JP2010114444A - リソグラフィ較正のための方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は、シミュレートされた像を生成するための関数を決定するステップであって、その関数がリソグラフィプロセスに関連するプロセス変動を説明するステップと、その関数を使用してシミュレートされた像を生成するステップであって、シミュレートされた像がリソグラフィプロセスに関するターゲット設計の結像結果を表すステップとを含む。リソグラフィプロセスの較正のためのシステム及び方法であって、それにより、光学システムの公称構成について多項式フィットが計算され、それを使用して他の構成に関するクリティカルディメンションを推定することができる。
【選択図】図3
Description
・プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例は、粘弾性制御レイヤと反射面を有するマトリクスアドレッサブル表面である。このような装置の基本原理は、(例えば)反射面のアドレスエリアが回折光として入射光を反射し、非アドレスエリアが非回折光として入射光を反射することである。適切なフィルタを使用すると、反射ビームから前記非回折光をフィルタで除去し、回折光のみを残すことができ、このように、ビームはマトリクスアドレッサブル表面のアドレッシングパターンに応じてパターン付きになる。適切な電子手段を使用して、必要なマトリクスアドレッシングを実行することができる。このようなミラーアレイに関する詳細情報は、例えば、本明細書に参照により組み込むものとする米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号から入手することができる。
・プログラマブルLCDアレイ。このような構造の一例は、本明細書に参照により組み込むものとする米国特許第5,229,872号に示されている。
その結果、(式8)を以下のように展開することができる。
これを(式4)と結合すると、以下の一般的結果が得られる。
より多くのTCC項を使用すると、光学モデルの正確さ並びに光学モデル成分及びレジストモデル成分の分離性を改善することができる。しかし、像又はTCC導関数はPW内の比較的軽微な像変動、典型的におよそ10%のCD変動に関連するので、A及びB項については公称条件TCC0の場合より少ない項で十分である可能性がある。例えば、TCC0について64個の項を考慮する場合(すなわち、N0=64)、十分なCD予測精度を達成するために、典型的にA及びB項のそれぞれについて32個の項のみが必要になり、すなわち、NA=NB=32である。この場合、公称条件I0と比較して、派生像a及びbを生成するために、ほぼ同じ量の計算時間が必要になる。元のTCC行列とは異なり、A又はBなどの係数TCC行列は一般に非負定値(non-negative-definite)ではなく、派生TCC行列について正及び負両方の固有値が存在することを意味することは注目に値する。従って、固有級数展開及び切り捨てからの主要項(leading term)は、正負両方の最大絶対値を有するすべての固有値を含むはずである。
(式19)は(式14)と同じであるので、2つの代替手法によって同じ最終公式に至ることは認識されるであろう。同様に、(式4)も(式15)、(式18)、及び(式19)から導出することができる。
[0069] 投影された空間像による照明に対するフォトレジストの応答は、しきい値化挙動を有し、強力に非線形になる可能性があるが、PEB中の拡散など、レジストレイヤ内で行われる多くのプロセスは、しきい値を適用する前に1つ又は複数の線形フィルタにより空間像を畳み込むことによってモデル化することができる。このようなモデルは一般に「線形」レジストモデルと呼ばれ、このようなモデルの潜在するレジスト像は以下のように概略的に表すことができる。
[0073] 前の考察では、レジストモデルを確立する線形フィルタのすべてのパラメータがプロセスウィンドウパラメータの変動全域で一定であることが暗黙のうちに想定されていた。これは、レジストモデルパラメータが光学モデルパラメータとは無関係であるという分離可能リソグラフィモデル全体に関する1つの条件に相当する。分離性に関する実用テストは、モデルを正確に較正し、PWの範囲全域でテストデータをフィットさせる能力である。実際には、フルチップリソグラフィシミュレーションに適したモデルの半経験的性質は、完全な分離性を妨げる可能性があり、レジストモデルパラメータがデフォーカス、NA、又はシグマ設定などのPWパラメータにつれて変化できるようにする必要がある場合もある。物理的に動機付けされたモデルの場合、PW変数の変動を受けてモデルパラメータが滑らかに変化することが予想される(又は制約として要求される)はずである。この場合、レジスト像の級数展開はレジストモデルパラメータの派生項を含むことができる。
[0078] 空間像又はレジスト像の切り捨てなどの非線形動作を含むことができる一般レジストモデルの場合、(式22)に示されているように、公称条件及び派生項への簡単な分離はもはや有効ではない。しかし、非線形動作を処理するための代替方法が3通りある。
[0079] まず、線形フィルタP{}はもはやNC(標準条件)でレジストモデルを正確に記述しないという再解釈により、PWによるレジスト像の一般的変動は(式22)の2行目によって形式的に近似値を求めることができるものと想定する。その代わりに、線形フィルタP{}は、NCに対するディファレンシャルレジスト像変化(differential resist image change)の最良表現を再現するように選択される。非線形モデルはNCにおいて最も正確なモデルフィットを保証することができるが、線形モデルより著しく長い計算時間を必要とする可能性がある。ディファレンシャルスルーPW挙動をエミュレートするためにこのような関連線形フィルタに依存することにより、R0(x)を生成するために非線形モデルの単一評価のみが必要になり、多数のPW条件におけるPW分析はP{I0}、P{a}、P{b}のより効率的な評価に基づいて行うことができる。
[0084] 上記の手法は、すべてのパターン固有ゲージ点に関するか又はNC(公称条件)レジスト輪郭の任意の点に沿った(RMS)差を最小限にする単一線形フィルタであるという点で最適な線形化フィルタ(すなわち、関連フィルタ)を提供するものである。次に、派生レジスト像の計算にレジストモデル線形化を取り入れる代替手法について考察する。
[0090] 第3の手法では、多項式を使用して非線形レジストモデル動作の近似値を求める。より具体的には、像I(x)に関する切り捨て動作の場合、酸及び塩基の反応効果をエミュレートするために、その像の2次多項式が十分な近似を可能にする。もう1つの典型的な非線形動作である像傾斜(image slope)の線形フィルタリングは、像勾配(image gradient)G{I(x)}=I(x)−I(x−1)の2次関数の線形フィルタリング、それ故、空間像I(x)自体の2次多項式として精密に表すことができる。より具体的には、G{}が勾配動作であり、線形フィルタがPSlope{・}であるとすると、この非線形動作は以下のように表すことができる。
[00105] 典型的に、光学パラメータに関する情報は通常、かなり正確であるので、較正時の光学チューニングの量はかなり少ない。その結果、すべての光学パラメータに対する依存状態は、関連パラメータの多項式に正確に展開することができ、例えば、(式20)に示されているように、焦点及びNAなどの光学パラメータの多項式として空間像を表すことができる。
その結果、(式44)を以下のように書き直すことができる。
この解のための一般公式は以下の通りである。
−投影ビームPBの放射を供給するための放射システムEx、IL。この特定のケースでは放射システムは放射源LAも含む。
−マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MT
−基板W(例えば、レジストコーティングシリコンウェーハ)を保持するための基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WT
−マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)上に結像するための投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折、反射、又は反射屈折光学システム)
−ステップモードでは、マスクテーブルMTは本質的に静止状態に保持され、マスクイメージ全体が一度に(すなわち、単一「フラッシュ」で)ターゲット部分Cに投影される。次に、異なるターゲット部分CをビームPBで照射できるように、基板テーブルWTがx方向及び/又はy方向にシフトする。
−スキャンモードでは、所与のターゲット部分Cが単一「フラッシュ」で露光されないことを除いて、本質的に同じシナリオが適用される。その代わりに、マスクテーブルMTは速度vで所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えば、y方向)に移動可能であり、従って、投影ビームPBはマスクイメージの上をスキャンするようになり、同時に、基板テーブルWTは速度V=Mvで同じ方向又は反対方向に同時に移動し、MはレンズPLの倍率である(典型的に、M=1/4又は1/5)。このように、解像度について妥協する必要なしに、相対的に大きいターゲット部分Cを露光することができる。
[00132] 本発明の上記の説明は例示的なものであって、限定的なものではない。例えば、当業者であれば、上記の機能及び能力の種々の組合せで本発明を実施することができ、本発明が上記より少ないコンポーネント又は追加のコンポーネントを含むことができることを認識するであろう。本発明によって教示された後で当業者が認識するように、本発明の特定の追加の態様及び特徴は、以下にさらに明記され、より詳細に上述した機能及びコンポーネントを使用して入手することができる。
1.フォトリソグラフィシステムを較正する方法であって、
フォトリソグラフィプロセスの構成を使用して生成された回路パターンの複数の測定寸法を入手すること、
フォトリソグラフィプロセスの構成のモデルを使用して回路パターンの複数の推定寸法を生成すること、
回路パターンのうちの特定のものについて、構成に関連する推定寸法と定義済みパラメータとの多項式フィットを計算すること、
多項式フィットに基づいてフォトリソグラフィプロセスを較正することを含み、フォトリソグラフィプロセスを較正することが、最適化アルゴリズムを使用して推定寸法と測定寸法との差を最小限にするステップを含む、方法。
2.推定寸法と測定寸法が回路パターンの輪郭形状を定義する寸法を含む、1項記載の方法。
3.差を最小限にするステップが、推定寸法と測定寸法との差の平方和を最小限にすることを含む、1項記載の方法。
4.推定寸法と測定寸法のうちの特定のものが回路パターンのクリティカルディメンションに関連する、1項記載の方法。
5.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの線形関係を決定することを含む、4項記載の方法。
6.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと複数の推定寸法との線形関係並びに少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの2次又はそれ以上の高次関係を決定することを含む、4項記載の方法。
7.多項式フィットを計算することが、少なくとも1つの光学パラメータのそれぞれに関する1つ又は複数のクリティカルディメンションの推定値について最小2乗最適化アルゴリズムを実行することを含む、6項記載の方法。
8.最適化アルゴリズムが勾配降下アルゴリズムである、1項記載の方法。
9.最適化アルゴリズムがガウス・ニュートンアルゴリズムである、1項記載の方法。
10.最適化アルゴリズムがレーベンバーグ・マルカート(アルゴリズムである、1項記載の方法。
11.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、選択したパラメータのフィットされた多項式を使用して推定寸法を計算することを含む、1項記載の方法。
12.選択したパラメータの多項式フィットを計算することが、ディファレンシャル透過クロス係数を使用することをさらに含む、11項記載の方法。
13.多項式フィットを計算することが、特定のモデルパラメータの多項式を使用して複数の推定寸法のそれぞれについて最小2乗近似を実行することを含む、1項記載の方法。
14.少なくとも1つの光学パラメータがデフォーカス設定を含む、6項記載の方法。
15.少なくとも1つの光学パラメータが露光ドーズ設定を含む、6項記載の方法。
16.少なくとも1つの光学パラメータが焦点設定及び開口数設定を含む、6項記載の方法。
17.多項式フィットを計算することが、焦点設定の多項式としてクリティカルディメンションを表すことを含む、16項記載の方法。
18.多項式フィットを計算することが、焦点設定及び開口数設定の多項式を使用して空間像を生成することを含む、16項記載の方法。
19.多項式フィットが2次フィットである、17項記載の方法。
20.多項式フィットを計算することが、焦点設定及び開口数設定の多項式としてレジスト像を表すことを含む、16項記載の方法。
21.多項式フィットを計算することが、複数の像点のそれぞれについて焦点設定の2次多項式として像強度における焦点関連変動の近似値を求めることを含む、1項記載の方法。
22.複数の推定寸法を提供することが、
1つの公称プロセス条件について計算された複数の公称クリティカルディメンションを入手することであって、その公称プロセス条件が公称フォトリソグラフィプロセスを特徴付けること、及び
モデルパラメータの多項式フィット及び複数の公称クリティカルディメンションを使用して複数の推定寸法を計算すること
を含む、1項記載の方法。
23.多項式フィットを計算することが、構成に関連する事前計算済みのディファレンシャル透過クロス係数を使用することを含む、1項記載の方法。
24.多項式フィットを計算することが、少なくとも1つの光学パラメータの関数として空間像の多項式級数展開を提供することを含む、6項記載の方法。
25.空間像が事前計算済みの透過クロス係数に基づいて計算される、24項記載の方法。
26.多項式フィットを計算することが、少なくとも1つの光学パラメータの関数として空間像の導関数の多項式級数展開を提供することを含む、6項記載の方法。
27.空間像が事前計算済みの透過クロス係数の導関数に基づいて計算される、26項記載の方法。
28.フォトリソグラフィシステムを較正するためのコンピュータプログラムを担持するコンピュータ可読媒体であって、そのコンピュータプログラムが、実行されたときに、
フォトリソグラフィプロセスの構成を使用して生成された回路パターンの複数の測定寸法を入手するステップと、
フォトリソグラフィプロセスの構成のモデルを使用して回路パターンの複数の推定寸法を生成するステップと、
回路パターンのうちの特定のものについて、構成に関連する推定寸法と定義済みパラメータとの多項式フィットを計算するステップと、
多項式フィットに基づいてフォトリソグラフィプロセスを較正するステップであって、フォトリソグラフィプロセスを較正することが、最適化アルゴリズムを使用して推定寸法と測定寸法との差を最小限にするステップを含むステップと、
をコンピュータに実行させる、コンピュータ可読媒体。
29.推定寸法と測定寸法が、回路パターンの輪郭形状を定義する寸法を含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
30.差を最小限にするステップが、推定寸法と測定寸法との差の平方和を最小限にすることを含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
31.推定寸法と測定寸法のうちの特定のものが回路パターンのクリティカルディメンションに関連する、28項記載のコンピュータ可読媒体。
32.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの線形関係を決定することを含む、31項記載のコンピュータ可読媒体。
33.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと複数の推定寸法との線形関係並びに少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの2次又はそれ以上の高次関係を決定することを含む、31項記載のコンピュータ可読媒体。
34.多項式フィットを計算することが、少なくとも1つの光学パラメータのそれぞれに関する1つ又は複数のクリティカルディメンションの推定値について最小2乗最適化アルゴリズムを実行することを含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
35.最小2乗最適化アルゴリズムが勾配降下アルゴリズムである、34項記載のコンピュータ可読媒体。
36.最小2乗最適化アルゴリズムがガウス・ニュートンアルゴリズムである、34項記載のコンピュータ可読媒体。
37.最小2乗最適化アルゴリズムがレーベンバーグ・マルカートアルゴリズムである、34項記載のコンピュータ可読媒体。
38.フォトリソグラフィプロセスを較正することが、選択したパラメータのフィット多項式を使用して推定寸法を計算することを含む、31項記載のコンピュータ可読媒体。
39.選択したパラメータの多項式フィットを計算することが、ディファレンシャル透過クロス係数を使用することをさらに含む、38項記載のコンピュータ可読媒体。
40.多項式フィットを計算することが、特定のモデルパラメータの多項式を使用して複数の推定寸法のそれぞれについて最小2乗近似を実行することを含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
41.少なくとも1つの光学パラメータが一定であり、フォトリソグラフィプロセスを較正することが非線形レジストしきい値設定を最適化することを含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
42.少なくとも1つの光学パラメータがデフォーカス設定を含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
43.少なくとも1つの光学パラメータが露光ドーズ設定を含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
44.少なくとも1つの光学パラメータが焦点設定及び開口数設定を含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
45.多項式フィットを計算することが、焦点設定の多項式としてクリティカルディメンションを表すことを含む、44項記載のコンピュータ可読媒体。
46.多項式フィットを計算することが、焦点設定及び開口数設定の多項式を使用して空間像を生成することを含む、44項記載のコンピュータ可読媒体。
47.多項式フィットが2次フィットである、46項記載のコンピュータ可読媒体。
48.多項式フィットを計算することが、焦点設定及び開口数設定の多項式としてレジスト像を表すことを含む、44項記載のコンピュータ可読媒体。
49.多項式フィットを計算することが、複数の像点のそれぞれについて焦点設定の2次多項式として像強度における焦点関連変動の近似値を求めることを含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
50.複数の推定寸法を提供することが、1つの公称プロセス条件について計算された複数の公称クリティカルディメンションを入手することであって、その公称プロセス条件が公称フォトリソグラフィプロセスを特徴付けること、多項式フィット及び複数の公称クリティカルディメンションを使用して複数の推定寸法を計算することを含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
51.多項式フィットを計算することが、構成に関連する事前計算済みのディファレンシャル透過クロス係数を使用することを含む、28項記載のコンピュータ可読媒体。
52.多項式フィットを計算することが、少なくとも1つの光学パラメータの関数として空間像の多項式級数展開を提供することを含む、33項記載のコンピュータ可読媒体。
53.空間像が事前計算済みの透過クロス係数に基づいて計算される、52項記載のコンピュータ可読媒体。
54.(a)放射感応性材料のレイヤによって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
(b)結像システムを使用して放射投影ビームを提供し、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用されるマスクを生成するステップと、
(c)放射感応性材料のレイヤのターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影するステップとを含み、ステップ(b)がフォトリソグラフィプロセスの構成を使用して生成された回路パターンの複数の測定寸法を入手すること、フォトリソグラフィプロセスの構成のモデルを使用して回路パターンの複数の推定寸法を生成すること、回路パターンのうちの特定のものについて、構成に関連する推定寸法と定義済みパラメータとの多項式フィットを計算すること、多項式フィットに基づいてフォトリソグラフィプロセスを較正することを含み、フォトリソグラフィプロセスを較正することが、最適化アルゴリズムを使用して推定寸法と測定寸法との差を最小限にするステップを含む、デバイス製造方法。
Claims (18)
- フォトリソグラフィシステムを較正する方法であって、フォトリソグラフィプロセスの構成を使用して生成された回路パターンの複数の測定寸法を入手すること、前記フォトリソグラフィプロセスの前記構成のモデルを使用して前記回路パターンの複数の推定寸法を生成すること、前記回路パターンのうちの特定のものについて、前記構成に関連する前記推定寸法と定義済みパラメータとの多項式フィットを計算すること、前記多項式フィットに基づいて前記フォトリソグラフィプロセスを較正することを含み、前記フォトリソグラフィプロセスを較正することが、最適化アルゴリズムを使用して前記推定寸法と前記測定寸法との差を最小限にするステップを含む、方法。
- 前記推定寸法と前記測定寸法が前記回路パターンの輪郭形状を定義する寸法を含む、請求項1記載の方法。
- 差を最小限にする前記ステップが、前記推定寸法と前記測定寸法との差の平方和を最小限にすることを含む、請求項1記載の方法。
- 前記推定寸法と前記測定寸法のうちの特定のものが前記回路パターンのクリティカルディメンションに関連する、請求項1記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの線形関係を決定することを含む、請求項4記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィプロセスを較正することが、少なくとも1つの光学パラメータと前記複数の推定寸法との線形関係並びに少なくとも1つの光学パラメータと1つ又は複数の推定クリティカルディメンションとの2次又はそれ以上の高次関係を決定することを含む、請求項4記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィプロセスを較正することが、選択したパラメータのフィットされた多項式を使用して前記推定寸法を計算することを含む、請求項1記載の方法。
- 選択したパラメータの前記多項式フィットを計算することが、ディファレンシャル透過クロス係数を使用することをさらに含む、請求項7記載の方法。
- 前記多項式フィットを計算することが、他の複数のモデルパラメータの多項式を使用して前記複数の推定寸法のそれぞれについて最小2乗近似を実行することを含む、請求項1記載の方法。
- フォトリソグラフィシステムを較正するためのコンピュータプログラムを担持するコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータプログラムが、実行されたときに、請求項1〜9のいずれかに記載の前記方法をコンピュータに実行させる、コンピュータ可読媒体。
- (a)放射感応性材料のレイヤによって少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、(b)結像システムを使用して放射投影ビームを提供し、そして該投影ビームの断面にパターンを与えるために使用されるマスクを生成するステップと、(c)放射感応性材料の前記レイヤのターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するステップとを含み、ステップ(b)がフォトリソグラフィプロセスの構成を使用して生成された回路パターンの複数の測定寸法を入手すること、前記フォトリソグラフィプロセスの前記構成のモデルを使用して前記回路パターンの複数の推定寸法を生成すること、前記回路パターンのうちの特定のものについて、前記構成に関連する前記推定寸法と定義済みパラメータとの多項式フィットを計算すること、該多項式フィットに基づいて前記フォトリソグラフィプロセスを較正することを含み、前記フォトリソグラフィプロセスを較正することが、最適化アルゴリズムを使用して前記推定寸法と前記測定寸法との差を最小限にするステップを含む、デバイス製造方法。
- リソグラフィプロセス用のモデルを生成することであって、該モデルが該リソグラフィプロセスの物理パラメータの公称値付近の多項式級数展開を含むこと、
少なくとも1つの多項式展開係数を最適化することにより前記物理パラメータの複数の値にて前記リソグラフィプロセスを適用することによって得られた結像結果の測定寸法に前記モデルをフィッティングさせること、
を含む、較正方法。 - 少なくとも2つの多項式展開係数にて最適化することを含む、請求項12記載の較正方法。
- 前記物理パラメータの異なる値について重み因子を使用することを含む、請求項12〜13のいずれかに記載の較正方法。
- 結像プロセスに対応する前記モデルの一部でディファレンシャル透過クロス係数を生成することを含む、請求項12〜14のいずれかに記載の較正方法。
- 前記リソグラフィプロセスの他の物理パラメータの他の公称値付近の他の多項式級数展開を含み、前記結像結果が前記他の物理パラメータの複数の値で得られ、前記モデルをフィットさせることが、前記他の多項式級数展開に対応する少なくとも1つの他の多項式展開係数を最適化することを含む、請求項12〜15のいずれかに記載の較正方法。
- 前記物理パラメータ及び前記他の物理パラメータの異なる値の組合せについて重み因子を使用することを含む、請求項16のいずれかに記載の較正方法。
- 請求項12〜17のいずれかに記載の前記方法を含むリソグラフィ方法であって、
前記モデルを使用して前記公称パラメータの前記値の付近で前記パラメータの変動によるメトリックの変動を決定すること、
前記公称パラメータの異なる値にて請求項12の前記ステップを繰り返すこと、
前記モデルを使用して前記公称パラメータの前記異なる値の付近で前記パラメータの変動によるメトリックの他の変動を決定すること、
−前記物理パラメータの前記値の前記変動及び前記物理パラメータの前記値の前記他の変動に基づいて前記物理パラメータの値を選択すること
を含む、リソグラフィ方法。
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