JP5730816B2 - マルチステージシステム、マルチステージシステムのための制御方法、およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射で1つのターゲット部分Cに投影される間、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」は実質的に静止状態とされる(すなわち1回の静的な露光)。そして基板テーブルWTまたは「基板サポート」がX方向及び/またはY方向に移動されて、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Cのサイズを制限することになる。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」は同期して走査される(すなわち1回の動的な露光)。パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められてもよい。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の(走査方向の)高さを決定する。
3.別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間、パターニングデバイスサポート(例えば、マスクテーブル)MTまたは「マスクサポート」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルWTまたは「基板サポート」が移動するたびに、または連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
制御ユニットまたはコントローラCUはさらに、第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動する前に、第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部となっている電気コイルを決定し、第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部である少なくともひとつの電気コイルを駆動対象から除く、よう構成される。
Claims (12)
- 第1方向と実質的に平行に延びるステータと、
前記ステータに対して第1方向に移動可能な第1ステージと、
前記ステータに対して第1方向に移動可能な第2ステージと、を備え、
前記第1ステージおよび前記第2ステージのそれぞれは、磁場を生成するマグネットシステムを備え、
前記ステータは複数の電気コイルを備え、前記複数の電気コイルは前記第1ステージおよび前記第2ステージのマグネットシステムによって生成される磁場と相互作用し、前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記ステータに対して位置決めするよう前記第1ステージおよび前記第2ステージに与えられる力を生成するよう構成され、
本マルチステージシステムはさらに、
前記第1ステージの前記ステータに対する位置および前記第2ステージの前記ステータに対する位置を決定するよう構成されたセンサと、
前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記ステータに対して第1方向において位置決めするよう構成されたコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記第1ステージの前記ステータに対する第1方向における位置を前記センサの出力に基づいて決定し、
決定された位置にある前記第1ステージのマグネットシステムの磁場と無視できない相互作用を有する可能性のある電気コイルの第1サブセットを選択し、
前記第2ステージの前記ステータに対する第1方向における位置を前記センサの出力に基づいて決定し、
決定された位置にある前記第2ステージのマグネットシステムの磁場と無視できない相互作用を有する可能性のある電気コイルの第2サブセットを選択し、
第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動し、前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記ステータに対して位置決めする、よう構成され、
前記コントローラは、第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動する前に、
第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部となっている電気コイルを決定し、
第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部である少なくともひとつの電気コイルを駆動対象から除く、よう構成され、
前記コントローラは、電気コイルを駆動対象から除くことにより、前記第1ステージおよび前記第2ステージが互いに近づくことを可能とするよう構成される、
マルチステージシステム。 - 前記ステータは第2方向と実質的に平行に延び、第2方向は第1方向と実質的に直交し、
前記第1ステージおよび前記第2ステージは、前記ステータに対して第1方向および第2方向に移動可能であり、
前記コントローラはさらに、
前記第1ステージの前記ステータに対する第2方向における位置を前記センサの出力に基づいて決定し、
前記第2ステージの前記ステータに対する第2方向における位置を前記センサの出力に基づいて決定する、よう構成される、請求項1に記載のマルチステージシステム。 - 第1サブセットは前記第1ステージに対して得られるべき要求位置決め精度に基づいて選択され、第2サブセットは前記第2ステージに対して得られるべき要求位置決め精度に基づいて選択される、請求項1または2に記載のマルチステージシステム。
- 少なくとも、対応するマグネットシステムの完全な直下にある電気コイルが駆動される、請求項1ないし3のいずれかに記載のマルチステージシステム。
- 第1サブセットの少なくとも9個のコイルおよび第2サブセットの少なくとも9個のコイルが駆動される、請求項1ないし4のいずれかに記載のマルチステージシステム。
- 前記コントローラは、前記第1ステージと前記第2ステージとが近づいて接触した場合、第1サブセットおよび第2サブセットの全ての電気コイルを駆動することにより、前記第1ステージおよび前記第2ステージを単一のステージとして制御するよう構成される、請求項1ないし5のいずれかに記載のマルチステージシステム。
- 各マグネットシステムは第1マグネットと第2マグネットとを含み、第1マグネットはキャリアと実質的に直交する磁化の向きを有し、その磁化の向きは前記キャリアを向いており、第2マグネットは前記キャリアと実質的に直交する磁化の向きを有し、その磁化の向きは前記キャリアから離れる向きであり、
第1マグネットおよび第2マグネットは、互いに実質的に直交する行と列とからなるパターンにしたがって配置され、第1マグネットおよび第2マグネットは各行各列に交互に配置されており、
2つのステージは、前記第1ステージと前記第2ステージとが接触するとき前記第1ステージのマグネットシステムのパターンが前記第2ステージのマグネットシステムに続くように配置可能となっている、請求項6に記載のマルチステージシステム。 - 各マグネットシステムは奇数個の行および奇数個の列を有し、前記第1ステージのマグネットシステムは対角線上に配置された第1マグネットを有し、前記第2ステージのマグネットシステムは対角線上に配置された第2マグネットを有する、請求項7に記載のマルチステージシステム。
- 前記コントローラは、2つのステージを一緒に互いに接触した状態で、そのような状態が望ましい限り維持する力を生成するように、第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動するよう構成される、請求項6または7に記載のマルチステージシステム。
- 請求項1ないし9のいずれかに記載のマルチステージシステムを備えるリソグラフィ装置。
- マルチステージシステムを制御する方法であって、前記マルチステージシステムは、
第1方向と実質的に平行に延びるステータと、
前記ステータに対して第1方向に移動可能な第1ステージと、
前記ステータに対して第1方向に移動可能な第2ステージと、を備え、
前記第1ステージおよび前記第2ステージのそれぞれは、磁場を生成するマグネットシステムを備え、
前記ステータは複数の電気コイルを備え、前記複数の電気コイルは前記第1ステージおよび前記第2ステージのマグネットシステムによって生成される磁場と相互作用し、前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記ステータに対して第1方向において位置決めするよう前記第1ステージおよび前記第2ステージに与えられる力を生成するよう構成され、
本方法は、
前記第1ステージの前記ステータに対する第1方向における位置を決定することと、
決定された位置にある前記第1ステージのマグネットシステムの磁場と無視できない相互作用を有する可能性のある電気コイルの第1サブセットを選択することと、
前記第2ステージの前記ステータに対する第1方向における位置を決定することと、
決定された位置にある前記第2ステージのマグネットシステムの磁場と無視できない相互作用を有する可能性のある電気コイルの第2サブセットを選択することと、
第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動し、前記第1ステージおよび前記第2ステージを前記ステータに対して位置決めすることと、を含み、
前記第1サブセットおよび第2サブセットの電気コイルを駆動することは、
第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部となっている電気コイルを決定することと、
第1サブセットおよび第2サブセットの両方の一部である少なくともひとつの電気コイルを駆動対象から除くことと、を含み、
前記第1ステージと前記第2ステージとが接触するまでそれらの2つのステージが互いに近づくことを可能とするよう電気コイルが駆動され、
そのような接触が行われた後、第1サブセットおよび第2サブセットの全ての電気コイルを駆動することによって、前記第1ステージおよび前記第2ステージはひとつの単一ステージとして制御される、方法。 - 前記マルチステージシステムの前記ステータは第2方向と実質的に平行に延び、第2方向は第1方向と実質的に直交し、
前記第1ステージおよび前記第2ステージは、前記ステータに対して第1方向および第2方向に移動可能であり、
本方法はさらに、
前記第1ステージの前記ステータに対する第2方向における位置を決定することと、
前記第2ステージの前記ステータに対する第2方向における位置を決定することと、を含む、請求項11に記載の方法。
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US20130271738A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP6373992B2 (ja) | 2013-08-06 | 2018-08-15 | ザ・ユニバーシティ・オブ・ブリティッシュ・コロンビア | 変位デバイスおよび方法とそれに関連付けられた運動を検出し推定するための装置 |
WO2015179962A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-03 | The University Of British Columbia | Displacement devices and methods for fabrication, use and control of same |
EP3152822B1 (en) * | 2014-06-07 | 2019-08-07 | The University Of British Columbia | Methods and systems for controllably moving multiple moveable stages in a displacement device |
EP3155712A4 (en) | 2014-06-14 | 2018-02-21 | The University Of British Columbia | Displacement devices, moveable stages for displacement devices and methods for fabrication, use and control of same |
EP3320606B1 (en) | 2015-07-06 | 2023-06-07 | The University Of British Columbia | Method and system for controllably moving one or more moveable stages in a displacement device |
NL2018129A (en) | 2016-02-12 | 2017-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2017137181A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Multiphase linear motor, multiphase planar motor, stage, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102021100200A1 (de) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | benjamin Systems GmbH | Flächenmotor und Verfahren zum Ansteuern eines Flächenmotors |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217183A (ja) | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Nikon Corp | モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2002112526A (ja) | 2000-06-26 | 2002-04-12 | Nikon Corp | 平面モータ、ステージ位置決めシステム、露光装置 |
JP2002231622A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2002325421A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Canon Inc | リニアモータ、およびこれを用いたステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法 |
EP1243969A1 (en) | 2001-03-20 | 2002-09-25 | Asm Lithography B.V. | Lithographic projection apparatus and positioning system |
JP2003244927A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Yaskawa Electric Corp | リニアモータ及びそれを有するステージ装置 |
JP4314555B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2009-08-19 | 株式会社ニコン | リニアモータ装置、ステージ装置、及び露光装置 |
JP4362862B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
JP2005310808A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Canon Inc | 電子線露光装置 |
JP2005327993A (ja) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006246570A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Canon Inc | リニアモータ及びリニアモータを利用した露光装置 |
US7667822B2 (en) * | 2006-02-14 | 2010-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and stage apparatus |
TWI454859B (zh) * | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
US7592760B2 (en) * | 2006-09-11 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2008075749A1 (ja) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びに基板保持装置 |
JP5146323B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-02-20 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
NL1035987A1 (nl) * | 2007-10-02 | 2009-04-03 | Asml Netherlands Bv | Method for positioning an object by an electromagnetic motor, stage apparatus and lithographic apparatus. |
JP2009253090A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Canon Inc | 位置決めステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
KR20090107435A (ko) * | 2008-04-08 | 2009-10-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 스테이지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
NL2008696A (en) | 2011-05-25 | 2012-11-27 | Asml Netherlands Bv | A multi-stage system, a control method therefor, and a lithographic apparatus. |
US9030057B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-05-12 | Nikon Corporation | Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity |
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