散角の変化を監視する、ダイバージェンスモニタ60を装備した構成とされている。
第4実施例に係るレーザー加工装置Sは、エネルギーモニタ15にレーザー光を反射する部分反射ミラー14aと、ダイバージェンスモニタ60にレーザー光を反射する部分反射ミラー14bを備えている。
本例のダイバージェンスモニタ60は、ビームエキスパンダ17の後段に部分反射ミラー14bによって取り出したビームを、円形スリット61を通した直後で、長い焦点距離を持つレンズ62で集光し、その焦点位置にビーム強度分布を測定する2次元センサ63を配置することにより測定を行うように構成されている。なお、2次元センサ63の代わりに、直交する2方向の各々に1次元ラインセンサを設けても良い。
Claims (12)
- 被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工装置において、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段を固定して、前記被加工領域内及び領域外で、前記集光あるいは結像手段がレーザービーム内の異なった領域からの照射を受け、かつ前記多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工することを特徴とするレーザー加工装置。
- 被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工装置において、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段と相対的に移動させながら、前記被加工領域内及び領域外で、前記集光あるいは結像手段がレーザービーム内の異なった領域からの照射を受け、かつ前記多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工することを特徴とするレーザー加工装置。
- 前記レーザービームの前記集光あるいは結像手段に対する加工中の相対的な移動は、2次元または3次元であることを特徴とする請求項1または2記載のレーザー加工装置。
- 前記配置手段と前記レーザービームの集光あるいは結像手段を、前記レーザービームの光軸方向を軸に回転する回転機構を備えたことを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれか記載のレーザー加工装置。
- 前記被加工物内の前記被加工領域と別の被加工領域に、前記レーザービームの集光あるいは結像手段、あるいは新たな集光あるいは結像手段を移動し、前記加工に引き続き新たな加工を行うことを特徴とする請求項1乃至4いずれか記載のレーザー加工装置。
- 前記レーザービームの方向に対し垂直面内で直交する2軸に沿ってビームサイズを独立に変更し、主光線を平行にする、2つの独立なビームエキスパンダを有し、少なくともその内の1つにズーム機構を備えたことを特徴とする請求項1乃至5いずれか記載のレーザー加工装置。
- 前記ビームエキスパンダを通過後のレーザービームの発散角を監視するモニター装置を備え、ビームエキスパンダに備えられたズーム機構を用いて、前記レーザービームの方向に対し垂直面内で直交する2軸に沿って、前記レーザービームの発散角を一定の割合に維持する制御機構を有した請求項6記載のレーザー加工装置。
- 被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工方法であって、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段とを固定する第一の工程と、前記被加工領域内及び領域外で、前記集光あるいは結像手段がレーザービーム内の異なった領域からの照射を受け、かつ前記多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工する第二の工程を有することを特徴とするレーザー加工方法。
- 被加工物の被加工領域内の多数の被加工部分を加工するレーザー加工方法であって、レーザー装置と、該レーザー装置から出射されるレーザービームの集光あるいは結像手段と、前記被加工物の配置手段と、を備え、前記被加工物に前記集光あるいは結像手段とを移動する第一の工程と、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段とを相対的に移動させながら、前記被加工領域内及び領域外で、前記集光あるいは結像手段がレーザービーム内の異なった領域からの照射を受け、かつ前記多数の被加工部分の各々への加工中の積算レーザービーム照射時間が等しくなるように、前記レーザービームと前記集光あるいは結像手段を相対的に移動しながら加工する第二の工程を有することを特徴とするレーザー加工方法。
- 前記第二の工程の前記レーザービームの前記集光あるいは結像手段に対する加工中の相対的な移動は、2次元または3次元であることを特徴とする請求項8または9記載のレーザー加工方法。
- 前記第二の工程中に、前記被加工物と前記集光あるいは結像手段を前記レーザービームの光軸方向を軸に回転させる工程を有することを特徴とする、請求項8乃至10記載のいずれか記載のレーザー加工方法。
- 前記第二の工程の後に、前記被加工物内の前記被加工領域と別の被加工領域に、前記レーザービームの集光あるいは結像手段、あるいは新たな集光あるいは結像手段を移動する第三の工程を有し、引き続き前記第二の工程を有することを特徴とする、請求項8乃至11いずれか記載のレーザー加工方法。
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